【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用するとともに短時間で均一な被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液は、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方と界面活性剤を含み、平均粒径が１００μｍより大きい金属粉末を金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させたものを、超臨界状態又は亜臨界状態で無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を発生させることなく短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１００μｍより大きいものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】金属微粒子分散体の基板への塗布と加熱処理による焼結とにより基板上に形成される金属膜からなる金属膜パターンの焼結性を向上させ、さらに金属膜パターンと基板との密着性を向上させることができる金属膜パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面上に金属微粒子分散体を塗布する工程と、前記金属微粒子分散体を乾燥して金属膜前駆体を形成する工程と、前記金属膜前駆体にエネルギー線を照射して金属膜化領域を形成する工程と、誘導加熱法による加熱により前記金属膜化領域の近傍の前記金属膜前駆体をさらに金属膜化する工程と前記金属膜前駆体を除去する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタにおいて、表面平滑性及び低表面エネルギーを有するゲート絶縁層を用いて作製された電界効果型トランジスタに十分高いチャージキャリア伝導性能を与える電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成された有機半導体、ソース電極及びドレイン電極と、を備え、ゲート絶縁層は、二層以上の積層体であり、かつ前記有機半導体と接するゲート絶縁層表面との算術平均粗さＲａまたは二乗平均粗さＲＭＳが０．３ｎｍ未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

金属炭化物膜を形成する方法が提供される。いくつかの実施形態では、基体は、遷移金属種およびアルミニウム炭化水素化合物（ＴＭＡ、ＤＭＡＨ、またはＴＥＡなど）の交互のパルスに曝露される。このアルミニウム炭化水素化合物は、アルミニウム濃度、抵抗率、接着および耐酸化性などのその金属炭化物膜の所望の特性を達成するように選択される。いくつかの実施形態では、この方法は、フラッシュメモリにおける制御ゲートの仕事関数を決定する金属炭化物層を形成するために使用される。 （もっと読む）

【課題】金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効なバリアメタルを提供する。
【解決手段】半導体集積装置のバリアメタル１４として、ＷＮｘ或いはＷＳｉＮｘを用いる。これにより、金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効にバリア機能を発揮させる。 （もっと読む）

【課題】 密着性および熱耐食性に優れるとともに、安定な電気特性および良好な光反射特性を有する反射電極およびその製造方法、ならびに前記反射電極を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】 銀（Ａｇ）を主成分として、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）から選ばれる１種類以上の元素を添加成分として含むとともに、窒素を１．３ａｔ％以上５．５ａｔ％以下の含有率で含むＡｇ合金膜を備えて、反射電極を構成する。このようなＡｇ合金膜を備えることによって、比抵抗値および反射率値を大幅に低下させることなく、基板との密着性および熱耐食性を改善することができるので、密着性および熱耐食性に優れるとともに、安定な電気特性および良好な光反射特性を有する反射電極を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】得られる電極の適切な電気的性能と基板との密着性を確保する。
【解決手段】導電性組成物は、銀粉末とＰｂＯを含有しないガラス粉末と有機物からなるビヒクルとを含み、窒化ケイ素層１１を貫通して窒化ケイ素層１１の下に形成されたｎ型半導体層１２と導通する電極１３を形成する。銀粉末の組成物中の比率が７０質量％以上９５質量％以下であり、ガラス粉末が銀粉末１００質量部に対して１質量部以上１０質量部以下であり、ガラス粉末の塩基度が０．１６以上０．４４以下であってガラスの転移点が３００℃〜４５０℃である。ＰｂＯを含有しないガラス粉末はＢｉ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ₃の２元系ガラスであることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、デバイスの製造に関する。一実施形態として、基板洗浄及び集積回路用のキャップ層の無電解析出の方法を提供する。この方法は、金属及び誘電体ダマシンメタライゼーション（金属化）層を含む表面を有する基板上で実行される。この方法は、基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に基板の表面をさらす工程と、キャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液に基板表面をさらす工程と、を備える。本発明の別の実施形態として、基板を洗浄するための溶液及び無電解析出を実現するための溶液を提供する。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた銅合金複合膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０６〜１４モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金ターゲットを用い、酸素：１〜２０体積％を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜を成膜し、引き続いて酸素の供給を停止してスパッタ雰囲気を不活性ガス雰囲気とし、この不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

粒子状アルミニウムと、亜鉛有機成分と、有機ビヒクルとを含むアルミニウムペースト、および、シリコン太陽電池のｐ型アルミニウム裏面電極の形成におけるその使用が開示される。
（もっと読む）

