【課題】リーク電流が少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層３上に形成された第１の半導体層４上の一部の領域に無機膜５を形成すると共に、無機膜５を介して相互に対向する領域に電極６及び７を形成する。第１の半導体層４はＡｌＧａＮ層とする。次に、第１の半導体層４上における無機膜５と電極６とに挟まれた領域、及び無機膜５と電極７とに挟まれた領域の各々に、第２の半導体層８を形成する。第２の半導体層８としては、ＭＯＣＶＤ法によりＡｌＧａＮ層を形成する。その後、無機膜５を除去し、凹み９を形成する。次に、絶縁膜１０を形成し、凹み９内に電極１１を形成する。これにより、半導体装置１９が作製される。 （もっと読む）

【課題】ムラがなくベース金属層との密着性の高いめっき層を容易に形成することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液を用いて無電解めっきすることにより基板上に設けられたベース金属層の表面に金属成分を析出させてめっき金属層を形成する際、基板上にゲル状のめっき液を塗布し、このゲル状のめっき液によってベース金属層が覆われた状態でベース金属層のみを加熱する。 （もっと読む）

【課題】高速論理回路素子に利用される配線構造において、連続したルテニウム（Ｒｕ）薄膜を容易に形成する方法を提供する。
【解決手段】 ルテニウム（Ｒｕ）薄膜を基板上に堆積する方法は、（ｉ）基板表面を有機金属前駆体で処理する工程と、（ｉｉ）処理した基板表面にルテニウム前駆体を吸着させる工程と、（ｉｉｉ）吸着させたルテニウム前駆体を励起させた還元性ガスで処理する工程と、そして（ｉｖ）工程（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を繰り返すことにより、ルテニウム薄膜を基板上に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

