【課題】コバルト前駆体の保存安定性に優れ、長期保存後に化学気相成長法に供した場合であっても昇華残存物の少ないコバルト前駆体組成物及びコバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長法によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記組成物は、コバルトカルボニル錯体及び溶媒を含有する組成物であって、前記溶媒に溶存する一酸化炭素の濃度が０．００１〜１重量％であることを特徴とする。上記方法は、上記のコバルトカルボニル錯体組成物に由来するコバルトカルボニル錯体を昇華して基体上に供給し、該基体上で該コバルトカルボニル錯体をコバルトに変換することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層と接続電極との接合性および電極の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１１０と、発光層１５０を含み基板１１０上に積層される積層半導体層１００と、インジウム酸化物を含み積層半導体層１００上に積層される透明電極１７０と、透明電極１７０上に積層される第１の接合層１９０と、第１の接合層１９０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる第１のボンディングパッド電極２００とを備える。また、半導体発光素子１は、弁作用金属の一種であるタンタルを含むとともにｎコンタクト層の半導体層露出面１４０ｃと接する側がタンタル酸化物あるいはタンタル窒化物層となるように積層される第２の接合層２２０と、第２の接合層２２０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる接続電極の一例としての第２のボンディングパッド電極２３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】配線層に新たな機能を有する素子を設けた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１配線層１５０、及び半導体素子２００を備える。第１配線層１５０は、絶縁層１５６と、絶縁層１５６の表面に埋め込まれた第１配線１５４とを備える。半導体素子２００は、半導体層２２０、ゲート絶縁膜１６０、及びゲート電極２１０を備える。半導体層２２０は、第１配線層１５０上に位置する。ゲート絶縁膜１６０は、半導体層２２０の上又は下に位置する。ゲート電極２１０は、ゲート絶縁膜１６０を介して半導体層２２０の反対側に位置する。 （もっと読む）

【課題】排気配管内等で原料ガス同士が反応して、その生成物が排気配管の内壁等に付着するのを確実に、装置コストやメンテナンスの負荷を増大させることなく防止する。
【解決手段】反応容器１０１内に配置された基板Ｗに対して第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給して基板Ｗ表面に第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応生成物の膜を形成する成膜装置であって、ガス供給口１０２、１０３及びガス排出口１０８、１０９を有し、内部に基板Ｗが配置される反応容器１０１と、ガス供給口１０２、１０３に接続され、反応容器１０１内に第１及び第２の原料ガスを供給するガス供給系と、ガス排出口１０８、１０９に接続され、反応容器１０１内から第１及び第２の原料ガスを排出するガス排出系と、ガス排出口１０９近傍に設けられた、第１の原料ガス及び第２の原料ガスの少なくとも一方を分解するガス分解部１１４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体にチャネル形成領域を設ける薄膜トランジスタで構成された駆動回路を有する表示装置において、回路が占める面積を大きくすることなく、薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減し、且つ薄膜トランジスタをオフにした際にソースとドレインの間を流れる電流を低減する。
【解決手段】複数のインバータ回路及び複数のスイッチを有し、インバータ回路は、第１の酸化物半導体膜を有する第１の薄膜トランジスタと、第２の酸化物半導体膜を有する第２のトランジスタと、を有し、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは、エンハンスメント型であり、第１の酸化物半導体膜及び第２の酸化物半導体膜上に接してＯＨ基を有する酸化珪素膜が設けられ、酸化珪素膜上に接して窒化珪素膜が設ける。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させても、オフ電流の増大を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とゲート絶縁層の間に、該酸化物半導体層より導電率が高く、膜厚が薄い半導体層を形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させ、且つオフ電流の増大を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】工数を増加させることなく、一方の導電型のトランジスタのみにキャップ膜の効果を与えた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１に形成された第１のトランジスタ１５と、第２のトランジスタ１６とを備えている。第１のトランジスタ１５は、第１のゲート絶縁膜２２Ａと、第１のゲート絶縁膜２２Ａの上に形成された第１のゲート電極２７とを有している。第２のトランジスタ１６は、第２のゲート絶縁膜２２と、第２のゲート絶縁膜２２の上に形成された第２のゲート電極２８とを有し、第１のゲート絶縁膜２２Ａは、第１の元素が拡散した第１の絶縁材料を含み、第２のゲート絶縁膜２２は、第１の絶縁材料を含む。 （もっと読む）

【課題】ｎＭＯＳ及びｐＭＯＳの双方において低い閾値電圧を実現することができ、製造コストが低い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の全面にシリコン酸窒化膜５を形成し、シリコン酸窒化膜５上にランタン酸化膜６を形成し、ｐＭＯＳ領域Ｒ_ｐＭＯＳからランタン酸化膜６を除去する。次に、全面に高誘電率膜である窒化ハフニウムシリケイト膜７を形成し、アルミニウム含有窒化チタン膜８を形成し、ポリシリコン膜９を形成し、これらの積層膜をゲート電極形状に加工する。次に、ソース・ドレイン領域１２及び１３に不純物を導入し、これらの不純物を活性化させるアニール処理を利用して、アルミニウム含有窒化チタン膜８中に含まれるアルミニウムを、ｐＭＯＳ領域Ｒ_ｐＭＯＳにおけるシリコン酸窒化膜５と窒化ハフニウムシリケイト膜７との界面まで拡散させる。 （もっと読む）

