【課題】Ｃｕ系合金配線膜と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに密着性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ｃｕ合金層との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層と、ＣｕおよびＳｉを含むＣｕ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層を構成する窒素、炭素、フッ素および酸素のいずれかの元素は前記半導体層のＳｉと結合しており、前記Ｃｕ合金層は、Ｃｕ−Ｘ合金層（第一層）と第二層とを含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、パーティクルの発生を抑制可能な製造方法、及びこの製造方法を用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。次いで、最下層となる第１金属層の表面に第１金属酸化物層を形成した後に、層間において構成元素が異なるように、一つ以上の金属層を含む下地の表面に対して酸化処理、窒化処理、及び酸窒化処理のいずれかの処理を施す。こうした処理より第２金属化合物層を形成する。上記金属化合物層は、金属酸化物層の他、金属窒化物層や金属酸窒化物層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】基板上に電極を形成する方法および装置において、互いに交わる電極の交点における凹凸を少なくする。
【解決手段】基板に多数本のフィンガー電極を形成した後に（ステップＳ１０２）、これらと交わる幅広のバス電極を塗布により形成する。電極材料および光硬化性樹脂を含む塗布液を基板に塗布した後（ステップＳ１０３）、所定時間が経過するのを待ってから塗布液にＵＶ光を照射し塗布液を硬化させる（ステップＳ１０４）。塗布から光照射までの時間差ｔｓについては、予め実験的に塗布した塗布液の高さの変化を測定した結果に基づいて設定しておく（ステップＳ１０１、Ｓ２０１〜Ｓ２０４）。 （もっと読む）

【課題】オフ領域におけるゲート電圧−ドレイン電流特性（Ｖｇ−Ｉｄ特性）の劣化を抑制した薄膜トランジスタを備えたトランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴＦＴに設けられるチャネル保護層１５の下層に形成された半導体層１４のうち、ソース、ドレイン電極１７間に側壁部が露出する領域（及びその近傍領域）が、酸素プラズマ処理により酸化処理されている。これにより、当該領域に酸化膜２０が形成され、非導体化又は高抵抗化する。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極に、剥離やストレスマイグレーションによるボイドが発生するのを抑制する。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置であって、薄膜トランジスタは、半導体層６と、半導体層６上に形成されるコンタクト層７と、コンタクト層７上に形成されるソース電極１０及びドレイン電極９とを有し、ソース電極１０およびドレイン電極９は、コンタクト層７の上側に形成される第１の導電層９ａ，１０ａと、第１の導電層９ａ，１０ａの上側に形成される第２の導電層９ｂ，１０ｂとを有し、第２導電層９ｂ，１０ｂは、第１添加元素と、銅とを含有する銅合金層であり、前記第１添加元素は、ジルコニウム、チタン、銀、インジウム、金、錫、クロム、ケイ素から選ばれた少なくとも１種類の元素である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタを高い歩留まりで製造する製造方法を提供する。
【解決手段】基板上又は基板上における絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、有機半導体インクが供給された際、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上における前記有機半導体インクの接触角を前記基板上又は前記絶縁膜上における接触角よりも高くする電極処理工程と、形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に前記有機半導体インクを供給することにより有機半導体層を形成する半導体層形成工程と、を有し、前記ソース電極と前記ドレイン電極とにより形成されるチャネルのチャネル幅をＷ、前記有機半導体インクが供給される際の液滴の液滴径をφ、前記液滴が供給される位置の誤差である着弾位置誤差幅をＸとした場合、Ｗ＞φ＋Ｘを満たしていることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。このようなＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、ターゲットのＣｕ含有量を１０ｐｐｍ以下およびＡｇ含有量を１ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を経ることなく、テトラチアフルバレン誘導体と電子受容性化合物とを積層させるだけで、簡便かつ高電気伝導度を有する積層膜を提供する。
【解決手段】一般式(Ｉ)で表されるテトラチアフルバレン誘導体と電子受容性化合物の積層膜


