【課題】検査対象の電気特性を測定する場合に、検査対象の電気特性に影響を与えることなく、ＳＥＭ画像の高倍率化、高分解能化及びリアルタイム性を実現する。
【解決手段】試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第１の画像を取得する。次に、試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第２の画像を取得する。次に、第２の画像に第１の画像データを組み込むことによって、第２の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成する。プローブが検査対象における目標位置に近接するまで、粗寄せ観察用画像の生成を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】外力の印加方向の方向性に依存せずに大きな弾性力を発揮し、かつ、それを簡易な構造によって実現することができる球殻型接触子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の球殻型接触子１は、プローブカードに用いられる配線板４に対して球殻体の一部が埋設されたような部分埋設球殻形状であって１個もしくは複数の貫通孔が設けられた形状に形成されたばね部２を備える。球殻型接触子１の製造方法においては、配線板４に形成されたレジスト柱を熱硬化させて形成したレジスト球体を型としてばね部２をめっき形成する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの厚み方向他方側の電極に、ウェハの厚み方向一方側から通電することができ、半導体素子の電気的特性を精度良く測定することができる半導体素子の特性測定方法およびそれを用いる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１の厚み方向一方Ｘ１側の表面部に形成されたゲート電極およびソース電極から離隔して、電極接触部１４が半導体ウェハ１の厚み方向他方Ｘ２側でドレイン電極２と接触し、端子接触部１２が半導体ウェハ１の厚み方向一方Ｘ１側に露出するように、半導体ウェハ１の端部に測定用端子１０を配置する。測定用端子１０の端子接触部１２にプローブ端子１５を接触させるとともに、ゲート電極およびソース電極にプローブ端子を接触させて、ＭＯＳＦＥＴの電気的特性を測定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上に形成された半導体集積回路の、特にプローブ検査時間を短縮することができる検査工程を提供する。
【解決手段】 検査対象となる半導体基板には、半導体集積回路本体を含む回路領域２ａと、それに隣接するスクライブエリアにＴＥＧ３ａが形成され、回路領域２ａには第１パッド電極５ａ、５ｂの列が、またＴＥＧ３ａには第２パッド電極６の列が設けられる。ここでＴＥＧ３ａに隣接している方の第１パッド電極５ａが第２のパッド電極６に対向しないように配置される。このような状態の第１パッド電極５ａ、５ｂおよび第２パッド電極６にプローブ針８ａ、８ｂ、９を接触させて半導体集積回路の検査とＴＥＧの測定とを同時に行う。 （もっと読む）

【課題】適正なオーバードライブ量及び安定したプローブマークを得ることができ、汎用性のあるヘッドプレートを使用ことができるプローブカードの平行調整機構を提供する。
【解決手段】本発明のプローブカードの平行調整機構は、ヘッドプレート１５を四隅で支持する４箇所の支持柱１６のうちの４箇所でヘッドプレート１５を昇降させて、プローブカード１２とその下方に配置されたウエハチャック１１上のウエハＷとの平行度を調整する機構であって、４箇所の支持柱１６とヘッドプレート１５の間に介在する昇降機構１７Ａを備え、昇降機構１７Ａは、支持柱１６の上面に沿って移動可能に配置された傾斜面を有する移動体１７Ｃと、ヘッドプレート１５に連結され且つ移動体１７Ｃの傾斜面に沿って昇降可能に配置された昇降体１７Ｅと、移動体１７Ｃを支持柱１６の上面に沿って移動させる駆動機構１７Ｆと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 厚さに比べて幅が大きく、且つ立体的に変化に富んだ形状部分を有するプローブを製造対象として、メッキで適切にプローブとなる金属層を形成できる、プローブの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０上に補助型体１１を形成し、この補助型体１１の露出面にメッキで金属層１２を形成してから、金属層１２に隣接させて保護層１３を形成し、金属層１２の補助型体１１側面に隣接していない不要部分を除去した後、金属層１２から基板１０や補助型体１１等を分離して、金属層１２のプローブをなす部分を取得することにより、製造にあたりプローブの厚さ方向を基板１０上の横方向に一致させることとし、且つ補助型体１１側面をプローブの表面形状に対応する所望の形状とすれば、この補助型体１１側面へのメッキでプローブの複雑な形状部分も形成できることとなり、所望の特性を備えたプローブを高精度に製造できる。 （もっと読む）

【課題】ロット間のばらつきやウェハ面内のばらつきがある場合でも、高精度で良品／不良品の判定を行なうことが可能な試験装置を提供すること。
