【課題】実際の強誘電体メモリセルについて疲労特性を直接に測定する試験方法を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に形成された強誘電体キャパシタの疲労特性の面内分布を取得する第１の工程と、前記面内分布に基づいて、半導体装置を製造する第２の工程と、を含み、前記第２の工程は、前記半導体装置が形成される基板上に複数の強誘電体キャパシタを形成し、前記第１の工程で取得された疲労特性の面内分布から、前記半導体装置が形成される基板上の特定領域を指定し、前記特定領域に形成された前記強誘電体キャパシタについて疲労特性を測定し、前記特定領域の強誘電体キャパシタについて測定した前記疲労特性に基づき、前記特定領域の強誘電体キャパシタについて良否判定を行い、前記良否判定の結果が良であれば、前記複数の強誘電体キャパシタの全てについて良と判定する。 （もっと読む）

【課題】容易に、電極の形状に関わらず、電極を選択的に絶縁する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ上に形成された複数の半導体チップ２の半田バンプ３ａに電気絶縁膜を形成するため、半田バンプ３ａにレーザーを照射させることにより、バンプ表面に酸化膜７を形成させることで、不良の半導体チップの電源用電極に電気絶縁を実現させ、不良の半導体チップを除いた形で、半導体ウェーハに対して一括バーンインテストを行なえる様にして、絶縁性樹脂使用による流れ出しの不具合をなくした。 （もっと読む）

【課題】コンタクトとゲート電極との間隔を効率よく測定できるようにする。
【解決手段】第１ゲート電極３１０と第１コンタクト３２０の距離と、リーク電流量の大きさの相関を示す変換用データを予め準備しておく。そして、第１ゲート電極３１０と第１コンタクト３２０の間のリーク電流量を測定し、測定したリーク電流量を、上記した変換用データを用いて第１ゲート電極３１０と第１コンタクト３２０の距離に変換する。そして、第１ゲート電極３１０と第１コンタクト３２０の距離の測定値と、この距離の設計値との差から、第１ゲート電極３１０を形成するための露光処理と、第１コンタクト３２０を形成するための露光処理と、の間の重ねあわせ誤差を測定することができる。 （もっと読む）

【課題】ｐチャネル型電界効果トランジスタのＮＢＴＩをウエハ面内において漏れなく評価することにより、信頼性評価の充実を図り、信頼性の高いｐチャネル型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】劣化過程、回復過程、および再劣化過程をストレス試験の１サイクルとし、１つのｐチャネル型電界効果トランジスタに対して上記１サイクルを複数回繰り返し行い、複数の劣化過程におけるしきい値電圧の劣化量または動作電流の劣化量を抽出して回復レス劣化評価を行い、複数の回復過程におけるしきい値電圧の劣化量および動作電流の劣化量を抽出して回復レス劣化評価を行う。 （もっと読む）

【課題】 熱負荷試験時において、プローブカード用セラミック配線基板に設けられた測定端子とＳｉウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが小さく、異物付着による外観不良の極めて少ないプローブカード用セラミック配線基板とこれを用いたプローブカードを提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体が、該セラミック焼結体中に含まれるＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算およびＳｉをＳｉＯ_２換算した合計量を１００質量部としたときに、前記ＭｎをＭｎ_２Ｏ_３換算で２．０〜４．０質量部、前記ＴｉをＴｉＯ_２換算で４．０〜８．０質量部および前記ＭｏをＭｏＯ_３換算で０．４〜２．１質量部含有する。 （もっと読む）

【課題】短時間に、評価素子内を均一且つ正確な温度条件に保つことができるウエハレベル信頼性評価素子を提供する。
【解決手段】ウエハレベル信頼性評価素子は、信頼性評価対象素子１と、信頼性評価対象素子１に電気的に接続された複数の電極パッド３ａ〜３ｄと、信頼性評価対象素子１の周囲に設けられた複数の発熱体２ａ〜２ｆと、一対の発熱体用電極パッド５とを備える。発熱体２ａ〜２ｆは、ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）材料からなる。一対の発熱体用電極パッド５には、発熱体２ａ〜２ｆが並列に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高太陽強度及び高温（ＨＩＨＴ）環境で操作される多−接合太陽電池のスクリーニング方法を説明する。
【解決手段】各太陽電池が、重なり合って積層された少なくとも２つのｐｎ−接合（２，３，６）を備え、ｐｎ−接合の１つ（６）が、均一なｐｎ−接合である。ＨＩＨＴ環境における有用性についてスクリーニングされる多数の太陽電池（１００）が提供される。所定のバイアス電流（Ｉｓｃ）で均一なｐｎ−接合のエレクトロルミネセンス（ＥＬ）画像が取得される。各太陽電池において、エレクトロルミネセンス画像内の空間的強度分布が分析され、ＨＩＨＴ環境内において電力を放出する可能性がある局部的強度変化（２２）が存在するかどうかが決定される。エレクトロルミネセンス画像内に局部的強度変化（２２）を有さない太陽電池が、第１群（Ａ）に分類され、少なくとも１つの局部的強度変化（２２）を有する太陽電池が、第２群（Ｂ）に分類される。 （もっと読む）

