【課題】半導体基板又はガラス基板の下地基板に対する密着性が高く、下地基板への拡散バリア性に優れ、かつ水素プラズマ耐性に優れた低抵抗な配線層構造、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体又はガラス基板の下地基板１と、下地基板１上に形成された酸素含有Ｃｕ合金層２と、酸素含有Ｃｕ合金層２上に形成された、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉのうち少なくとも一種を含有する酸化物層３と、酸化物層３上に形成された、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉのうち少なくとも一種を含有するＣｕ合金層４と、Ｃｕ合金層４上に形成された、Ｃｕ導電層５とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚のばらつき及び表面の平坦性に優れ、基材との十分な密着性を有する導電膜パターンを、複雑、高価な設備、工程を必要とせずに形成する導電膜パターン及びその形成方法を提供する。
【解決手段】金属微粒子含有インクを基材上に配置し、焼成することにより形成される導電膜パターンにおいて、前記基材のインク被配置面に、有機塩あるいは無機塩の含有されたプライマー層が形成されているものであることを特徴とする導電膜パターン。 （もっと読む）

【課題】雰囲気条件下で簡単に実施でき、安価な金属箔を使用できる、有機半導体表面に電気接点を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体表面に溶媒層を形成し、前記表面、少なくともその下面が部分的に酸化された金属箔を載置し、次いで前記溶媒を蒸発させる。本発明方法によると、経済的な競争力が向上し、同時に半導体の構造の保持、及び高い界面導電性がその品質的な価値を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】耐圧の安定化をはかることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、主表面１ａに素子形成領域１４を有する半導体基板１と、ガードリング２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅと、ガードリング電極７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅと、チャネルストッパ領域３と、チャネルストッパ電極７ｆと、半導体基板１上に絶縁状態で配置されたフィールドプレート９ａ，９ｂ，１０とを備え、フィールドプレート９ａ，９ｂ，１０は、半導体基板１の主表面１ａとガードリング電極７ｅとの間に位置する第１の部分９ａと、半導体基板１の主表面１ａとチャネルストッパ電極７ｆとの間に位置する第２の部分９ｂとを含み、第１の部分９ａは、平面視においてガードリング電極７ｅと重なり合う部分９１を有し、第２の部分９ｂは、平面視においてチャネルストッパ電極７ｆと重なり合う部分９２を有している。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層、ＳｉＮ_Ｘ保護膜層との密着性に優れる酸素含有Ｃｕ合金膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金ターゲットを用いてＡｒおよび酸素ガスを導入した雰囲気中でスパッタリングし、酸素含有Ｃｕ合金膜を得ることを特徴とする酸素含有Ｃｕ合金膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含むとともに、酸素を３．０〜１０原子％含有し、残部がＣｕと不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な酸化マンガン膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 酸化物１０２上にマンガンを含むガスを供給し、酸化物１０２上に酸化マンガン膜１０３を形成する酸化マンガン膜１０３の形成方法であって、酸化マンガン膜１０３を形成する際の成膜温度を、１００℃以上４００℃未満とする。 （もっと読む）

【課題】従来の電極又は配線形成用ペースト組成物に比べて、低温で焼成可能であり優れた電気比抵抗特性及び安定性を有して、太陽電池、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）又はＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）の電極又は配線の形成に有用に使用される熱硬化性ペースト組成物、及びこれを利用した電極又は配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明による電極又は配線形成用ペースト組成物は、ａ）導電性粉末；ｂ）セルロース系バインダー；ｃ）アクリレート系モノマー；ｄ）ラジカル重合開始剤；及びｅ）溶媒を含む。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にＣＶＤ−Ｒｕ膜を有するウエハＷを収容し、チャンバー１内に、成膜中に発生する副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧がその蒸気圧よりも低いＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳからなる成膜原料を気相状態で導入して、Ｒｕ膜上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜するにあたり、チャンバー１の壁部の温度を、副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧が成膜処理時のチャンバー１内の圧力と等しくなる温度以上で成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの分解温度未満に制御する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜とｎ型Ｓｉ半導体層が高い密着強度を有する薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【目的】
ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体の電極の剥離や金属の凝集が生じず高い接着性を有するとともに良好なオーミック接触を有するコンタクト電極の形成方法及び当該電極が形成されたＺｎＯ系化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板上にｎ型ＺｎＯ系半導体層及びｐ型ＺｎＯ系半導体層を含む積層体をｐ型ＺｎＯ系半導体層が表面に形成されるように形成する工程と、ｐ型ＺｎＯ系半導体層をその表面温度が２５０℃ないし５００℃の範囲内で熱処理する工程と、５５０℃未満の温度で、ｐ型ＺｎＯ系半導体層上にｐ側電極金属を上記熱処理の後に形成する工程と、ｎ型ｎ型ＺｎＯ系半導体層上にｎ側電極金属を形成してＺｎＯ系半導体素子を形成する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好でかつ高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内にカルボン酸第１銅錯体、例えばＣＨ_３ＣＯＯＣｕとこれを還元する還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 従来のＰＶＤ法と比較して低コストで、成膜時間が短く、熱電素子とバリア膜の間の密着力が高い熱電素子の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 エッチングガスにより熱電素子１をエッチング処理するエッチング工程Ｓ１と、熱電素子１にＰＶＤ法によりＰＶＤ膜２を成膜するＰＶＤ成膜工程Ｓ２と、ＰＶＤ膜２を形成した熱電素子１にメッキ法によりバリア膜３を成膜するメッキ成膜工程Ｓ３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にＣＶＤ−Ｒｕ膜を有するウエハＷを収容し、チャンバー１内に、成膜中に発生する副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧がその蒸気圧よりも低いＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳからなる成膜原料を気相状態で導入して、ウエハＷに形成されたＣＶＤ−Ｒｕ膜上にＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜するにあたり、チャンバー１内の圧力をＣＶＤ−Ｒｕ膜表面に吸着したＣｕ（ｈｆａｃ）_２の脱離および拡散が進行する圧力に制御する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板への密着性が高いと共に、Ｓｉを含んだ層へのＣｕの拡散を抑制し、配線とＳｉを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板用の配線材料は、Ｃｕよりも優先的にＳｉとの間でシリサイドを形成するシリサイド形成材と、Ｓｉの酸化物生成自由エネルギーよりも酸化物生成自由エネルギーが低い少なくとも１種類の添加物とが添加され、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】透明基板との高い密着性、低い電気抵抗率、および優れたウェットエッチング性を示すＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】透明基板と直接接触する表示デバイス用Ｃｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は、下記（１）および（２）の要件を満足する酸素含有合金膜であることを特徴とする表示デバイス用のＣｕ合金膜である。
（１）前記Ｃｕ合金膜は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、およびＣａよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０原子％以上１０原子％以下含有する。
（２）前記Ｃｕ合金膜は、酸素含有量が異なる下地層と上層を有し、
前記下地層は前記透明基板と接触しており、前記下地層の酸素含有量が前記上層の酸素含有量よりも多い。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの剥がれを防止し、かつボンディングパッド間におけるリーク電流の発生を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＨＢＴ（ヘテロ構造バイポーラトランジスタ）が構成要素の１つとして集積された半導体装置１１０は、半絶縁性ＩｎＰ基板１１上に、順次、エッチングストップ層１２、コレクタコンタクト層１３、コレクタ層１４、傾斜コレクタ層１５、セットバック層１６、ベース層１７が形成された構成を有し、ベース層１７はＩｎＧａＡｓで構成された薄膜であってＰを含まず、このベース層１７上にＳｉＮ２３が形成され、ＳｉＮ２３上にボンディングパッド２５が形成された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率、発光効率などの光−電気変換特性に優れかつ、光−電気変換特性の安定性に優れる有機エレクトロニクス素子およびその製造方法を提供することにあり、特にフレキシブル基板に好適に用いることができ、光電変換効率、発光効率などの光−電気変換特性に優れかつ、光−電気変換特性の安定性に優れる有機エレクトロニクス素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明支持体11上に第一の電極12を有し、該第一の電極上に有機層を有し、該有機層上に第二の電極14を有する有機エレクトロニクス素子10であって、該第一の電極は透明導電層と、ネット状であり、その開口部が不規則なパターンを有する形状である補助電極とを有することを特徴とする有機エレクトロニクス素子。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣにおける不純物領域に対するコンタクト配線のオーミック接合を確保しつつ、コンタクト配線の接続信頼性を向上させることのできる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１において、ＳｉＣからなるエピタキシャル層３にＮ型不純物をドーピングすることによりソース領域１３を形成する。ソース領域１３には、ソース領域１３とのコンタクト部分がポリシリコン層１８を有し、ポリシリコン層１８上にメタル層２０を有するソース配線１７をコンタクトさせる。一方、Ｎ型不純物がドーピングされたＳｉＣ基板２の裏面２２には、裏面２２とのコンタクト部分にポリシリコン層２４を有し、ポリシリコン層２４上にメタル層２６を有するドレイン配線２３をコンタクトさせる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜における、ゲートトレンチ側面上の部分の厚さの増大を抑制しつつ、ゲートトレンチ底面上の部分の絶縁破壊を抑制することのできる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１において、表面３１がＳｉ面となるように、ＳｉＣからなるエピタキシャル層３を形成する。エピタキシャル層３には、その表面３１から掘り下がったゲートトレンチ６を形成する。また、ゲートトレンチ６の底面８および側面７上には、側面７上の部分（絶縁膜側部１０）の厚さＴ_１に対する底面８上の部分（絶縁膜底部１１）の厚さＴ_２の比が０．３〜１．０となるように、ゲート絶縁膜９を形成する。また、ゲートトレンチ６には、ゲート絶縁膜９を介してゲート電極１２を埋設する。 （もっと読む）