【課題】超伝導電極層としてＭｇＢ₂、接合部にＩｎＧａＡｓチャネル層を用い、第三電極を用いて超伝導電流を制御する半導体結合超伝導三端子素子において、超伝導電極層の成長時のＭｇのＩｎＧａＡｓチャネル層への拡散を抑制し、接合特性を改善した半導体結合超伝導三端子素子を提供することにある。
【解決手段】超伝導電流のチャネル層となるＩｎＧａＡｓ層とソース電極となる第１のＭｇＢ₂超伝導電極層及びドレイン電極となる第２のＭｇＢ₂超伝導電極層とその二つの超伝導電極間のＩｎＧａＡｓ層中に流れる超伝導電流を制御する第三電極とを有する半導体結合超伝導三端子素子において、ＭｇＢ₂超伝導電極層１，２とＩｎＧａＡｓチャネル層６との層間にＡｕ層６が挿入された。 （もっと読む）

【課題】III-V族窒化物半導体を有する半導体装置において、熱による出力低下を低減する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなるバッファ層１０２と、バッファ層１０２上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなる第１の半導体層１０３と、第１の半導体層１０３上に設けられ、III-V族窒化物半導体からなる第２の半導体層１０４と、基板１０１の裏面上に設けられ、接地に接続された裏面電極１１１と、第２の半導体層１０４上に互いに離間して設けられたソース電極１３２及びドレイン電極１３４と、第２の半導体層１０４上に設けられたゲート電極１３６とと、第２の半導体層１０４、第１の半導体層１０３、及びバッファ層１０２を貫通し、少なくとも基板１０１に達し、ソース電極１３２と裏面電極１１１とを電気的に接続させるプラグ１０９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電流コラプスを抑制すること。
【解決手段】窒化物半導体層１９上に、ソース電極２０、ゲート電極２４およびドレイン電極２２をそれぞれ形成する工程と、前記窒化物半導体層上に窒化シリコン膜２６を形成する工程と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面をフッ酸を含む溶液を用い処理する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスに起因する特性劣化を生ぜず、ボンディングパッドの電位変化による特性変化を受け難い小型化した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、アクティブ領域１２と、アクティブ領域１２を覆う第１の絶縁層１３と、第１の絶縁層１３上に形成されるフローティング導体１４と、第１の絶縁層１３上およびフローティング導体１４上に形成される第２の絶縁層１５と、第２の絶縁層１７上に形成されたボンディングパッド１８と、アクティブ領域１２とボンディングパッド１８を電気的に接続する導通ビア１９，２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体層１１の表面に、パワー密度が０．２〜０．３Ｗ／ｃｍ^２である酸素プラズマ処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、酸素プラズマ処理によって、窒化物半導体層１１に導電層２６が形成されることにより、イオンマイグレーション現象が抑制される。このため、半導体装置の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 ビアホール上にオーミック電極が形成された半導体装置において、装置の小型化を図ること。
【解決手段】 本半導体装置は、基板１０と、基板１０上に形成された半導体層１２と、半導体層上１２に形成されたソースまたはドレイン電極を構成するオーミック電極２０と、を備え、基板１０及び半導体層１２には、基板１０及び半導体層１２を貫通するビアホール３０が形成され、ビアホール３０は、少なくとも半導体層を貫通する第１ビアホール３２と、第１ビアホール３２下の基板１０に形成された、第１ビアホール３２より開口断面積が大きい第２ビアホール３４と、を含み、オーミック電極２０は、第１ビアホール３２の上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴの閾値電圧のばらつきのない半導体トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体トランジスタ１００は、基板１と、基板１の上方に形成された第１化合物半導体層１０３と、第１化合物半導体層１０３上に形成され、第１化合物半導体層１０３よりもバンドギャップの大きい第２化合物半導体層１０４と、第２化合物半導体層１０４内の少なくとも一部に、酸素がドープされた酸素ドープ領域１０５と、第２化合物半導体層１０４上に形成された第３化合物半導体層１０６と、第１化合物半導体層１０３に電気的に接続されたソース電極１０７およびドレイン電極１０９と、酸素ドープ領域１０５の上方に、酸素ドープ領域１０５に接するように形成されたゲート電極１０８とを有する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗率を低く抑えることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、Ａｌ組成比が０．２以上のＡｌＧａＮ層をエッチングして、ＲＭＳ粗さが０．３ｎｍ未満の底面を有する凹部を形成する工程と、前記凹部の底面に接して、４ｎｍから８ｎｍの厚さの第１Ｔａ層を形成する工程と、前記第１Ｔａ層に熱処理を施して、前記ＡｌＧａＮ層にオーミック接触させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】歩留りの低下を抑制する。
【解決手段】開口部１２１．１の形成により、第１の半導体層１１０の上面のうち、上方に第２の半導体層１２０が形成されていない部分の少なくとも一部には、絶縁体１３０．１が形成される。開口部１２１．１には、絶縁体１３０．１を覆うようにソース電極Ｓ１０が形成される。ソース電極Ｓ１０は、第１の半導体層１１０と前記第２の半導体層１２０との界面と接するように形成される。 （もっと読む）

