【課題】成膜速度の大きく低ダメージで、かつ、安定した放電が可能なスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空槽２内において基板２０を保持して移動可能な基板ホルダー３と、真空槽２内において第１及び第２のカソード部６、７を有するスパッタ源４と、スパッタ粒子４０を通過させるための開口部１０を有するスリット機構９とを備える。第１のカソード部６は、第１のターゲット２１の粒子放出面２１ａが基板２０の成膜面２０ａに対して対向せず、かつ、第１のターゲット２１の粒子放出面２１ａが基板２０の成膜面２０ａに対して鋭角となるように配置構成され、第２のカソード部７は、第２のターゲット２２の粒子放出面２２ａが基板２０の成膜面２０ａに対して対向するように配置構成され、スリット機構９は開口部１０が基板２０の成膜面２０ａに対向する位置で第１のカソード部６の第１のターゲット２１から放出される低エネルギーのスパッタ粒子４０ａの飛翔領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．０５〜０．５原子％、およびＧｅを０．２〜１．０原子％含み、かつＡｌ合金膜中のＣｏ量とＧｅ量が下記式（１）を満たすことを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。
［Ｇｅ］≧−０．２５×［Ｃｏ］＋０．２ …（１）
（式（１）中、［Ｇｅ］はＡｌ合金膜中のＧｅ量（原子％）、［Ｃｏ］はＡｌ合金膜中のＣｏ量（原子％）を示す） （もっと読む）

【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】酸素含有量が均一なバリア膜を形成する。
【解決手段】本発明のターゲット１１１は酸素と銅とを含有している。当該ターゲット１１１をスパッタリングして形成されるバリア膜２５は、原子組成がターゲット１１１と略等しくなるので、バリア膜２５中の酸素含有量を厳密に制御することが可能であり、しかも、バリア膜２５中の酸素の面内分布が均一になる。酸素と銅を含有するバリア膜２５はシリコン層やガラス基板への密着性が高い上に、シリコン層へ銅が拡散しないから、薄膜トランジスタ２０の、ガラス基板やシリコン層に密着する電極に適している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなる複数のターゲットを配し、前記真空容器中にガスを導入し前記複数のターゲットのうち少なくとも一つのターゲットに電圧を印加することで真空容器中にプラズマを発生させ、絶縁物の成膜を行うスパッタリング方法において、正の逆パルスを印加する毎に周波数または印加時間の少なくとも１つを変化させる。 （もっと読む）

【課題】均一で安定したプラズマを発生させ、かつ、基体に比較的広い面積に亘って均一な膜厚、特性を維持することが可能なスパッタ成膜方法、電子素子の製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０１の内部に被成膜基板１１５の搬送方向に対して等間隔に配置され、かつ、被成膜基板１１５との距離がそれぞれ異なる複数の矩形状ターゲットのうちで、隣り合う第１のターゲット１０４及び第２のターゲット１０５における被成膜基板１１５の搬送方向と平行な辺の長さをＷ１及びＷ２とし、間隔をＬとしたときに、Ｌ≦３（Ｗ１＋Ｗ２）を満たすとき、基板１１５までの距離をＴで表したときに、複数のターゲット１０４，１０５，１０６のうちで最長になっている最長距離Ｔｍａｘと、そのときの間隔Ｌとの関係が、０．４≦Ｔｍａｘ／Ｌ≦０．８を満たすようにスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時の窒化反応に依存せずに、ターゲットそのものが、バリア膜と同一成分となるように、かつ半導体デバイスの反応を効果的に防止でき、さらに、スパッタリング時にパーティクルの発生のない、例えばバリア膜用として、最適なスパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法及び同バリア膜を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の組成を有するＴａ、Ｔａ珪化物、Ｔａホウ化物からなる焼結体スパッタリングターゲット、及びＴａ粉、Ｔａ珪化物粉及びＴａホウ化物粉を、ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の配合比となるように混合し、これを１０〜５０ＭＰａの加圧力、１７００〜２０００°Ｃでホットプレスにより焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