（式（Ｉ）中、Xは炭素原子または硫黄原子または窒素原子から選択される原子であり同一でも異なっていても良い。Xに炭素原子及び窒素原子が選択される場合においてＲ_１〜Ｒ₁₆は水素原子、ハロゲン原子、置換および無置換のアルキル基またはアルコシキ基またはチオアルコキシ基から選択される基であり同一でも異なっていても良い。）。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系合金配線膜を半導体層と直接接続しても接触抵抗率が低く、かつ密着性に優れた薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、Ｃｕ合金層２８ｂ、２９ｂとを有する薄膜トランジスタ基板において、前記半導体層３３と前記Ｃｕ合金層２８ｂ、２９ｂとの間に、酸素含有層２８ａ、２９ａを含んでおり、前記酸素含有層２８ａ、２９ａを構成する酸素の一部若しくは全部は、前記薄膜トランジスタの前記半導体層３３のＳｉと結合しており、前記Ｃｕ合金層２８ｂ、２９ｂは、合金元素としてＸ（Ｘは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｇよりなる群から選ばれる少なくとも１種）を合計で２原子％以上２０原子％以下含有し、前記Ｃｕ合金層２８ｂ、２９ｂは、前記酸素含有層２８ａ、２９ａを介して前記薄膜トランジスタの前記半導体層３３と接続していることを特徴とする薄膜トランジスタ基板である。 （もっと読む）

【課題】被覆性及び付着力が高い金属膜を、半導体基板上に低コストで形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄイオンを含むＰｄ活性化液２８（塩化パラジウム）にＧａＡｓ基板１６（半導体基板）を浸漬してＧａＡｓ基板の表面にＰｄキャタリスト３０を付着させる。このＰｄキャタリストとＧａＡｓ基板が反応してＰｄ−Ｇａ−Ａｓの混合層４０が形成される。次に、表面にＰｄキャタリストが付着されたＧａＡｓ基板をＰｄ無電解めっき液４２に浸漬してＧａＡｓ基板上にＰｄめっき膜４４を形成する。 （もっと読む）

半導体デバイスを形成する方法であって、この方法は、半導体層を準備するステップと、半導体層上に第１の金属の第１の層を準備するステップとを含む。第１の金属の第１の層上に第２の層を準備することができる。第２の層は、シリコン層及び第２の金属の層を含むことができ、第１の金属及び第２の金属は異なり得る。第１の金属はチタンとすることができ、第２の金属はニッケルとすることができる。関連するデバイス、構造体、及び他の方法もまた説明される。 （もっと読む）

【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層上の透光性電極とｎ型窒化物半導体層との両方に好適に接続可能な構造のパッド電極を備える窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子１０は、基板１上に、ｎ型窒化物半導体層２、活性層３、ｐ型窒化物半導体層４を積層してなり、ｎ型、ｐ型窒化物半導体層２，４にそれぞれ電気的に接続するｎ側パッド電極７ｎ、ｐ側電極５をさらに備える。ｐ側電極５は、ｐ型窒化物半導体層４上に形成された導電性酸化物からなる透光性電極６と、透光性電極６上の一部の領域に形成されたｐ側パッド電極７ｐとからなる。そして、ｎ側パッド電極７ｎおよびｐ側パッド電極７ｐは、ｎ型窒化物半導体層２および透光性電極６のそれぞれに接触する側から、Ｃｒ層７１ａ、Ｐｔ層７１ｂ、Ｒｕ層７２、Ａｕ層７３を積層してなり、Ｃｒ層７１ａの厚さは１ｎｍ以上９ｎｍ未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層の水素終端処理をする際に、銅が用いられたドレイン電極及びソース電極が基板上に露出する場合であっても、ドレイン電極及びソース電極の剥離が生じにくい表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の薄膜トランジスタが配列された基板を有する表示装置の製造方法において、薄膜トランジスタの半導体層上の一部に、単層もしくは複数の導電層を含むソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、ソース電極及びドレイン電極が基板上に露出している状態で、半導体層に水素終端処理をする水素終端工程と、を含み、電極形成工程は、ネオンを含む不活性ガスを導入することにより基板上に銅を付着させる工程を含む、ことを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な印刷性を保持しつつ、体積抵抗率を低く、かつ、アスペクト比を高くすることができ、また、シリコン基板との密着性にも優れる電極を形成することができる太陽電池電極用ペーストおよびそれを用いた太陽電池セルの提供。
【解決手段】銀粉（Ａ）と、所定の式で表される２種の脂肪酸銀塩（Ｂ）と、ビヒクル（Ｃ）とを含有し、
前記銀粉（Ａ）が、平均粒子径が０．７〜５μｍの球状の銀粉末である太陽電池電極用ペースト。 （もっと読む）

