【課題】ＳｉＣ基板を用いて形成され、金属シリサイド膜と金属電極との密着性の向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、炭化珪素と、炭化珪素上に形成され、第１の層、第１の層よりも低い炭素比率を有する第２の層を備える金属シリサイドと、金属シリサイド上に形成される金属電極を備え、第２の層が第１の層上に形成され、第２の層が金属電極に接し、第２の層中の金属シリサイドの平均粒径が、第１の層中の金属シリサイドの平均粒径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコン基板に接するように、オーミック電極となるシリサイド層を形成するに際して、炭化シリコン基板由来の炭素が、オーミック電極内に拡散して表面に析出するのが抑えられ、オーミック電極の上に電極層を密着性良く形成することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、炭化シリコン基板２のオーミック電極形成領域２ａにシリコン層を形成する第１工程と、シリコン層２上に金属層８を形成する第２工程と、熱処理を行うことによって、シリコン層２に含まれるＳｉと金属層８の構成元素とを反応させ炭化シリコン基板２と接するシリサイド層４１を形成する第３工程と、Ｓｉと反応せずに残存した金属層８を除去することによって、シリサイド層４１を露出させる第４工程とによってオーミック電極４を形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子が、電子を多数キャリアとするように構成されてなる第１半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれと第１半導体層との接合部がそれぞれ第１と第２の接合部からなり、第１接合部は、第１半導体層と接続する単位アノード部部分が正孔が多数キャリアの第２半導体層であるＰ−Ｎ接合部であり、第２接合部は、第１半導体層と接続する単位アノード部部分が金属によって構成されたショットキー接合部である、ようにした。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子が、ワイドバンドギャップ材料を用いて電子を多数キャリアとするように構成されてなる第１半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれの、少なくとも第１半導体層と接合する部分が、所定の半導体材料を用いて正孔を多数キャリアとするように構成されてなる第２半導体層であり、第１半導体層と第２半導体層との接合部においてはＰ−Ｎ接合が形成されてなる、ようにした。 （もっと読む）

【課題】 ダイオードにおけるスイッチング時の損失を低減することが可能な技術を開示する。
【解決手段】 本明細書で開示するダイオードは、カソード電極と、第１導電型の半導体からなるカソード領域と、低濃度の第１導電型の半導体からなるドリフト領域と、第２導電型の半導体からなるアノード領域と、金属からなるアノード電極を備えている。そのダイオードは、前記ドリフト領域と前記アノード領域の間に形成された、前記ドリフト領域よりも濃度が高い第１導電型の半導体からなるバリア領域と、前記バリア領域と前記アノード電極を接続するように形成された、前記バリア領域よりも濃度が高い第１導電型の半導体からなるピラー領域を備えている。そのダイオードでは、前記ピラー領域と前記アノード電極がショットキー接合している。 （もっと読む）

【課題】本願発明者らが、プラズマ処理等による半導体ウエハのチャージアップの影響を検討したところによると、半導体ウエハ等にドライエッチング等を施すと、通常、その結果として、半導体ウエハは、主に電気的に正側に偏った不均一な帯電状態となることが明らかとなった。これは、ドライエッチング等によって、正の可動イオン等がウエハの表面やその近傍に残存し、不均一に分布していることを示すものであり、個々の半導体チップとされた後も残存して、動作に悪影響を及ぼす恐れがある。
【解決手段】本願発明は、通常、ポリマー除去液等を使用する必要のないメタル膜加工工程に於いて、加工用レジスト膜の除去後、ポリマー除去液類似の導電性処理液との摩擦により、ウエハ全体を負に帯電させるものである。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の破壊を防止すると共に、信頼性を向上させた、ノーマリオフの双方向動作が可能な窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子１０は、第１ＭＯＳＦＥＴ部３０及び第２ＭＯＳＦＥＴ部３１を備えており、第１ゲート電極２６と第２ゲート電極２７との間に設けられた第１ＳＢＤ金属電極２８及び第２ＳＢＤ金属電極２９がＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されている。第１ＳＢＤ金属電極２８と第１電極２４とが接続されており、電気的に短絡していると共に、第２ＳＢＤ金属電極２９と第２電極２５とが接続されており、電気的に短絡している。 （もっと読む）

【課題】キャリア補償の影響を低減可能なIII族窒化物系電子デバイスを提供する。
【解決手段】III族窒化物系電子デバイス１１では、ドリフト層１５は主面１３ａ上に設けられており、また１×１０^１７ｃｍ^−３未満のシリコン濃度を有するｎ⁻型III族窒化物系半導体からなる。このシリコンはドナーとして作用する。合成オフ角は主面１３ａの全体にわたって０．１５度以上である。合成オフ角は、例えばIII族窒化物支持基体１３のＣ面の単位法線ベクトルＶＣ_Ｎと主面１３ａの単位法線ベクトルＶＰ_Ｎとの成す角度である。合成オフ角の値は、主面１３ａ上にわたって分布している。ドリフト層１５内における炭素濃度Ｎ_Ｃは３×１０^１６ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】高品質のオーミックコンタクトをIII−Ｖ族半導体材料に形成して、消費電力が低くて長寿命の半導体デバイスを作製する。
【解決手段】半導体デバイス１００は、第１の伝導帯および第１の価電子帯のエネルギレベルを有する第１のIII−Ｖ族半導体層１１０、第２の伝導帯および第２の価電子帯のエネルギレベルを有する第２のIII−Ｖ族半導体層１２０、およびフェルミエネルギレベルを有する金属層１３０を含む。このフェルミエネルギレベルは第１および第２の価電子帯のエネルギレベルより高く、第２の価電子帯のエネルギレベルは金属層１３０のフェルミエネルギレベルと第１の価電子帯のエネルギレベルとの間に存在する。 （もっと読む）

