システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭを含む半導体装置において、ＭＲＡＭの特性を向上することができる技術を提供する。
【解決手段】配線Ｌ３およびデジット配線ＤＬを形成した層間絶縁膜ＩＬ３の表面に対してプラズマ処理を実施する。まず、半導体基板１Ｓをチャンバ内に搬入し、窒素を含有する分子（アンモニアガス）と窒素を含有しない不活性分子（水素ガス、ヘリウム、アルゴン）とからなる混合ガスをチャンバ内に導入する。このとき、窒素を含有する分子の流量よりも窒素を含有しない不活性分子の流量が多い条件で、混合ガスを導入し、混合ガスをプラズマ化してプラズマ処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。
【解決手段】密閉容器１１内に板状体３を保持した状態で密閉容器１１内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入する溶解性気体導入工程と、溶解性気体導入工程の後，密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で密閉容器１１内へ処理液２を導入する処理液導入工程とを備えることにより、微細な穴に気泡が残留しない状態で基板３の湿式処理ができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】 高信頼性を有するデュアルダマシン構造を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【解決手段】 半導体基板上に形成された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜に形成されたコンタクトと、前記第一の絶縁膜上に形成され、前記第一の絶縁膜よりも誘電率の低い第二の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜に形成され、前記コンタクトと電気的に接続される配線とを備え、前記コンタクト底面及び、前記配線の側面に第一のバリアメタルが形成され、前記コンタクト側面及び前記第一のバリアメタル上に第二のバリアメタルが形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕバリア上にダイレクトにめっきするプロセスにおいて、ボイドフリーの埋め込みを実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜１０１に凹部１０２を形成する工程（ａ）と、凹部１０２の側壁及び底部を覆うようにバリアメタル膜１０３を形成する工程（ｂ）と、第１の電界めっき処理により、バリアメタル膜１０３の表面に沿ってコンフォーマルな第１の導電膜１０４を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、第２の電界めっき処理により、凹部内に第２の導電膜１０５を形成する工程（ｄ）とを有する （もっと読む）

【課題】容易に作成可能なパターニングされたゲル状態のめっき用組成物を提供する。
【解決手段】ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口１３を介して基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 （もっと読む）

先端の集積回路にみられる切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）において、長尺のルテニウム金属膜（２１４）に多段階で銅鍍金を行う方法である。長尺のルテニウム金属膜 （２１４）を利用すると、銅金属がトレンチ（２６６）及びビア（２６８）のような高アスペクト比の切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）を充填するあいだ、不要な微細気泡が形成を防ぎ、前記ルテニウム金属膜（２１４）上に長尺の銅金属層（２２８）を含むサイズの大きい銅粒（２３３）が鍍金形成される。銅粒（２３３）は銅が充填された切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２７５ａ，２７５ｂ）の電気抵抗を低下させ、集積回路の信頼性を向上させる。
（もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、高周波高出力で使用可能な、化合物半導体高電子移動度トランジスタを提供する。
【解決手段】支持基板２０の第１の主表面２０ａ上に、チャネル層４０及びバリア層５０が積層されて構成される、化合物半導体高電子移動度トランジスタであって、ソース電極６２が形成された領域を含む、支持基板の領域部分が金属部２２であり、ドレイン電極６４が形成された領域を含む、支持基板の他の領域部分がシリコン部２４で構成される。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の低い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の層を有する半導体層３７の第１の面３７ａに形成されたソース電極１２およびゲート取り出し電極１４と、第１の面３７ａと対向する第２の面３７ｂに形成されたドレイン電極１６と、ソース電極１２上に分散して形成された複数の第１柱状電極１３と、ゲート取り出し電極１４上に形成された第２柱状電極１５と、ドレイン電極１６上に分散して形成された複数の第３柱状電極１７と、複数の第１柱状電極１３の間、および第２柱状電極１５と隣接する第１柱状電極１３との間を埋めて、ソース電極１２、ゲート取り出し電極１４、および半導体層３７を覆う第１樹脂層１８と、複数の第３柱状電極１７の間を埋めて、ドレイン電極１６を覆い、第１樹脂層１８に連接した第２樹脂層１９と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】孔の内径の大小にかかわらず、該孔の奥まで均一な無電解銅めっき層を形成しうる無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法を提供する。また、該無電解銅めっき層を形成することにより孔の内部に信頼性の高い埋め込み配線を形成することのできる埋め込み配線の形成方法を提供する。
