【課題】１００℃前後の温度でもパッド金属膜がダイヤモンド層から剥離しないダイヤモンド半導体素子を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド層の上に、Ａｌ系またはＡｕ系の配線膜、パッド金属膜、および金属ワイヤを備えたダイヤモンド半導体素子であって、パッド金属膜は、配線膜および金属ワイヤと電気的に接続されており、且つ、白金族金属またはその合金で構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線として用いられる銅層が塊状になるのを抑え、さらに拡散バリア層との密着性を向上させるため、改良された付着方法、又はメタライゼーション方法を提供する。
【解決手段】銅シード層とバリア層の間に密着促進層を被着する。コンピュータを用いたシミュレーションで銅膜の塊状化が起こる状況および銅層の密着性に関する評価を行い、密着促進層材料にクロム合金を用いることで、銅膜の密着性を著しく高める。さらにポリデンテートβ−ケトイミネートのクロム含有錯体を密着促進層材料のクロム合金を作るためのクロム含有前駆物質とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、アモルファス・シリコンなどの半導体層とパッシベーション層に挟持されたソース電極あるいはドレイン電極が安定なオーミック接合性を有するＴＦＴ構造からなる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板上のＴＦＴ電極において、ソース電極３５２あるいはドレイン電極３５３が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物４６からなることを特徴とする。さらに、前記ＴＦＴ電極において、半導体層４５あるいは画素電極３４と、前記ソース電極３５２あるいはドレイン電極３５３とが、オーミック接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性に優れ、半導体基体との界面における組成の均一性に優れ、ショットキー接合層との十分に高い密着性が得られるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ型のＳｉＣ半導体基体１と、ＳｉＣ半導体基体１の一方の主表面１ｂとオーミック接触するカソード電極５と、ＳｉＣ半導体基体１の他方の主表面１ａに形成されたｐ型ＳｉＣからなる第一半導体領域６ａと、他方の主表面１ａに形成されたｎ型ＳｉＣからなる第二半導体領域６ｂと、第一半導体領域１ａにオーミック接触するオーミック接合層７と、第二半導体領域６ｂにショットキー接触するショットキー接合層８とを備え、オーミック接合層７の二乗平均粗さが、２０ｎｍ以下である半導体装置とする。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】剥離しない上部配線膜を形成する。
【解決手段】下部配線膜１１とコンタクトする部分や、ＳｉＮ層１２の表面に、インクジェット法によって錫又は亜鉛の微粒子が分散された第一の印刷液を塗布し、焼成して酸化錫と酸化亜鉛の少なくとも一方から成る無機接着膜１３を形成し、無機接着膜１３の表面にＡｇ微粒子が分散された第二の印刷液を塗布し、焼成して上部配線膜１４を形成する。無機接着膜１３は、下部配線膜１１表面のＭｏＮ層２３及びガラス基板１０上のＳｉＮ層１２と、上部配線膜１４と接着性が高いので、上部配線膜１４が剥離しない。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター中間体および薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ｎ⁻アモルファスＳｉ半導体膜４の上に形成されたｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´と、ｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´の上に形成されたバリア膜１１と、バリア膜１１の上に形成されたドレイン電極膜５およびソース電極膜６を有する薄膜トランジスター中間体であって、ドレイン電極膜およびソース電極膜は、バリア膜１１に接して形成されているＣａ：０．０１〜１０モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕからなる酸素−カルシウム含有銅合金下地層１２と、酸素−カルシウム含有銅合金下地層１２の上に形成されたＣｕ層１３とからなる複合銅合金膜１４が形成されている薄膜トランジスター中間体、並びにこの薄膜トランジスター中間体をプラズマ水素処理して得られた薄膜トランジスター。 （もっと読む）