【課題】基板、特にガラス基板、Ｓｉ基板、シリカ基板などセラミック基板の表面に対する密着性に優れたＣａおよび酸素を含む銅合金膜からなる酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜とこの酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜の上に形成された導電性に優れたＣａ含有銅合金導電膜とからなる密着性に優れた銅合金複合膜を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜と前記下地膜の上に形成されたＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜からなる銅合金複合膜。 （もっと読む）

【課題】電極材料がＩｎＳｂ内に拡散することを確実に阻止し、動作環境に影響されることなく安定した特性を長期間維持できる、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩｎＳｂを含む化合物半導体で成る半導体層１０、半導体層１０上に形成される絶縁層１１、絶縁層の一部を除去することによって形成された開口部１２、１３の全領域と接触する第１電極８、第１電極８上に形成された第２電極９によって半導体装置を構成し、第１電極８を、第２電極９に含まれる金属が半導体層１０に拡散することを防ぐ部材で形成する。 （もっと読む）

【課題】はんだに対する付着力を向上させたバス電極を、スクリーン印刷を用いて容易に形成可能なバス電極の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る太陽電池電極の製造方法は、太陽電池のシリコン基板２の主面上に形成され、当該シリコン基板２で発生した電力を取り出すタブ線１３とはんだ１４により上部が接合されるバス電極１２の製造方法であって、（ａ）シリコン基板２の主面上に、鉛酸化物およびビスマス酸化物を含有するガラスフリットを含む第１の銀ペースト２１を印刷する工程を備える。そして、（ｂ）第１の銀ペースト２１上に、第１の銀ペースト２１のガラスフリットよりも鉛酸化物およびビスマス酸化物の含有割合が低いガラスフリットを含む第２の銀ペースト２２を印刷する工程を備える。そして、（ｃ）第１の銀ペースト２１および第２の銀ペースト２２を焼成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ガラス又はガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品において、ガラス又はガラスセラミックスの気泡の発生を抑制可能でマイグレーション耐性に優れたＣｕ系配線材料を用いた電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、ガラス或いはガラスセラミックス部材と接する配線を有する電子部品であって、Ｃｕ及びＡｌの２元素からなる２元合金から構成され、かつ、Ａｌ含有量が５０.０ｗｔ％以下であり、残部が不可避不純物で構成される配線としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】Ｚｎ：０．０５〜５原子％含有し、さらにＳｉ、Ｔｉ、ＹおよびＡｌの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜０．５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着力に優れた液晶表示装置用配線および電極。 （もっと読む）

【課題】配線を形成したときに電極と配線との密着性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００ａの製造方法は、以下の工程を備えている。まず、炭化珪素半導体層１１０が準備される。そして、炭化珪素半導体層１１０の表面に、金属層が形成される。そして、金属層を熱処理することにより電極１５０が形成される。そして、電極１５０の表面の炭素を除去するためのエッチングが行なわれる。金属層を形成する工程では、金属層を熱処理する温度において炭素よりもシリコンとの反応性が高い金属層を形成する。 （もっと読む）

【課題】炭素低含有シリサイド電極を有する炭化硅素半導体装置において、炭素低含有シリサイド電極とその上に形成された金属層の密着性を向上することにより、金属層が剥離することを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化硅素基板上のコンタクトに遷移金属を蒸着し、加熱処理して、炭素高含有シリサイド電極を形成する。更に加熱処理し、炭素高含有シリサイド電極内部の炭素および炭化物を析出し炭素低含有シリサイド電極５へ転換する。析出された炭素およびグラファイト性固体５３、５４、複合酸化物５５を除去する。更に、硝酸と硫酸の混合溶液、発煙硝酸と硫酸の混合溶液または発煙硝酸に炭素低含有シリサイド電極の表面を浸漬して、その表面に存在する残滓を除去する。この後、炭素低含有シリサイド電極の表面に配線材５６を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】フッ素：０．０１〜５原子％を含有し、さらにＣａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する密着性に優れた銅合金薄膜。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、金属微粒子分散体の基板への塗布と加熱処理による焼結により基板上に形成される金属膜の基板との密着性の向上を図り、耐環境性を向上させると共にメッキ下地膜などにも利用出来る金属膜積層体、及びその製造方法、並びにそれを用いた金属配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の金属膜積層体は、有機金属化合物から形成される金属酸化物膜と金属微粒子分散体から形成される金属膜とを基板上に複数層積層し、基板上に形成される最初の膜は金属酸化物膜であることを特徴とする。 （もっと読む）