【課題】 カーボンナノチューブ束の密度を向上し、電気抵抗や熱抵抗の低減を図るカーボンナノチューブ構造体、半導体装置、および半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 第１配線層２１、層間絶縁膜２２、第２配線層２３が順次積層され、層間絶縁膜２２を貫通するビアホール２４に、第１配線層２１と第２配線層２３を電気的に接続するカーボンナノチューブ束２５が形成されてなるビア２６から構成する。カーボンナノチューブ束２５は、第１配線層２１の凹部２８の側面および底面に形成された触媒層２９から成長させ、側面から成長したカーボンナノチューブ２５ａによりカーボンナノチューブ束２５の密度を向上する。 （もっと読む）

【課題】 配線上に良好なカーボンナノチューブを形成する。
【解決手段】 下層Ｃｕ配線１上にＭｏを堆積して接続層２を形成し、この接続層２上にＣＶＤ法を用いてカーボンナノチューブ６を成長させる。Ｍｏからなる接続層２を形成することにより、カーボンナノチューブ６を成長させるＣＶＤの際に熱が加えられても、下層Ｃｕ配線１からのＣｕの熱拡散が抑制され、触媒金属５の活性低下が抑えられる。さらに、Ｍｏはカーボンナノチューブ６との間の接触抵抗が低いため、下層Ｃｕ配線１との低抵抗接続を確保しつつ、良好なカーボンナノチューブ６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により良好な特性を有する下地層としてのチタン含有膜の形成方法の提供。
【解決手段】ＴＤＥＡＴまたはＴＤＭＡＴなどの金属原料ガスと還元性ガスとを用いて、ＣＶＤ法によりチタン含有膜を形成する。還元性ガスは、乖離してＨ^＊ラジカルや、Ｈ^＋イオンを放出することができるガスであり、例えばターシャリーブチルヒドラジン、ＮＨ_３、Ｈ_２などから選ばれたガスである。金属原料ガスと還元性ガスとの反応は、成膜速度が基板温度に依存する温度領域で行われる。 （もっと読む）

【課題】膜厚の異なる絶縁膜に対してテーパー形状を有するコンタクトホールを一定の底部幅で形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のレジスト１３ａ及び第２のレジスト１３ｂをマスクにして、第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれ垂直にエッチングし、第１のコンタクトホール上部領域１５ａ及び第２のコンタクトホール上部領域１５ｂを形成する。このとき、第１の層間絶縁膜１２ａの残膜厚Ｄ２ａと第２の層間絶縁膜１２ｂの残膜厚Ｄ２ｂとが同じ膜厚になるようにする。その後、残存している第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれテーパーエッチングし、第１のコンタクトホール下部領域１６ａ及び第２のコンタクトホール下部領域１６ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により良好な特性を有する下地層としてのバナジウム含有膜の形成方法の提供。
【解決手段】ＴＤＥＡＶまたはＴＤＭＡＶなどの金属原料ガスと還元性ガスとを用いて、ＣＶＤ法によりバナジウム含有膜を形成する。還元性ガスは、乖離してＨ^＊ラジカルや、Ｈ^＋イオンを放出することができるガスであり、例えばターシャリーブチルヒドラジン、ＮＨ_３、Ｈ_２などから選ばれたガスである。金属原料ガスと還元性ガスとの反応は、成膜速度が基板温度に依存する温度領域で行われる。 （もっと読む）

