【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を少ない工程で作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】
凹状のドレイン及びソース構造のトランジスタ（１５０）における非共形的金属シリサイド層（１５６）は、歪誘起メカニズム、ドレイン／ソース抵抗等に関して高い性能を提供することができる。このために場合によっては、シリサイド化プロセスに先立ちアモルファス化注入プロセスが実行されてよい一方で、他の場合には高融点金属（１５６）の異方的な堆積が用いられてよい。 （もっと読む）

【課題】三次元半導体装置における特性を向上させることができる製造方法および装置構成を提供する。
【解決手段】第１半導体膜（９）上にカーボンナノチューブを備えるプラグ電極（１５）を形成する工程、形成されたプラグ電極（１５）の周囲に層間絶縁膜（１６，１８）を形成する工程、層間絶縁膜の表面を平滑化してプラグ電極（１５）の頂部を露出させる工程、層間絶縁膜およびプラグ電極の頂部上に非晶質の第２半導体膜を形成する工程、非晶質の第２半導体膜にエネルギーを供給して露出したプラグ電極（１５）を触媒として機能させて非晶質の第２半導体膜を結晶化させ結晶化した第２半導体膜（２３）とする工程を備える。 （もっと読む）

【課題】薄型軽量画像表示装置や、フレキシブル電子装置を構成するＴＦＴ回路の、ＴＦＴの配置をより稠密に行う。更には、小さい製造工程数により製造コストを低減する。
【解決手段】塗布法、滴下法、印刷法で、ＴＦＴの第１層目の電極のパターニングを行った後、基板の裏面からの露光を利用した自己整合技術により、第２層目の電極の位置合わせを、第1層目の電極に整合させて、塗布法、滴下法、印刷法で第２層目の電極を形成する。この際、第２層目の電極の配置を、前記の露光工程において、第１層目の電極の形状の投影像を遮光マスク用いて分離状態を実現する。例えば、ＴＦＴが並置される場合は、各電極の透光性基板の主面への投影像の関係が、第２層目の電極の配置が第１層目の電極に囲まれる形態か、第２層目の電極の配置より、分離するための第１層目の電極の一部が突き出す形態をとる。 （もっと読む）

【課題】金属と炭化珪素間のコンタクト抵抗を低減する炭化珪素半導体基板を用いた炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体基板と、その主面上に設けられた、炭化珪素半導体からなる第１導電型のドリフト層１０２と、前記炭化珪素半導体からなるエピタキシャル層１０５と、前記ドリフト層１０２内に設けられた第２導電型のウェル領域１０５と、前記ウェル領域１０５内に設けられた第１導電型の高濃度不純物領域１０８と、前記ウェル領域１０５内に設けられた第２導電型のコンタクト領域１０９と、前記エピタキシャル層１１５内に設けられた高密度欠陥領域１１５ａと、前記高密度欠陥領域１１５ａ上に設けられた第１オーミック電極１１２とを備え、前記高密度欠陥領域１１５ａの転位欠陥密度は、前記高濃度不純物領域１０８及び前記コンタクト領域１０９の転位欠陥密度よりも高くなっている。 （もっと読む）

半導体発光デバイスは、伝導性基板上に多層半導体構造を含む。多層半導体構造は、伝導性基板上方に位置する第１のドープ半導体層、第１のドープ半導体層上方に位置する第２のドープ半導体層、および／または第１と第２のドープ半導体層との間に位置するＭＱＷ活性層を含む。また、デバイスは、Ａｇ、ならびにＮｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、およびＰｔのうちの少なくとも１つと、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、およびＣｄのうちの少なくとも１つと、Ｗ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｔａ、およびＣｒのうちのいくつかを含む、第１のドープ半導体層と伝導性基板との間の反射性オーム接触金属層を含む。さらに、デバイスは、反射性オーム接触金属層と伝導性基板との間の接合層、伝導性基板に連結される第１の電極、および第２のドープ半導体層に連結される第２の電極を含む。
（もっと読む）

