【課題】半導体封止材等に用いられうる硬化性樹脂組成物において、十分な耐熱性を確保しつつ、硬化後においてもリードフレームや配線等を構成する貴金属（特に、銅またはその合金）などとの接着強度の低下を最小限に抑制しうる手段を提供する。
【解決手段】硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物に、（Ａ）複数の反応性官能基を有し、複数の環窒素原子を有する含窒素環状化合物、並びに、（Ｂ）平均組成式：Ｘ_ａＹ_ｂＺ_ｃＳｉＯ_ｄ（式中、Ｘは、それぞれ独立して、イミド結合を含む有機骨格を有する基を表し、Ｙは、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子およびＯＲ基（ここで、Ｒは、それぞれ独立して、置換または非置換のアルキル基、置換または非置換のアシル基、置換または非置換のアリール基、置換または非置換のアルケニル基、および置換または非置換のアルケニル基からなる群から選択される）からなる群から選択され、Ｚは、それぞれ独立して、イミド結合を含まない有機基を表し、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ、０＜a≦３、０≦ｂ＜３、０≦ｃ＜３、０＜ｄ＜２、かつ、ａ＋ｂ＋ｃ＋２ｄ＝４を満足する）で表され、有機基Ｘの少なくとも１つがシロキサン結合を形成するケイ素原子に結合してなる構成単位を含むシラン化合物、をさらに含ませることで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】硬化物の硬度が高く、耐熱着色性、耐ＵＶ着色性、強度、たわみに優れ、リフロー、ヒートサイクル下でもパッケージの損傷が少ない、電子材料分野や光半導体封止に適した熱硬化性樹脂組成物とそれに使用されるエポキシシシリコーン樹脂を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される、エポキシ当量が２００〜２０００ｇ／ｅｑ．であるエポキシシシリコーン樹脂、及びこれを含む熱硬化性樹脂組成物。
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【課題】半導体チップ及び配線回路基板のそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、接続部を封止するための接続信頼性及び絶縁信頼性に優れた接着剤組成物、それを用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の提供。
【解決手段】エポキシ樹脂と、硬化剤と、ビニル系表面処理フィラーとを含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体封止用樹脂組成物中の成分の偏りやばらつきを効果的に抑制する。
【解決手段】半導体封止用樹脂組成物は、機能性粒子１００を含む。機能性粒子１００は、無機粒子１０１、無機粒子１０１を被覆する第一の層１０３および第一の層１０３を被覆する第二の層１０５を含む。エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および硬化促進剤（Ｃ）のうち、いずれか一または二つの成分が第一の層１０３に含まれるとともに、他の成分が第二の層１０５に含まれる。 （もっと読む）

【課題】電極間の位置ずれを抑制できる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、ディスペンサーを移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を、除去装置により除去する工程と、異方性導電ペースト層上に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。除去装置により除去する前の異方性導電ペースト層３Ａにおいて、第１の領域を除去装置１４により除去するか、又は塗布量が多い第２の領域を除去装置により除去する。 （もっと読む）

