【課題】ＩＴＯなどの透明電極層と直接接合が可能なＡｌ系合金配線材料であって、現像液への耐食性に優れ、コンタクトホール形成時における耐食性にも優れ、大面積のガラス基板において素子を形成した場合においても、そのガラス基板面内に形成された素子の接合抵抗値をより均一にすることができるＡｌ−Ｎｉ系合金配線材料を提供する。
【解決手段】アルミニウムにニッケルを含有したＡｌ−Ｎｉ系合金配線材料において、セリウムとボロンとを含有し、各濃度は、ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Ｘａｔ％とし、セリウム含有量をセリウムの原子百分率Ｙａｔ％とし、ボロン含有量をボロンの原子百分率Ｚａｔ％とした場合、式０．５≦Ｘ≦５．０、０．０１≦Ｙ≦１．０、０．０１≦Ｚ≦１．０の各式を満足する領域の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜とＴＦＴの半導体層との間のバリアメタル層を省略可能な新規のＳｉダイレクトコンタクト技術を提供する。詳細には、Ａｌ合金膜をＴＦＴの半導体層と直接接続しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を防止でき、良好なＴＦＴ特性が得られると共に、ＴＦＴの製造工程でＡｌ合金膜に約１００〜３００℃の熱履歴が加わった場合でも、低い電気抵抗と優れた耐熱性が得られる新規なＳｉダイレクトコンタクト技術を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用Ａｌ合金膜は、表示装置の基板上で、薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるＡｌ合金膜であって、上記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜４原子％；Ｌａ、ＧｄおよびＮｄよりなる群から選ばれる少なくとも１種を０．１〜１原子％；並びにＴａ、Ｎｂ、Ｒｅ、ＺｒおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのモリブデン系化合物を含む公称厚さのターゲットであって、ラメラ微細構造、１０００ｐｐｍ未満、好ましくは６００ｐｐｍ未満、特に好ましくは４５０ｐｐｍ未満の酸素量、及び前記化合物の理論電気抵抗率の５倍未満、好ましくは３倍未満、特に好ましくは２倍未満の電気抵抗率を有することを特徴とするターゲットに関する。 （もっと読む）

ターゲット組立体とターゲット組立体を含むＰＶＤチャンバが開示される。ターゲット組立体は凹形状のターゲットを含む。ＰＶＤチャンバ内で使用されると、凹状ターゲットは、スパッターチャンバ内に配置された基板上の半径方向に均一な堆積層を提供する。
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【課題】抵抗率の低い金属酸化物薄膜及び金属酸化物半導体を提供する。
【解決手段】膜中の水素濃度が３×１０^２１／ｃｍ^３以下であることを特徴とする金属酸化物薄膜。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＭｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｓｉから選択される１種または２種以上の元素を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる配線膜用Ｃｕ合金膜である。また、上記の配線膜用Ｃｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】バリア膜とｎ型Ｓｉ半導体層が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】均一に成膜でき、異常放電が生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛焼結体からなり、Ｇａを０．０３〜０．７５原子％含み、複合酸化物がＸ線回折で検出されないことを特徴とするスパッタリングターゲットであり、Ｚｒ、Ｓｉ及びＡｌのうち１以上を合計で１００原子ｐｐｍ以下含み、酸化亜鉛焼結体表面の色差ΔＥ＊ａｂが０．７以下である。また、上記スパッタリングターゲットは、複合酸化物がＸ線回折で検出されない条件で焼結される。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板への密着性が高いと共に、Ｓｉを含んだ層へのＣｕの拡散を抑制し、配線とＳｉを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板用の配線材料は、Ｃｕよりも優先的にＳｉとの間でシリサイドを形成するシリサイド形成材と、Ｓｉの酸化物生成自由エネルギーよりも酸化物生成自由エネルギーが低い少なくとも１種類の添加物とが添加され、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】高融点バリアメタル層を形成すること無く、Ｓｉ膜又はＳｉを主成分とする膜と良好なコンタクト特性を実現するＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】半導体デバイス（ＴＦＴ）は、チャネル部１１を形成する様にＳｉ半導体膜７上に配設された被酸化のオーミック低抵抗Ｓｉ膜８と、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接に接続し、且つ、接続界面近傍に、少なくともＮｉ原子、Ｎ原子及びＯ原子を含むアルミニウム合金膜から成る、ソース電極９及びドレイン電極１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。
（加熱条件）
加熱温度：３５０〜６００℃
加熱時間：１０〜１２０ｍｉｎ.
室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上
加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０^−７〜１×１０^−４ａｔｍ （もっと読む）