【課題】実際の動作条件下においてエレクトロマイグレーションの劣化現象を検知すると共に、故障の兆候を検知することが可能な半導体集積回路を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体集積回路１０は、カウンタ回路６と、遅延クロック信号５６を生成する遅延素子５と、クロック信号５２のクロックサイクル毎にトグルするデータを入力する第１のフリップフロップ１と、第１のフリップフロップ１からの出力信号を入力する配線４と、遅延クロック信号５６に基づき駆動し、配線４からの出力信号を入力する第２のフリップフロップ２と、クロック信号５２に基づき駆動し、第１のフリップフロップ１からの出力信号を入力する第３のフリップフロップ３と、第２及び第３のフリップフロップ２、３からの出力信号の排他的論理和を出力する排他的論理和回路７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被接触電極の狭ピッチ化に対応可能であり、また、バンプとウエハ上の電極とのコンタクトが可能であるウエハ一括コンタクトボード用コンタクト部品の製造方法等を提供する。
【解決手段】絶縁性基材３２の一方の面に形成されたバンプ６３と、絶縁性基材の他方の面に形成した孤立電極又は配線と、絶縁性基材に形成したバンプホール６２を介してバンプと孤立電極又は配線とを導通させる導通部とを有し、バンプの頭部と、絶縁性基材との間に、台座形成層６１が形成され、台座形成層を部分的に除去し形成された、絶縁性基材面からの高さを高くするための台座６４を有し、孤立バンプは、絶縁性基材及び台座形成層に設けられたバンプホールによりメッキ成長させることにより形成され、台座形成層の高さ（厚さ）をＴ、バンプの頂部の台座形成層からの高さをｈ、バンプの頂部の絶縁性基材からの高さをＨ、としたときに、Ｈ＝ｈ＋Ｔの関係にあるコンタクト部品。 （もっと読む）

【目的】載置台の表面に付着した異物を除去し易く、半導体ウエハまたは半導体チップの裏面に、キズやクラックなどの欠陥を発生させない半導体試験装置を提供する。
【解決手段】この半導体試験装置は、載置台１と、載置台１を上下に移動させる移動手段６と、半導体チップ９の図示しない表面電極（エミッタ電極やゲート電極）と接触し電流を流すプローブ４と、載置台１に付着した異物を吹き飛ばすクリーニング機構であるブローノズル５とで構成され、載置台１の表面をシリコンより硬度が高い材料である、たとえば、超硬合金で形成する。 （もっと読む）

【課題】インライン特性化のための装置を提供する。
【解決手段】当該装置は、第１の電圧および第２の電圧が順次印加される、熱的に分離された被試験デバイスと、第１の電圧および第２の電圧が順次印加されている間に、第１の温度および第２の温度をそれぞれ実質的に同時に、被試験デバイスに与える局部加熱素子と、被試験デバイスの温度を測定する温度感知ユニットとを含む。 （もっと読む）

【課題】 バンプ先端が所定の形状で作成することが出来る検査用プローブおよび検査用プローブの製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅張りポリイミドフィルム基材を用いてセミアディティブ法により形成したニッケルバンプのうち被検査電極と接触するバンプ先端形状が所定寸法のものと、フイルム上に所定寸法で形成したニッケルパッドとを、金属接合によって接合したことを特徴とする検査用プローブおよび検査用プローブの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの絶縁性薄膜の信頼性評価を行う方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、ＭＬＣＣ２を用意する工程と、前記第１の導電体が抵抗素子４の一方端に電気的に接続され、前記抵抗素子の他方端が第１の直流電源５に電気的に接続され、前記第１の直流電源が前記第２の導電体に電気的に接続され、前記抵抗素子の一方端及び他方端それぞれが増幅器７の入力側に電気的に接続され、前記増幅器の出力側が周波数分析器８に電気的に接続された接続状態で、前記増幅器の出力を前記周波数分析器によって分析することで得られるPool Frenkel電流に基づく１／ｆ特性を示す範囲の電流ゆらぎの大きさを測定する工程と、前記工程で測定された１／ｆ電流ゆらぎの大きさが大きい場合は、前記絶縁性薄膜の質が悪いと判定し、前記工程で測定された１／ｆ電流ゆらぎの大きさが小さい場合は、前記絶縁性薄膜の質が良いと判定する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の製造（検査に要する時間を含む）に要する時間を短縮できる半導体集積回路の試験方法及び試験装置を提供する。
【解決手段】同一ウエハ２０上の半導体チップＡ，Ｂにそれぞれプローブピンを接触させる。その後、試験装置本体からプローブピンを介して半導体チップＡに仕様で定められた条件で電源電圧と第１のテスト信号とを供給し、選別試験を実施する。これと同時に、半導体チップＢに仕様で定められた条件よりも過酷な条件で電源電圧とテスト信号とを供給し、バーンイン試験を行う。次の回では、バーンイン試験した半導体チップに対し選別試験を実施し、未試験の半導体チップに対しバーンイン試験を実施する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ・レベルの試験装置を使用しながら、ウェーハ・レベルで高速で簡単な方法を使って統計データを得るシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】本システムおよび方法は、任意のチップのＤＵＴの全ての並列ストレスを実施してストレス時間を短くし、それから、そのチップの他のＤＵＴをストレスがかかった状態に保ってリラクゼーションが起こるのを防ぎながら、そのチップの各ＤＵＴを個々に試験することができるようにする。１つの応用では、得られた統計データによって、トランジスタ・デバイスの負温度バイアス不安定性（ＮＴＢＩ）現象の解析が可能になる。統計データを得ることは、ＮＢＴＩの挙動が知られているために、デバイスが小さくなるにつれてＮＢＴＩにとってますます非常に重要になる可能性があるが、本構造および方法は、僅かな適切な調整によって、多くの技術の信頼性メカニズムを得るために多数のＤＵＴにストレスを加えるように使用され得る。 （もっと読む）

