【課題】印刷形成が可能である銅系粒子堆積層を、基板密着性、低体積抵抗率、基板ダメージがなく深部まで還元する処理方法であり、且つ印刷塗布部外への銅の析出を抑制した、金属銅膜の作製方法、及び、作製した印刷金属銅パターンを提供する。
【解決手段】基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、１２０℃以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の１価のアルコール／エステル／ケトンから選択される少なくとも１種の有機溶剤と混合ガスにより処理する、金属銅膜の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットである。また、本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットをスパッタリングして下地膜を形成し、次いで該下地膜上にＣｕ系配線膜をスパッタリングにより形成する半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電流電圧特性を維持しつつ、アノード電極６の剥離に対する機械的強度を向上させる。
【解決手段】異種材料接合型ダイオードは、半導体基体１と、半導体基体１の上に形成された第１導電型のドリフト領域２と、ドリフト領域２の主表面に接合された、ドリフト領域２とは異なる種類の材料からなるアノード電極６と、半導体基体１に接続されたカソード電極７とを備える。ドリフト領域２とアノード電極６との接合によりダイオードが形成されている。アノード電極６の主表面のうち、ドリフト領域２に接している側の主表面に、嵌合構造（３、Ｇ１）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を低コストかつ高効率で作製することができ、基板の大面積化への対応も容易な透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の形成方法は、酸化インジウム錫化合物からなるＩＴＯ粒子を含有する導電性インク（Ｉｎｋ）を、その表面に所定のパターンのインク保持部が形成されたフレキソ印刷版１１に保持させる工程と、このフレキソ印刷版１１に、絶縁透光性基板１０を密着させ、上記インク保持部に保持された導電性インクを基板１０の所定位置に転写する工程と、この転写後に上記転写された導電性インクを加熱して、絶縁透光性基板１０上に、所定パターンの透明導電膜を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プロセス工程の数が従来のリフトオフ方法より少なく、基板との密着性が良好な薄膜パターンの形成が可能な微細加工方法を提供すること。基板との密着性に優れたパターニングされた被加工薄膜を有する微細加工構造を提供すること。移動度が優れた有機トランジスタの作成が可能な微細加工方法及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基体１上にレジスト膜２を形成する工程、レジスト膜２をパターン露光する工程、現像を行うことなくレジスト膜２上に被加工薄膜４を形成する工程、レジスト膜２の非露光部２ｂとその上の被加工薄膜４とをリフトオフする工程、を順次行うことを特徴とする。パターン化された被加工薄膜４ａと基板１との間に、露光されたレジストパターン２ａが介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による太陽電池は、太陽光を吸収して電気を発生させる太陽電池部と、上記太陽電池部の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、非共有電子対を有する官能基−Ｙとアルコキシ基−ＯＲとを有する化合物の縮合反応によって形成された表面処理層と、上記表面処理層の非共有電子対を有する官能基−Ｙと結合された金属電極層と、を含む。本発明による太陽電池はエネルギー変換効率に優れた特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、酸化物半導体層と、例えばソース電極やドレイン電極を構成する金属膜との安定した界面の形成が可能である配線構造を提供する。
【解決手段】基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、半導体層と金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、半導体層は酸化物半導体からなり、バリア層はＴｉ酸化膜から構成されており、且つ、Ｔｉ酸化膜は半導体層と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明によるパターン転写方法は、基板上にパターン物質を形成する第１段階と、パターン物質を固相状態に硬化させる第２段階と、硬化された固相状態のパターン物質にレーザー光を照射して、パターン物質をパターニングする第３段階と、パターニングされた固相状態のパターン物質と柔軟基板をお互いに突き合わせて加圧して、パターン物質から柔軟基板方向に、または柔軟基板からパターン物質方向にレーザー光を照射して、パターン物質と柔軟基板を突き合わせた部位で発生する柔軟基板の粘性力によって、パターン物質を柔軟基板に転写する第４段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内にバリアメタル層２０を形成した後、凹部１６、１７内にＣｕ配線層２３を形成する。バリアメタル層２０の形成工程は、凹部１６、１７内にＴｉ含有量が５０原子％を超える第１のＴｉＮ_x膜１８を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ｔｉ含有量が第１のＴｉＮ_x膜１８より多い第２のＴｉＮ_x膜（またはＴｉ膜）１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき方法において、パラジウム等の貴金属を使用することなく、またクロム酸等の有害な薬剤を使用せずにめっきと被めっき物間の良好な密着性を確保でき、かつ、めっき液を繰り返し使用することができる無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】被めっき物の表面上に、めっき金属の金属イオンを還元する能力を有する有機残基を側鎖に含有するポリマーを塗設する工程（１）と、前記ポリマーが塗設された被めっき物の表面上に、前記金属イオンを含みこの金属イオンを還元しうる還元剤を含まない溶液中において、前記金属イオンの部分還元金属酸化物を析出させる工程（２）と、前記金属イオンを還元しうる還元剤を含む溶液中において、前記部分還元金属酸化物を自己触媒性を有するめっき金属に還元する工程（３）と、被めっき物の表面上に、無電解めっき液中においてめっき金属の被膜を形成する工程（４）と、を含む無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性放熱基板（すなわち、熱伝導性基板）、放熱基板上に備わったＧａＮ系多重層及びＧａＮ系多重層上に備わったショットキー電極を含む窒化ガリウム系半導体素子である。該ＧａＮ系多重層は、放熱基板側に備わったＡｌＧａＮ層及びショットキー電極側に備わったＧａＮ層を含むことができる。かような窒化ガリウム系半導体素子の製造時、ウェーハボンディング（またはメッキ）及びレーザ・リフトオフ工程を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲートパッド電極と裏面金属電極間のリーク電流を抑制し、ボンディング強度を向上させ、高性能化・高信頼化を図る。
