回路モジュール及び回路モジュール製造方法
【課題】シールド部材の耐久性の低下を抑制すること。
【解決手段】回路モジュール１は、電子部品実装面１０ａを有する基板１０と、電子部品実装面１０ａに搭載される電子部品群１１と、電子部品群１１を覆う第１封止部材としての第１モールド樹脂１２と、第１モールド樹脂１２を覆うと共に基板１０に接触するシールド部材としてのメッキ層１３と、メッキ層１３の部分のうち基板１０に接触する基板接触部１３ａを基板１０との間で挟み込み、メッキ層１３の少なくとも一部を覆う第２封止部材としての第２モールド樹脂１４と、を備える。
【解決手段】回路モジュール１は、電子部品実装面１０ａを有する基板１０と、電子部品実装面１０ａに搭載される電子部品群１１と、電子部品群１１を覆う第１封止部材としての第１モールド樹脂１２と、第１モールド樹脂１２を覆うと共に基板１０に接触するシールド部材としてのメッキ層１３と、メッキ層１３の部分のうち基板１０に接触する基板接触部１３ａを基板１０との間で挟み込み、メッキ層１３の少なくとも一部を覆う第２封止部材としての第２モールド樹脂１４と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路モジュール及び回路モジュール製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板に搭載された電子部品を覆う封止部材と、電子部品を覆った封止部材を被覆するシールド材とで構成される回路モジュールがある。例えば、特許文献１には、実装部品（電子部品）を封止する無機質フィラーを含有するエポキシ樹脂からなる封止体と、封止体の表面に形成した複数のメッキ層と、シールド層とを有する回路モジュールが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１０９３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されている技術は、特許文献１の図２に示すように、電子部品が設けられる側を内側とすると、最も外側にシールド層（本発明のシールド部材に相当）が配置される。シールド層は、具体的には金属のメッキ層である。特許文献１に開示されている技術では、このメッキ層に酸素が接触するので、シールド層として機能するメッキ層が酸化するおそれがある。また、特許文献１に開示されている技術は、シールド層に外部からの力が作用することも考えられる。これにより、特許文献１に開示されている技術は、シールド層の酸化や剥離が生じ耐久性が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、シールド部材の耐久性の低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュールは、電子部品実装面を有する基板と、前記電子部品実装面に搭載される電子部品と、前記電子部品を覆う第１封止部材と、当該第１封止部材を覆うと共に前記基板に一部が接触するシールド部材と、当該シールド部材のうち前記基板に接触する部分を前記基板との間で挟み込み、かつ、前記シールド部材の少なくとも一部を覆う第２封止部材と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
上記構成により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材が第２封止部材によって覆われる。これにより、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の総面積のうち、酸素に接触する部分の面積を低減できる。その結果、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化を抑制できる。また、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の外部から力が働くおそれを低減できる。以上により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化や剥離を抑制できる。結果として、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の耐久性の低下を抑制できる。
【０００８】
本発明の好ましい態様としては、前記基板は、前記電子部品実装面とは反対側の端子形成面と、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって窪む部分を有する段差部と、を備え、前記シールド部材のうち前記基板に接触する部分は、前記段差部と前記第２封止部材とに挟み込まれることが好ましい。
【０００９】
シールド部材は薄い金属膜である。このため、段差部の端部が何らかの接触により変形したり、擦られたり、回路モジュール自体に反りが発生したりしたときに、シールド部材は剥離しやすくなる。しかしながら、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材が、第２封止部材と段差部との間で挟み込まれる。これにより、シールド部材は、基板から剥離しにくくなる。上記構成により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材が基板から剥離しにくくなるため、シールド部材の耐久性の低下をより好適に低減できる。
【００１０】
本発明の好ましい態様としては、前記第２封止部材は、前記シールド部材の全体を覆うことが好ましい。
【００１１】
上記構成により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸素に接触する部分の面積を低減できる。また、本発明に係る回路モジュールは、例えば、水のような液体が内部へ侵入しようとする隙間を低減できる。これによって、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化をより好適に抑制できる。また、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の端部に、外部から力が働くおそれを低減できる。以上により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化や剥離をより好適に抑制できる。その結果、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の耐久性の低下をより好適に抑制できる。
【００１２】
本発明の好ましい態様としては、前記基板は、前記電子部品実装面とは反対側の端子形成面と、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって窪む部分を有する第１段差部と、前記第１段差部と隣接する部分であって、前記第１段差部を境に前記電子部品とは反対側の部分に設けられ、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記第１段差部よりもさらに前記端子形成面側へ窪む部分を有する第２段差部と、を備え、前記シールド部材の端部は、前記第１段差部に接触すると共に当該前記第１段差部と前記第２封止部材とに挟み込まれて設けられ、前記第２封止部材は、前記第２段差部に接触することが好ましい。
【００１３】
上記構成により、本発明に係る回路モジュールは、第２封止部材がシールド部材のすべてを覆う。これにより、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の総面積のうち、酸素に接触する部分の面積を理論的には０にできる。また、本発明に係る回路モジュールは、例えば水のような液体が内部へ侵入しようとする隙間を低減できる。これによって、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化をより好適に抑制できる。また、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の総面積のうち、外部から力が働くおそれのある部分の面積を理論的には０にできる。以上により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化や剥離をより好適に抑制できる。その結果、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の耐久性の低下をより好適に抑制できる。
【００１４】
本発明の好ましい態様としては、前記回路モジュール全体の外形を形成する面であって、前記電子部品実装面に対して角度を有する回路モジュール側面は、平面であることが好ましい。
【００１５】
上記構成により、本発明に係る回路モジュールは、側面が平面になる。側面が平面になることにより、本発明に係る回路モジュールは、回路モジュールの外観を一体化できる。さらに、本発明に係る回路モジュールは、段差部が形成されないので、回路モジュールが取り扱われる際には、側面において応力が集中しやすい部分を少なくできる。これによって、本発明に係る回路モジュールは、耐久性の低下を抑制できる。
【００１６】
本発明の好ましい態様としては、前記第２封止部材の線膨張係数は、前記第１封止部材の線膨張係数よりも小さいことが好ましい。
【００１７】
一般的に、第１封止部材の線膨張係数と、基板の線膨張係数とは異なる。このため、第２封止部材が設けられない回路モジュールでは、この線膨張係数の違いに起因して回路モジュールが湾曲するおそれがある。しかしながら、本発明に係る回路モジュールは、第１封止部材の線膨張係数よりも線膨張係数が小さい材料である第２封止部材がシールド部材よりも外側（シールド部材を境に電子部品とは反対側）に設けられる。そして、第２封止部材は、基板と第１封止部材との線膨張係数の差に起因する本発明に係る回路モジュールの湾曲を抑制する。その結果、本発明に係る回路モジュールは、自身が湾曲するおそれを低減できる。
【００１８】
本発明の好ましい態様としては、前記第２封止部材の線膨張係数は、前記基板の線膨張係数以下であることが好ましい。
【００１９】
一般的に、回路モジュールが備える部材の中では、前記基板は、最も線膨張係数が小さい部材である。よって、上記構成により、本発明に係る回路モジュールが備える第２封止部材は、本発明に係る回路モジュールを構成する複数の部材の中で、最も線膨張係数が小さい部材になる。このような第２封止部材を備えることにより、本発明に係る回路モジュールは、基板の線膨張係数と、基板に設けられるモールド樹脂（第１封止部材及び第２封止部材）全体での線膨張係数との差をより低減できる。その結果、本発明に係る回路モジュールは、自身が湾曲するおそれをより好適に低減できる。
【００２０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュール製造方法は、電子部品実装面と、当該電子部品実装面とは反対側の端子形成面との２つの面を有する基板の前記電子部品実装面に形成される電子部品を第１封止部材で覆う第１工程と、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、少なくとも前記第１封止部材を切断する第２工程と、前記第１封止部材をシールド部材で覆い、かつ前記シールド部材の一部を前記基板に接触させる第３工程と、第２封止部材で前記シールド部材の少なくとも一部を覆うと共に、前記シールド部材のうち前記基板に接触する部分を前記基板との間で挟み込む第４工程と、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、少なくとも前記第２封止部材及び前記基板を切断する第５工程と、を備えることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る回路モジュール製造方法を用いることで製造される回路モジュールは、シールド部材が第２封止部材によって覆われる。これにより、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸素に接触する部分の面積を低減できる。その結果、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化を抑制できる。また、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の外部から力が働くおそれのある部分を低減できる。以上により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化や剥離を抑制できる。その結果、本発明に係る回路モジュール製造方法を用いることで、本発明に係る回路モジュールが備えるシールド部材の耐久性の低下を抑制できる。