【課題】活性層の上に電極パッドを形成する場合に生じる問題を解決し、オン抵抗の上昇を抑えた窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、活性領域１０２Ａを有する窒化物半導体層積層体１０２と、活性領域の上に互いに間隔をおいて形成されたフィンガー状の第１の電極１３１及び第２の電極１３２とを備えている。第１の電極の上に接して第１の電極配線１５１が形成され、第２の電極の上に第２の電極配線１５２が接して形成されている。第１の電極配線及び第２の電極配線を覆うように第２の絶縁膜が形成され、第２の絶縁膜の上に第１の金属層１６１が形成されている。第１の金属層は、第２の絶縁膜を介して活性領域の上に形成され、第１の電極配線と接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ソース電極およびドレイン電極の熱耐久性を向上させて、かつ製造過程においてオーミック性に与える不安定要因を取り除き信頼性および量産性の高いＧａＮ系ＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＨＥＭＴは、基板と、窒化ガリウム系半導体と、融点が３０００℃と高融点金属のタンタルと低融点金属のアルミニウムが前記窒化ガリウム系半導体上に積層されてなる前記ソースおよび前記ドレイン電極を備えている。前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記タンタルと前記アルミニウムの積層膜厚の比（前記アルミニウム膜厚／前記タンタル膜厚）を１０以上にし、積層後のアニール処理温度が５１０℃以上、６００℃未満で処理されて成る。 （もっと読む）