【課題】柱状半導体層が微細化されて高集積化されても、コンタクト抵抗の増加を抑制する構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板（半導体基板１）と、半導体基板１上に設けられた、半導体柱状部（柱状半導体層３）と、の天面に接するように設けられた、柱状半導体層３と同径以下のコンタクト柱状部（コンタクト層７）と、この天面に設けられた凹部をと備えるものである。 （もっと読む）

【課題】めっき膜における膜厚の均一性を向上させることができるめっき装置およびめっき方法、ならびに配線不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、基板Ｗの被めっき面Ｗ１が上向きとなるように基板Ｗを保持しつつ基板Ｗを回転させるホルダ３と、ホルダ３で保持された基板Ｗの周縁部Ｗ２に接触するカソード４と、ホルダ３で保持された基板Ｗの中央部Ｗ３に向けてめっき液Ｌを吐出し、かつアノードとしても機能するノズル６とを具備することを特徴とする、めっき装置１が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の絶縁膜の上に形成される金属配線または金属電極の接着力を向上させる。
【解決手段】窒化タングステン６ｂをタングステン６ｃの側面にまで設けて、タングステン６ｃと窒化タングステン６ｂとが接触している面積を増やす。ゲート絶縁膜２上に、ゲート絶縁膜２との接着力が強いポリシリコンサイドウォール５を配置する。タングステン６ｃの側面にある窒化タングステン６ｂにはポリシリコンサイドウォール５を密着させる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少なくとも一部の回路を、上下をゲート電極で挟んだ酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部及び駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

導電物質を選択的に形成する方法及び金属導電構造を形成する方法を開示する。下部に横たわる物質領域を露出するように有機物質をパターン化することができる。下部に横たわる物質の上に位置する有機物質の残留部分と反応することなく下部に横たわる物質と反応するプラチナ前駆ガス等の前駆ガスに、下部に横たわる物質を晒してもよい。前駆ガスを原子層蒸着処理に用いてもよく、その間、前駆ガスは導電構造を形成するように下部に横たわる物質と選択的に反応して有機物質とは反応しない。導電構造は、例えば、半導体デバイス製造の様々な段階においてパターニング用マスクとして用いることができる。 （もっと読む）

【課題】従来構造において二酸化シリコンのごく薄い層で起こる問題を回避しながら、特徴サイズを小さくして、集積化／極小化を増加させるような、ゲート誘電体構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板とゲート電極との間に形成された、誘電体材料層を有するゲートスタック構造と、その製造方法を提供し、この誘電体材料層は、２．５ｎｍ以下の電気的厚さを有し、そして二酸化シリコン以外の、少なくとも１つの層を有する。基板上に誘電体材料層を堆積し、この誘電体材料層の上に直接導電層を堆積することにより形成する。 （もっと読む）

【課題】熱的安定性がある一方、密着性が悪くならない程度の仕事関数を有する金属膜または金属化合物よりなる膜をゲート電極として使用した場合に、しきい値電圧を低く抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ型ＭＩＳ素子とｐ型ＭＩＳ素子を備えるＣＭＩＳ素子において、ｎ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上にケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１０を形成する。一方、ｐ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上に、酸化アルミニウム膜よりなるしきい値調整膜７を形成する。そして、このしきい値調整膜７上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】装置構成を複雑にせずに、成膜初期の核形成が短時間でなされ、表面平滑性およびステップカバレッジが良好な膜を得ることができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜方法は、基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内の基板温度が処理容器内に導入される際の原料ガスの温度よりも低い段階で処理容器内に原料ガスを導入し、基板表面に原料ガスを集積させる工程と、原料ガスの導入を継続しつつ基板温度を成膜温度まで上昇させる過程で、基板上に膜形成のための核付を行う工程と、原料ガスの導入を継続しつつ基板温度を成膜温度に保持して基板上に所定の膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、これと接触するゲート誘電体層１０４を形成する工程と、ゲート誘電体層の上に、これと接触する金属層１０５を形成する工程と、金属層の上に、これと接触するゲート充填材料の層１０６を形成する工程と、ゲート誘電体層、金属層、およびゲート充填層をパターニングして、第１ゲートスタックと第２ゲートスタックとを形成する工程と、半導体基板中に、ソースおよびドレイン領域１０９を形成する工程と、第１および第２ゲートスタックの少なくとも片側の第１および第２領域中に誘電体層を形成する工程と、その後に第２ゲートスタックのみからゲート充填材料を除去し、下層の金属層を露出させる工程と、露出した金属層を金属酸化物層１０５１に変える工程と、第２ゲートスタックを他のゲート充填材料１１５を用いて再形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置な
らびに半導体装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低
減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。
【解決手段】 基板上に逆スタガ型のＴＦＴ上に無機材料から成る第１の層間絶
縁層と、第１の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第２の層間絶縁層と
、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを設け、前記基板の端部
に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲ
ート電極と同じ材料から成る第1の層と、画素電極と同じ材料から成る第２の層
とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フ
ォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を５枚とすることができる
。 （もっと読む）