【００２２】
本発明の好ましい態様としては、前記第２工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第１封止部材を切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部を切除し、前記第５工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第２封止部材と、前記基板と、前記シールド部材とを切断することが好ましい。
【００２３】
本発明の好ましい態様としては、前記第３工程と前記第４工程との間に、前記シールド部材の部分のうち前記基板に接触する部分を、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって切断する第６工程を備えることが好ましい。
【００２４】
本発明に係る回路モジュール製造方法を用いることで製造される本発明に係る回路モジュールは、第２封止部材がシールド部材のすべてが覆われる。したがって、この本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸素に接触する部分をなくすことができる。また、本発明に係る回路モジュール製造方法によって製造された回路モジュールは、例えば水のような液体が内部へ侵入しようとする隙間を低減できる。これによって、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化をより好適に抑制できる。また、本発明に係る回路モジュール製造方法によって製造された回路モジュールは、シールド部材外部から力が働くおそれのある部分をなくすことができる。以上により、本発明に係る回路モジュール製造方法によって製造された回路モジュールは、シールド部材の酸化や剥離をより好適に抑制できる。その結果、本発明に係る回路モジュール製造方法を用いることで、回路モジュールが備えるシールド部材の耐久性の低下をより好適に抑制できる回路モジュールを製造できる。
【００２５】
本発明の好ましい態様としては、前記第２工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第１封止部材を切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部を切除し、前記第６工程では、前記シールド部材の部分のうち前記基板に接触する部分を、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部も切除し、前記第５工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、前記第２封止部材及び前記基板を切断することが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、シールド部材の耐久性の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、実施形態１の回路モジュールを基板に直交する平面で切って示す断面図である。
【図２】図２は、実施形態１の回路モジュール製造方法の工程を示すフローチャートである。
【図３】図３は、回路モジュール製造システムが有する機能を示すブロック図である。
【図４】図４は、基板に電子部品が形成された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図５】図５は、第１モールド樹脂が設けられた製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図６】図６は、一回目の切削加工が施された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図７】図７は、メッキ処理が施された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図８】図８は、第２モールド樹脂が設けられた分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図９】図９は、二回目の切削加工が施された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態２の回路モジュールを基板に直交する平面で切って示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態２の回路モジュール製造方法の工程を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、二回目の切削加工が施された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図１３】図１３は、第２モールド樹脂が設けられた分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図１４】図１４は、三回目の切削加工が施された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均などの範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００２９】
（実施形態１）
図１は、実施形態１の回路モジュールを基板に直交する平面で切って示す断面図である。次においては、回路モジュール１が備える各部材の材料や形状、回路モジュール１の製造方法、回路モジュール１の構造の順に説明する。図１に示すように、回路モジュール１は、基板１０と、電子部品群１１と、第１封止部材である第１モールド樹脂１２と、シールド部材であるメッキ層１３と、第２封止部材である第２モールド樹脂１４とを備える。次においては、各部材の材料や形状の一例を説明するが、各部材は説明された材料や形状に限定されない。
【００３０】
基板１０は、樹脂製の板状部材である。本実施形態において、基板１０の厚さは０．３ｍｍである。また、基板１０の線膨張係数は、１７〜１８ｐｐｍ/℃である。基板１０は、電子部品実装面１０ａと、端子形成面１０ｂとを有する。電子部品実装面１０ａと、端子形成面１０ｂとは、基板１０の表面と裏面とを成す面であり、互いに平行かつ対向する面である。電子部品実装面１０ａと、端子形成面１０ｂとの間の距離が基板１０の厚さである。以下、電子部品実装面１０ａ及び端子形成面１０ｂに直交する方向、すなわち基板１０の厚さ方向を第１方向という。また、第１方向に直交する方向のうち、回路モジュール１の互いに対向し合う２つの側面１ｓに直交する方向を第２方向という。なお、回路モジュール１の互いに対向し合う２つの側面１ｓは２組存在するため、実際には第２方向は２つあることになる。しかしながら、以下の説明では、二次元平面で回路モジュール１の構成を説明する。よって、以下の説明では、２つある方向のうちの１つを第２方向として説明する。
【００３１】
電子部品群１１は、複数の電子部品が電気的に接続されたものである。以下の説明では、回路モジュール１は、複数の電子部品を有するものとして説明する。但し、回路モジュール１は、単数の電子部品を有してもよい。電子部品群１１は、基板１０の電子部品実装面１０ａに形成される。第１モールド樹脂１２は、フィラー（シリカ）を含むエポキシ樹脂である。第１モールド樹脂１２が含むフィラーの含有率は、６０ｗｔ％である。第１モールド樹脂１２の厚さは、第１モールド樹脂１２の第１方向の寸法であり、本実施形態では０．８ｍｍ〜１．０ｍｍである。また、第１モールド樹脂１２の線膨張係数は２９ｐｐｍ/℃である。メッキ層１３は、銅メッキ層及びニッケルメッキ層によって構成される。メッキ層１３の厚さは、電子部品実装面１０ａと平行な面ではメッキ層１３の第１方向の寸法であり、電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面ではメッキ層１３の第２方向の寸法である。なお、電子部品実装面１０ａや端子形成面１０ｂに対して角度を有する面は、本実施形態では、電子部品実装面１０ａや端子形成面１０ｂに対して直交する面である。すなわち、ここでいう角度とは９０°のことである。但し。前記角度は、９０°に限定されず、製造誤差などの公差が含まれる。本実施形態において、メッキ層１３の厚さは、銅メッキ層の厚さが１０μｍ、ニッケルメッキ層の厚さが３μｍの、計１３μｍである。メッキ層１３の線膨張係数は、銅メッキ層が１６．８ｐｐｍ/℃であり、ニッケルメッキ層が１２．８ｐｐｍ/℃である。
【００３２】
第２モールド樹脂１４は、フィラー（シリカ）を含むエポキシ樹脂である。第２モールド樹脂１４は、第１モールド樹脂１２よりも弾性率が高い。具体的には、第２モールド樹脂１４の弾性率は、５００Ｍｐａ以上である。第２モールド樹脂１４が含むフィラーの含有率は、８０ｗｔ％以上である。第２モールド樹脂１４の厚さは、０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍである。第２モールド樹脂１４の厚さは、電子部品実装面１０ａと平行な面では第２モールド樹脂１４の第１方向の寸法であり、電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面では第２モールド樹脂１４の第２方向の寸法である。第２モールド樹脂１４の線膨張係数は、少なくとも第１モールド樹脂１２の線膨張係数よりも小さく、基板１０の線膨張係数以下であることが好ましい。本実施形態において、第２モールド樹脂１４の線膨張係数は、５〜１５ｐｐｍ/℃である。次に、回路モジュール１の製造方法を説明する。
【００３３】
図２は、実施形態１の回路モジュール製造方法の工程を示すフローチャートである。図３は、回路モジュール製造システムが有する機能を示すブロック図である。図４は、基板に電子回路が形成された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図５は、第１モールド樹脂が設けられた製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図２に示す各工程は、図３に示す回路モジュール製造システム２０によって実行される。
【００３４】
回路モジュール製造システム２０は、回路形成部２１と、封止部２２と、切削部２３と、メッキ層形成部２４との機能を有する。回路形成部２１は、図１に示す基板１０に電子部品群１１を搭載する。封止部２２は、第１モールド樹脂１２及び第２モールド樹脂１４で対象とする部分を封止する。切削部２３は、対象とする部分の一部を切除したり対象とする部材を切断したりする。メッキ層形成部２４は、対象とする部分にメッキ層１３を形成する。なお、回路モジュール製造システム２０は、それぞれ異なる機能を実現する複数の装置を含んで構成されることにより、回路形成部２１及び封止部２２及び切削部２３及びメッキ層形成部２４の機能を実現してもよい。また、回路モジュール製造システム２０は、前記機能をすべて実現してもよい。