【課題】導電性を低下させることなく、基板との密着性が高い導電層を形成可能な銅導体インク、及び導電層と基板との密着性が高く、該導電層の導電性が高い導電性基板を製造し得る製造方法を提供することにある。
【解決手段】銅系ナノ粒子と、熱硬化前の熱硬化性樹脂とを含有する銅導体インクであって、前記熱硬化性樹脂の含有体積が、銅系ナノ粒子を最密充填したときの空隙体積の１／４の体積より大きく、該空隙体積よりも小さい体積である銅導体インクである。また、前記銅導体インクを基板上に塗布し塗布層を形成し、乾燥する工程Ａと、乾燥した塗布層に導体化処理を施し導電層へと変化させる工程Ｂと、前記工程Ａと前記工程Ｂとの間に、又は前記工程Ｂの後に、前記熱硬化性樹脂を熱硬化する工程Ｃと、を含む導電性基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】同一のボンディングパッドに対して異なる金属のボンディングワイヤーを用いて信頼性の高い配線を行う。
【解決手段】窒化物半導体ヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるソース電極８,ドレイン電極９,ソースパッド８'およびドレインパッド９'をＴi,Ａl,ＭoおよびＡuを順次積層して形成し、ソースパッド８'およびドレインパッド９'の一部をエッチングによって開口して、Ａl露出部を形成している。したがって、ソースパッド８'またはドレインパッド９'におけるＡu露出部に対しては、Ａuボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行う一方、上記Ａl露出部に対しては、Ａlボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行うことによって、優れた密着性とエレクトロマイグレーション耐性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】許容可能な拡散バリア特性と基板への密着性を耐熱性金属窒化物が有するように、基板上への窒化チタンなどの耐熱性金属窒化物膜の形成を提供する。
【解決手段】材料の層が、ウェハ上に部分的に形成された集積回路内の基板上に形成される。基板はプラズマアニールを受け、その間に基板はイオンでボンバードされる（工程３００）。プラズマアニールは、エネルギーを注入された窒素含有ガスから生成されたプラズマへ基板を曝すことにより実行できる。基板がプラズマアニールされた後、耐熱性金属窒化物の層が基板上に堆積される（工程３０１）。耐熱性金属窒化物の層は、次に、第１セットのイオンでボンバードされる。第１セットのイオンによる耐熱性金属のこのボンバードは、プラズマアニールを実行することにより達成できる。耐熱性金属窒化物は、更に、第２セットのイオンによりボンバードされる（工程３０２）。 （もっと読む）

【課題】測定時において疑似ピークが現れないＤＬＴＳ測定用電極を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に設けられたアンチモンからなるショットキー電極１２ａと、シリコン基板１０の表面１０ａとショットキー電極１２ａとの間に設けられたチタンからなる密着膜１２ｂとを備える。本発明によれば、ショットキー電極の材料としてアンチモンを用いていることから、ＤＬＴＳ測定において疑似ピークがほとんど現れず、しかも、測定時におけるリーク電流を抑制することが可能となる。このため、シリコンウェーハに含まれている重金属の種類や濃度を正確且つ高感度に評価することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】溝や穴の開口部と深さとの比（開口部／深さ）が１／５〜１／７のような条件を要求されても、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。
【解決手段】ケミカルベーパーデポジションにより銅膜の下地膜として導電性Ｔａ−Ｚｒ系バリア膜を形成する為の材料であって、Ｔａを持つ金属有機化合物と、Ｚｒを持つ金属有機化合物とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料、および、前記Ｔａ有機化合物、前記Ｚｒ有機化合物の一方または双方を溶解する溶媒とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。 （もっと読む）