【課題】ゲート−ソース間の容量低減及びソース抵抗を低減させ、且つ耐圧向上、高出力化及び高周波化を、容易且つ確実に可能とする量産化に優れた信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極１９を形成する際に、４層の電子線レジスト１１〜１４を用いてゲート開口１７を形成し、ゲート開口１７内に、キャップ層５の表面との接触面を含む幹状の下方部分１９ａと下方部分１９ａから傘状に拡がる上方部分１９ｂとが一体形成されてなり、下方部分１９ａの接触面がドレイン電極７に比べてソース電極６に偏倚した位置に設けられており、上方部分１９ｂの傘状の下端面のうちソース電極６側の部位がドレイン電極７側の部位よりもキャップ層５の表面からの高さが高いゲート電極１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】出力を大きくすることが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０上に設けられ、ソースパッド１２ａと、ソースパッド１２ａと接続された一端から他端に向けて長さが小さくなる階段状の側部１２ｃを有するソースフィンガー１２ｂと、を含むソース電極１２と、ドレインパッド１４ａと、ドレインパッド１４ａと接続された一端から他端に向けて長さが小さくなり、側部１２ｃと対向する側部１４ｃを有するドレインフィンガー１４ｂと、を含むドレイン電極１４と、ソースフィンガー１２ｂの段差１２ｄと、ドレインフィンガー１４ｂの段差１４ｄとの間に屈曲部１６ｃを有し、ソースフィンガー１２ａ及びドレインフィンガー１４ａに沿って屈曲するゲート電極１６と、を具備し、側部１２ｃの形状と側部１４ｃの形状とは、ソースフィンガー１２ｂの他端とドレインフィンガー１４ｂの他端とを結ぶ線分９の中点に対して対称である半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高温・高電圧で動作させた場合でも故障の発生を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＮキャップ層３８上のソースフィンガー１２と、ソースフィンガーと交互に配置されたドレインフィンガー１４と、ソースフィンガーとドレインフィンガーとの間のゲートフィンガー１６と、ゲートフィンガーの上面と側面を覆う第１絶縁膜４４と、ゲートフィンガーとドレインフィンガーとの間の第１絶縁膜上に設けられたフィールドプレート２６と、活性領域１８の外側で第１絶縁膜上にフィンガー方向と交差方向に設けられソースフィンガーとその両側のフィールドプレートとを接続するフィールドプレート配線２８と、を備え、フィールドプレートと第１絶縁膜の第１段差部４６とは１００ｎｍ以上離れ、フィールドプレート配線と第１絶縁膜の第２段差部４８とは１００ｎｍ以上離れている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイオード構造物を有するベース基板１１０と、該ベース基板１１０上に配置されるエピタキシャル成長膜１２０と、該エピタキシャル成長膜１２０上に配置される電極部１４０とを含み、該ダイオード構造物は、第１タイプの半導体層１１２と、該第１タイプの半導体層の中央に介在する第２タイプの半導体層１１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体層とソース電極、ドレイン電極とのコンタクト抵抗が小さい電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１の表面上に形成された、活性層を含む半導体層１２と、半導体層１２上に互いに離間して形成され、チタン層１８、およびこのチタン層１８に対する膜厚比が１２〜１５であるアルミニウム層１９を有するソース電極１６およびドレイン電極１５と、半導体層１２上のうち、ソース電極１６とドレイン電極１５との間に形成されたゲート電極１７と、を具備する電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】円弧状の部分を有する電極と先端部分を有する電極での円弧状の部分と先端部分との間で流れる電流密度を均一化するために、電極の先端部分における電流集中を緩和させ、電流集中に起因する半導体装置の破壊を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に形成され、かつヘテロ接合に基づくキャリア走行層を有する化合物半導体層と、化合物半導体層上に形成される第１の主電極１４と、化合物半導体層上において平面的に見て第１の主電極１４を包囲するように形成され、かつ直線領域と円弧領域とを有する第２の主電極１５と、化合物半導体層上において第１の主電極及び第２の主電極に対向するように形成された制御電極１６と、を備え、第１の主電極及び第２の主電極の間に電流が流れる半導体装置であって、第１の主電極と第２の主電極の円弧領域との間に電流制限部１９を設けた。 （もっと読む）

【課題】逆方向の漏洩電流を防止し、製作コストを減少させた窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は窒化物系半導体素子及びその製造方法に関するものであり、本発明による窒化物系半導体素子はＰＮ接合構造を有するベース基板、前記ベース基板上に配置されるエピ成長膜、そして前記エピ成長膜上に配置された電極部を含む。 （もっと読む）

【課題】２ＤＥＧをチャンネルとして用いる半導体装置において、不純物イオンの侵入による悪影響を排除する。
【解決手段】第１の半導体層である電子走行層１１上に、第２の半導体層である電子供給層１２が形成されている。これらの界面（ヘテロ接合界面）における電子走行層１１側に、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層１３が形成される。ソース電極１４からドレイン電極１５の間の２ＤＥＧ層１３が形成された領域がこの半導体装置１０におけるチャンネル領域となる。このチャンネル領域上の絶縁層１７上において、第１のフィールドプレート１８が形成されている。すなわち、第１のフィールドプレート１８は、２つの主電極のうちの一方から他方に達するチャンネル領域上を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の低減を図ることができる電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１０１は、化合物半導体基板１と、化合物半導体基板１上に形成され、当該基板側から見て、ｎ型キャリアが蓄積するチャネル層５、ショットキー層８、及びキャップ層９を順次含む半導体積層構造１０と、ゲート電極２０、ソース電極２１、及びドレイン電極２２とを備えている。キャップ層９は、ショットキー層８側から見て、自然超格子構造を有するアンドープの又はｎ型キャリアが添加された第１のＩｎＧａＰ層９Ａと、自然超格子構造を有しないｎ型キャリアが添加された第２のＩｎＧａＰ層９Ｂとを順次含んでいる。 （もっと読む）