【００３５】
図３に示す回路モジュール製造システム２０は、まず、図１に示す回路モジュール１を複数含む分割前回路モジュール集合体１Ａを製造し、分割前回路モジュール集合体１Ａを切断することでそれぞれの回路モジュール１を製造する。図２に示すステップＳＴ１０１で、図３に示す回路形成部２１は、図４に示すように基板１０の電子部品実装面１０ａに１つ以上の電子部品を搭載して電子部品群１１を設ける。なお、本実施形態では、回路形成部２１が、電子部品実装面１０ａに複数の電子部品群１１を搭載する例を説明する。次に、ステップＳＴ１０２（第１工程）に進み、図３に示す封止部２２は、図５に示すように１つ以上の電子部品群１１を覆うように第１モールド樹脂１２で電子部品群１１を封止する。
【００３６】
図６は、一回目の切削加工が施された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図２に示すステップＳＴ１０３（第２工程）で、図３に示す切削部２３は、図６に示すように、製造途中の分割前回路モジュール集合体１Ａに一回目の切削加工を施す。具体的には、切削部２３は、電子部品実装面１０ａ側から端子形成面１０ｂ側に向かって第１モールド樹脂１２をダイシングブレードで切断すると共に、基板１０の厚さ方向の途中まで電子部品実装面１０ａから端子形成面１０ｂに向かって基板１０の一部をダイシングブレードで切除する。今回、一回目の切削加工で用いられるダイシングブレードの厚さは、例えば、０．４ｍｍである。なお、切削部２３は、少なくとも第１モールド樹脂１２を切断すればよく、必ずしも基板１０の一部を切除する必要はない。但し、第１モールド樹脂１２のみを切削する場合、切削部２３は、より高い加工精度が要求される。よって、切削部２３に要求される加工精度を低減できるように、本実施形態では、切削部２３は、ステップＳＴ１０３で第１モールド樹脂１２と基板１０との両方を切削するものとする。
【００３７】
この一回目の切削加工において、切削部２３は、基板１０の深さＤ１まで基板１０の一部を切削する。切削部２３が切削加工を施す部分は、第２方向において隣接する２つの電子部品群１１の間の部分１５ａ、及び、第２方向の両端に配置された２つの電子部品群１１ａの両側のうち、隣接する電子部品群１１がない側の部分１５ｂである。これにより、切削部２３は、各電子部品群１１の第２方向での両脇に切削加工を施すことになる。なお、１１ａは、第２方向での両脇の電子部品群を他の電子部品群と区別するための符号である。電子部品群１１ａは、他の電子部品群１１と実質的には同一である。
【００３８】
図７は、製造途中でメッキ処理が施された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。上述したステップＳＴ１０３が終了したらステップＳＴ１０４（第３工程）に進み、図３に示すメッキ層形成部２４は、図７に示すように製造途中の分割前回路モジュール集合体１Ａにメッキ層１３を形成する。メッキ層１３は、第１モールド樹脂１２を覆う。また、メッキ層１３は、基板１０に一部が接触する。具体的には、メッキ層１３は、第１モールド樹脂１２の上面１２ａと、第１モールド樹脂１２の側面１２ｂと、基板１０の一回目切削底面１０ｃ及び一回目切削側面１０ｄとに形成される。第１モールド樹脂１２の上面１２ａは、第１モールド樹脂１２が有する複数の面のうち電子部品実装面１０ａと平行な面である。第１モールド樹脂１２の側面１２ｂは、第１モールド樹脂１２が有する複数の面のうち電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面である。基板１０の一回目切削底面１０ｃ及び一回目切削側面１０ｄは、基板１０が有する複数の面のうち、ステップＳＴ１０３での一回目の切削加工で新たに露出した面である。一回目切削底面１０ｃは、電子部品実装面１０ａと平行な面である。一回目切削側面１０ｄは、電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面である。メッキ層１３のうち、一回目切削底面１０ｃ及び一回目切削側面１０ｄに接触している部分を基板接触部１３ａという。
【００３９】
図８は、第２モールド樹脂によって被覆された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図９は、二回目の切削加工が施された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。上述したステップＳＴ１０４が終了したら、ステップＳＴ１０５（第４工程）に進み、図３に示す封止部２２は、図８に示すように、メッキ層１３を覆うように第２モールド樹脂１４を設ける。これにより、分割前回路モジュール集合体１Ａが完成する。次に、ステップＳＴ１０６（第５工程）へ進み、図３に示す切削部２３は、図９に示すように分割前回路モジュール集合体１Ａに二回目の切削加工を施す。
【００４０】
二回目の切削加工で、切削部２３は、端子形成面１０ｂに対して電子部品実装面１０ａ側から端子形成面１０ｂ側に向かって、端子形成面１０ｂに至るまで第２モールド樹脂１４及び基板１０を切断する。また、本実施形態では、切削部２３は、電子部品実装面１０ａ側から端子形成面１０ｂ側に向かって、メッキ層１３も切断する。第２モールド樹脂１４の面のうち、二回目の切削加工で露出した面をモールド樹脂切削側面１４ａとする。また、基板１０の面のうち、二回目の切削加工で露出した面を二回目切削側面１０ｅとする。
【００４１】
切削部２３が二回目の切削加工を施す部位は、図８に示す部位１６ａ及び部位１６ｂである。部位１６ａは、メッキ層１３が谷状となる部分である。より詳しくは、部位１６ａは、第２方向で隣接し合う電子部品群１１の間であって、メッキ層１３のうち電子部品実装面１０ａに対して角度を有する２つの面の間である。部位１６ｂは、分割前回路モジュール集合体１Ａの第２方向の両端部側の部分である。より詳しくは、部位１６ｂは、この部分に形成されるメッキ層１３のうち、電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面に対して、第２方向のうち電子部品群１１から離れる方向で隣接する部分である。本実施形態では、切削部２３は、基板１０の一回目切削底面１０ｃの第２方向での中央に切削加工を施す。二回目の切削加工で用いられる切削工具であるダイシングブレードの厚さは、ステップＳＴ１０３の一回目の切削加工で用いられたダイシングブレードの厚さよりも小さい。これにより、切削部２３が二回目の切削加工を施す第２方向での範囲は、ステップＳＴ１０３で一回目の切削加工を施した第２方向での範囲よりも狭くなる。したがって、一回目切削側面１０ｄと二回目切削側面１０ｅとは、第２方向において離れた位置に形成される。
【００４２】
上述した工程により、回路モジュール製造システム２０は、図１に示す回路モジュール１を製造する。本実施形態の製造方法で製造された回路モジュール１は、図１に示すように、メッキ層１３が第２モールド樹脂１４によって覆われている。このため、回路モジュール１は、メッキ層１３の総面積のうち、露出される面積が低減されるので、メッキ層１３の総面積のうち酸素に触れる部分の面積が低減される。その結果、回路モジュール１は、メッキ層１３の酸化を抑制できる。また、回路モジュール１は、メッキ層１３の総面積のうち、外部から力が働くおそれがある面積を低減できる。これにより、回路モジュール１は、メッキ層１３の酸化や剥離を抑制し、結果としてメッキ層１３の耐久性の低下を低減できる。
【００４３】
特に、本実施形態のメッキ層１３は、電子部品実装面１０ａから端子形成面１０ｂに向かって窪む段差部と第２モールド樹脂１４との間で、基板接触部１３ａが第１方向で挟み込まれている。前記段差部は、一回目切削側面１０ｄと一回目切削底面１０ｃとで形成される部分である。これにより、回路モジュール１は、メッキ層１３が露出する場合よりも、第２モールド樹脂１４と一回目切削底面１０ｃとの間でメッキ層１３が挟み込まれる方が、メッキ層１３が基板１０からより剥離しにくくなる。その結果、回路モジュール１は、メッキ層１３の耐久性の低下をより好適に低減できる。
【００４４】
また、図８に示すように、回路モジュール１は、二回目の切削加工が施される部分である部位１６ａ及び部位１６ｂに第２モールド樹脂１４が設けられる。そして、図９に示すように、回路モジュール１は、基板１０と共に部位１６ａ及び部位１６ｂに設けられる第２モールド樹脂１４もダイシングブレードで切断される。これにより、回路モジュール１は、図１に示すように、二回目切削側面１０ｅの第２方向の位置と、モールド樹脂切削側面１４ａの第２方向の位置とが同一になる。その結果、回路モジュール１は、モールド樹脂切削側面１４ａと二回目切削側面１０ｅとが同一面となるので、回路モジュール１は、モールド樹脂切削側面１４ａと二回目切削側面１０ｅとの境界に段差部が形成されない。
【００４５】
これに対して、例えば、回路モジュールの側面に段差部が形成される場合、この段差に起因して回路モジュールの外観の美観が低下する。回路モジュールを取り扱う際に、回路モジュールに形成される段差部に外部からの力が電子部品モジュールの内部に集中する場合も考えられる。これにより、このような回路モジュールは、耐久性が低下するおそれも考えられる。
【００４６】
しかしながら、回路モジュール１は、その側面１ｓが平面になる。側面１ｓは、回路モジュール１全体の外形を形成する面のうち、電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面である。回路モジュール１は、４つの側面１ｓを有する。なお、図１には、４つの側面１ｓのうちの２つを示す。側面１ｓが平面になることにより、回路モジュール１は、回路モジュール１の外観の美観が損なわれないまた、回路モジュール１は、側面１ｓに段差部が形成されないため、側面１ｓに応力が集中しやすい部分が少ない。これにより、回路モジュール１は、回路モジュール１が取り扱われる際において、外部からの力が電子部品モジュールの内部に集中するおそれが低減されるので、耐久性の低下が抑制される。
【００４７】
また、回路モジュール１は、回路モジュール１の湾曲を低減できる。次にその理由を説明する。上述したように、第１モールド樹脂１２の線膨張係数と、基板１０の線膨張係数とは異なる。したがって、第２モールド樹脂１４が設けられない回路モジュールでは、この線膨張係数の違いに起因して回路モジュールが湾曲するおそれがある。しかしながら、回路モジュール１は、第１モールド樹脂１２の線膨張係数よりも線膨張係数が小さい材料である第２モールド樹脂１４が、メッキ層１３よりも外側（電子部品群１１とは反対側）に設けられる。第２モールド樹脂１４は、第１モールド樹脂１２よりも湾曲しにくいため、基板１０と第１モールド樹脂１２との線膨張係数の差に起因する回路モジュール１の湾曲を抑制する。その結果、回路モジュール１は、自身（回路モジュール１）が湾曲するおそれを低減できる。
【００４８】
さらに、第２モールド樹脂１４の線膨張係数の値は、基板１０の線膨張係数以下である。すなわち、第２モールド樹脂１４は、回路モジュール１が備える複数の部材の中で最も線膨張係数が小さい部材である。このような第２モールド樹脂１４を備えることにより、回路モジュール１は、基板１０の線膨張係数と、基板１０に設けられるモールド樹脂（第１モールド樹脂１２及び第２モールド樹脂１４）全体での線膨張係数との差をより好適に低減できる。これによって、回路モジュール１は、自身が湾曲するおそれをより好適に低減できる。
【００４９】