【課題】特定温度以上の加熱により優れたリペア性を発現し、通常のヒートサイクルの熱衝撃に対しては、優れた電気的動作を維持することができる、液状エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】常温で液状のエポキシ樹脂、硬化剤、及び発泡剤を含む液状エポキシ樹脂組成物であって、発泡剤が熱分解型発泡剤であることとする。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率と低誘電率、高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が球状アルミナと球状シリカとの混合物を含み、且つ（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物であり、好ましくはｐＨ値が７以上である液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】初期の反射率が高く、遮蔽性も良好であり、長期間に亘り、反射性、耐熱性、耐光性を保持し、均一で黄変の少ない硬化物を与える熱硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】熱硬化性エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）トリアジン誘導体エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）酸化防止剤、（Ｄ）融点が５０〜８０℃の範囲にある内部離型剤、（Ｅ）鉛含有量が質量基準で１０ｐｐｍ未満である反射向上剤、（Ｆ）難燃助剤、（Ｇ）無機充填剤、（Ｈ）硬化触媒を必須成分とし、（Ａ）と（Ｂ）の合計１００部に対し、（Ｃ）を０．０２〜５．０部、（Ｄ）を０．２〜１０．０部、（Ｅ）を５０〜１０００部、（Ｆ）を２．０〜１００部、（Ｇ）を５０〜１０００部、（Ｈ）を０．０５〜５．０部含み、（Ａ）のエポキシ樹脂のエポキシ基と、（Ｂ）の硬化剤に含まれるエポキシ基の反応性基とのモル比が、エポキシ基／エポキシ基との反応性基≧１．０である。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法により半導体ウェハー表面に塗布した場合において、厚みが均一な塗布膜を形成可能な、ウェハレベルアンダーフィル工法に用いられるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、半導体チップと基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るために用いられる。当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しＢ−ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。当該プリアプライド用封止樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）溶剤と、を含んでなり、粘度ａ／粘度ｂで表されるチキソ比が１．５以下である。
粘度ａ：ブルックフィールド型粘度計を用い、０．５ｒｐｍ、２５℃で測定。
粘度ｂ：ブルックフィールド型粘度計を用い、２．５ｒｐｍ、２５℃で測定。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド回路基板において好適に使用できるポリイミド系のアンダーフィル材であり、高周波領域において発生しやすいノイズを抑制し、消費電力を抑えることができる、低誘電性アンダーフィル用樹脂組成物およびその硬化膜を提供する。
【解決手段】ポリイミドまたはその前駆体であるポリアミド酸（Ａ）と、平均粒子径が１００μｍ以下のポリオレフィン粒子（Ｂ）、溶媒（Ｃ）とを混合して得られるアンダーフィル用樹脂組成物であって、前記樹脂組成物を加熱乾燥して得られる硬化膜は、ポリイミドの連続相と、前記ポリオレフィン粒子（Ｂ）から得られる分散相とを有し、硬化膜の比誘電率は、前記ポリイミドの比誘電率よりも低いアンダーフィル用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 室温での長期保存性に優れ、硬化性や流動性が良好な樹脂成形体の製造方法を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填材を含み、かつ硬化促進剤の一部分（Ａ１）を含む第１組成分を混合、加熱溶融、混練、破砕して第１粉体を得る混練・破砕工程と、硬化促進剤の残りの部分（Ａ２）を含む第２組成分を粉砕して第２粉体を得る粉砕工程と、第１粉体と第２粉体とを、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤の融点又は軟化点以下の温度で分散混合して樹脂組成物を得る混合工程と、樹脂組成物を、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤の融点又は軟化点以上の温度にならないように加圧して樹脂成形体を成形する成形工程とを有し、硬化促進剤の残りの部分（Ａ２）と、エポキシ樹脂及び硬化剤とを含む混合物を、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤の融点又は軟化点以上に加熱する工程を経ずに成形体を得る樹脂成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、かつ成形が容易な封止材を備えた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージの封止材４が、熱硬化性樹脂組成物に、該熱硬化性樹脂組成物に対して容量比で７０：３０〜５：９５の範囲にある無機酸化物フィラーが分散されてなる熱伝導性樹脂組成物であって、該無機酸化物フィラーが、容量比で５：９５〜４０：６０の範囲にある酸化マグネシウム粉末と二酸化ケイ素粉末とを含むことを特徴とする熱伝導性樹脂組成物から形成されている。 （もっと読む）