【解決手段】基準空間作成部２２は、第１のロットの良品チップの試験データからウェハ内のチップに付されたチップ番号別に基準空間を作成する。基準値抽出部２５は、基準空間作成部２２によって作成された基準空間に対応する第１のロットの不良品チップの試験データから、基準空間のそれぞれに対して有効な試験項目およびその試験項目に対応する良否判定の基準値を抽出する。そして、良否判定部２６は、基準空間のそれぞれに対するマハラノビスの距離の平均をチップ番号別に算出し、平均値が最小となる基準空間に対応する基準値を用いて第２のロットのチップの良否を判定する。したがって、ロット間のばらつきやウェハ面内のばらつきがある場合でも、高精度で良品／不良品の判定を行なうことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プローブカードの汎用性を維持しつつ、スクライブＴＥＧの評価素子を大規模化する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の上に行列状に形成された複数の半導体集積回路１０１と、複数の半導体集積回路に沿ってそれぞれ行方向又は列方向に延びるように形成された複数の第１のスクライブライン領域及び第２のスクライブライン領域と、第１のスクライブライン領域に形成され、第１の評価素子１２０〜１２５及び評価用電極パッド１１０〜１１６を含むスクライブＴＥＧ１２８と、第２のスクライブライン領域に形成された第２の評価素子１６０、１６１と、複数の半導体集積回路のうちの少なくとも１つの半導体集積回路、第１のスクライブライン領域又は第２のスクライブライン領域に形成された少なくとも１つのスクライブ間配線１７０〜１７３とを備えている。第２の評価素子とスクライブＴＥＧとは、スクライブ間配線を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム応用装置では，複数の電子ビーム検出器および電磁波発生手段をもつことにより性能向上が図れるが，空間的制約により同時に配置することが困難である。
【解決手段】
電子ビーム検出器（１０２，１０５）と電磁波発生手段（１０２，１０４，１０８，１０９）を両立した構成１００により，電子ビーム応用装置内部に多数の電子ビーム検出器及び電磁波発生手段を配置することができ，電磁波発生手段による試料表面の電位の制御やコンタミネーションの除去により，長期間安定した像観察が可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極パッドに精度良く接触でき、かつ、半導体装置に損傷を与え難い半導体検査装置を提供すること。
【解決手段】本半導体検査装置は、検査対象物である半導体装置を検査するための電気信号を入出力する半導体検査装置であって、第１基板と、弾性変形可能な接合部を介して前記第１基板と接合された第２基板と、を有し、前記第１基板は、前記第２基板側に開口する凹部と、前記凹部の内側面に形成された配線と、該配線と電気的に接続される配線パターンと、前記凹部内に収容され前記配線と接触して導通している導電性ボールと、を備え、前記第２基板は、一方の面に、前記第１基板の前記凹部に対応する位置に形成され、一端が前記導電性ボールと接触して導通する導電性の第１突起部と、他方の面に、前記第１突起部と電気的に接続される導電性の第２突起部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来のマルチサイト・テストやコンカレント・テストにおける各種の問題点の少なくとも一部を解決し、テスト時間の短縮を図ること等ができる、テスト装置、テストシステム、及びテスト方法を提供すること。
【解決手段】第１ＩＰコア４と第２ＩＰコア５を集積して構成された第１半導体デバイス１と、第１ＩＰコア４と第２ＩＰコア５を集積して構成された第２半導体デバイス２とを、同時にテストするためのテスト装置２０であって、ワークステーション２１と、第１ＩＰコア４をテストするための第１テスト回路２２と、第１半導体デバイス１に電力を供給する第１電源回路２３と、第２ＩＰコア５をテストするための第２テスト回路２４と、第２半導体デバイス２に電力を供給する第２電源回路２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】プローブを正確に位置決めして狭ピッチで実装する。
【解決手段】被試験デバイスと電気信号を授受するプローブ構造体であって、電気信号を伝送する接点と、接点が形成されるプローブと、接点と電気的に接続されるプローブパッド部と、プローブ上に設けられ、プローブパッド部に接続されるボンディングワイヤと前記プローブとの間を絶縁する絶縁部と、を備えるプローブ構造体、プローブ装置、プローブ構造体の製造方法、および試験装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 微妙なプロセスコントロールのための判断材料となる情報を短時間のうちに採取することができるプロセス評価用半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 プロセス評価用半導体集積回路としてのＳＲＡＭは、メモリセルに電源電圧を供給する給電系統と、メモリセル以外の回路に電源電圧を供給する給電系統とが分離されており、メモリセルに供給する電源電圧を他の回路に対する電源電圧と独立に制御可能な構成となっている。メモリセルに対する電源電圧を段階的に下げつつ、各メモリセルに対するアクセスを試み、動作不良を検出することにより、メモリセル間のトランジスタの電気的特性の微妙な変化を判定することができる。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流モニタ、リーク電流モニタ方法、及び、半導体装置の製造方法に関し、複数種類のデバイス特性をできるかぎり同じ構造のモニタで評価する。
