【課題】従来の半導体装置では、半導体基板の側面や裏面が樹脂層により被覆されないため、半導体基板端部が欠け易く、遮光性や耐湿性に適さないという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置１では、半導体層１１の表面側に配線層１３、１９が形成され、配線層１３、１９を被覆するように樹脂層８が形成される。また、半導体層１１の裏面側を被覆するように樹脂層９が形成される。そして、半導体層１１の表面側から形成された溝２８は樹脂層８により埋設され、半導体層１１の裏面側から形成された溝２９は樹脂層９により埋設される。この構造により、半導体層１１は、半導体装置１から露出することなく、半導体層１１が欠け難く、遮光性に優れたパッケージ構造が実現される。 （もっと読む）

【課題】封止膜の収縮応力による半導体ウエハの反りを低減する。
【解決手段】複数の接続パッド３および開口部４ａを有する絶縁膜４が形成された半導体ウエハ１を準備し、絶縁膜４の開口部４ａを介して接続パッド３に接続された複数の外部接続用電極２０を形成する。半導体ウエハ１上における外部接続用電極２０の間に、未硬化の有機樹脂１７中に、予め硬化された樹脂粉末（微小体）１８が分散された封止膜１６を形成する。このように、半導体ウエハ１上の封止膜（有機樹脂層）１６は、予め硬化された樹脂粉末（微小体）１８を含んでいるので、熱硬化時の収縮を抑制でき、従って半導体ウエハの反りを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品内蔵モジュールを実装する際の加熱により、電子部品内蔵モジュール内のはんだが溶融することに起因して発生するはんだの移動や飛散を抑制すること。
【解決手段】電子部品内蔵モジュール１は、電子部品２と、電子部品２が実装された基板３と、電子部品２及び基板３を覆う第１樹脂１０と、第１樹脂１０の表面を覆う第２樹脂４とを含む。第１樹脂１０は、空隙を有する樹脂で構成される。そして、第１樹脂１０は、基板３の表面の電子部品２が実装されている部分の厚さよりも電子部品２が実装されていない部分の厚さの方が大きくなるように構成される。第２樹脂４は、第１樹脂１０よりも空隙率が低い。 （もっと読む）

【課題】一括モールド法により形成され、格子状に並べられた外部端子を有する半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】配線基板２の下面２ｙ側を被覆する保護膜１１の一部を、４つの角部を残して四角形状の各辺に沿って除去し、さらに、保護膜１１が除去された部分では、最下層の配線層２ｇも除去する。これにより、配線基板２がマトリックス状に区画形成された多数個取り配線基板および樹脂封止体５を切断し、１個１個の半導体装置１に切り分ける際に生じる配線層２ｇと他層の配線層、例えば配線層２ｅとの短絡を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れるシリコーン樹脂組成物、およびこれを用いる光半導体封止体。
【解決手段】１分子中に１つ以上の反応基を有する屈折率が１．４２〜１．５1のシリコーン樹脂と、平均粒径が２００ｎｍ以下の球状の疎水性シリカとを含有するシリコーン樹脂組成物、およびＬＥＤチップが当該シリコーン樹脂組成物で封止されている光半導体封止体。 （もっと読む）

【課題】 優れたレーザーマーキング性と半田耐熱性を有するエポキシ樹脂組成物と、それを用いて封止したことによりレーザーマーキング視認性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および無機充填剤（Ｃ）を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、ＤＢＰ吸収量が１００ｃｍ³／１００ｇ以上であるカーボンブラック（Ｄ）を含有し、かつ前記無機充填剤（Ｃ）が平均粒径０．１〜１０μｍの破砕シリカ（ｃ１）または平均粒径１〜１００ｎｍの極小微細球状シリカ（ｃ２）の少なくとも一方を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物で封止してなる樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】基板に搭載された半導体素子を圧縮成形で好適に封止することができる粒子状の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】基板に搭載された半導体素子を圧縮成形で封止するために用いられる粒子状の半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、融点が７０℃以下の脂肪酸、及び沸点が２００℃以上のシランカップリング剤を含有し、粒子径分布が１００μｍ〜３ｍｍの範囲内に８５質量％以上を占めることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】
無機充填材の詰まりやボイドなどの問題の無い、ＣＯＦ方式あるいはＳＯＦ方式で組み立てられる半導体装置に用いられる液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
耐熱性フィルム上の回路と、その回路上に搭載される半導体素子との接続部が２個以上存在し、その接続部において耐熱性フィルムと半導体素子との隙間が１０μｍ以上５０μｍ以下で、且つ隣接する接続部同士の間隔が５μｍ以上２５μｍ以下の部位を有する半導体装置に用いられる液状封止樹脂組成物であって、液状封止樹脂組成物が（Ａ）エポキシ樹脂（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材、及び（Ｄ）前記無機充填材の表面電荷を中和し得る添加剤を含み、無機充填材の含有量が１０重量％以上８０重量％以下であり、平均粒径が０．１μｍから０．５μｍで、最大粒径が５μｍ以下である液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】金属ケース材を有する大型の電子部品に使用してもクラックや剥離が発生することがない、封止性に優れた電子部品封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた電子部品装置を提供する。
【解決方法】（Ａ）３０質量部〜１００質量部のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂の少なくとも一種と、（Ｂ）７０質量部〜２０質量部の可撓性エポキシ樹脂からなる樹脂成分と、（Ｃ）８０質量部〜１２０質量部の酸無水物硬化剤と、（Ｄ）８０質量部〜３５０質量部の無機充填材としての結晶性シリカとを具え、（Ｄ）結晶性シリカは、（Ｄ−１）数平均粒径０．５μｍ〜３μｍの破砕型結晶性シリカ及び（Ｄ−２）数平均粒径８μｍ〜３０μｍの破砕型結晶性シリカを含むようにしてエポキシ樹脂組成物を調整する。 （もっと読む）