なお、回路モジュールの湾曲を低減するための方法、または、回路モジュールの側面に段差部を形成しないための方法として、第２モールド樹脂１４を設けずに、メッキ層を従来よりも厚くするという方法も考えられる。しかしながら、近年の回路モジュールは軽量化が求められているのに対して、この場合の回路モジュールは金属の量が増加するため軽量化が図れない。これに対し、回路モジュール１は、金属よりも質量が小さい第２モールド樹脂１４を備えるので、回路モジュール１は、自身を軽量化できる。
【００５０】
さらに、本実施形態の回路モジュール１は、メッキ層１３の酸化が第２モールド樹脂１４によって抑制される分、メッキ層１３を構成するニッケル層を低減、または省略することもできる。これによって、回路モジュール１は、自身をより軽量化できる。また、第２モールド樹脂１４は、金属であるメッキ層１３よりも切削加工をしやすい材料である。このため、本実施形態に係る回路モジュール製造方法を用いて回路モジュール１を製造すれば、より切削加工しやすくなる。また、第２モールド樹脂１４は、第１モールド樹脂１２よりもフィラー（シリカ）の含有率が高い。ここで、フィラーの含有率が８０ｗｔ％以上のエポキシ樹脂は、難燃性の材料である。したがって、第２モールド樹脂１４が最も外側に配置されることにより、回路モジュール１は、より難燃性が向上する。
【００５１】
本実施形態に係る回路モジュール製造方法は、分割前回路モジュール集合体１Ａを切断するよりも前に、第２モールド樹脂１４を設ける点にも特徴がある。例えば、分割前回路モジュール集合体１Ａを切断した後に、個々の製造途中の回路モジュールを第２モールド樹脂１４で覆う場合、回路モジュール１は、図１に示す端子形成面１０ｂも第２モールド樹脂１４で覆われることがある。しかしながら、本実施形態に係る回路モジュール製造方法を用いれば、製造途中の個々の回路モジュールをそれぞれ第２モールド樹脂１４で覆う場合よりも、第２モールド樹脂１４を設ける際に第２モールド樹脂１４が端子形成面１０ｂに回り込むおそれが少ない。これによって、本実施形態に係る回路モジュール製造方法は、端子形成面１０ｂが第２モールド樹脂１４で覆われるおそれを低減できる。
【００５２】
（実施形態２）
図１０は、実施形態２の回路モジュールを基板に直交する平面で切って示す断面図である。図１１は、実施形態２の回路モジュール製造方法の工程を示すフローチャートである。図１２は、二回目の切削加工が施された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図１０に示す回路モジュール２は、図３に示す回路モジュール製造システム２０が図１１に示す一連の工程を実行することで製造される。図１０に示す回路モジュール２が備える各部材の材料は、図１に示す回路モジュール１が備える各部材の材料と同様である。
【００５３】
本実施形態に係る回路モジュール製造方法のステップＳＴ２０１〜ステップＳＴ２０４工程は、実施形態１に係る回路モジュール製造方法のＳＴ１０１〜ステップＳＴ１０４の各工程と同様なので、説明を省略する。本実施形態に係る回路モジュール製造方法によって回路モジュールの製造を開始して、ステップＳＴ２０４まで終了したら、ステップＳＴ２０５（第６工程）へ進む。
【００５４】
ステップＳＴ２０５で、図３に示す切削部２３は、図１２に示すように分割前回路モジュール集合体２Ａに二回目の切削加工を施す。二回目の切削加工で、切削部２３は、電子部品実装面１０ａ側から端子形成面１０ｂ側へ向かって、メッキ層１３を切断すると共に、基板１０の深さＤ２まで基板１０の一部を切除する。深さＤ２は、図６に示す深さＤ１よりも大きい。なお、切削部２３は、少なくともメッキ層１３を切断すればよく、必ずしも基板１０の一部を切除する必要はない。ただし、メッキ層１３のみを切削する場合、切削部２３は、求められる加工精度が向上する。よって、本実施形態では、切削部２３は、ステップＳＴ２０５でメッキ層１３と基板１０との両方を切削するものとする。
【００５５】
切削部２３が二回目の切削加工を施す部位は、部位１６ａ及び部位１６ｂである。次においては、基板１０の面のうち、二回目の切削加工で露出した面を二回目切削底面１０ｆ及び二回目切削側面１０ｇとする。本実施形態では、切削部２３は、基板１０の一回目切削底面１０ｃの第２方向での中央に切削加工を施す。二回目の切削加工で用いられる切削工具であるダイシングブレードの厚さは、ステップＳＴ２０３の一回目の切削加工で用いられたダイシングブレードの厚さよりも小さい。これにより、切削部２３が二回目の切削加工を施す第２方向での範囲は、ステップＳＴ２０３で一回目の切削加工を施した第２方向での範囲よりも狭くなる。したがって、一回目切削側面１０ｄと二回目切削側面１０ｇとは、第２方向で離れた位置に形成される。
【００５６】
図１３は、第２モールド樹脂が設けられた分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図１４は、三回目の切削加工が施された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。ステップＳＴ２０６が終了したら、図１１に示すステップＳＴ２０６（第４工程）へ進む。ステップＳＴ２０６で、図３に示す封止部２２は、図１３に示すようにステップＳＴ２０５で複数に分割されたメッキ層１３全体を覆うように第２モールド樹脂１４を設ける。これにより、分割前回路モジュール集合体２Ａが完成する。次に、図２に示すステップＳＴ２０７（第５工程）に進み、図３に示す切削部２３は、図１４に示すように分割前回路モジュール集合体２Ａに三回目の切削加工を施す。
【００５７】
三回目の切削加工で、切削部２３は、電子部品実装面１０ａ側から端子形成面１０ｂ側に向かって、端子形成面１０ｂに至るまで第２モールド樹脂１４及び基板１０を切断する。本実施形態では、切削部２３は、メッキ層１３は切断しない。三回目の切削加工で切削部２３が切削加工を施す部位は、図１３に示す部位１７ａ及び部位１７ｂである。部位１７ａは、図１３に示すように、第２方向で隣接し合う電子部品群１１の間に形成される２つの二回目切削側面１０ｇの間である。部位１７ｂは、電子部品群１１ａの両脇のうち隣接する電子部品群１１がない方の脇に形成される２つの二回目切削側面１０ｇの間である。
【００５８】
第２モールド樹脂１４の面のうち、三回目の切削加工で露出した面をモールド樹脂切削側面１４ｂとする。また、基板１０の面のうち、三回目の切削加工で露出した面を三回目切削側面１０ｈとする。本実施形態では、切削部２３は、基板１０の二回目切削底面１０ｆの第２方向での中央に切削加工を施す。三回目の切削加工で用いられる切削工具としてのダイシングブレードの厚さは、ステップＳＴ２０５の二回目の切削加工で用いられたダイシングブレードの厚さよりも小さい。これにより、切削部２３が三回目の切削加工を施す第２方向での範囲は、ステップＳＴ２０５で二回目の切削加工を施した第２方向での範囲よりも狭くなる。よって、二回目切削側面１０ｇと三回目切削側面１０ｈとは、第２方向で離れた位置に形成される。
【００５９】
上述した工程により、回路モジュール製造システム２０は、図１０に示す回路モジュール２を製造する。本実施形態の製造方法で製造された回路モジュール２は、図１３に示すように、第２方向で対向し合うメッキ層１３の間に第２モールド樹脂１４が充填され、また、第２方向の両端に配置される電子部品群１１ａの両脇に第２モールド樹脂１４が設けられる。そして、回路モジュール２は、図１４に示すように基板１０と共に第２モールド樹脂１４も同時にダイシングブレードで切断される。これにより、回路モジュール２は、図１０に示すように、三回目切削側面１０ｈの第２方向の位置と、モールド樹脂切削側面１４ｂの第２方向の位置とが同一になる。その結果、回路モジュール２は、モールド樹脂切削側面１４ｂと三回目切削側面１０ｈとが同一平面に存在することになるので、モールド樹脂切削側面１４ｂと三回目切削側面１０ｈとの境界には段差部が形成されない。
【００６０】
これにより、回路モジュール２は、回路モジュール２の外観の美観低下を抑制できる。また、また、回路モジュール２は、側面１ｓに段差部が形成されないため、側面１ｓに応力が集中しやすい部分が少ない。これにより、回路モジュール２は、回路モジュール２が取り扱われる際において、外部からの力が電子部品モジュールの内部に集中するおそれが低減されるので、耐久性の低下が抑制される。
【００６１】
また、本実施形態に係る回路モジュール製造方法で製造された回路モジュール２は、上述した回路モジュール１と同様の効果を奏する。また、本実施形態に係る回路モジュール製造方法は、実施形態１に係る回路モジュール製造方法と同様の効果を奏する。また、これらの効果を奏する理由も、実施形態１で説明した理由と同様である。以下、回路モジュール２が奏する効果のうち、回路モジュール１が奏する効果とは異なる効果を説明する。
【００６２】
回路モジュール２は、図１に示す実施形態１の回路モジュール１よりも、メッキ層１３の耐久性の低下をより好適に抑制できる。以下にその理由を説明する。図１に示す回路モジュール１は、回路モジュール１の側面１ｓにメッキ層１３の端部１３ｂが一部露出する。このメッキ層１３の端部１３ｂは、第２モールド樹脂１４のモールド樹脂切削側面１４ａ及び基板１０の二回目切削側面１０ｅと第２方向で同一の位置にある。すなわち、このメッキ層１３の端部１３ｂは、第２モールド樹脂１４のモールド樹脂切削側面１４ａ及び基板１０の二回目切削側面１０ｅから突出しない。よって、回路モジュール１でも、メッキ層１３の耐久性は十分に確保できる。
【００６３】
一方、図１０に示す回路モジュール２は、メッキ層１３が第２モールド樹脂１４によって完全に覆われている。具体的には、本実施形態の基板１０は、第１段差部と第２段差部とを有する。第１段差部は、電子部品実装面１０ａから端子形成面１０ｂに向かって窪む段差部であって、一回目切削底面１０ｃと一回目切削側面１０ｄとで形成される部分である。第２段差部は、電子部品群１１から離れる第２方向で第１段差部と隣接して設けられ、電子部品実装面１０ａから端子形成面１０ｂに向かって第１段差部よりもさらに窪む部分を有する段差部である。第２段差部は、二回目切削側面１０ｇと二回目切削底面１０ｆとで形成される。メッキ層１３の基板接触部１３ａであってメッキ層１３の端部１３ｂは、この第１段差部と第２モールド樹脂１４とで挟み込まれる。そして、第２モールド樹脂１４は、第２段差部に設けられる。
【００６４】
これにより、回路モジュール２は、メッキ層１３の端部１３ｂが、第２段差部に設けられる第２モールド樹脂１４によって覆われる。すなわち、回路モジュール２は、メッキ層１３の端部１３ｂが露出しない。これにより、回路モジュール２は、メッキ層１３の総面積のうち酸素に接触する部分の面積を理論上０にできる。また、回路モジュール２は、例えば水のような液体が内部へ侵入しようとする隙間を低減できる。また、回路モジュール２は、メッキ層１３に直接働く外部の力を理論上０にできる。よって、回路モジュール２は、メッキ層１３の端部１３ｂが露出する場合よりも、メッキ層１３の剥離や酸化をより好適に抑制できる。結果として、回路モジュール２は、メッキ層１３の耐久性の低下をより好適に低減できる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
以上のように、本発明に係る回路モジュール及び回路モジュール製造方法は、電子部品を封止する技術に有用であり、特に、シールド部材の耐久性の低下を抑制することに適している。
【符号の説明】
【００６６】
１、２ 回路モジュール
１Ａ、２Ａ 分割前回路モジュール集合体
１ｓ 側面
１０ 基板
１０ａ 電子部品実装面
１０ｂ 端子形成面
１０ｃ 一回目切削底面
１０ｄ 一回目切削側面
１０ｅ 二回目切削側面
１０ｆ 二回目切削底面
１０ｇ 二回目切削側面
