【課題】ＳｉＣにおける不純物領域に対するコンタクト配線のオーミック接合を確保しつつ、コンタクト配線の接続信頼性を向上させることのできる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１において、ＳｉＣからなるエピタキシャル層３にＮ型不純物をドーピングすることによりソース領域１３を形成する。ソース領域１３には、ソース領域１３とのコンタクト部分がポリシリコン層１８を有し、ポリシリコン層１８上にメタル層２０を有するソース配線１７をコンタクトさせる。一方、Ｎ型不純物がドーピングされたＳｉＣ基板２の裏面２２には、裏面２２とのコンタクト部分にポリシリコン層２４を有し、ポリシリコン層２４上にメタル層２６を有するドレイン配線２３をコンタクトさせる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層との高い密着性、および優れたウェットエッチング性を示すＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層と直接接触する表示デバイス用Ｃｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は、下記（１）および（２）の要件を満足する酸素含有合金膜であることを特徴とする表示デバイス用のＣｕ合金膜である。
（１）Ｃｕ合金膜は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ及びＷよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０原子％以上５．０原子％以下含有する。
（２）Ｃｕ合金膜は、酸素含有量が異なる下地層と上層を有し、前記下地層は前記半導体層と接触しており、前記下地層の酸素含有量は０．１原子％以上３０原子％以下であり、前記上層の酸素含有量は０．１原子％未満（０原子％を含む）である。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜に対して強い密着性を持ち、更に高い導電性を得る電極形成用組成物と、この組成物を用いた導電性基材の製造方法及びこれによって得られた導電性基材を提供する。
【解決手段】金属コロイド粒子、及びこの金属コロイド粒子の分散媒を含むペーストで構成された電極形成用組成物において、前記金属コロイド粒子を、金属ナノ粒子（Ａ）と、この金属ナノ粒子（Ａ）を被覆する保護コロイド（Ｂ）とで構成し、かつ前記保護コロイド（Ｂ）を、カルボキシル基を有する有機化合物（Ｂ１）と、高分子分散剤（Ｂ２）とで構成する。基材と、前記基材の表面に成形された透明電極膜と、前記透明電極膜の表面に形成された金属膜から構成された導電性基材の金属膜として、前記電極形成用組成物を焼結して使用する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層と接続電極との接合性および電極の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１１０と、発光層１５０を含み基板１１０上に積層される積層半導体層１００と、インジウム酸化物を含み積層半導体層１００上に積層される透明電極１７０と、透明電極１７０上に積層される第１の接合層１９０と、第１の接合層１９０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる第１のボンディングパッド電極２００とを備える。また、半導体発光素子１は、弁作用金属の一種であるタンタルを含むとともにｎコンタクト層の半導体層露出面１４０ｃと接する側がタンタル酸化物あるいはタンタル窒化物層となるように積層される第２の接合層２２０と、第２の接合層２２０上に積層されて外部との電気的な接続に用いられる接続電極の一例としての第２のボンディングパッド電極２３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高電力で高性能なデバイスによって生成される熱応力に耐えることができる金属相互接続システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス構造であって、炭化ケイ素およびＩＩＩ族窒化物からなる群から選択される広バンドギャップの半導体部分と、該半導体部分に対する相互接続構造であって、それぞれ２つの高導電性層と互い違いに、少なくとも２つの拡散バリア層を含む、相互接続構造とを備え、該拡散バリア層は、該高導電性層とは異なる熱膨張係数を有し、該高導電性層よりも低い熱膨張係数を有し、該それぞれの熱膨張係数の差異は、該高導電性層の膨張を抑えるために十分な大きさであるが、層間の接着強度を超える歪みを隣接層間に生じさせる差異よりも小さい、半導体デバイス構造。 （もっと読む）

【課題】微細配線であっても、Ｃｕ配線の配線抵抗上昇の低減と信頼性向上とを両立する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁膜２と、絶縁膜２に形成された溝５と、溝５の側壁及び底面に形成された、チタン（Ｔｉ）とタンタル（Ｔａ）との合金からなるバリアメタル膜３と、バリアメタル膜３に積層され、溝５の中に位置する銅（Ｃｕ）配線４と、を有する。バリアメタル膜３のチタン濃度は、０．１ａｔ％以上１４ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】コーティング層の下地パターンとなる層を形成する際にプロセスを複雑化させること無くコーティング層の剥離耐性の改善するパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも一種類の無機物からなる超微粒子を含むコロイド材料を基板に接触して配置し、前記コロイド材料と前記基板の接触面近傍にエネルギービームを照射することで前記基板上に前記無機物を含む層を固定化してパターンを形成するパターン形成方法であって、前記コロイド材料によってパターン形成する際のエネルギーより大きい前記エネルギービームを前記コロイド材料に照射することで、前記パターン表面にパターン上方にさらに形成されるコーティング層と機械的な結合を得るためのアンカーポイントをパターンと同時に形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 導電性微粒子膜を用いた現実的なバンプ電極構造の形成方法を実現すること。
【解決手段】半導体基板上に設けられた第１の電極と、この第１の電極上に設けられ、導電性微粒子からなる導電性微粒子膜と、この導電性微粒子膜上に設けられた第２の電極としての半田で形成されたバンプ電極とから構成された電極構造を具備してなる。 （もっと読む）

【課題】バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】上記酸化ケイ素膜のバリア膜と、上記純銅膜のドレイン電極膜およびソース電極膜の間に、水素プラズマ処理後の厚さ方向断面組織が、（ａ）上記純銅膜のドレイン電極膜およびソース電極膜側に形成された純銅化帯域と、（ｂ）上記酸化ケイ素膜のバリア膜との界面部に形成され、構成成分がＣｕとＣａと酸素とＳｉからなる成分凝集帯域、の２帯域で構成され、上記成分凝集帯域の厚さ方向に形成されたＣａおよび酸素の含有ピークの最高含有量が、それぞれＣａ：５〜２０原子％、酸素：３０〜５０原子％、であり、かつ、１０〜１００ｎｍの目標膜厚を有する密着強化膜を介在させる。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた薄膜トランジスターのゲート電極、ソース電極およびドレイン電極などの配線膜および配線下地膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｍｇ：０．１〜５原子％、Ｃａ：０．１〜１０原子％を含有し、必要に応じて、ＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜１０原子％を含有し、さらに必要に応じてＰ：０．