【課題】 微細化や細線化が図られた膜パターンを、精度よく安定して形成することができる薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上にバンクＢを形成する工程と、バンクＢによって区画された領域に機能液Ｌを配置する工程と、基板Ｐ上に配置された機能液Ｌを乾燥させて膜パターンＦを形成する工程とを有する。バンクＢの形成材料は、ポリシラザンを主成分とする感光性のバンク形成材料を焼結した無機質の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 消費エネルギー・製造コストを低減したパターン形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】 酸化膜形成面１２ａに吸着水を吸着した吸着層１２ｂを形成し、シリコン基板１１の標準単極電位よりも大きい標準単極電位を有して酸化膜形成面１２ａに相対する形状に形成した電極部材３３を、その酸化膜形成面１２ａ（吸着層１２ｂ）に接触させ、シリコン基板１１の標準単極電位と電極部材３３の標準単極電位の電位差に基づいてゲート形成膜（ゲート酸化膜）を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 所要の膜厚で均一な膜厚の薄膜配線をインクジェット方式で形成した表示装置用基板を得る。
【解決手段】 基板に形成したゲート配線パターン８０とゲート電極部パターン８０aに倣って形成された溝４にインクジェット装置のノズルから配線材料インク３を滴下する。配線材料インク３は幅広部８１の溝４に滴下する。配線材料インク３は未だ滴下した後の低粘度状態にあり、滴下された配線材料インク３は隣接するインク滴と連結すると共に、矢印で示したように、溝４の中をゲート配線パターン８０では相互に連結し、かつゲート電極部パターン８０aに漸次濡れ広がり、溝４の中を満たして連続した状態となる。溝４に滴下する配線材料インク３の量は、ゲート配線パターン８０とゲート電極部パターン８０aとなる薄膜の膜厚を満足する量になるように決める。 （もっと読む）

【課題】電極層上のキャップ層の除去と、層間膜の平坦化を同時に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダミーゲート電極（電極層）３およびキャップ層４を被覆するように半導体基板１上に、キャップ層４とダミーゲート電極３の境界位置に表面位置を合わせた層間絶縁膜９を形成する。その後、ダミーゲート電極３上の層間絶縁膜９およびキャップ層４をセリア系スラリーを用いたＣＭＰ法により除去する。層間絶縁膜９の表面位置からキャップ層４が凸状に突き出ている場合には、セリア系スラリーを用いたＣＭＰ法によってキャップ層４は除去される。また、キャップ層４が除去されて、ダミーゲート電極３と層間絶縁膜９の上面位置が一致した後には、セリア系スラリーの圧力依存性により、層間絶縁膜９の研磨レートは極端に遅くなるため、層間絶縁膜９の研磨が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の電極や配線を有する半導体装置を実現する。
【解決手段】 ｐ型不純物、ｎ型不純物、（ｐ+ｎ）不純物がそれぞれ導入された領域を有する半導体層において、熱処理による、これらの各領域上の不純物析出層を除去した後、金属材料を成膜して熱処理することにより、半導体層上にシリサイド膜を形成する。あるいは、前記不純物析出層に不純物を導入し、この後この上に金属材料膜を成膜し、熱処理してシリサイド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第１の導電層と第２の導電層の間に、導電性の有孔バッファ層を形成することによって、第１の導電層と第２の導電層との密着性を高める。有孔バッファ層が有する孔に、粒子状の導電性材料を侵入させ、焼成によって固化し、第２の導電層を形成する。孔内で固化した導電層がくさびのような働きをし、この働く力によって、第２の導電層は、第１の導電層と密着性よく安定して形成される。 （もっと読む）

【課題】 非晶質化のためのイオン注入の際に影のできやすい溝やテーパ状シリコン突出体の表面を均一に非晶質化する方法を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】 シリサイド前の非晶質化イオン１０７の注入の角度（チルト角θ、ツイスト角）に制限を設け、非晶質化のためのイオン注入の際に影のできやすい溝４０２の表面を均一に非晶質化する。その後シリサイド化することにより、フィールド領域内のシリコン表面を使った局所配線を形成し、隣り合うトランジスタのソースまたはドレインを局所的に接続する。 （もっと読む）

