【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

半導体装置は、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、銅又は銅合金からなる埋め込み配線とを備え、絶縁膜と埋め込み配線との間に、白金族元素、又は白金族元素の合金からなるバリアメタル層を有しており、バリアメタル層は、相対的にバリア性が高くなる非晶質度を有する非晶質構造を一部に含んでいる。
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金属間化合物導体材料は、集積回路において相互接続を形成するために使用される。いくつかの場合では、この金属間化合物導体材料は、アルミニウムの金属間化合物合金であり得る。
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【課題】 バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上させた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 被処理物表面にＰＶＤ法によりバリアメタル膜を形成する工程と、このバリアメタル膜表面にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成する工程と、前記バリア膜及びＣｕ膜を積層したものを所定温度で熱処理する工程とを実施する。前記バリアメタル膜としてＴｉ及びＲｕを含むものを用い、当該バリアメタル膜中のＴｉの組成比を５〜２５原子％の範囲とする （もっと読む）

【課題】長期間の保存安定性に優れ、しかも残留不純物量が少ない良質なルテニウム膜を得ることができるおよびその化学的気相材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法を提供すること。
【解決手段】テトラ（μ−ホルマト）ジルテニウム（ＩＩ，ＩＩ）、テトラ（μ−フォルマト）（２水和物）ジルテニウム（ＩＩ，ＩＩ）の如きジルテニウム錯体からなる化学気相成長材料およびそれを用いて化学気相成長法によりルテニウム膜を形成する方法。 （もっと読む）

本発明は、第１および第２メインコンタクト（７）、例えば、ソースおよびドレインコンタクトと、制御コンタクト、例えば、ゲートコンタクト（１０ａ）とを備えたＩＩＩ−Ｖ族ＣＭＯＳデバイスの製造方法に関する。該方法は、ダマシンプロセスを用いて制御コンタクト（１０ａ）を設けることを少なくとも含む。こうして２０ｎｍ〜５μｍの長さおよびショットキー挙動を持つ制御コンタクト（１０ａ）が得られる。Ｃｕなどの低抵抗材料の使用によりゲート抵抗を減少させることができ、ＩＩＩ−Ｖ族ＣＭＯＳデバイスの高周波性能を改善できる。
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【課題】例えば、ガラスや又はシリコン等の基板との密着性を向上させることができる配線形成材、この配線形成材を用いた配線形成方法及び配線形成装置を提供しようとしたものである。
【解決手段】本発明の配線形成材は、配線となる金属ナノペーストと、配線形成対象である基板物質の極性に応じた極性特性を有する溶媒とを含むことを特徴とする。また、本発明の配線形成方法は、基板に対して配線形成材を噴き付けて配線を形成する配線形成方法において、配線形成材として、第１の本発明の配線形成材を用いることを特徴とする。さらに、本発明の配線形成装置は、基板に対して配線形成を噴き付けて配線を形成する配線形成装置において、配線形成材として、第１の本発明の配線形成材を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングの終了を時間管理する場合よりも精度良くエッチングできる半導体装置とその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板１の表面上に導電膜２を形成する工程と、導電膜２とＳｉＣ基板１を反応させて、導電膜２の材料がＳｉＣ基板１に拡散したＮｉＳｉ層３、ＳｉＣ基板１の珪素により珪化したＮｉ_２Ｓｉ層４、グラファイト５および球状炭素６を生成する工程と、グラファイト５、球状炭素６およびＮｉ_２Ｓｉ層４を、珪素と比較して炭素と結合し易い雰囲気中でエッチングするエッチング工程とを含む。更に、エッチング工程中に放出される炭素放出量がピークを超えて、かつ、所定値以下になった場合にエッチング工程を終了する。 （もっと読む）

【課題】酸化物透明導電膜とＡｌ合金膜との接触電気抵抗を増加させることなくＡｌ合金が直接接続し、配線抵抗が小さく、現像液などの電解質液中でガルバニック腐食が生じにくい積層構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物透明導電膜とＡｌ合金膜とが直接接続されてなる積層構造を製造する方法であって、基板上に前記酸化物透明導電膜を形成する第１の工程と、該酸化物透明導電膜上にアルミニウムよりもイオン化傾向の小さい合金成分を含有するＡｌ合金膜を形成する第２の工程と、前記Ａｌ合金膜をアルミニウムと前記合金成分よりなる金属間化合物の析出温度以上に加熱する第３の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた窒化物半導体素子において、シリコン基板に形成する金属電極のオーミック接触性と密着性を両立し、電気特性と信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供すること。
【解決手段】 シリコン基板（２）と、シリコン基板（２）上に形成された窒化物半導体層（１０）と、シリコン基板（２）に接して形成された金属電極（８、８’）とを備えた窒化物半導体素子であって、金属電極（８、８’）は、シリコン基板（２）に接して離散した島状に形成された第１金属層（４、４’）と、第１金属層（４、４’）の島同士の間から露出したシリコン基板（２）に接して第１金属層（４、４’）を覆うよう形成された第２金属層（６、６’）と、を有し、第２金属層（６、６’）は、シリコンとオーミック接触可能な金属から成り、第１金属層（４、４’）は、第２金属層（６、６’）と異なる金属とシリコンとを含む合金から成る。 （もっと読む）