１０ｈ 三回目切削側面
１１、１１ａ 電子部品群
１２ 第１モールド樹脂
１２ａ 上面
１２ｂ 側面
１３ メッキ層
１３ａ 基板接触部
１３ｂ 端部
１４ 第２モールド樹脂
１４ａ モールド樹脂切削側面
１４ｂ モールド樹脂切削側面
１５ａ〜１７ｂ 部位
２０ 回路モジュール製造システム
２１ 回路形成部
２２ 封止部
２３ 切削部
２４ メッキ層形成部
Ｄ１、Ｄ２ 深さ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路モジュール及び回路モジュール製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板に搭載された電子部品を覆う封止部材と、電子部品を覆った封止部材を被覆するシールド材とで構成される回路モジュールがある。例えば、特許文献１には、実装部品（電子部品）を封止する無機質フィラーを含有するエポキシ樹脂からなる封止体と、封止体の表面に形成した複数のメッキ層と、シールド層とを有する回路モジュールが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１０９３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されている技術は、特許文献１の図２に示すように、電子部品が設けられる側を内側とすると、最も外側にシールド層（本発明のシールド部材に相当）が配置される。シールド層は、具体的には金属のメッキ層である。特許文献１に開示されている技術では、このメッキ層に酸素が接触するので、シールド層として機能するメッキ層が酸化するおそれがある。また、特許文献１に開示されている技術は、シールド層に外部からの力が作用することも考えられる。これにより、特許文献１に開示されている技術は、シールド層の酸化や剥離が生じ耐久性が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、シールド部材の耐久性の低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュールは、電子部品実装面を有する基板と、前記電子部品実装面に搭載される電子部品と、前記電子部品を覆う第１封止部材と、当該第１封止部材を覆うと共に前記基板に一部が接触するシールド部材と、当該シールド部材のうち前記基板に接触する部分を前記基板との間で挟み込み、かつ、前記シールド部材の少なくとも一部を覆う第２封止部材と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
上記構成により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材が第２封止部材によって覆われる。これにより、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の総面積のうち、酸素に接触する部分の面積を低減できる。その結果、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化を抑制できる。また、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の外部から力が働くおそれを低減できる。以上により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化や剥離を抑制できる。結果として、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の耐久性の低下を抑制できる。
【０００８】
本発明の好ましい態様としては、前記基板は、前記電子部品実装面とは反対側の端子形成面と、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって窪む部分を有する段差部と、を備え、前記シールド部材のうち前記基板に接触する部分は、前記段差部と前記第２封止部材とに挟み込まれることが好ましい。
【０００９】
シールド部材は薄い金属膜である。このため、段差部の端部が何らかの接触により変形したり、擦られたり、回路モジュール自体に反りが発生したりしたときに、シールド部材は剥離しやすくなる。しかしながら、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材が、第２封止部材と段差部との間で挟み込まれる。これにより、シールド部材は、基板から剥離しにくくなる。上記構成により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材が基板から剥離しにくくなるため、シールド部材の耐久性の低下をより好適に低減できる。
【００１０】
本発明の好ましい態様としては、前記第２封止部材は、前記シールド部材の全体を覆うことが好ましい。
【００１１】
上記構成により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸素に接触する部分の面積を低減できる。また、本発明に係る回路モジュールは、例えば、水のような液体が内部へ侵入しようとする隙間を低減できる。これによって、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化をより好適に抑制できる。また、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の端部に、外部から力が働くおそれを低減できる。以上により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化や剥離をより好適に抑制できる。その結果、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の耐久性の低下をより好適に抑制できる。
【００１２】
本発明の好ましい態様としては、前記基板は、前記電子部品実装面とは反対側の端子形成面と、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって窪む部分を有する第１段差部と、前記第１段差部と隣接する部分であって、前記第１段差部を境に前記電子部品とは反対側の部分に設けられ、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記第１段差部よりもさらに前記端子形成面側へ窪む部分を有する第２段差部と、を備え、前記シールド部材の端部は、前記第１段差部に接触すると共に当該前記第１段差部と前記第２封止部材とに挟み込まれて設けられ、前記第２封止部材は、前記第２段差部に接触することが好ましい。
【００１３】
上記構成により、本発明に係る回路モジュールは、第２封止部材がシールド部材のすべてを覆う。これにより、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の総面積のうち、酸素に接触する部分の面積を理論的には０にできる。また、本発明に係る回路モジュールは、例えば水のような液体が内部へ侵入しようとする隙間を低減できる。これによって、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化をより好適に抑制できる。また、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の総面積のうち、外部から力が働くおそれのある部分の面積を理論的には０にできる。以上により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化や剥離をより好適に抑制できる。その結果、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の耐久性の低下をより好適に抑制できる。
【００１４】
本発明の好ましい態様としては、前記回路モジュール全体の外形を形成する面であって、前記電子部品実装面に対して角度を有する回路モジュール側面は、平面であることが好ましい。
【００１５】
上記構成により、本発明に係る回路モジュールは、側面が平面になる。側面が平面になることにより、本発明に係る回路モジュールは、回路モジュールの外観を一体化できる。さらに、本発明に係る回路モジュールは、段差部が形成されないので、回路モジュールが取り扱われる際には、側面において応力が集中しやすい部分を少なくできる。これによって、本発明に係る回路モジュールは、耐久性の低下を抑制できる。
【００１６】
本発明の好ましい態様としては、前記第２封止部材の線膨張係数は、前記第１封止部材の線膨張係数よりも小さいことが好ましい。
【００１７】
一般的に、第１封止部材の線膨張係数と、基板の線膨張係数とは異なる。このため、第２封止部材が設けられない回路モジュールでは、この線膨張係数の違いに起因して回路モジュールが湾曲するおそれがある。しかしながら、本発明に係る回路モジュールは、第１封止部材の線膨張係数よりも線膨張係数が小さい材料である第２封止部材がシールド部材よりも外側（シールド部材を境に電子部品とは反対側）に設けられる。そして、第２封止部材は、基板と第１封止部材との線膨張係数の差に起因する本発明に係る回路モジュールの湾曲を抑制する。その結果、本発明に係る回路モジュールは、自身が湾曲するおそれを低減できる。
【００１８】
本発明の好ましい態様としては、前記第２封止部材の線膨張係数は、前記基板の線膨張係数以下であることが好ましい。
【００１９】
一般的に、回路モジュールが備える部材の中では、前記基板は、最も線膨張係数が小さい部材である。よって、上記構成により、本発明に係る回路モジュールが備える第２封止部材は、本発明に係る回路モジュールを構成する複数の部材の中で、最も線膨張係数が小さい部材になる。このような第２封止部材を備えることにより、本発明に係る回路モジュールは、基板の線膨張係数と、基板に設けられるモールド樹脂（第１封止部材及び第２封止部材）全体での線膨張係数との差をより低減できる。その結果、本発明に係る回路モジュールは、自身が湾曲するおそれをより好適に低減できる。
【００２０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュール製造方法は、電子部品実装面と、当該電子部品実装面とは反対側の端子形成面との２つの面を有する基板の前記電子部品実装面に形成される電子部品を第１封止部材で覆う第１工程と、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、少なくとも前記第１封止部材を切断する第２工程と、前記第１封止部材をシールド部材で覆い、かつ前記シールド部材の一部を前記基板に接触させる第３工程と、第２封止部材で前記シールド部材の少なくとも一部を覆うと共に、前記シールド部材のうち前記基板に接触する部分を前記基板との間で挟み込む第４工程と、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、少なくとも前記第２封止部材及び前記基板を切断する第５工程と、を備えることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る回路モジュール製造方法を用いることで製造される回路モジュールは、シールド部材が第２封止部材によって覆われる。これにより、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸素に接触する部分の面積を低減できる。その結果、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化を抑制できる。また、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の外部から力が働くおそれのある部分を低減できる。以上により、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化や剥離を抑制できる。その結果、本発明に係る回路モジュール製造方法を用いることで、本発明に係る回路モジュールが備えるシールド部材の耐久性の低下を抑制できる。