【課題】難燃性、成形性、耐リフロー性、耐湿性及び高温放置特性等の信頼性に優れ、ＶＬＳＩの封止用に好適な封止用エポキシ樹脂成形材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｆ）末端が炭化水素基、水酸基、アルコキシ基のいずれかであり、エポキシ当量が５００〜４０００である珪素含有重合物からなる封止用エポキシ樹脂成形材料。


（一般式（Ｉ）中のＲ^１、Ｒ^２は、置換又は非置換の炭素数１〜１２の、炭化水素基及びアルコキシ基から選ばれる。ｎは０〜４の整数。ｍは０〜６の整数。） （もっと読む）

【課題】 フリップチップ方式の半導体装置において半導体素子と基板との間を封止するために用いられる液状樹脂組成物において、無機充填材の配合量を増やすことなく、硬化物のさらなる低熱線膨張化を達成することができる半導体用液状樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂硬化剤、（Ｃ）無機充填材、を含有する半導体用液状樹脂組成物であって、前記（Ｃ）無機充填材が、平均比表面積が５００ｍ^２／ｇ以上、１５００ｍ^２／ｇ未満、平均細孔容積が０．３ｃｍ^３／ｇ以上、１．２ｃｍ^３／ｇ未満であることを特徴とする半導体用液状樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】室温での長期保管によっても流動性を保持し、封止成形時において良好な流動性及び硬化性を有し、かつ低吸湿性、低応力性、金属系部材との密着性のバランスに優れ、無鉛半田に対応する高温の半田処理によっても剥離やクラックが発生しない良好な耐半田性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）と、フェノール樹脂系硬化剤（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）と、ホスホニウムチオシアネート（Ｄ）と、カップリング剤と、を含み、前記カップリング剤がメルカプト基を有するシランカップリング剤（Ｅ）及び／又は２級アミノ基を有するシランカップリング剤（Ｆ）を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びにその硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】シールド部材の耐久性の低下を抑制すること。
【解決手段】回路モジュール１は、電子部品実装面１０ａを有する基板１０と、電子部品実装面１０ａに搭載される電子部品群１１と、電子部品群１１を覆う第１封止部材としての第１モールド樹脂１２と、第１モールド樹脂１２を覆うと共に基板１０に接触するシールド部材としてのメッキ層１３と、メッキ層１３の部分のうち基板１０に接触する基板接触部１３ａを基板１０との間で挟み込み、メッキ層１３の少なくとも一部を覆う第２封止部材としての第２モールド樹脂１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に電気素子をエポキシ樹脂組成物で接合又は封止する場合に、硬化反応時及び半田リフロー処理時にアウトガスの発生を抑制し、エポキシ樹脂組成物を十分に硬化させる。
【解決手段】エポキシ樹脂組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と硬化触媒（Ｃ）とを含有する。エポキシ化合物（Ａ）は、グリシジル型エポキシ化合物（ａ１）３０〜５５質量％と脂環式エポキシ化合物（ａ２）３５〜６０質量％とウレタン変性エポキシ化合物（ａ３）５〜３０質量％とを含有し、硬化剤（Ｂ）は、アルミニウムキレート系硬化剤が多官能イソシアネート化合物を界面重合させて得られた多孔性樹脂に保持されてなるアルミニウムキレート系潜在性硬化剤であり、硬化触媒（Ｃ）は、特定の構造のシラノール化合物であり、そしてエポキシ化合物（Ａ）１００質量部に対するアルミニウムキレート系潜在性硬化剤（Ｂ）の配合量は、０．５〜５質量部である。 （もっと読む）