（ａ） 大部分で存在するモリブデン； （ｂ） 合金量で存在するニオブ； および（ｃ） ニッケル、クロム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される第三の金属を含み、第三の金属がドーピング量で存在する合金； さらに、それを用いて製造されるスパッタリングターゲット、かかるターゲットを使用してスパッタされた膜、およびかかる膜を含有する薄膜素子。
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【課題】基板に形成されたホールの内部にスパッタリングにより成膜した貴金属膜の厚みを、ホールの両サイドで対称なものとすることができ、したがって、貴金属膜に断線等の不具合が生じる虞がなく、信頼性をより向上させることができる貴金属膜の成膜装置及び貴金属膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の貴金属膜の成膜装置は、基板２３に形成されたホールの内部に貴金属膜をスパッタリングにより成膜する装置であり、ターゲット２４と、このターゲット２４に対向配置されるステージ２２と、ターゲット２４にスパッタリング電力Ｐ_ｔ（Ｗ）を印加する電源２６とを備え、ターゲットの直径Ｔと、ターゲット２４とステージ２２上の基板２３との距離Ｌとの比Ｌ／Ｔを、０．５以上かつ１．５以下の範囲で変更可能とした。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットの平面に対して垂直な断面における１／４ｔ（ｔは厚み）〜３／４ｔの部位を走査型電子顕微鏡（２０００倍）で観察したとき、（１）Ａｌ及びＮｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．３〜３μｍのＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％であり、（２）Ａｌ、ＬａおよびＣｕを主体とするＡｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．２〜２μｍのＡｌ−Ｌａ−Ｃｕ系金属間化合物の合計面積≧７０％である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング量が不安定な不安定期間の発生を抑制できるターゲットおよびスパッタリング用ターゲット部材を提供する。
【解決手段】ターゲット１Ａは、スパッタリングによって消耗する消耗部位に凹部３Ａを設けている。スパッタリング用ターゲット部材５は、裏面に凸部８を有し、凸部８が形成される面とは反対側となる表面には、凸部８の対応位置に凹部３Ａを有するターゲット１Ａと、凸部８が嵌合する窪み部６Ａを有するターゲット１Ａの保持部材６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 密着性および熱耐食性に優れるとともに、安定な電気特性および良好な光反射特性を有する反射電極およびその製造方法、ならびに前記反射電極を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】 銀（Ａｇ）を主成分として、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）から選ばれる１種類以上の元素を添加成分として含むとともに、窒素を１．３ａｔ％以上５．５ａｔ％以下の含有率で含むＡｇ合金膜を備えて、反射電極を構成する。このようなＡｇ合金膜を備えることによって、比抵抗値および反射率値を大幅に低下させることなく、基板との密着性および熱耐食性を改善することができるので、密着性および熱耐食性に優れるとともに、安定な電気特性および良好な光反射特性を有する反射電極を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】バリア層をさらに薄くしても、配線本体側からの銅の拡散や、絶縁膜側からの珪素の拡散に対する障壁作用を十分に保持して、絶縁膜の絶縁性確保、また配線の低抵抗化を実現することができ、それによって配線の線幅を減少させることができ、ＬＳＩの集積度も向上させることができるようにする。
【解決手段】この発明の銅配線は、シリコン基板の表面上に設けられ、珪素と酸素と炭素とを炭化水素基の形態で含むＳｉＯＣ絶縁層１０と、ＳｉＯＣ絶縁層１０上に形成され、添加元素の酸化物を含む銅合金からなるバリア層１５と、そのバリア層１５に接して形成され、銅を主成分としてなる配線本体１６とを備え、バリア層１５は、添加元素と炭素と水素とを含む酸化物からなり、その添加元素の原子濃度が最大となる当該バリア層内の厚さ方向の位置で、炭素と水素の各原子濃度が極大となる。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材ピース同士を摩擦攪拌接合する際に生じる虞のあった接合不良の発生を低減または解消して、確実に接合されることを可能としたスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 このスパッタリングターゲット材は、複数枚のターゲット材ピース１（１ａ、１ｂ）同士を突き合わせて当該突き合わせ部を摩擦攪拌接合２により接合して１枚板状に形成してなるスパッタリングターゲット材であって、前記ターゲット材ピース１ａ、１ｂ同士の突き合わせ部がそれぞれ、当該ターゲット材ピース１ａ、１ｂの厚さ方向に凹凸した形状で互いに噛み合うように嵌合する噛み合わせ構造３ａ、３ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】 成膜時間や工数を大幅に削減することができ、生産性良く配線を形成することできるとともに、結晶性の良い無電解めっき膜の形成が可能で、配線の主体となる無電解めっき膜の形状も安定なものとすることが可能な配線形成方法を提供する。
【解決手段】 銅とマンガンを含む合金膜を形成する工程と、合金膜を熱処理してマンガンを表面及び下側界面に偏析させ、銅薄膜の上下にマンガン層が形成された複合膜とする工程と、銅薄膜上に形成されたマンガン層を除去する工程と、銅薄膜をシード層として無電解めっきを行う工程とを有する。無電解めっきを行う工程においては、レジストを用いたリフトオフ法により配線パターンを決定する。無電解めっき工程の後、レジストを除去し、露呈する銅薄膜及びマンガン層の不要部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた銅合金複合膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０６〜１４モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金ターゲットを用い、酸素：１〜２０体積％を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜を成膜し、引き続いて酸素の供給を停止してスパッタ雰囲気を不活性ガス雰囲気とし、この不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板、特にガラス基板、Ｓｉ基板、シリカ基板などセラミック基板の表面に対する密着性に優れたＣａおよび酸素を含む銅合金膜からなる酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜とこの酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜の上に形成された導電性に優れたＣａ含有銅合金導電膜とからなる密着性に優れた銅合金複合膜を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜と前記下地膜の上に形成されたＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜からなる銅合金複合膜。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗率を維持しつつ、絶縁膜（例えばＳｉＮ膜）との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置における薄膜トランジスタの、ソース電極および／またはドレイン電極並びに信号線、および／または、ゲート電極および走査線に用いられるＣｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】必要とするターゲットの数が増えても、真空チャンバの径を大きくしなくても済み、全体して真空チャンバの小型化を図る。
【解決手段】マルチターゲットスパッタリング装置は、真空チャンバ１内のスパッタリング位置に複数のターゲット７を順次搬送し、前記スパッタリング位置でターゲット７を順次スパッタリングして同ターゲット７と対向する基板１２上に薄膜を堆積させる。複数のターゲット７を円上に並べて配置したターゲットホルダ３を真空チャンバ１内に上下に多段に設け、このターゲットホルダ３を前記の円の中心の回りに間欠回転させる回転機構５と、ターゲットホルダ３から一つのターゲット７を上下移動させて、同ターゲット７をスパッタリング位置へ搬送し、さらに同ターゲット７をスパッタリング位置からターゲットホルダ３に戻す昇降機構４とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ガラス又はガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品において、ガラス又はガラスセラミックスの気泡の発生を抑制可能でマイグレーション耐性に優れたＣｕ系配線材料を用いた電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、ガラス或いはガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品であって、Ｃｕ及びＡｌの２元素からなる２元合金から構成され、かつ、Ａｌ含有量が５０.０ｗｔ％以下であり、残部が不可避不純物で構成される配線としたことを特徴とする。 （もっと読む）