【００２２】
本発明の好ましい態様としては、前記第２工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第１封止部材を切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部を切除し、前記第５工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第２封止部材と、前記基板と、前記シールド部材とを切断することが好ましい。
【００２３】
本発明の好ましい態様としては、前記第３工程と前記第４工程との間に、前記シールド部材の部分のうち前記基板に接触する部分を、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって切断する第６工程を備えることが好ましい。
【００２４】
本発明に係る回路モジュール製造方法を用いることで製造される本発明に係る回路モジュールは、第２封止部材がシールド部材のすべてが覆われる。したがって、この本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸素に接触する部分をなくすことができる。また、本発明に係る回路モジュール製造方法によって製造された回路モジュールは、例えば水のような液体が内部へ侵入しようとする隙間を低減できる。これによって、本発明に係る回路モジュールは、シールド部材の酸化をより好適に抑制できる。また、本発明に係る回路モジュール製造方法によって製造された回路モジュールは、シールド部材外部から力が働くおそれのある部分をなくすことができる。以上により、本発明に係る回路モジュール製造方法によって製造された回路モジュールは、シールド部材の酸化や剥離をより好適に抑制できる。その結果、本発明に係る回路モジュール製造方法を用いることで、回路モジュールが備えるシールド部材の耐久性の低下をより好適に抑制できる回路モジュールを製造できる。
【００２５】
本発明の好ましい態様としては、前記第２工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第１封止部材を切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部を切除し、前記第６工程では、前記シールド部材の部分のうち前記基板に接触する部分を、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部も切除し、前記第５工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、前記第２封止部材及び前記基板を切断することが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、シールド部材の耐久性の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、実施形態１の回路モジュールを基板に直交する平面で切って示す断面図である。
【図２】図２は、実施形態１の回路モジュール製造方法の工程を示すフローチャートである。
【図３】図３は、回路モジュール製造システムが有する機能を示すブロック図である。
【図４】図４は、基板に電子部品が形成された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図５】図５は、第１モールド樹脂が設けられた製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図６】図６は、一回目の切削加工が施された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図７】図７は、メッキ処理が施された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図８】図８は、第２モールド樹脂が設けられた分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図９】図９は、二回目の切削加工が施された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態２の回路モジュールを基板に直交する平面で切って示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態２の回路モジュール製造方法の工程を示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、二回目の切削加工が施された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図１３】図１３は、第２モールド樹脂が設けられた分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【図１４】図１４は、三回目の切削加工が施された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均などの範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００２９】
（実施形態１）
図１は、実施形態１の回路モジュールを基板に直交する平面で切って示す断面図である。次においては、回路モジュール１が備える各部材の材料や形状、回路モジュール１の製造方法、回路モジュール１の構造の順に説明する。図１に示すように、回路モジュール１は、基板１０と、電子部品群１１と、第１封止部材である第１モールド樹脂１２と、シールド部材であるメッキ層１３と、第２封止部材である第２モールド樹脂１４とを備える。次においては、各部材の材料や形状の一例を説明するが、各部材は説明された材料や形状に限定されない。
【００３０】
基板１０は、樹脂製の板状部材である。本実施形態において、基板１０の厚さは０．３ｍｍである。また、基板１０の線膨張係数は、１７〜１８ｐｐｍ/℃である。基板１０は、電子部品実装面１０ａと、端子形成面１０ｂとを有する。電子部品実装面１０ａと、端子形成面１０ｂとは、基板１０の表面と裏面とを成す面であり、互いに平行かつ対向する面である。電子部品実装面１０ａと、端子形成面１０ｂとの間の距離が基板１０の厚さである。以下、電子部品実装面１０ａ及び端子形成面１０ｂに直交する方向、すなわち基板１０の厚さ方向を第１方向という。また、第１方向に直交する方向のうち、回路モジュール１の互いに対向し合う２つの側面１ｓに直交する方向を第２方向という。なお、回路モジュール１の互いに対向し合う２つの側面１ｓは２組存在するため、実際には第２方向は２つあることになる。しかしながら、以下の説明では、二次元平面で回路モジュール１の構成を説明する。よって、以下の説明では、２つある方向のうちの１つを第２方向として説明する。
【００３１】
電子部品群１１は、複数の電子部品が電気的に接続されたものである。以下の説明では、回路モジュール１は、複数の電子部品を有するものとして説明する。但し、回路モジュール１は、単数の電子部品を有してもよい。電子部品群１１は、基板１０の電子部品実装面１０ａに形成される。第１モールド樹脂１２は、フィラー（シリカ）を含むエポキシ樹脂である。第１モールド樹脂１２が含むフィラーの含有率は、６０ｗｔ％である。第１モールド樹脂１２の厚さは、第１モールド樹脂１２の第１方向の寸法であり、本実施形態では０．８ｍｍ〜１．０ｍｍである。また、第１モールド樹脂１２の線膨張係数は２９ｐｐｍ/℃である。メッキ層１３は、銅メッキ層及びニッケルメッキ層によって構成される。メッキ層１３の厚さは、電子部品実装面１０ａと平行な面ではメッキ層１３の第１方向の寸法であり、電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面ではメッキ層１３の第２方向の寸法である。なお、電子部品実装面１０ａや端子形成面１０ｂに対して角度を有する面は、本実施形態では、電子部品実装面１０ａや端子形成面１０ｂに対して直交する面である。すなわち、ここでいう角度とは９０°のことである。但し。前記角度は、９０°に限定されず、製造誤差などの公差が含まれる。本実施形態において、メッキ層１３の厚さは、銅メッキ層の厚さが１０μｍ、ニッケルメッキ層の厚さが３μｍの、計１３μｍである。メッキ層１３の線膨張係数は、銅メッキ層が１６．８ｐｐｍ/℃であり、ニッケルメッキ層が１２．８ｐｐｍ/℃である。
【００３２】
第２モールド樹脂１４は、フィラー（シリカ）を含むエポキシ樹脂である。第２モールド樹脂１４は、第１モールド樹脂１２よりも弾性率が高い。具体的には、第２モールド樹脂１４の弾性率は、５００Ｍｐａ以上である。第２モールド樹脂１４が含むフィラーの含有率は、８０ｗｔ％以上である。第２モールド樹脂１４の厚さは、０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍである。第２モールド樹脂１４の厚さは、電子部品実装面１０ａと平行な面では第２モールド樹脂１４の第１方向の寸法であり、電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面では第２モールド樹脂１４の第２方向の寸法である。第２モールド樹脂１４の線膨張係数は、少なくとも第１モールド樹脂１２の線膨張係数よりも小さく、基板１０の線膨張係数以下であることが好ましい。本実施形態において、第２モールド樹脂１４の線膨張係数は、５〜１５ｐｐｍ/℃である。次に、回路モジュール１の製造方法を説明する。
【００３３】
図２は、実施形態１の回路モジュール製造方法の工程を示すフローチャートである。図３は、回路モジュール製造システムが有する機能を示すブロック図である。図４は、基板に電子回路が形成された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図５は、第１モールド樹脂が設けられた製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図２に示す各工程は、図３に示す回路モジュール製造システム２０によって実行される。
【００３４】
回路モジュール製造システム２０は、回路形成部２１と、封止部２２と、切削部２３と、メッキ層形成部２４との機能を有する。回路形成部２１は、図１に示す基板１０に電子部品群１１を搭載する。封止部２２は、第１モールド樹脂１２及び第２モールド樹脂１４で対象とする部分を封止する。切削部２３は、対象とする部分の一部を切除したり対象とする部材を切断したりする。メッキ層形成部２４は、対象とする部分にメッキ層１３を形成する。なお、回路モジュール製造システム２０は、それぞれ異なる機能を実現する複数の装置を含んで構成されることにより、回路形成部２１及び封止部２２及び切削部２３及びメッキ層形成部２４の機能を実現してもよい。また、回路モジュール製造システム２０は、前記機能をすべて実現してもよい。
【００３５】
図３に示す回路モジュール製造システム２０は、まず、図１に示す回路モジュール１を複数含む分割前回路モジュール集合体１Ａを製造し、分割前回路モジュール集合体１Ａを切断することでそれぞれの回路モジュール１を製造する。図２に示すステップＳＴ１０１で、図３に示す回路形成部２１は、図４に示すように基板１０の電子部品実装面１０ａに１つ以上の電子部品を搭載して電子部品群１１を設ける。なお、本実施形態では、回路形成部２１が、電子部品実装面１０ａに複数の電子部品群１１を搭載する例を説明する。次に、ステップＳＴ１０２（第１工程）に進み、図３に示す封止部２２は、図５に示すように１つ以上の電子部品群１１を覆うように第１モールド樹脂１２で電子部品群１１を封止する。