【課題】 各基材における鏡面状の被処理面に銅めっきを良好に密着させることができ、これにより、ファインピッチの配線パターンを形成することができるとともに、高周波特性が良好な回路を形成する。
【解決手段】 塩化錫溶液と塩化パラジウム溶液とを用いて、ガラス成分を含有したセラミック基材に第１触媒層を形成する第１触媒工程と、セラミック基材を酸素を含む分域内において加熱する銅めっき前熱処理工程と、塩化錫溶液および塩化パラジウム溶液を用いて、セラミック基材に積層触媒層を形成する積層触媒処理工程と、セラミック基材に微量のニッケルイオンを含む銅めっき液を用いて銅めっき膜を形成するめっき処理工程と、セラミック基材をガラス転移温度以下の熱処理温度によって加熱する銅めっき後熱処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 複数の材料を積層して配線パターンを形成するときに、クラックや断線などの品質問題を減少させることができる配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターン７９を形成する方法であって、基板Ｐ上にバンクＢを突設するバンク形成工程と、基板Ｐに親液性を付与する工程と、バンクＢに撥液性を付与する工程とを有している。また、撥液性が付与されたバンクＢ間に、第１層目の下地膜７１を形成する工程と、第１層目の上に、第２層目の導電膜７３を形成する工程と、第２層目の上に、第３層目の拡散防止膜７７を形成する工程とを有している。そして、これら下地膜７１、導電膜７３、拡散防止膜７７とで構成された配線パターン７９を一括で焼成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 配線パターンを形成するときに、断線などの品質問題を減少させることができる配線パターンの形成方法、デバイスの製造方法、デバイス、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に、液滴吐出ヘッド１から配線パターン用機能液Ｘを吐出して配線パターンを形成するときに、基板Ｐ上のバンクＢによって区画された凹部である第１領域部Ｇｈと第３領域部Ｇａとに、配線パターン用機能液Ｘを配置させ、毛細管現象を利用して、第１領域部Ｇｈ、第３領域部Ｇａより狭い第２領域部Ｇｄに、配線パターン用機能液Ｘを流れ込ませ、焼成することによって、ゲート電極１１とゲート配線１２とを形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ソース電極及びドレイン電極と有機半導体層との間のオーミックコンタクトを可能にしながら、優れた接触抵抗特性を有する、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。また、前記有機薄膜トランジスタを含む平板表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による有機薄膜トランジスタは、基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を含み、ソース電極及びドレイン電極と有機半導体層との間に伝導性高分子物質を含むキャリア中継膜が形成される。 （もっと読む）

リソグラフィ工程と印刷工程との複合技術を用いて有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び他の部品が基板（206）上に製造される半導体デバイス及びその製造方法が提供される。リソグラフィによって定められたレジストパターン（211、311）が、障壁と、後に印刷材料を導くように機能するキャビティとをもたらす。集積回路の別個の部品が基板（206）上に別々のアイランドを形成する。応力による隣接する膜のクラック及び剥離のおそれが低減され、また、デバイスの可撓性が増大される。
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【課題】ブレイクダウン電圧を向上できる構造を有しており炭化ケイ素支持基体を用いる半導体素子を提供する。
【解決手段】ショットキダイオード１１で炭化ケイ素支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。窒化ガリウムエピタキシャル層１５は第１の面１３ａ上に設けられている。オーミック電極１７は第２の面１３ｂ上に設けられている。ショットキ電極１９は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５に設けられている。窒化ガリウムエピタキシャル層１５の厚さＤ１は５マイクロメートル以上１０００マイクロメートル以下である。また、窒化ガリウムエピタキシャル層１５のキャリア濃度は１×１０^１４ｃｍ^−３以上１×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板の製造プロセスを簡略化およびその製造コストの低減を可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 プラスチックの基板６１１の上に、めっきシードとしての触媒金属を含有する有機または無機金属化合物を含む溶剤を塗布・乾燥させて金属化合物膜６１２を形成し、その所望領域に電子線などのエネルギ線６１３を照射して触媒金属を析出させる。当該照射領域への局所的なエネルギ線照射によりその照射領域のみで金属触媒析出の化学反応が生じ、触媒金属が局所的に析出してパターニングされた金属触媒膜６１４を得ることができる。また、エネルギ照射された基板６１１は、表面の溶融により触媒金属を極浅領域に取り込んだり、表面のアブレーションにより触媒金属と基板表面の接触面積が実効的に広くなったり、あるいは化学的改質により基板と触媒金属との結合状態が強固なものとなるので、固着程度が高まり金属触媒膜の剥離が生じ難くなる。 （もっと読む）