【課題】ウエハ・レベル・バーインテストでは、ウエハ全域をほぼ一括してプローブテストを実行している。この際、プローブカードは、摂氏百数十度程度に加熱された下方のウエハステージからの熱により、テスト温度に近い温度にあらかじめ加熱されている。しかし、本願発明者らが検討したところによると、この予備加熱が十分でないと、プローブ針がコンタクトしている間にもプローブカードの熱膨張が進行し、プローブ針をウエハから浮上させる際に、蓄積した応力によりウエハ上のパッドに引っかき傷を形成することが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、実際の被テストウエハに対して、プローブテストを実行する前に、ウエハステージ上に被テストウエハではない別のウエハをセットした状態で、プローブカードのプローブ針と前記別のウエハをコンタクトすることにより、プローブカードの予備加熱を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】大規模な被測定トランジスタの特性を高精度に測定する半導体装置及びそれを用いた評価方法を提供する。
【解決手段】ｎ行ｍ列のマトリクス状に配列される被測定トランジスタＤＵＴを有する評価セルＣ１１〜Ｃｎｍと、被測定トランジスタにストレス電圧を印加するためのドレインストレス線ＤＶＳ等と、評価セルを選択するための行選択信号供給用の行選択線Ｘ１〜Ｘｎと、列選択信号供給用の列選択線Ｙ１〜Ｙｍと、入力される行選択信号と列選択信号に応じて被測定トランジスタの選択／非選択を表す選択信号を出力する選択回路１０と、を備え、選択信号供給回路に入力される選択制御信号等により行選択信号と列選択信号を生成し、評価セル各々に設けられた第１のトランジスタＴ１〜第９のトランジスタＴ９を切り替え、被測定トランジスタＤＵＴの測定評価、或いは被測定トランジスタＤＵＴへのストレス電圧印加を行う。 （もっと読む）

【課題】一度のテストにおけるチップ数を減らすこと無く、安定した試験を行う。
【解決手段】半導体集積回路装置（Ｓ１とＳ２に対応）を複数のグループに分けて同時に試験する方法であって、少なくとも１つのグループにおいて、他のグループとは異なる周波数のクロック信号（ＣＬＫ１とＣＬＫ２に対応）で半導体集積回路装置を動作させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハー上のパッドとの接続に関して十分な寸法精度を有し、なおかつ、温度差が大きな試験等の場合でも、シリコンウェハー上のパッドと基板上に形成された接続端子とが接続不良無く接続することが可能な電気検査用基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ムライト及びホウケイ酸系ガラスをセラミックの主成分とする多層セラミック基板４を備えた電気検査用基板１であって、多層セラミック基板４は、ホウケイ酸系ガラス中にアルカリ金属の酸化物を０．５〜１．５質量％含み、−５０〜１５０℃の平均熱膨張係数が３．０〜４．０ｐｐｍ／℃で、且つ、−５０〜１５０℃における各温度の熱膨張係数α１と、同じ温度でのシリコンウェハーの熱膨張係数α２とが、０ｐｐｍ／℃＜α１−α２≦２．５ｐｐｍ／℃の関係を有する。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ低コストで面発光型半導体レーザ素子をバーンインする方法を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子のバーンイン方法は、面発光型半導体レーザ素子に熱的負荷を与えるためのストレス電流を印加するステップ（ステップＳ１０４）と、ストレス電流を印加した面発光型半導体レーザ素子に測定電流を印加し、面発光型半導体レーザ素子の光量を測定するステップ（ステップＳ１０５）と、測定された結果に基づき面発光型半導体レーザ素子の合否判定を行うステップと（ステップＳ１０６）を有する。ストレス電流は、面発光型半導体レーザ素子から出射される光量が増加から低下に変化するときの駆動電流（サーマルロールオーバの駆動電流）よりも大きく、面発光型半導体レーザ素子が故障するときの故障電流よりも小さい。 （もっと読む）