開示されているのは、転写パターン材料をフィルムベース材料に形成して、転写フィルムを作製する工程と、転写パターン材料が基板と接触するように、転写パターンが形成される基板に転写フィルムを張り付ける工程と、フィルムベース材料を転写パターン材料から分離する工程と、ペーストを転写パターン凹部に適用する工程と、ペーストを固化する工程と、転写パターン材料を除去する工程とを含むペーストパターン形成方法である。
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【課題】ゲート電極を好適な仕事関数を有する導電材料から構成することができ、ゲート電極の構成材料と層間絶縁層のエッチング条件との関係を考慮する必要のない半導体装置を提供する。
【解決手段】ＮＭＩＳＦＥＴ及びＰＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置であって、各ゲート電極32A,32Bは、層間絶縁層の下層部28Aに設けられたゲート電極形成用開口部に埋め込まれており、ＮＭＩＳＦＥＴのゲート電極32Aの少なくとも底面部と側面部は第１の導電材料33Aから構成されており、ＰＭＩＳＦＥＴのゲート電極32Bの少なくとも底面部と側面部は第１の導電材料とは異なる第２の導電材料33Bから構成されており、各ゲート電極32A,32Bの頂面上には、導電性を有する保護層35A,35Bが形成されており、各ゲート電極用コンタクトプラグ44A,44Bは、保護層35A,35Bを介して、各ゲート電極32A,32Bの頂面に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ナノサイズの間隙部を有する電極構造体を、生産性よく、確実に製造することのできる電極構造体の製造方法、及びその製造方法によって作製される電極構造体並びに電子デバイスを提供すること。
【解決手段】 まず、絶縁性基板１に細線２を配置する。次に、絶縁性基板１の、細線２の側方に位置する領域を被覆するように、導電性微粒子３からなる導電性微粒子層４を配置する。導電性微粒子層４は、単粒子層であるのが望ましく、例えばラングミュア−ブロジェット（ＬＢ）法を用いて形成する。次に、電極５および６を形成する領域に存在する導電性微粒子３に電子線を照射して、導電性微粒子３同士を融着させ、細線２を間に挟んで対向する２つの電極５および６を形成する。次に、細線２を除去して、２つの電極５および６間に間隙部７を形成する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】チューブを絶縁層の開口形成領域上に絶縁層に接して配置し、そのチューブを通して処理剤（エッチングガス又はエッチング液）を絶縁層に吐出する。吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。露出された導電層と接するように開口に導電膜を形成し、導電層と導電膜を絶縁層に設けられた開口において電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はパターン転写装置，パターン転写方法および転写用原版の構造と製造方法に係り、特に線幅が１０マイクロメーター以下の微細なパターンを転写する装置や方法に関する。
【解決手段】
被転写基板にパターンを転写する装置において、媒体を入れる液溜めと液溜め内部の圧力を高める圧力調整機構と液溜めに開口された第１のオリフィスと第１のオリフィスを一側面に有する気化室と気化室の一側面に開口された第２のオリフィスと被転写基板と被転写基板を二次元面内に移動させる駆動機構とを備え、気化した媒体が被転写基板上にパターンを描画するパターン転写装置によって達成される。
【効果】
表面張力の制約を受けずに微細なパターンを転写できるため、電子部品の製造を簡便にできる効果を得られる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン配線をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層２８ａ、２９ａと、純Ｃｕ又はＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。窒素含有層を構成する窒素の一部若しくは全部、または、酸素窒素含有層を構成する窒素または酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、窒素含有層または酸素窒素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】製造コストが低く高速応答性の良好な電子素子を提供することを課題とする。
【解決手段】基板１の上にライン状の第１電極の上面２ａに絶縁層３を形成する。この絶縁層３は、電極層２を形成するためのエッチング処理で用いるレジストを除去せずに残したものである。電極層２の側面２ｂから、絶縁層３の上面を経て、電極層２の側面２ｃにわたって、絶縁層４を形成する。絶縁層４の上には導電層５を形成する。電極層２の側面２ｂの側の絶縁部Ｂに平面視隣接して電極層６を形成し、同様に側面２ｃの側に電極層７を形成する。絶縁部Ｂを覆う領域に半導体層８を形成する。絶縁部Ａの比誘電率及び膜厚は、この絶縁部Ａを絶縁部Ｂと同一の膜厚及び同一の比誘電率を有する絶縁層で構成した場合よりも静電容量が小さくなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】無線信号から生成できる電流値及び電圧値の範囲内で駆動できるメモリを搭載した半導体装置を提供することを課題とする。また、半導体装置製造後に書き込みをいつでも行える追記型のメモリを提供することも課題とする。
【解決手段】絶縁性を有する基板上にアンテナと、アンチヒューズ型のＲＯＭと、駆動回路とを形成する。アンチヒューズ型のＲＯＭを構成する一対の電極のうち、もう一方の電極も駆動回路を構成するトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同じ工程、且つ、同じ材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする際に、金属基体の溶解を防止して正常に電気めっきできるようにした電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする際に、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、金属粉末を前記金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させた電気めっき液及び界面活性剤を含み、超臨界状態又は亜臨界状態で誘導共析現象を利用して電気めっきを行う。そうすると、電気めっき液中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象を利用して短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。 （もっと読む）

【課題】密着性が高く、比抵抗が低い導電膜を成膜する。
【解決手段】本発明のターゲット１１はＣｕを主成分とし、第一の添加金属であるＺｒが添加されており、このターゲットをスパッタリングして得られる第一の導電膜はＣｕを主成分とし、Ｚｒを含有する。このような膜はシリコンやガラスに対する密着性が高いだけでなく、比抵抗も低く、Ｃｕがシリコン層に拡散し難いので、シリコン層やガラス基板表面に形成される電極や金属配線に特に適している。ターゲット１１に更に、Ｍｎと、Ｚｎと、Ｓｎ等の第二の添加金属を添加すればシリコン、ガラス、ＩＴＯに対する密着性がより高くなる。 （もっと読む）