００１〜０．１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する薄膜トランジスター用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接触を発生させることなく、炭素の析出を抑制することにより配線の密着性を向上したオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＳｉＣ半導体装置においてオーミック電極を形成する際に、ＳｉＣ層１１の一方の主表面上には、１種の第１の金属元素からなる、第１の金属層１２を形成する。また、第１の金属層の、ＳｉＣ層１１と対向する表面とは反対側の表面上（図１における上側）に、ＳｉからなるＳｉ層１３を形成する。このようにして形成した積層構造１０Ａに対して熱処理を行なう。以上により、電極の表面層への炭素原子の析出や、ＳｉとＳｉＣとによるショットキー接触の形成が抑制された、配線との良好な密着性を示すオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成され、ゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】剥離を十分に抑制することができ、さらには低抵抗でもあって特性に優れた半導体デバイス用裏面電極、その半導体デバイス用裏面電極を含む半導体デバイスおよびその半導体デバイス用裏面電極の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体上のニッケルシリコン合金層またはニッケル層とシリコン層との積層体を加熱して形成されたニッケルシリサイド層と、ニッケルシリサイド層上に設置されたチタン層と、チタン層上に設置された金属層とを含み、金属層は、ニッケル層、白金層、銀層、金層、ニッケル層と銀層との積層体、およびニッケル層と金層との積層体からなる群から選択される少なくとも１種である、半導体デバイス用裏面電極、その半導体デバイス用裏面電極を含む半導体デバイスおよびその半導体デバイス用裏面電極の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 残留不純物の少ない良質なルテニウム膜を得ることができる化学的気相成長材料及びその化学的気相成長材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含む化学気相成長材料、および該化学気相成長材料を用いた化学気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター中間体および薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ｎ⁻アモルファスＳｉ半導体膜４の上に形成されたｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´と、ｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´の上に形成されたバリア膜１１と、バリア膜１１の上に形成されたドレイン電極膜５およびソース電極膜６を有する薄膜トランジスター中間体であって、ドレイン電極膜およびソース電極膜は、バリア膜１１に接して形成されているＣａ：０．２〜１０モル％、Ａｌ、ＳｎおよびＳｂの内の１種または２種以上を合計で０．０５〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕからなる酸素−Ｃａ（Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ）銅合金中間体下地層１２と、この酸素−Ｃａ（Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ）銅合金中間体下地層１２の上に形成されたＣｕ合金層１３とからなる複合銅合金膜１４が形成されている薄膜トランジスター中間体、並びに薄膜トランジスター。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したＣｕ合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸素含有雰囲気中で加熱処理して酸素導入したＣｕ粉末と、Ｃｕよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい元素から選ばれる少なくとも1種類以上の添加元素粉末とを混合した後に加圧焼結し、Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素を０．０５〜１０原子％含有するとともに、酸素を５．０原子％以上かつＣｕと添加元素が形成する酸化物の化学量論量以下含有するスパッタリングターゲット素材を得るスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた薄膜トランジスター用配線膜およびこの配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｒ：０．１〜２０原子％、ＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜２０原子％を、ＣｒとＭｎとＡｌの合計が５超〜２５原子％の範囲内にあるように含有し、さらに、必要に応じてＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる薄膜トランジスター用配線膜および配線下地膜、並びにこれら配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 金属ワイヤとの密着性が高く、かつ透明導電膜との界面における接触抵抗を低減させた、導電接続部としての金属複合膜を有する電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子を提供する。
【解決手段】 被成膜体上にチタンドープ酸化インジウムからなる透明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜上に、外部との導電接続部としてＮｉ含有膜およびＡｕ含有膜を有する金属複合膜を形成する工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１０．０原子％含有することを特徴とする。本発明は、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が薄膜トランジスタに用いられている点に特徴を有する表示装置も含むものである。該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】全面に渡って比抵抗値が均一なフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成することができるスパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて成膜したフラットパネルディスプレイ用配線膜を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：０．１〜１５原子％、ＬｉおよびＣａのうちの１種または２種の合計：０．１〜１５原子％を、ＣｒとＬｉとＣａの合計が０．２〜２０原子％の範囲内にあるように含有し、さらに必要に応じてＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有するフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット、並びにこのターゲットを用いて形成したフラットパネルディスプレイ用配線膜およびフラットパネルディスプレイ用配線下地膜。 （もっと読む）