【課題】 電流容量が大きいダイオードを提供する。
【解決手段】 ダイオードであって、半導体基板を有している。半導体基板の一方の表面にアノード電極が形成されている。半導体基板に、前記一方の表面に露出しており、アノード電極と導通しているｐ型のアノード領域と、アノード領域に接しているｎ型のカソード領域が形成されている。前記一方の表面にアノード領域が露出している露出範囲内に、アノード電極とアノード領域が導通しているコンタクト領域と、アノード電極とアノード領域が導通していない非コンタクト領域が存在している。コンタクト領域の面積Ｓｃと非コンタクト領域の面積Ｓｎとの比率Ｓｃ／Ｓｎが、露出範囲の外周部よりも露出範囲の中央部で大きい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供
する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有する薄膜トラ
ンジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体
に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ≦χ
＜φｍｄの関係になるように構成する。また、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン
電極を電気的に接続することで、さらに整流特性の良い非線形素子を実現することができ
る。 （もっと読む）

【課題】耐量の大きいダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキーダイオードであって、窒化物半導体で形成された半導体層と、半導体層上に形成され、半導体層にショットキー接続されたショットキー電極と、を備え、ショットキーダイオードに逆バイアスがかかったときに、ショットキー電極の端部の下方の半導体層において空乏化する領域は、ショットキー電極の他の一部の下方の半導体層において空乏化する領域より長いショットキーダイオードを提供する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面の金属汚染を十分除去することにより、製造された炭化珪素半導体素子の初期特性を改善する。また、金属汚染を低減し、半導体装置の長期信頼性を向上する方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 （もっと読む）

【課題】配線層中の配線をゲート電極として使用し、かつ拡散防止膜と同一層にゲート絶縁膜を有している半導体素子を有する半導体装置において、拡散防止膜の機能を損なうことなく、半導体素子のオン抵抗を低くする。
【解決手段】第１配線層１５０を構成する絶縁層の表層には、第１配線１５４及びゲート電極２１０が埋め込まれている。第１配線層１５０と第２配線層１７０の間には、拡散防止膜１６０が形成されている。ゲート絶縁膜２３０は、拡散防止膜１６０のうちゲート電極２１０と重なる領域及びその周囲の上面に凹部を形成し、この部分を薄くすることにより、形成されている。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の上面の層の形状不良を抑えることが可能な半導体素子およびこれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、この層の外形線は、有機半導体層の外形線よりも内側にある半導体素子。この半導体素子を備えた電子機器。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】微細配線を簡易に低抵抗化する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、第１の方向に積み重ねられる第１乃至第３の半導体層3a,3b,3cを有し、第２の方向に延びるフィン型積層構造を有する。第１のレイヤーセレクトトランジスタTaは、第１のゲート電極10aを有し、第１の半導体層3aでノーマリオン状態である。第２のレイヤーセレクトトランジスタTbは、第２のゲート電極10bを有し、第２の半導体層3bでノーマリオン状態である。第３のレイヤーセレクトトランジスタTcは、第３のゲート電極10cを有し、第３の半導体層3cでノーマリオン状態である。第１の半導体層3aのうちの第１のゲート電極10aにより覆われた領域、第２の半導体層3bのうちの第２のゲート電極10bにより覆われた領域及び第３の半導体層3cのうちの第３のゲート電極10cにより覆われた領域は、それぞれ金属シリサイド化される。 （もっと読む）

【課題】電極パターンが基板支持台に直接押し付けられることによって生じる電極パターンへのダメージの発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板４０の表面Ｓ１上に電極パターン４１が形成される。半導体基板４０の表面Ｓ１上において電極パターン４１を覆う絶縁膜４３が形成される。成膜装置の基板支持台１００上に、絶縁膜４３が基板支持台１００に接するように半導体基板４０が取り付けられる。基板支持台１００に取り付けられた半導体基板４０の裏面上に成膜装置によって電極層４４が堆積される。電極層４４が堆積された後に、電極パターン４１の少なくとも一部が露出するように絶縁膜４３がパターニングされる。 （もっと読む）

【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】電子キャリア濃度が１０^１５／ｃｍ^３以上、１０^１８／ｃｍ^３未満である、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ―Ｇａ―Ｍｇ酸化物、Ｉｎ―Ｚｎ酸化物、Ｉｎ―Ｓｎ酸化物、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ酸化物、Ｚｎ―Ｇａ酸化物、及びＩｎ―Ｇａ酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を、Ｎ型半導体として用いたＮ型ＴＦＴを含む回路を構成要素としており、前記Ｎ型ＴＦＴは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超であることを特徴とする集積回路。 （もっと読む）