【課題】表面荒れを発生させることなく、逆方向のバイアス時にリーク電流の増加を抑制できるSiCショットキバリアダイオードの製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明におけるSiCショットキバリアダイオード２０の製造方法は、（a）第１導電型のSiC基体１２を準備する工程と、（b）SiC基体１２に選択的に第２導電型の不純物イオンを注入する工程と、（c）SiC基体１２に熱処理を行い、第２導電型の不純物を活性化して終端構造を形成する工程と、（d）SiC基体１２の表面を研磨８し、熱処理時にSiC基体１２の表面に発生した膜質劣化層７を除去する工程と、（e）工程（d）の後に、SiC基体１２の表面にドライエッチング９を行う工程と、（f）工程（e）の後に、SiC基体１２上にショットキ電極１０を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パターン非形成領域への膜パターンを形成する機能液の流動を抑制して、所望の膜厚の膜パターンを形成する膜パターン形成方法、及びそれを用いたコンタクトホールの形成方法、バンプの形成方法及び発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】パターン非形成領域１０に隣接してパターン形成領域２０が設けられ、パターン形成領域２０に機能液を塗布して膜パターン１を形成する膜パターン形成方法であって、パターン非形成領域１０に、上記機能液に対する撥液材料を含む液滴を塗布して撥液膜３０を形成する撥液膜形成工程と、撥液膜３０に隣接するパターン形成領域２０に上記機能液を塗布して膜パターン１を形成する膜パターン形成工程とを有し、上記撥液膜形成工程と上記膜パターン形成工程とを少なくとも２回交互に繰り返すという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】ソース／ドレイン電極の下側のポテンシャル障壁を低くすることにより、寄生抵抗の増大を防止することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るヘテロ接合電界効果型トランジスタは、窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、チャネル層３０と、チャネル層３０上にスペーサ層４０を介して形成されたバリア層５０を備える。そして、バリア層５０上に形成されたゲート電極８０と、バリア層５０上に、ゲート電極８０を挟んで形成されたソース／ドレイン電極７０とを備える。スペーサ層４０は、ゲート電極８０の下側の領域に形成され、チャネル層３０およびバリア層５０のいずれよりもバンドギャップが大きい第１のスペーサ層４１を備える。そして、スペーサ層４０は、ソース／ドレイン電極７０の下側の領域に形成され、第１のスペーサ層４１よりもバンドギャップが小さい第２のスペーサ層４２を備える。 （もっと読む）

【課題】導電パターンの形成方法とそれを利用した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電パターンを備える平板表示装置において、ベース部材を用意するステップと、ベース部材に導電パターンと同じ形態の凹部を形成するステップと、凹部に導電性物質を塗布して導電パターンを形成するステップと、を含む導電パターンの形成方法である。ベース部材は、凹部を備えるプラスチック基板を備えるか、または基板と、基板上に形成されて凹部を備える絶縁膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理によるダメージを修復してオーミック電極を形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ｐ型窒化物半導体の表面に異種の表面層を形成する表面層形成工程と、その表面層の一部を除去してｐ型窒化物半導体の表面を露出させるエッチング工程と、エッチング工程後のｐ型窒化物半導体を加熱処理するアニール工程と、アニール工程後のｐ型窒化物半導体の表面に電極を形成する電極形成工程を備えている。前記アニール工程は、７００℃から１２００℃の窒素又は酸素雰囲気下で実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銀鏡反応を用いて金属パターンと、プラスチック基板との密着性に優れた金属パターン形成体を高生産性で製造可能な金属パターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。真空紫外光を用いて高精細なパターン状の真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を高感度で製造できる、パターン形成体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、プラスチック基板を用い、上記プラスチック基板の表面に真空紫外光を照射する真空紫外光照射工程と、上記真空紫外光照射工程において、真空紫外光が照射されたプラスチック基板の、真空紫外光照射面上に、銀鏡反応を用いて金属膜を形成する金属膜形成工程と、上記金属膜形成工程によって形成された金属膜をパターニングする金属膜パターニング工程と、を有することを特徴とする、金属パターン形成体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおけるビアホールのドライエッチ処理において、ビアホール内に残渣が発生しない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板２上に含シリコン薄膜１を堆積し、含シリコン薄膜１上に光を照射することにより親水化するシラン誘導体被膜３を形成し、該シラン誘導体被膜３の所望の部位を露光して親水化部４の被膜を形成する。この親水化部４上にレジスト５を塗布し、該レジスト５の所望の部位に開口部を形成し、フッ素を含む薬液によりレジスト開口部内の親水化部４および含シリコン薄膜１に、開口部を形成してＧａＡｓ半導体基板２の表面を露出し、ドライエッチ法によりＧａＡｓ半導体基板２にビアホール６をエッチング形成する。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で線幅の細い導電膜パターンを製造する導電膜パターンの形成方法、さらにはこの導電膜パターンを用いてなる配線基板、表示装置を提供する。
【解決手段】基板の上に液滴塗布法を用いて導電膜パターンを形成する形成方法において、導電膜パターンを形成する部分の内側に互いに離間した複数の突起構造体を形成する工程と、突起構造体の間に導電性材料を溶媒に溶解又は分散した液滴を滴下する工程と、溶媒を蒸発させて突起構造体の間に導電性材料からなる導電膜パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線部及びソース配線部の配線厚みはスイッチング素子部の性能劣化が生じない範囲内でしか厚くすることができない。よって、配線部の電気抵抗値を十分に小さくすることができないため、液晶表示装置の消費電力が大きいという課題がある。
【解決手段】スイッチング素子部３０に形成されたゲート電極部４１の電極厚みｄ３に比べ、Ａｌ膜１４で厚膜化されたゲート配線部４０の配線厚みｄ４が厚い。また、ソース電極部４３及びドレイン電極部４４の電極厚みｄ５に比べ、Ａｌ膜１７で厚膜化されたソース配線部４２の配線厚みｄ６が厚い。配線厚みｄ４，ｄ６が厚いことにより、ゲート配線部４０及びソース配線部４２の断面面積が大きくなる。このことから、ゲート配線部４０及びソース配線部４２の電気抵抗値を小さくすることができる。よって、液晶表示装置１００の低消費電力化ができる。 （もっと読む）