【解決手段】チオール基又はジスルフィド結合を有するポリエチレングリコール化合物、及び銅イオンを含有することを特徴とする無電解銅めっき液、さらに、該無電解銅めっき液に、孔２の形成された基板１を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層６を形成することを特徴とする無電解銅めっき方法、及び、該無電解銅めっき液に、孔２の形成された基板１を浸漬し、該孔の内部に無電解銅めっき層６からなる埋め込み配線を形成することを特徴とする埋め込み配線の形成方法。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてコバルトアミジネートまたはニッケルアミジネートを用いて、低温でかつ表面状態および膜中不純物が残存しにくい、膜質の良好なＣｏ膜、Ｎｉ膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを収容し、処理容器内にコバルトアミジネートまたはニッケルアミジネートを含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とを気相状態で導入して、基板上にＣｏ膜またはＮｉ膜を成膜する。また、そのような成膜方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第１期間３０２の間にウェハに対する第１電力を正にパルス化する段階と、第１期間３０２に続く第２期間３０４の間にウェハに対する第２電力を負にパルス化する段階と、第２期間３０４に続く第３期間３０６の間にウェハに対する第３電力を正にパルス化する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏをメッキシードとして電解メッキによるＣｕ膜を成膜する場合に、Ｃｏの溶出を抑制してＣｏシード上に均質でかつ密着性の高いＣｕ膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】表面にシード層としてＣｏ膜が形成された基板を準備し、Ｃｏ膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のＣｏ膜上にＣｕ膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Ｃｏの表面電位がＣｏの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】めっき動作を動的に制御することの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ２０上に銅層を形成する方法は、ウェハ２０を電気めっきチャンバ１０内に配置する段階であって、電気めっきチャンバ１０が少なくとも一つの電気コンタクト１８を通じてウェハ２０に電気的に接続される制御システム３４を有し、制御システム３４がウェハ２０に電力を提供する、段階と、ウェハ２０に給電して、ウェハ２０上に銅を電気めっきする段階と、電気めっき中にウェハ２０の電気特性を監視して、電気めっきチャンバ１０内の条件を変更すべきときを判断する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】 小型であり、スライドによる短絡を防止することができる絶縁ゲートトランジスタを提供する。
【解決手段】 絶縁ゲートトランジスタであって、半導体基板と、第１金属層と、第２金属層と、絶縁層と、メッキ層を有している。第１金属層は、半導体基板の上面に形成されている。第２金属層は、半導体基板の上面に形成されており、第１金属層の側方に間隔を空けて配置されている。第１金属層の下の半導体基板には第１半導体領域と第１ゲート電極を含む第１アクティブ領域が形成されている。絶縁層は、第２金属層と、第１アクティブ領域上の第１金属層の第２金属層側の一部分を覆っている。メッキ層は、絶縁層に覆われていない範囲の第１金属層の表面に形成されている。第１アクティブ領域の上部の絶縁層には、開口部が形成されている。メッキ層は、さらに、開口部内の第１金属層の表面にも形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、Ａｕ配線との密着性が強く、より高い熱的安定性を有するバリアメタル層を実現し、更なる特性向上、歩留まり向上を実現する。
【解決手段】半導体装置を、Ａｌ層８を含む電極９，１０と、Ａｕ配線１２と、Ａｌ層８とＡｕ配線１２との間に設けられ、Ａｌ層８の側から順に第１Ｔａ層１４、第１ＴａＮ層１５、第１Ｐｔ層１６を積層した構造を有するバリアメタル層１１とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウエハが反るのを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、互いに対向する第１及び第２の主面を有するＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板の前記第１の主面上に形成され、Ｐｄ、Ｔａ、Ｍｏの少なくとも１つから構成された第１の金属層と、前記第１の金属層上に形成され、Ｎｉ系合金又はＮｉから構成された第２の金属層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線の設計自由度が高く、ゲート電極及びソース／ドレイン領域に接続されるコンタクト部の形成に問題が生じ難く、微細化プロセスに適した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）基体２１上にゲート電極３１を形成し、基体にソース／ドレイン領域３７及びチャネル形成領域３５を形成し、ソース／ドレイン領域３７上にゲート電極３１の頂面と同一平面内に頂面を有する第１層間絶縁層４１を形成した後、（ｂ）第１層間絶縁層４１に溝状の第１コンタクト部４３を形成し、（ｃ）全面に第２層間絶縁層５１を形成した後、（ｄ）第１コンタクト部４３の上の第２層間絶縁層５１の部分に孔状の第２コンタクト部５３を形成し、その後、（ｅ）第２層間絶縁層５１上に、第２コンタクト部５３と接続された配線６１を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【目的】拡散層とゲート電極との少なくとも１つの上に耐熱性が向上したＮｉＳｉ膜が形成された半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、Ｓｉ基板２００と、Ｓｉ基板２００内に形成された拡散層１０と、Ｓｉ基板２００上にＳｉを用いて形成されたゲート電極２０との少なくとも１つと、前記拡散層１０と前記ゲート電極２０との少なくとも１つ上に接触して形成されたＰ元素を含有したＮｉＳｉ膜４０，４２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】機械的強度やチップ・クラックによる歩留の低下を抑制し、オン抵抗やパッケージ実装状態における熱抵抗が低い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の主面上に形成された半導体層３と、半導体基板１の裏面上に形成されたオーミック電極１２と、オーミック電極１２を介して半導体基板１の裏面上に形成され、半導体基板１よりも熱伝導率の高い金属材料からなる裏面電極１３とを備え、半導体基板１の裏面の一部には凹部１ａが形成され、裏面電極１３は、オーミック電極１２を介して、半導体基板１の裏面における凹部１ａの内部を埋め、半導体基板１の裏面において凹部１ａ以外の領域の少なくとも一部を覆っている。 （もっと読む）