【課題】樹脂に配合した場合に一次粒子の分散性を高め、樹脂組成物の経時的な増粘を抑制し、これを成形して得られる成形体の耐熱性、絶縁性の低下を抑制し、低弾性率化することができるグラフト共重合体が得られるグラフト共重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】ゴム状重合体（Ａ）２０〜９７質量％の存在下で、窒素原子を含有する官能基を有するビニル単量体（ｂ１）及び架橋性単量体（ｂ２）を含むビニル単量体混合物（ｂ）３〜８０質量％を重合する。 （もっと読む）

【課題】貯蔵安定性、成型性、及び硬化性が良好な半導体装置用の樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記成分を含む樹脂組成物。（Ａ）特定構造の熱硬化性オルガノポリシロキサン（Ｃ）下記式（２）の硬化促進剤、および（Ｄ）直鎖状ジオルガノポリシロキサン。


（式中、Ｒ^２は互いに独立に水素原子、特定炭素数のアルキル基、アリール基、又はヒドロキシル基、Ｒ³は互いに独立に水素原子、又は特定のアルキル基もしくはアルコキシ基） （もっと読む）

【課題】透明性等を保持し、かつ環境変化に対する耐久性等に優れた硬化物を与える熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物でＬＥＤ用半導体素子が封止された半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記平均組成式（１）
Ｒ¹_aＳｉ（ＯＲ²）_b（ＯＨ）_cＯ_(4-a-b-c)/2 （１）
（式中、Ｒ¹は同一又は異種の炭素数１〜２０の有機基であって少なくとも１種はエポキシ基を含む有機基、Ｒ²は同一又は異種の炭素数１〜４の有機基を示し、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ１．０≦ａ≦１．５、０≦ｂ≦０．３、０．００１≦ｃ≦０．５、１．００１≦ａ＋ｂ＋ｃ＜２を満たす数である。）
で表されるエポキシ当量が５００〜３０００ｇ／ｍｏｌでかつ軟化点が６０〜１５０℃である熱硬化性シリコーン樹脂と、
（Ｂ）縮合触媒
とを必須成分として含有することを特徴とする熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物でＬＥＤ用半導体素子が封止された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】２つのパッケージを積層するＰＯＰタイプの半導体装置が備える、上側に搭載される半導体パッケージにおいて、このものに生じる反りの大きさが低減された半導体パッケージ、および、かかる半導体パッケージが他の半導体パッケージ上に搭載され、これら半導体パッケージ同士を電気的に接続する半田バンプにおけるクラックの発生が低減された信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体パッケージは、インターポーザー１２（基板）と、このインターポーザー１２上に設置された半導体素子１５と、インターポーザー１２と半導体素子１５とを接着する接着層１４と、半導体素子１５をインターポーザー１２ごと覆うように設けられたモールド部（封止部）１６とを有し、接着層１４の常温における弾性率が１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】高硬度でタック性が無く、耐熱黄変性及び耐光黄変性に優れた樹脂硬化物を与える樹脂組成物及び該樹脂組成物の材料を提供する。
【解決手段】シラノール基を含有するポリシロキサン化合物（ａ）とシリカ粒子（ｂ）とが縮合されてなる構造を少なくとも有し、該ポリシロキサン化合物（ａ）が、水酸基及び加水分解性基から選ばれる１つ以上の基を有するシラン化合物又はその縮合物の重合生成物であり、該ポリシロキサン化合物（ａ）中のシラノール基含有率が１〜９０ｍｏｌ％である、シリカ粒子含有縮合反応物。 （もっと読む）

【課題】芳香族またはエタノールを含む燃料雰囲気にて使用される被封止材と、被封止材を封止して当該燃料より保護する封止材とを有する耐燃料性パッケージにおいて、樹脂材料よりなる封止材を用いても、燃料中の成分が封止材の内部に透過するのを抑制する。
【解決手段】封止材７０は、ガラス転移温度が１８０℃以上、誘電率が３．５以下であるエポキシ樹脂としてグリシジルアミン系エポキシ、のグリシジルアミン系エポキシを開環させて硬化するアミン系硬化剤、および、シリカよりなるフィラーが含有された樹脂より、形成されたものである。 （もっと読む）