【００３６】
図６は、一回目の切削加工が施された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図２に示すステップＳＴ１０３（第２工程）で、図３に示す切削部２３は、図６に示すように、製造途中の分割前回路モジュール集合体１Ａに一回目の切削加工を施す。具体的には、切削部２３は、電子部品実装面１０ａ側から端子形成面１０ｂ側に向かって第１モールド樹脂１２をダイシングブレードで切断すると共に、基板１０の厚さ方向の途中まで電子部品実装面１０ａから端子形成面１０ｂに向かって基板１０の一部をダイシングブレードで切除する。今回、一回目の切削加工で用いられるダイシングブレードの厚さは、例えば、０．４ｍｍである。なお、切削部２３は、少なくとも第１モールド樹脂１２を切断すればよく、必ずしも基板１０の一部を切除する必要はない。但し、第１モールド樹脂１２のみを切削する場合、切削部２３は、より高い加工精度が要求される。よって、切削部２３に要求される加工精度を低減できるように、本実施形態では、切削部２３は、ステップＳＴ１０３で第１モールド樹脂１２と基板１０との両方を切削するものとする。
【００３７】
この一回目の切削加工において、切削部２３は、基板１０の深さＤ１まで基板１０の一部を切削する。切削部２３が切削加工を施す部分は、第２方向において隣接する２つの電子部品群１１の間の部分１５ａ、及び、第２方向の両端に配置された２つの電子部品群１１ａの両側のうち、隣接する電子部品群１１がない側の部分１５ｂである。これにより、切削部２３は、各電子部品群１１の第２方向での両脇に切削加工を施すことになる。なお、１１ａは、第２方向での両脇の電子部品群を他の電子部品群と区別するための符号である。電子部品群１１ａは、他の電子部品群１１と実質的には同一である。
【００３８】
図７は、製造途中でメッキ処理が施された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。上述したステップＳＴ１０３が終了したらステップＳＴ１０４（第３工程）に進み、図３に示すメッキ層形成部２４は、図７に示すように製造途中の分割前回路モジュール集合体１Ａにメッキ層１３を形成する。メッキ層１３は、第１モールド樹脂１２を覆う。また、メッキ層１３は、基板１０に一部が接触する。具体的には、メッキ層１３は、第１モールド樹脂１２の上面１２ａと、第１モールド樹脂１２の側面１２ｂと、基板１０の一回目切削底面１０ｃ及び一回目切削側面１０ｄとに形成される。第１モールド樹脂１２の上面１２ａは、第１モールド樹脂１２が有する複数の面のうち電子部品実装面１０ａと平行な面である。第１モールド樹脂１２の側面１２ｂは、第１モールド樹脂１２が有する複数の面のうち電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面である。基板１０の一回目切削底面１０ｃ及び一回目切削側面１０ｄは、基板１０が有する複数の面のうち、ステップＳＴ１０３での一回目の切削加工で新たに露出した面である。一回目切削底面１０ｃは、電子部品実装面１０ａと平行な面である。一回目切削側面１０ｄは、電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面である。メッキ層１３のうち、一回目切削底面１０ｃ及び一回目切削側面１０ｄに接触している部分を基板接触部１３ａという。
【００３９】
図８は、第２モールド樹脂によって被覆された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図９は、二回目の切削加工が施された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。上述したステップＳＴ１０４が終了したら、ステップＳＴ１０５（第４工程）に進み、図３に示す封止部２２は、図８に示すように、メッキ層１３を覆うように第２モールド樹脂１４を設ける。これにより、分割前回路モジュール集合体１Ａが完成する。次に、ステップＳＴ１０６（第５工程）へ進み、図３に示す切削部２３は、図９に示すように分割前回路モジュール集合体１Ａに二回目の切削加工を施す。
【００４０】
二回目の切削加工で、切削部２３は、端子形成面１０ｂに対して電子部品実装面１０ａ側から端子形成面１０ｂ側に向かって、端子形成面１０ｂに至るまで第２モールド樹脂１４及び基板１０を切断する。また、本実施形態では、切削部２３は、電子部品実装面１０ａ側から端子形成面１０ｂ側に向かって、メッキ層１３も切断する。第２モールド樹脂１４の面のうち、二回目の切削加工で露出した面をモールド樹脂切削側面１４ａとする。また、基板１０の面のうち、二回目の切削加工で露出した面を二回目切削側面１０ｅとする。
【００４１】
切削部２３が二回目の切削加工を施す部位は、図８に示す部位１６ａ及び部位１６ｂである。部位１６ａは、メッキ層１３が谷状となる部分である。より詳しくは、部位１６ａは、第２方向で隣接し合う電子部品群１１の間であって、メッキ層１３のうち電子部品実装面１０ａに対して角度を有する２つの面の間である。部位１６ｂは、分割前回路モジュール集合体１Ａの第２方向の両端部側の部分である。より詳しくは、部位１６ｂは、この部分に形成されるメッキ層１３のうち、電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面に対して、第２方向のうち電子部品群１１から離れる方向で隣接する部分である。本実施形態では、切削部２３は、基板１０の一回目切削底面１０ｃの第２方向での中央に切削加工を施す。二回目の切削加工で用いられる切削工具であるダイシングブレードの厚さは、ステップＳＴ１０３の一回目の切削加工で用いられたダイシングブレードの厚さよりも小さい。これにより、切削部２３が二回目の切削加工を施す第２方向での範囲は、ステップＳＴ１０３で一回目の切削加工を施した第２方向での範囲よりも狭くなる。したがって、一回目切削側面１０ｄと二回目切削側面１０ｅとは、第２方向において離れた位置に形成される。
【００４２】
上述した工程により、回路モジュール製造システム２０は、図１に示す回路モジュール１を製造する。本実施形態の製造方法で製造された回路モジュール１は、図１に示すように、メッキ層１３が第２モールド樹脂１４によって覆われている。このため、回路モジュール１は、メッキ層１３の総面積のうち、露出される面積が低減されるので、メッキ層１３の総面積のうち酸素に触れる部分の面積が低減される。その結果、回路モジュール１は、メッキ層１３の酸化を抑制できる。また、回路モジュール１は、メッキ層１３の総面積のうち、外部から力が働くおそれがある面積を低減できる。これにより、回路モジュール１は、メッキ層１３の酸化や剥離を抑制し、結果としてメッキ層１３の耐久性の低下を低減できる。
【００４３】
特に、本実施形態のメッキ層１３は、電子部品実装面１０ａから端子形成面１０ｂに向かって窪む段差部と第２モールド樹脂１４との間で、基板接触部１３ａが第１方向で挟み込まれている。前記段差部は、一回目切削側面１０ｄと一回目切削底面１０ｃとで形成される部分である。これにより、回路モジュール１は、メッキ層１３が露出する場合よりも、第２モールド樹脂１４と一回目切削底面１０ｃとの間でメッキ層１３が挟み込まれる方が、メッキ層１３が基板１０からより剥離しにくくなる。その結果、回路モジュール１は、メッキ層１３の耐久性の低下をより好適に低減できる。
【００４４】
また、図８に示すように、回路モジュール１は、二回目の切削加工が施される部分である部位１６ａ及び部位１６ｂに第２モールド樹脂１４が設けられる。そして、図９に示すように、回路モジュール１は、基板１０と共に部位１６ａ及び部位１６ｂに設けられる第２モールド樹脂１４もダイシングブレードで切断される。これにより、回路モジュール１は、図１に示すように、二回目切削側面１０ｅの第２方向の位置と、モールド樹脂切削側面１４ａの第２方向の位置とが同一になる。その結果、回路モジュール１は、モールド樹脂切削側面１４ａと二回目切削側面１０ｅとが同一面となるので、回路モジュール１は、モールド樹脂切削側面１４ａと二回目切削側面１０ｅとの境界に段差部が形成されない。
【００４５】
これに対して、例えば、回路モジュールの側面に段差部が形成される場合、この段差に起因して回路モジュールの外観の美観が低下する。回路モジュールを取り扱う際に、回路モジュールに形成される段差部に外部からの力が電子部品モジュールの内部に集中する場合も考えられる。これにより、このような回路モジュールは、耐久性が低下するおそれも考えられる。
【００４６】
しかしながら、回路モジュール１は、その側面１ｓが平面になる。側面１ｓは、回路モジュール１全体の外形を形成する面のうち、電子部品実装面１０ａに対して角度を有する面である。回路モジュール１は、４つの側面１ｓを有する。なお、図１には、４つの側面１ｓのうちの２つを示す。側面１ｓが平面になることにより、回路モジュール１は、回路モジュール１の外観の美観が損なわれないまた、回路モジュール１は、側面１ｓに段差部が形成されないため、側面１ｓに応力が集中しやすい部分が少ない。これにより、回路モジュール１は、回路モジュール１が取り扱われる際において、外部からの力が電子部品モジュールの内部に集中するおそれが低減されるので、耐久性の低下が抑制される。
【００４７】
また、回路モジュール１は、回路モジュール１の湾曲を低減できる。次にその理由を説明する。上述したように、第１モールド樹脂１２の線膨張係数と、基板１０の線膨張係数とは異なる。したがって、第２モールド樹脂１４が設けられない回路モジュールでは、この線膨張係数の違いに起因して回路モジュールが湾曲するおそれがある。しかしながら、回路モジュール１は、第１モールド樹脂１２の線膨張係数よりも線膨張係数が小さい材料である第２モールド樹脂１４が、メッキ層１３よりも外側（電子部品群１１とは反対側）に設けられる。第２モールド樹脂１４は、第１モールド樹脂１２よりも湾曲しにくいため、基板１０と第１モールド樹脂１２との線膨張係数の差に起因する回路モジュール１の湾曲を抑制する。その結果、回路モジュール１は、自身（回路モジュール１）が湾曲するおそれを低減できる。
【００４８】
さらに、第２モールド樹脂１４の線膨張係数の値は、基板１０の線膨張係数以下である。すなわち、第２モールド樹脂１４は、回路モジュール１が備える複数の部材の中で最も線膨張係数が小さい部材である。このような第２モールド樹脂１４を備えることにより、回路モジュール１は、基板１０の線膨張係数と、基板１０に設けられるモールド樹脂（第１モールド樹脂１２及び第２モールド樹脂１４）全体での線膨張係数との差をより好適に低減できる。これによって、回路モジュール１は、自身が湾曲するおそれをより好適に低減できる。
【００４９】
なお、回路モジュールの湾曲を低減するための方法、または、回路モジュールの側面に段差部を形成しないための方法として、第２モールド樹脂１４を設けずに、メッキ層を従来よりも厚くするという方法も考えられる。しかしながら、近年の回路モジュールは軽量化が求められているのに対して、この場合の回路モジュールは金属の量が増加するため軽量化が図れない。これに対し、回路モジュール１は、金属よりも質量が小さい第２モールド樹脂１４を備えるので、回路モジュール１は、自身を軽量化できる。
【００５０】