【課題】炭素系副産物および珪化したコンタクト母材膜を除去する工程の終了を時間で管理する必要がなく、炭素系副産物および珪化したコンタクト母材膜を適切に除去し、導体膜の剥離をより防止できる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板表面１Ａ上にコンタクト母材膜２を形成する工程と、コンタクト母材膜２とｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板１を反応させて、コンタクト母材膜２のＮｉ元素がｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板１に拡散したＮｉ拡散層３と、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ基板１のＳｉ元素により珪化したＮｉシリサイド層５と、グラファイト粒４および表面グラファイト層６を生成する工程と、グラファイト粒４の一部、表面グラファイト層６およびＮｉシリサイド層５（図示しないグラファイト粒も含む。）を、ＳｉＣ基板表面１Ａまで、除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板の裏面部にアルミスパイクが発達しづらい半導体装置を提供すること。
【解決手段】 はんだを介して回路基板と接合するために、シリコン基板３０の裏面から順に、第１導電層２８と、第２導電層２６と、第３導電層２４を有する裏面電極２０を備えている縦型のＩＧＢＴである。第１導電層２８は、アルミニウムとシリコンを含んでいる。第２導電層２６は、チタンを含んでいる。第３導電層２４は、ニッケルを含んでいる。第１導電層２８の厚みは、600nm以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン電極をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、酸素を含有する酸素含有層２８ａ、２９ａと、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。酸素含有層を構成する酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、酸素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ダマシン銅配線等において、配線幅１３０ｎｍ以下の超微細配線を欠陥なく埋め込むことができ、めっき膜の密着性が好適で、さらに低温で均一なめっきが可能となる無電解銅めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 動粘度が１．５ｃＳｔ以上２００ｃＳｔ以下、好ましくは５ｃＳｔ以上１００ｃＳｔ以下である無電解銅めっき液。この無電解銅めっき液を用いて無電解銅めっき膜を形成するダマシン銅配線形成方法、及びこのダマシン銅配線形成方法により配線幅１３０ｎｍ以下のトレンチ・ビアに対してダマシン銅配線を形成した半導体ウェハー。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線膜をガラス基板に強固に密着させるための銅合金下地膜およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：６越え〜２０モル％を含有し、さらにＭｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種または２種以上を合計で０．２〜５モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金膜からなる配線下地膜並びに同じ成分組成を有する配線下地膜形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ヒロック発生を防止し、密着性とバリア性に優れた配線膜を形成する。
【解決手段】成膜対象物２１が配置された真空槽１３に酸素又は窒素を含有する添加ガスを導入し、Ｚｒ等の添加元素を含む銅ターゲット１１をスパッタリングし、アルミニウム膜２３の表面にバリア膜２４を形成する。バリア膜２４は銅を主成分とするため、アルミニウム膜２３と同じエッチング液でエッチング可能であり、添加元素と酸素を含むため、アルミニウム膜２３にヒロックが発生しない。また、配線膜２５の表面にＩＴＯを密着させた場合には、アルミニウム膜２３は直接ＩＴＯに接触しないからコンタクト抵抗も高くならない。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としてＴｉＮ膜を用いる場合において、アッシング工程にてＴｉＮ膜がＡｌ合金配線から剥離するのを抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン基板上に形成されるＡｌ合金配線層の反射防止膜としてのＴｉＮ膜１３ｆ、１６ｆの結晶粒界に充填物質１３ｇ、１６ｇを充填する。このようにすれば、Ａｌ−Ｃｕ膜１３ｃ、１６ｃへの酸素（Ｏ₂）ラジカルの進入を防ぐことが可能となる。従って、酸素（Ｏ₂）ラジカルとＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃとが反応してＡｌｘＯｙが形成されることが防止され、ポリマー除去時にＡｌｘＯｙがフッ素ラジカルによって還元され、反射防止膜１３ｆ、１６ｆがＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃから剥離することもない。 （もっと読む）

【課題】配線溝や層間接続路表面に形成されたＴａＮからなるバリア層との密着性が良好なＣｕ配線と、このＣｕ配線を製造できる方法を提供する。また、半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝や層間接続路の幅が狭く、深い場合でも、バリア層との密着性が良好で、配線溝や層間接続路の隅々に亘って埋め込まれているＣｕ配線と、このＣｕ配線を製造できる方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路に埋め込まれたＣｕ配線を、（１）配線溝側または層間接続路側に形成されたＴａＮからなるバリア層と、（２）Ｐｔ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｆｅ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｒｕ、ＲｅおよびＯｓよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５〜３．０原子％含有するＣｕからなる配線本体部とで構成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に対する密着性に優れた表面滑らかな酸素含有銅膜を成膜することができるターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：０．４〜６原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成、並びに素地中にＣｕ_２Ｏが均一に分散している組織を有することを特徴とする酸素含有銅ターゲット。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高いソース電極あるいはドレイン電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明では、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板上のＴＦＴ電極において、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物からなることを特徴とする。さらに、本発明は、前記ＴＦＴ電極において、半導体層あるいは画素電極と、前記ソース電極あるいはドレイン電極とが、オーミック接合していることを特徴とする。 （もっと読む）