【課題】低粘度で、低温短時間での硬化が可能であり、優れた耐熱性、耐電圧性、電気絶縁性、耐湿性、機械強度、密着性を具備し、封止時のはんだボール補強性に優れ、かつ、ポットライフが長いエポキシ樹脂組成物、および、それを用いた半導体封止材の提供。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、（Ｃ）イミダゾール系潜在性硬化剤、および、（Ｄ）フェノール樹脂よりなり、前記（Ａ）エポキシ樹脂および前記（Ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルの合計質量に対する前記（Ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテルの含有量が０．５〜８０質量％であり、エポキシ樹脂組成物の全成分の合計質量に対する前記（Ｃ）イミダゾール系潜在性硬化剤の含有量が５〜２５質量％であり、エポキシ樹脂組成物の全成分の全成分の合計質量に対する前記（Ｄ）フェノール樹脂の含有量が０．５〜２５質量％であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂の表面がシールド層で被覆された電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際に、リフロー工程において前記電子回路モジュール部品に発生する不具合を低減すること。
【解決手段】電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、電子部品２が実装された基板３と、空隙を有し、電子部品２の少なくとも一部と接する第１樹脂４と、第１樹脂４を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率の低い第２樹脂９と、少なくとも第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続された金属層５と、金属層５に設けられ、かつ少なくとも第１樹脂４の一部を金属層５の外部に露出させる開口部５Ｈと、電子部品２の側面２Ｓと接する第１樹脂４と、電子部品２の側面２Ｓと対向する位置に設けられる金属層５との間に、第２樹脂９を介在させた封止部１０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ノイズによる影響を低減できる半導体装置の製造方法、半導体装置及びシールド方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様に係る半導体装置の製造方法は、基板に実装された半導体装置を、フィラーを含有する封止樹脂で封止する工程と、封止樹脂の表面を削ってフィラーの一部を露出させる工程と、露出したフィラーの少なくとも一部をエッチングする工程と、エッチングにより封止樹脂表面に形成された孔内面を含む封止樹脂表面の少なくとも一部に金属膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成形時において封止樹脂の流動性を損なうことなく耐トラッキング性を高めることができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、および無機充填剤を必須成分として含有し半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、無機充填剤としてシリカおよび酸化マグネシウムを含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】液状封止樹脂組成物で封止した半導体モジュール部品において、熱時反りを抑制した、より薄い半導体モジュール部品を提供する。
【解決手段】コア材を含むコア基板１から構成されるモジュール用回路基板に半導体チップ及び／又は受動素子を搭載し、樹脂組成物で封止してなる半導体モジュール部品において、樹脂組成物が（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材、および（Ｃ）硬化促進剤を必須成分とする液状樹脂組成物３であり、液状樹脂組成物の硬化物の２５０℃での弾性率が１〜２０ＧＰａであり、２５℃から２６０℃までの熱膨張率が２５００〜６５００ｐｐｍであり、半導体モジュール部品の高さが１．６ｍｍ以下である半導体モジュール部品。 （もっと読む）

【課題】粘度が低く、侵入性が良好で、シリコンチップの表面等との密着性に優れ、かつ強靭性に優れた硬化物を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤、及び（Ｃ）平均粒径が０．１〜３μｍのシリカである無機充填剤Ａと平均粒径が５〜７０ｎｍの非晶質ナノシリカである無機充填剤Ｂからなる無機充填剤であって、該無機充填剤Ｂが下記式（１）及び／又は（２）で表されるシランカップリング剤で表面処理されてなる無機充填剤を含有することを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。


（式中、ｎは１〜５の整数、ｍは１又は２である。） （もっと読む）

【課題】 高温における金属との接着性が高く、耐リフロー性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料、およびこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）１分子中にエポキシ基を２個以上含有するエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）１分子中にフェノール性水酸基を1個以上有するベンゾフェノン誘導体を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料。前記（Ｃ）１分子中にフェノール性水酸基を1個以上有するベンゾフェノン誘導体の割合が、０．１質量％以上、１．０質量％未満であると好ましく、さらに、（Ｄ）シラン化合物、（Ｆ）無機充てん剤を含有すると好ましい。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、適度な粘度を有し、その硬化物の線膨張係数が小さい半導体封止材料、及び、該半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】
分子量が１０００以下で、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する、２５℃で固体の脂環式エポキシ化合物Ａ、分子量が１０００以下で、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する、２５℃で液体の脂環式エポキシ化合物Ｂ、２５℃で液体の硬化剤、硬化促進剤、及びシリカを含有し、かつ、前記脂環式エポキシ化合物Ａの含有量に対する脂環式エポキシ化合物Ｂの含有量の割合が、（脂環式エポキシ化合物Ｂ）／（脂環式エポキシ化合物Ａ）の重量比で０．５〜２であることを特徴とする半導体封止材料、並びに、該半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置。 （もっと読む）