【解決手段】 形状或いはしきい値電圧の少なくとも一方が異なる複数種類のトランジスタを異なった領域に同じ間隔で配置するとともに、前記複数種類のトランジスタの内、設計データにおける設置頻度の比を反映した数のトランジスタのゲート電極同士、ソース電極同士、及び、ドレイン電極同士を電気的に共通に接続する。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩ上の電極が狭ピッチかつ複雑な配列になった場合にも、電極およびその下の構造体に損傷を与えることなく低荷重で電極との電気的導通を実現できるＬＳＩ検査用のプローブカードを提供する。
【解決手段】膜状プローブ上に設けられた四角錐台形状の穴の上に接触端子５が形成される。この接触端子５直上に膜状プローブ表面の窪み２ができることも多い。この膜状プローブ表面の窪み２を平滑にするように樹脂被膜８を形成する。この際、樹脂被膜８形成用の樹脂ペーストの硬化収縮量が０．１％以下の物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体装置への電源電圧の印加を行うとともに、半導体装置の電源電流の測定を独立して行う。
【解決手段】試験装置は、複数の電源端子を有する半導体装置に電源電圧を印加する電源ユニットと前記半導体装置とを接続する複数の電圧線と、前記半導体装置の電源電流を測定する電流測定ユニットと前記半導体装置とを接続する複数の電流線と、前記電圧線を導通状態又は非導通状態にする第１リレー回路と、前記電流線を導通状態又は非導通状態にする第２リレー回路と、を備え、前記電圧線は分岐して、複数の前記半導体装置の前記電源端子に接続され、前記電流線は分岐して、前記半導体装置の複数の前記電源端子に接続される。 （もっと読む）

【課題】電極とその電極に接触させるプローブとの間で十分な電気信号を安定して授受でき、且つ容易に製造できる接触構造体を提供する。
【解決手段】プローブ５とその外周に配置されるハウジング６とを備え、ハウジング６は、上下方向に貫通した中空部１３が形成されたハウジング本体１１と、中空部１３の内壁面に被覆された導電性の被覆膜１２を有し、プローブ５は、ハウジング６の一端側において位置が固定される基端部２３と、被覆膜１２に接触した状態で中空部１３を移動可能であり先端に被検査体３への接触子２５を備えた導電性の先端部２１と、基端部２３と先端部２１とを連結し中空部１３に配置されて弾性を有する弾性部２２とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のプローブ試験で、プローブ針の数を必要最小限にすることと、半導体装置への電力供給マージンを提供する。
【解決手段】内部回路に電源を供給する隣り合う第１の電源パッド電極２１及び第２の電源パッド電極２２と、内部回路にグランドを供給する隣り合う第１のグランドパッド電極２３及び第２のグランドパッド電極２４と、前記第１及び第２の電源パッド電極のうち、一方の電源パッド電極はプローブ針４によって接続されていると共に、前記第１及び第２のグランドパッド電極のうち、一方のグランドパッド電極はプローブ針４によって接続されており、前記第１の電源パッド電極と前記第２の電源パッド電極はメタル配線１０によって接続されて、同様に前記第１のグランドパッド電極と前記第２のグランドパッド電極はメタル配線１０によって接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構造で、高精度に検出することができるにもかかわらず、プローブに押圧される部材を容易に交換可能にすることにある。
【解決手段】 圧力感知装置は、被検査体に接触される先端を有するコンタクトピンと、前記先端が上方となる状態に、コンタクトピンを解除可能に把持するチャック装置と、該チャック装置を支持する支持装置であって、コンタクトピンに作用する押圧力を、チャック装置を介して受ける圧力センサ素子を備える支持装置とを含む。チャック装置は、コンタクトピンを把持する一対のチャック片と、該チャック片を相寄り相離れる第１の方向へ移動させる移動装置であって、支持装置に支持された移動装置と、前記チャック片の間に配置されて、両チャック片が電気的に短絡することを防止する電気絶縁部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに形成された複数の電極パッドに確実に接触させることが可能なプローブカードを提供すること。
【解決手段】プローブカード４０には、基板本体４１の上面と下面との間を貫通する弾性体４４が設けられている。基板本体４１には、基板本体４１の下面には複数の配線４５が形成されている。配線４５の第２端部は、弾性体４４の下面に配置されている。そして、配線４５の第２端部下面には、検査対象物１０の電極パッド１１と対応する位置に、その電極パッド１１と電気的に接続される接触用バンプ４６が形成されている。 （もっと読む）