【課題】ダマシン銅配線等おける無電解銅めっきでシード層を形成した際の、成膜均一性、および密着性を、単体の金属上に無電解銅めっきを行った場合と比較して向上させ、さらに、銅シード層の成膜に先立つバリア層と触媒金属層との二つの層形成の煩雑さを解消して、超微細配線の形成が可能な、薄くかつ均一な膜厚でシード層を成膜しためっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上に、無電解めっき液に含まれる銅イオンと置換めっきが可能でかつ銅に対してバリア性を持つ金属Ｂと、銅に対してバリア性を持つ金属Ａからなる銅拡散防止用バリア合金薄膜が形成され、該銅拡散防止用バリア合金薄膜が、前記金属Ａを１５原子％以上、３５原子％以下とする組成であり、その上に無電解置換めっきにより銅薄膜が形成されたことを特徴とするめっき物。 （もっと読む）

【課題】 金属相互接続のための共形接着促進材ライナを提供すること
【解決手段】 誘電体層を少なくとも１つのライン・トラフ及び／又は少なくとも１つのビア・キャビティを有するようにパターン化する。金属窒化物ライナをパターン化誘電体層の表面上に形成する。金属ライナを金属窒化物ライナの表面上に形成する。共形銅窒化物層を、原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）によって、金属ライナの直接上に形成する。Ｃｕシード層を共形銅窒化物層の直接上に形成する。少なくとも１つのライン・トラフ及び／又は少なくとも１つのビア・キャビティは、電気めっき材料で充填される。共形銅窒化物層とＣｕシード層との間の直接接触は、強化された接着強度を与える。共形銅窒化物層をアニールして、露出した外側部分を連続的なＣｕ層に変換することができ、このことはＣｕシード層の厚さを減すのに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター中間体および薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ｎ⁻アモルファスＳｉ半導体膜４の上に形成されたｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´と、ｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´の上に形成されたバリア膜１１と、バリア膜１１の上に形成されたドレイン電極膜５およびソース電極膜６を有する薄膜トランジスター中間体であって、ドレイン電極膜およびソース電極膜は、バリア膜１１に接して形成されているＳｒ：０．２〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕからなる酸素−ストロンチウム含有銅合金下地層１２と、酸素−ストロンチウム含有銅合金下地層１２の上に形成されたＣｕ層１３とからなる複合銅合金膜１４が形成されている薄膜トランジスター中間体、並びにこの薄膜トランジスター中間体をプラズマ水素処理して得られた薄膜トランジスター。 （もっと読む）

【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】例えばＣｕ膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持することができる層構造を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１３２内で、表面に凹部２を有する被処理体Ｗの表面に成膜処理を施す成膜方法において、遷移金属含有原料ガスを用いて熱処理により遷移金属含有膜２１０を形成する遷移金属含有膜形成工程と、元素周期表のVIII族の元素を含む金属膜２１２を形成する金属膜形成工程とを有するようにする。これにより、例えばＣｕ膜に対するバリヤ性及び密着性を高く維持する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜と下地膜との間の密着性を向上させることにより半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１メタルキャップ膜ＭＣ１と第２メタルキャップ膜ＭＣ２とが成膜される際に、まず基板Ｓの表面に水素ラジカルが供給されて、表面処理である微粒子のエッチング処理や未結合手への末端処理、さらには酸化層の還元処理が実行される。そして、この表面処理が基板Ｓに施された後、基板Ｓの表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４と励起状態の窒素とが供給されて、第１メタルキャップ膜ＭＣ１及び第２メタルキャップ膜ＭＣ２である硼窒化ジルコニウム膜が成膜される。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】剥離しない上部配線膜を形成する。
【解決手段】
下部配線膜１１とコンタクトする部分や、ＳｉＮ層１２の表面に、インクジェット法によってＩｎ微粒子が分散された第一の印刷液を塗布し、焼成して酸化Ｉｎから成る無機接着膜１３を形成し、無機接着膜１３の表面にＡｇ微粒子が分散された第二の印刷液を塗布し、焼成して上部配線膜１４を形成する。無機接着膜１３は、下部配線膜１１表面のＭｏＮ層２３及びガラス基板１０上のＳｉＮ層１２と、上部配線膜１４と接着性が高いので、上部配線膜１４が剥離しない。 （もっと読む）