本発明は、活性化剤溶液と銅シード表面上に銅をメッキするのを容易とするための銅シード面の活性化方法を目的とする。活性化剤溶液は、前駆体溶液を少なくとも約９５℃に加熱し、そしてその温度に少なくとも約３０分間維持することにより調製され、ここで、前駆体溶液は、水、塩化物イオン、錫（ＩＩ）イオンおよび、錫（ＩＩ）イオンの錫（ＩＶ）イオンへの酸化を実質的に防止する酸化防止剤からなる。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイス中に少なくとも１つのコンタクトを提供する方法およびシステムを提供する。半導体デバイスは、基板（２０１）、エッチング停止層（２４０）、このエッチング停止層（２４０）上にある層間絶縁膜（２５０）、層間絶縁膜（２５０）上にある反射防止（ＡＲＣ）層（２６０）、およびエッチング停止層（２４０）より下にある少なくとも１つの構造を含んでいる。少なくとも１つのアパーチャを有しているとともに、このＡＲＣ層（２６０）上にあるレジストマスクを提供する。このアパーチャは、ＡＲＣ層（２６０）の露出した部分上方にある。この方法およびシステムは、エッチング停止層（２４０）を貫通してエッチングすることなく、露出したＡＲＣ層（２６０）およびその下にある層間絶縁膜（２５０）をエッチングすることを含む。これにより、少なくとも１つのコンタクトホールの一部を提供する。この方法とシステムはまた、原位置でレジストマスクを除去し、少なくとも１つのコンタクトホールを原位置に提供すべく、コンタクトホールの一部において露出したエッチング停止層（２４０）の一部を除去し、コンタクトホールを導電材料で充てんすることを含む。
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【課題】 表示品位が高く、周辺回路とのコンタクト性に優れた液晶表示装置を構成するマトリックス基板およびその製造方法を実現する。
【解決手段】 複数の液晶セルを形成するためのマトリクス回路が形成されている液晶用マトリクス基板において、液晶パネルを組み立てるときに貼り合わせ面となる表面に島状に、第１の導電材からなる絵素電極１２と、第２の導電材からなる端子電極１３とを形成する。このとき、第１の導電材は、第２の導電材よりも透過性が高く、かつ、導電性が低いものを使用する。 （もっと読む）

【課題】不純物の除去力を向上させながらも、金属層の損傷を最小化することができる半導体基板洗浄用組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法において、半導体基板上に金属を含む構造物パターン形成し酸性水溶液７８ないし９９．９８質量％、第１キレート剤０．０１ないし１１質量％を含む半導体基板洗浄用組成物を、半導体基板に適用して構造物パターンの不純物が覆っていない第１表面部位上に第１腐食抑制膜を形成し、構造物パターンの不純物が覆っている第２表面部位上の不純物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 ランプアニールにより効果的に被処理膜を加熱処理するための方法を提供する。
【解決手段】 基板１０１の上面側からは紫外光ランプ１０４を用いて紫外光１０７が照射される。また、基板１０１の下面側からは赤外光ランプ１０８を用いて赤外光１１１が照射される。本発明では赤外光照射による振動励起効果に加えて紫外光照射による電子励起効果が付加されるため、被処理膜１０３の励起効率が大幅に高まり、効果的な加熱処理が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 写真製版処理で解像可能な寸法より小さな寸法の積層物を半導体基板上に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置の製造方法は、半導体基板３上に写真製版処理により所定の横幅Ｗ２の積層物１１ａを形成する工程と、積層物１１ａ上に第１のマスク層１３を形成し、この第１のマスク層１３に、エッチングにより、積層物１１ａの前記横幅方向に直交する方向に渡って、前記積層物１１ａの前記横幅方向のその開口幅Ｗ４が第１のマスク層１３の上面から下面に向かってテーパ状に狭まった開口部１３ｄを形成する工程と、第１のマスク層１３をマスクとして積層物１１ａを開口部１３ｄの下面開口に沿って部分的にエッチング除去することにより、積層物１１ａを開口部１３ｄの下面開口に沿って分割積層物１１に分割する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の微細化とエレクトロマイグレーションの抑制との両立を図ることができる多層配線構造を工程数の増加を招くことなく実現する。
【解決手段】 第１の金属配線１３の一端部１３ａと第２の金属配線１５の一端部１５ａとは第１のプラグ１６を介して接続されており、第１の金属配線１３の他端部１３ｂと第３の金属配線１７の一端部１７ａとは第２のプラグ１８を介して接続されている。第１、第２及び第３の金属配線１３、１５、１７の配線幅は、互いに等しいと共に第１及び第２のプラグ１６、１８の径ともほぼ等しい。第１の金属配線１３の他端部１３ｂの配線幅は、第１の金属配線１３の一端部１３ａ及び第３の金属配線１７の一端部１７ａの配線幅よりも大きい。第２の金属配線１５の一端部１５ａの配線幅は第１の金属配線１３の一端部１３ａの配線幅よりも大きい。 （もっと読む）