【課題】 機能性膜のパターンを形成する際、線幅や形状などについて精度よく形成可能なパターン形成方法、および機能性膜を提供すること。
【解決手段】 機能性膜の形成に先立って、設計パターンを副領域に分割し、当該副領域の境界線を描くように第１の液状体を配置し、中間乾燥工程を経て、線状膜３８ｂ，３８ｃ，３８ｄを形成する。次いで、副領域を描くように第２の液状体を配置して、第２の液状体のパターン３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３５ｄを形成し、本乾燥工程を経て、一体化された機能性膜が完成する。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン領域の占有面積が小さい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１９１０は、素子分離領域１０１と活性領域１０２とを有する半導体基板１００と、活性領域１０２上にゲート絶縁膜１０３を介して設けられ、側壁の少なくとも一部がゲート電極側壁絶縁膜１０５で覆われたゲート電極１０４と、ゲート電極１０４の両側にゲート電極側壁絶縁膜１０５を介してそれぞれ設けられたソース領域１０６およびドレイン領域１０６とを備えている。ソース領域１０６およびドレイン領域１０６の少なくとも一方は、コンタクト配線と接触するための第２の面を有し、第２の面は、第１の面ＡＡ’に対して傾いており、第２の面は、素子分離領域の表面と８０度以下の角度で交差する。 （もっと読む）

【課題】 例えば半導体デバイスの製造工程において無電解めっき処理をおこなうにあたって、無電解めっき液には電子の供給源である還元剤が含まれていて特に加熱して使用する場合には、液中にて金属が析出し不安定な状態になることから、これを回避して無電解めっき液の状態の安定化を図り、基板の表面に対して安定しためっき処理をすること。
【解決手段】 無電解めっき液を金属塩が含まれる第１の薬液と還元剤が含まれる第２の薬液に分け、各薬液供給路においてその合流点の近傍に薬液用開閉手段を設けると共に、合流した後の無電解めっき液の供給路における吐出口の近傍にめっき液用開閉手段を設け、これら開閉手段により挟まれる供給路内のめっき液を、概ね１回のめっき処理に必要な吐出量に対応させ、一の基板のめっき処理が開始され、次の基板の処理が開始されるまでの間だけ両薬液が混合されるようにする。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面へ配線となる微細なパターンが形成できるパターン形成方法、配線形成方法、半導体装置、ＴＦＴデバイス、電気光学装置および電子機器を提供する。
【解決手段】 液滴吐出装置４０を用いて形成するＴＦＴ１のゲート配線３およびゲート電極５は、Ｍｎからなるゲート中間層１０と、Ａｇからなるゲート導電層１１と、Ｎｉからなるゲート被覆層１２とを有する。配線の形成工程は、ＴＦＴ基板２との密着性を有し、且つゲート導電層１１を形成する液滴３２に対して親液性を有する中間層を設けるために、ゲート配線領域３ａおよびゲート電極領域５ａに対して中間層形成機能液の液滴３１を吐出する工程と、ゲート中間層１０に重ねてゲート導電層１１を形成するために、ゲート配線領域３ａに対して液滴３２を吐出する工程と、液滴３２をゲート中間層１０との親液性によってゲート電極領域５ａへ自己流動させる工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板との密着性と導電性に優れ、簡易に形成された電極を有する、電極の高解像化が実現された薄層トランジスタ、及び、該薄層トランジスタを備えてなる電気的特性に優れたアクティブマトリックス型表示装置及び駆動用ＬＳＩチップのドライバ入出力配線の導電性が改良され、高解像度で配線が形成されてなる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 光開裂によりラジカル重合を開始しうる重合開始部位と基材結合部位とを有する化合物を表面に結合させてなる基板上に、ラジカル重合可能な不飽和化合物を接触させてパターン状にエネルギーを付与し、該基板上にパターン状のグラフトポリマーを生成した後、該グラフトポリマー生成領域に導電性材料を付与してなる導電層をゲート電極１１０とし、該ゲート電極１１０上に、ゲート絶縁膜１１４、半導体膜１１８、ソース電極１２０、ドレイン電極１２２を順次備えてなる薄層トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハーなどに均一にめっきを施すために行う、洗浄および濡れ性向上のためのアルカリ性洗浄に使用する洗浄剤であって、アルカリ金属を含まないアルカリ性洗浄剤を提供すること。
【解決手段】 リン酸またはその塩を含み、水酸化テトラアルキルアンモニウム塩によりｐＨ１１．５以上の強アルカリ性にしたアルカリ金属フリーめっき前洗浄剤。
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