半導体デバイスを製作する方法は、第１のドーパント濃度を有する第１の伝導型の第１の半導体層を形成すること、および第１の半導体層上に第２の半導体層を形成することを含む。第２の半導体層は、第１のドーパント濃度よりも低い第２のドーパント濃度を有する。第２の半導体層を貫通して延びて第１の半導体層に接触する第１の伝導型の打込み領域を形成するように、第２の半導体層中にイオンが打ち込まれる。第１の電極が第２の半導体層の打込み領域上に形成され、第２の電極が、第２の半導体層の非打込み領域上に形成される。関連したデバイスも述べられる。
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【課題】信頼性に優れた薄膜トランジスタ、当該薄膜トランジスタを備える電気光学装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜トランジスタ１は、平面的に対向して配置されたソース電極３およびドレイン電極４と、少なくともソース電極３およびドレイン電極４の間に設けられた有機半導体層５と、ソース電極３、有機半導体層５およびドレイン電極４に跨って延在する複数本のゲート線７と、ソース電極３、ドレイン電極４および有機半導体層５と、各ゲート線７との間に介在するゲート絶縁層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ（化学的機械研磨）法による金属膜の研磨をウエハ全体で過不足なく行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、窪み５ａが設けられた絶縁膜５の上にバリア層６を形成する工程Ｓ５と、金属膜７の一部７ａが窪み５ａに埋め込まれるようにバリア層６の上に金属膜７を形成する工程Ｓ６と、一部７ａを残すように金属膜６をＣＭＰ法により研磨する工程Ｓ７とを具備する。バリア層６は、その配向性が半導体ウエハ１のウエハ面の全体で一様になるように形成される。よって、金属膜７の配向性がウエハ面の全体で一様になる。金属膜の結晶構造は、下地材料の表面状態の影響を受けるためである。金属膜の配向性の違いによりＣＭＰ法による研磨速度が異なるから、金属膜７の配向性がウエハ面の全体で一様であるとＣＭＰ法による研磨に過不足が生じることが防がれる。ゆえに、チップ歩留まりが向上する。 （もっと読む）

半導体装置（１０）は、例えば、炭素などのナノチューブから形成される横方向導体又は配線を備える。犠牲層（１６）は、基板（１２）の上方に形成される。誘電体層（１８）は、犠牲層の上方に形成される。横方向開口（３４）は、二つの金属性触媒柱の間に位置する誘電体層の一部と犠牲層とを除去することによって形成される。横方向開口は、首部分と、ナノチューブを成長させる制約スペースとして用いられる空洞部分とを含む。プラズマ（３６）は、ナノチューブの形成方向を制御する電場を形成する電荷を加えるために用いられる。ナノチューブ（４２，４４）は、各金属性触媒柱から横方向に成長すると共に、隣接するか、或いは一つのナノチューブに合体する。ナノチューブは、首部分（２４）又は金属性触媒柱（２０，２２）と接触することができる。
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【課題】無電解めっき浴の強アルカリ性への耐性が付与された、基材との密着性に優れ、かつ良好な導電性を有する導電性膜の形成方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、前記導電性膜の形成方法を用いて形成された導電性膜を提供することにある。
【解決手段】ガラス基材上に、前記ガラス基材と直接化学結合可能な部位を有するラジカル重合開始剤を前記ガラス基材に結合させる工程と、分子内にラジカル重合可能な不飽和部位と無電解めっき触媒を吸着しうる部位とを有するポリマーを接触し、３２０ｎｍ〜７００ｎｍの波長の光により露光を行う工程と、無電解めっき触媒となる金属イオンを吸着させ、該触媒金属イオンを還元して薄膜を形成した後、無電解めっき処理を行う工程と、を有することを特徴とする導電性膜の形成方法、それを用いた形成された導電性膜。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に、チタン膜上に窒化チタン膜が形成された積層構造のバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込んだ接続部における不具合を回避する。
【解決手段】接続孔２０の底部にＴｉＣｌ_４ガスを用いた熱反応により熱反応Ｔｉ膜２１ａを形成し、ＴｉＣｌ_４ガスを用いたプラズマ反応によりプラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂを形成した後、Ｈ_２ガスを用いたプラズマ処理及びＮＨ_３ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの表面に窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃを形成する。続いてＷＦ_６ガスを用いたＣＶＤ法による成膜とＳｉＨ_４ガスまたはＢ_２Ｈ_６ガスを用いた還元とを複数回繰り返して、窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃ上に多層構造のタングステン核膜２２ａを形成した後、ＷＦ_６ガス及びＨ_２ガスを用いたＣＶＤ法により４００℃以下の温度でタングステン核膜２２ａ上にブランケット・タングステン膜２２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の表面からの放熱性を向上し、高出力動作を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、障壁層１０４の上に該障壁層１０４と接して形成されたソース電極１０５、ドレイン電極及びゲート電極１０７と、障壁層１０４の上に各電極の上面の少なくとも一部を覆うように形成され、障壁層１０４を保護する、複数の膜からなるパッシべーション膜１０８とを有している。パッシベーション膜１０８は、少なくとも窒化アルミニウムからなる膜を含む。 （もっと読む）