【課題】はんだ等の低融点金属を含有する合金膜を、含有金属組成のずれを生じることなく、かつ成膜レートを低下させることなく成膜できる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした空間内に、低融点金属を含有する合金ターゲットを設けたカソード電極と基板を設けたアノード電極とを対向して配置し、前記基板の一方の面に、前記低融点金属を含有する合金膜をスパッタ法により形成する成膜装置であって、前記カソード電極にＤＣパルス電圧Ｅｋを印加する電源手段を少なくとも備えたことを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、銅含有膜の製造に当たり、基板上にルテニウム含有膜を化学気相蒸着法（以下、ＣＶＤ法と称する）した後、当該膜状に連続的な銅含有薄膜を製造する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に有機ルテニウム錯体を用いてルテニウム含有薄膜を製造後に大気中に暴露し、次いで、ルテニウム含有薄膜を不活性ガスと接触させた後に、当該膜上に有機銅錯体を用いて銅含有薄膜を製造することを特徴とする銅含有膜の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】酸素含有量が均一なバリア膜を形成する。
【解決手段】本発明のターゲット１１１は酸素と銅とを含有している。当該ターゲット１１１をスパッタリングして形成されるバリア膜２５は、原子組成がターゲット１１１と略等しくなるので、バリア膜２５中の酸素含有量を厳密に制御することが可能であり、しかも、バリア膜２５中の酸素の面内分布が均一になる。酸素と銅を含有するバリア膜２５はシリコン層やガラス基板への密着性が高い上に、シリコン層へ銅が拡散しないから、薄膜トランジスタ２０の、ガラス基板やシリコン層に密着する電極に適している。 （もっと読む）

【課題】純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層を構成する窒素、炭素、およびフッ素のいずれかの元素は、前記半導体層のＳｉと結合している。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の剥がれを防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に形成されたＧａＮ系の材料からなるバッファ層上にアンドープＡｌＧａＮ層１３が形成され、このアンドープＡｌＧａＮ層１３上に、アンドープＡｌＧａＮ層１３とオーミック接合されたドレイン電極１５及びソース電極１６が、互いに離間して形成されている。また、アンドープＡｌＧａＮ層１３上におけるこれらの電極１５、１６の間には、Ｎｉ、Ａｕをこの順で積層した金属からなるゲート電極１７が形成されている。このゲート電極１７は、その端部１７−２がアンドープＡｌＧａＮ層１３の周囲のＧａＮバッファ層１２上に絶縁膜１４を介してＴｉを含む金属で形成された下地金属１８上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】クリーニング処理開始前の被処理体の処理枚数に関係なく、ジャストエッチの時点を自動的に確実に把握することにより、エッチング処理の適正な終点時点を決定することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理チャンバー１６と、所定の処理が施される被処理体Ｗを載置する載置台２０と、処理チャンバーへ必要なガスを供給するガス供給手段４０と、途中に真空ポンプが介設されて処理チャンバー内の雰囲気を真空引きする排気系６とを有す処理装置において、排気ガス中に含まれるパーティクル数を計測するために前記排気系に設けられたパーティクル計測手段８と、処理チャンバー内にクリーニングガスを流してクリーニング処理を行う時にパーティクル計測手段の計測値に基づいてクリーニング処理の終点時点を決定するクリーニング終点決定手段１４とを備える。 （もっと読む）

（ａ） 大部分で存在するモリブデン； （ｂ） 合金量で存在するニオブ； および（ｃ） ニッケル、クロム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される第三の金属を含み、第三の金属がドーピング量で存在する合金； さらに、それを用いて製造されるスパッタリングターゲット、かかるターゲットを使用してスパッタされた膜、およびかかる膜を含有する薄膜素子。
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