【解決手段】基板１０の第１表面上に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極２４・ソース電極２０およびドレイン電極２２およびオーム性電極層１８と、ゲート電極・ソース電極およびドレイン電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極ＧＥ１〜４・ソース端子電極ＳＥ１〜４およびドレイン端子電極ＤＥと、オーム性電極層上に配置され、ゲート端子電極と接続するゲートパッド電極３０と、オーム性電極層と基板との界面に形成された反応層を覆うように基板内に形成された第１導電型半導体層１６と、第１導電型半導体層１６を覆うように、基板内に形成され、第１導電型と反対導電型の第２導電型半導体層とを備える半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】バリア金属膜とＣＶＤ法によって形成される金属導体膜である銅膜との間の密着性に優れた半導体デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にＣＶＤ法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか１つを含む第１の還元性ガスに暴露する工程と、該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第２の還元性ガスに暴露する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜中及び膜表面の不純物が効果的に除去でき、Ｃｕ配線構造に適用したときにバリア層及びＣｕ配線層に対する密着性に優れて一層の低抵抗を実現できるＣｏ膜形成方法を提供する。
【解決手段】基材Ｓを処理室１０内に配置して処理室内を真空引きすると共に、基材を一の所定温度に加熱し、アルキル基を有するイオン又は分子がコバルトに配位した有機金属材料Ｌを気化させ、気化させた有機金属材料を基材表面に供給し、有機金属材料を熱分解させてＣｏ膜を成膜する。その後、同一の処理室内で、またはＣｏ膜が成膜された基材を他の処理室内に配置し、この基材をアンモニアガスと水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中にて他の所定温度でアニールする。 （もっと読む）

【解決課題】 複数の微細な貫通孔が存在するシリコン基板において、半導体プロセスに依らない簡素な技術により平坦部のみならず貫通孔内部にも密着性が良好な金属膜を成膜して、高密度実装用途に好適なシリコン基板を提供する。
【解決手段】 めっき前処理によりシリコン基板の平坦部と貫通孔内部の清浄シリコン表面を現出させ、ニッケル置換めっき・無電解銅めっき（Ｓ４）を順に行うことにより、シリコン基板の全ての貫通孔の内壁全面ならびに主面の全面もしくは一部の面を直接被覆し、密着性に優れ良好な導電性を示す膜を有するめっき層付シリコン基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】極めて薄い金属膜からなるエミッタおよびゲートフィンガー電極を有する圧接型ＩＧＢＴにおけるエッチングにおいて、エッチング厚さの厳密な制御を必要とすることなく、所望の厚さを有するエミッタおよびゲートフィンガー電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧接型半導体に用いる半導体装置の製造方法であって、Ｓｉ基板上に第１Ａｌ層を形成する工程と、所望のエミッタ電極およびゲートフィンガー電極形状となるよう第１Ａｌ層の一部をエッチングする工程と、第１Ａｌ層上にＡｌ以外の金属からなる下地層を形成する工程と、下地層上に第２Ａｌ層を形成する工程と、第２Ａｌ層のうちエミッタ電極に相当する部分にレジストを塗布する工程と、レジストを塗布した部分以外の第２Ａｌ層をエッチングする工程と、レジストを塗布した部分以外の下地層をエッチングする工程と、レジストを除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】単結晶シリコン基板に形成されたｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が引っ張り応力を受けるように、導電膜には不純物が導入され、単結晶シリコン基板に形成されたｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が圧縮応力を受けるように、導電膜には不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において低抵抗なオーミック性を有し、酸・アルカリによる腐食に対し高い耐性を持つ電極を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る第１の半導体装置は、窒化物半導体層１と、窒化物半導体層上に設けられた電極とを備え、窒化物半導体層１は電極下に、それ以外の部分よりも高濃度にｎ型不純物を含む高濃度不純物領域２を備え、電極は、窒化物半導体層１上に設けられた第一金属層３と、第一金属層３上に設けられた第二金属層４と、第二金属層４上に設けられた第三金属層５と、を備え、第一金属層３は第二金属層４よりも窒化物半導体層１との高い密着性を有する金属を含み、第三金属層５は水素よりもイオン化傾向の小さい金属を含む。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法によってエピタキシャル基板の障壁層表面の平坦性を向上させ、ショットキーコンタクト特性の優れたエピタキシャル基板を実現する方法を提供する。
【解決手段】半導体素子用のエピタキシャル基板を製造する方法が、下地基板の上に、少なくともＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層をエピタキシャル形成するチャネル層形成工程と、チャネル層の上に、少なくともＩｎとＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層をエピタキシャル形成する障壁層形成工程と、障壁層形成工程における加熱温度よりも１００℃以上２５０℃以下高い加熱温度で障壁層が形成された下地基板を加熱することにより、障壁層の表面平坦性を向上させる平坦化処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系合金配線膜と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに密着性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ｃｕ合金層との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層と、ＣｕおよびＳｉを含むＣｕ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層を構成する窒素、炭素、フッ素および酸素のいずれかの元素は前記半導体層のＳｉと結合しており、前記Ｃｕ合金層は、Ｃｕ−Ｘ合金層（第一層）と第二層とを含む積層構造である。 （もっと読む）