【課題】例えばエアギャップ構造の形成に好適な、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜に溝を形成する工程と、第１の絶縁膜上面及び溝の内面を覆うように、Ｒｕを含む第１の金属層を形成する工程と、第１の金属層上に、銅を含む第２の金属層を形成する工程と、第１の絶縁膜上の第２の金属層及び第１の金属層を研磨し除去して、第１の絶縁膜を露出させ、溝内に形成された第１の金属層及び第２の金属層を残す工程と、研磨によって露出した第１の絶縁膜を上面から少なくとも一部除去する工程と、第１の絶縁膜の上方に、第１及び第２の金属層の少なくとも上面を覆う第２の絶縁膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも、低いコンタクト抵抗と電気抵抗を示し、好ましくは耐熱性や耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、Ｎｉ及び／又はＣｏを０．１〜６原子％、Ｇｅを０．１〜２原子％含有すると共に、アルミマトリックス結晶粒界Ｇｅ濃度が、前記Ａｌ合金膜のＧｅ濃度の１．８倍超を満足するＡｌ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性や耐熱性の改善された表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．５原子％以下（０原子％を含まない）、Ｇｅを０．２〜２．０原子％、およびＣｕを０．５原子％以下（０原子％を含まない）含み、Ｃｏ、ＧｅおよびＣｕの合計量が０．２〜２．０原子％であり、かつ、下記式（１）または式（２）を満たすところに特徴を有する。
Ｃｕ／Ｃｏ≦１．５ …（１）
２．５≦Ｃｕ／Ｃｏ≦６．０ …（２）
（式（１）（２）中、Ｃｕ、Ｃｏは、Ａｌ合金膜中の各元素の含有量（原子％）を示す） （もっと読む）

【目的】、配線層とその下層のプラグ層との配線抵抗を抑えながら下層のプラグの埋め込み性を向上させることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、Ｃｕ配線１０と、Ｃｕ配線１０の下層側でＣｕ配線１０と接触して接続されるＣｕプラグ２０と、Ｃｕプラグ２０の底面側及び側面側に配置された、Ｃｕに対してバリア性を有するＢＭ膜２４０と、Ｃｕ配線１０とＣｕプラグ２０との内Ｃｕプラグ２０側に選択的に、かつＣｕプラグ２０とＢＭ膜２４０との間に介在するように配置された、ＢＭ膜２４０よりも前記導電性材料に対して濡れ性が高いＲｕ膜２４２と、Ｃｕ配線１０とＣｕプラグ２０とが接触する箇所を少なくとも除くＣｕ配線１０の底面側と、Ｃｕ配線１０の側面側とに配置された、Ｃｕに対してバリア性を有するＢＭ膜２４４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】改良された物理的構造を有するスパッタリング・ターゲット及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム及び少なくとも１種の他の金属粉末を混合して粉末ブレンドを形成すること、前記粉末ブレンドを大きな力の下で圧縮して、理論密度の少なくとも５０％の充填密度を有する圧縮されたブランクを得ること、使用される条件下においてブランク中に平均２５％より多い金属間相を形成すると思われる温度未満の温度においてブランクを加熱すること、ブランクを圧延してブランクの理論厚さの少なくとも９５％を得ること、及びブランクを適当な基材に接合することを含む、スパッタリング・ターゲットを製造する方法が提供される。この方法から製造されたスパッタリング・ターゲットも提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、微細パターンへのＣｕの埋め込みを良好にし、且つＣｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上の層間絶縁膜１０１に形成されたトレンチ１０２と、トレンチ１０２の底部及び側壁を覆うように形成され、白金族元素、高融点金属及び窒素を含有する導電体からなる第１のバリアメタル膜１０３と、トレンチ１０２において、第１のバリアメタル膜１０３上に形成された金属膜１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置の大型化に伴った磁石構成体の揺動幅調整の困難さ（揺動幅の設定値からのずれ）に起因する不具合を防止できるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】表面上に平板ターゲット４０を配置するバッキングプレート１０の裏面１０ｂ側に、揺動する磁石構成体２０を配設してマグネトロンカソード電極としたスパッタ装置において、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを低減するためのシールド３０を、平板ターゲット４０の側面周囲に配設し、シールド３０が平板ターゲット４０と同じ材質であるか、あるいはシールド３０がその最表層部に平板ターゲット４０と同じ材質をコーティングしたものである。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層に対する密着性が良好で、且つ有機半導体層との間の寄生抵抗が低いソース電極とドレイン電極とを有する有機薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁性基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とを備える有機薄膜トランジスタであり、上記ソース電極と絶縁性基板若しくはゲート絶縁層との間、及び上記ドレイン電極と絶縁性基板若しくはゲート絶縁層との間に、金を主成分とした合金からなる密着層をそれぞれ備え、上記ソース電極及びドレイン電極は金からなり、上記密着層は、金の含有量が、６７原子％以上９７原子％以下の範囲内である。 （もっと読む）