半導体集積回路デバイス基板のシリコン貫通ビアフィーチャー（through silicon via feature）を金属被膜する方法であって、ここで前記半導体集積回路デバイス基板を銅イオン源、有機スルホン酸あるいは無機酸、あるいは分極剤および／あるいは減極剤から選ばれる１つあるいはそれ以上の有機化合物、および塩素イオンからなる電解銅堆積組成物に浸漬することからなる。 （もっと読む）

【課題】エッチングの終了を時間管理する場合よりも精度良くエッチングできる半導体装置とその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板１の表面上に導電膜２を形成する工程と、導電膜２とＳｉＣ基板１を反応させて、導電膜２の材料がＳｉＣ基板１に拡散したＮｉＳｉ層３、ＳｉＣ基板１の珪素により珪化したＮｉ_２Ｓｉ層４、グラファイト５および球状炭素６を生成する工程と、グラファイト５、球状炭素６およびＮｉ_２Ｓｉ層４を、珪素と比較して炭素と結合し易い雰囲気中でエッチングするエッチング工程とを含む。更に、エッチング工程中に放出される炭素放出量がピークを超えて、かつ、所定値以下になった場合にエッチング工程を終了する。 （もっと読む）

【課題】複数の層にそれぞれ異なるパターンを与えること。
【解決手段】パターニング方法が、第１の層と第２の層とを有した多層構造のうちの前記第１の層に、浅い部分と深い部分とを有した凹パターンが与えられるように、少なくとも２つの異なる高さの部分を有したエンボスツールを用いて前記第１の層にエンボス処理を施す工程（ａ）と、前記深い部分の底部で、前記第２の層の下地表面が露出するように、前記第１の層を介して前記第２の層をエッチングする工程（ｂ）と、前記浅い部分の底部で前記第２の層の表面が露出するように、前記第１の層をエッチングする工程（ｃ）と、を包含している。 （もっと読む）

【課題】 印刷法では位置ずれが生じるため、絶縁膜を介して下部電極と上部電極が良く位置合せされた電極基板を形成できにくい。位置合わせのためにフォトマスクを使用して、飛躍的にコスト低減することである。
【解決手段】 開示した技術は、感光性を有し、感光前は撥液性を示し、感光後は親液性を示す自己組織化単分子膜（感光性SAM膜）を基板上に成膜し、
その基板の前記成膜した面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行うものであり、
露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、
前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする感光性SAM膜の露光方法である。 （もっと読む）