さらに、本実施形態の回路モジュール１は、メッキ層１３の酸化が第２モールド樹脂１４によって抑制される分、メッキ層１３を構成するニッケル層を低減、または省略することもできる。これによって、回路モジュール１は、自身をより軽量化できる。また、第２モールド樹脂１４は、金属であるメッキ層１３よりも切削加工をしやすい材料である。このため、本実施形態に係る回路モジュール製造方法を用いて回路モジュール１を製造すれば、より切削加工しやすくなる。また、第２モールド樹脂１４は、第１モールド樹脂１２よりもフィラー（シリカ）の含有率が高い。ここで、フィラーの含有率が８０ｗｔ％以上のエポキシ樹脂は、難燃性の材料である。したがって、第２モールド樹脂１４が最も外側に配置されることにより、回路モジュール１は、より難燃性が向上する。
【００５１】
本実施形態に係る回路モジュール製造方法は、分割前回路モジュール集合体１Ａを切断するよりも前に、第２モールド樹脂１４を設ける点にも特徴がある。例えば、分割前回路モジュール集合体１Ａを切断した後に、個々の製造途中の回路モジュールを第２モールド樹脂１４で覆う場合、回路モジュール１は、図１に示す端子形成面１０ｂも第２モールド樹脂１４で覆われることがある。しかしながら、本実施形態に係る回路モジュール製造方法を用いれば、製造途中の個々の回路モジュールをそれぞれ第２モールド樹脂１４で覆う場合よりも、第２モールド樹脂１４を設ける際に第２モールド樹脂１４が端子形成面１０ｂに回り込むおそれが少ない。これによって、本実施形態に係る回路モジュール製造方法は、端子形成面１０ｂが第２モールド樹脂１４で覆われるおそれを低減できる。
【００５２】
（実施形態２）
図１０は、実施形態２の回路モジュールを基板に直交する平面で切って示す断面図である。図１１は、実施形態２の回路モジュール製造方法の工程を示すフローチャートである。図１２は、二回目の切削加工が施された製造途中の分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図１０に示す回路モジュール２は、図３に示す回路モジュール製造システム２０が図１１に示す一連の工程を実行することで製造される。図１０に示す回路モジュール２が備える各部材の材料は、図１に示す回路モジュール１が備える各部材の材料と同様である。
【００５３】
本実施形態に係る回路モジュール製造方法のステップＳＴ２０１〜ステップＳＴ２０４工程は、実施形態１に係る回路モジュール製造方法のＳＴ１０１〜ステップＳＴ１０４の各工程と同様なので、説明を省略する。本実施形態に係る回路モジュール製造方法によって回路モジュールの製造を開始して、ステップＳＴ２０４まで終了したら、ステップＳＴ２０５（第６工程）へ進む。
【００５４】
ステップＳＴ２０５で、図３に示す切削部２３は、図１２に示すように分割前回路モジュール集合体２Ａに二回目の切削加工を施す。二回目の切削加工で、切削部２３は、電子部品実装面１０ａ側から端子形成面１０ｂ側へ向かって、メッキ層１３を切断すると共に、基板１０の深さＤ２まで基板１０の一部を切除する。深さＤ２は、図６に示す深さＤ１よりも大きい。なお、切削部２３は、少なくともメッキ層１３を切断すればよく、必ずしも基板１０の一部を切除する必要はない。ただし、メッキ層１３のみを切削する場合、切削部２３は、求められる加工精度が向上する。よって、本実施形態では、切削部２３は、ステップＳＴ２０５でメッキ層１３と基板１０との両方を切削するものとする。
【００５５】
切削部２３が二回目の切削加工を施す部位は、部位１６ａ及び部位１６ｂである。次においては、基板１０の面のうち、二回目の切削加工で露出した面を二回目切削底面１０ｆ及び二回目切削側面１０ｇとする。本実施形態では、切削部２３は、基板１０の一回目切削底面１０ｃの第２方向での中央に切削加工を施す。二回目の切削加工で用いられる切削工具であるダイシングブレードの厚さは、ステップＳＴ２０３の一回目の切削加工で用いられたダイシングブレードの厚さよりも小さい。これにより、切削部２３が二回目の切削加工を施す第２方向での範囲は、ステップＳＴ２０３で一回目の切削加工を施した第２方向での範囲よりも狭くなる。したがって、一回目切削側面１０ｄと二回目切削側面１０ｇとは、第２方向で離れた位置に形成される。
【００５６】
図１３は、第２モールド樹脂が設けられた分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。図１４は、三回目の切削加工が施された分割前回路モジュール集合体を示す断面図である。ステップＳＴ２０６が終了したら、図１１に示すステップＳＴ２０６（第４工程）へ進む。ステップＳＴ２０６で、図３に示す封止部２２は、図１３に示すようにステップＳＴ２０５で複数に分割されたメッキ層１３全体を覆うように第２モールド樹脂１４を設ける。これにより、分割前回路モジュール集合体２Ａが完成する。次に、図２に示すステップＳＴ２０７（第５工程）に進み、図３に示す切削部２３は、図１４に示すように分割前回路モジュール集合体２Ａに三回目の切削加工を施す。
【００５７】
三回目の切削加工で、切削部２３は、電子部品実装面１０ａ側から端子形成面１０ｂ側に向かって、端子形成面１０ｂに至るまで第２モールド樹脂１４及び基板１０を切断する。本実施形態では、切削部２３は、メッキ層１３は切断しない。三回目の切削加工で切削部２３が切削加工を施す部位は、図１３に示す部位１７ａ及び部位１７ｂである。部位１７ａは、図１３に示すように、第２方向で隣接し合う電子部品群１１の間に形成される２つの二回目切削側面１０ｇの間である。部位１７ｂは、電子部品群１１ａの両脇のうち隣接する電子部品群１１がない方の脇に形成される２つの二回目切削側面１０ｇの間である。
【００５８】
第２モールド樹脂１４の面のうち、三回目の切削加工で露出した面をモールド樹脂切削側面１４ｂとする。また、基板１０の面のうち、三回目の切削加工で露出した面を三回目切削側面１０ｈとする。本実施形態では、切削部２３は、基板１０の二回目切削底面１０ｆの第２方向での中央に切削加工を施す。三回目の切削加工で用いられる切削工具としてのダイシングブレードの厚さは、ステップＳＴ２０５の二回目の切削加工で用いられたダイシングブレードの厚さよりも小さい。これにより、切削部２３が三回目の切削加工を施す第２方向での範囲は、ステップＳＴ２０５で二回目の切削加工を施した第２方向での範囲よりも狭くなる。よって、二回目切削側面１０ｇと三回目切削側面１０ｈとは、第２方向で離れた位置に形成される。
【００５９】
上述した工程により、回路モジュール製造システム２０は、図１０に示す回路モジュール２を製造する。本実施形態の製造方法で製造された回路モジュール２は、図１３に示すように、第２方向で対向し合うメッキ層１３の間に第２モールド樹脂１４が充填され、また、第２方向の両端に配置される電子部品群１１ａの両脇に第２モールド樹脂１４が設けられる。そして、回路モジュール２は、図１４に示すように基板１０と共に第２モールド樹脂１４も同時にダイシングブレードで切断される。これにより、回路モジュール２は、図１０に示すように、三回目切削側面１０ｈの第２方向の位置と、モールド樹脂切削側面１４ｂの第２方向の位置とが同一になる。その結果、回路モジュール２は、モールド樹脂切削側面１４ｂと三回目切削側面１０ｈとが同一平面に存在することになるので、モールド樹脂切削側面１４ｂと三回目切削側面１０ｈとの境界には段差部が形成されない。
【００６０】
これにより、回路モジュール２は、回路モジュール２の外観の美観低下を抑制できる。また、また、回路モジュール２は、側面１ｓに段差部が形成されないため、側面１ｓに応力が集中しやすい部分が少ない。これにより、回路モジュール２は、回路モジュール２が取り扱われる際において、外部からの力が電子部品モジュールの内部に集中するおそれが低減されるので、耐久性の低下が抑制される。
【００６１】
また、本実施形態に係る回路モジュール製造方法で製造された回路モジュール２は、上述した回路モジュール１と同様の効果を奏する。また、本実施形態に係る回路モジュール製造方法は、実施形態１に係る回路モジュール製造方法と同様の効果を奏する。また、これらの効果を奏する理由も、実施形態１で説明した理由と同様である。以下、回路モジュール２が奏する効果のうち、回路モジュール１が奏する効果とは異なる効果を説明する。
【００６２】
回路モジュール２は、図１に示す実施形態１の回路モジュール１よりも、メッキ層１３の耐久性の低下をより好適に抑制できる。以下にその理由を説明する。図１に示す回路モジュール１は、回路モジュール１の側面１ｓにメッキ層１３の端部１３ｂが一部露出する。このメッキ層１３の端部１３ｂは、第２モールド樹脂１４のモールド樹脂切削側面１４ａ及び基板１０の二回目切削側面１０ｅと第２方向で同一の位置にある。すなわち、このメッキ層１３の端部１３ｂは、第２モールド樹脂１４のモールド樹脂切削側面１４ａ及び基板１０の二回目切削側面１０ｅから突出しない。よって、回路モジュール１でも、メッキ層１３の耐久性は十分に確保できる。
【００６３】
一方、図１０に示す回路モジュール２は、メッキ層１３が第２モールド樹脂１４によって完全に覆われている。具体的には、本実施形態の基板１０は、第１段差部と第２段差部とを有する。第１段差部は、電子部品実装面１０ａから端子形成面１０ｂに向かって窪む段差部であって、一回目切削底面１０ｃと一回目切削側面１０ｄとで形成される部分である。第２段差部は、電子部品群１１から離れる第２方向で第１段差部と隣接して設けられ、電子部品実装面１０ａから端子形成面１０ｂに向かって第１段差部よりもさらに窪む部分を有する段差部である。第２段差部は、二回目切削側面１０ｇと二回目切削底面１０ｆとで形成される。メッキ層１３の基板接触部１３ａであってメッキ層１３の端部１３ｂは、この第１段差部と第２モールド樹脂１４とで挟み込まれる。そして、第２モールド樹脂１４は、第２段差部に設けられる。
【００６４】
これにより、回路モジュール２は、メッキ層１３の端部１３ｂが、第２段差部に設けられる第２モールド樹脂１４によって覆われる。すなわち、回路モジュール２は、メッキ層１３の端部１３ｂが露出しない。これにより、回路モジュール２は、メッキ層１３の総面積のうち酸素に接触する部分の面積を理論上０にできる。また、回路モジュール２は、例えば水のような液体が内部へ侵入しようとする隙間を低減できる。また、回路モジュール２は、メッキ層１３に直接働く外部の力を理論上０にできる。よって、回路モジュール２は、メッキ層１３の端部１３ｂが露出する場合よりも、メッキ層１３の剥離や酸化をより好適に抑制できる。結果として、回路モジュール２は、メッキ層１３の耐久性の低下をより好適に低減できる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
以上のように、本発明に係る回路モジュール及び回路モジュール製造方法は、電子部品を封止する技術に有用であり、特に、シールド部材の耐久性の低下を抑制することに適している。
【符号の説明】
【００６６】
１、２ 回路モジュール
１Ａ、２Ａ 分割前回路モジュール集合体
１ｓ 側面
１０ 基板
１０ａ 電子部品実装面
１０ｂ 端子形成面
１０ｃ 一回目切削底面
１０ｄ 一回目切削側面
１０ｅ 二回目切削側面
１０ｆ 二回目切削底面
１０ｇ 二回目切削側面
１０ｈ 三回目切削側面
１１、１１ａ 電子部品群
１２ 第１モールド樹脂
１２ａ 上面
１２ｂ 側面
１３ メッキ層
１３ａ 基板接触部
１３ｂ 端部
１４ 第２モールド樹脂
１４ａ モールド樹脂切削側面
１４ｂ モールド樹脂切削側面
１５ａ〜１７ｂ 部位
２０ 回路モジュール製造システム
２１ 回路形成部
２２ 封止部
２３ 切削部
２４ メッキ層形成部
Ｄ１、Ｄ２ 深さ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品実装面を有する基板と、
前記電子部品実装面に搭載される電子部品と、
前記電子部品を覆う第１封止部材と、
当該第１封止部材を覆うと共に前記基板に一部が接触するシールド部材と、
当該シールド部材のうち前記基板に接触する部分を前記基板との間で挟み込み、かつ、前記シールド部材の少なくとも一部を覆う第２封止部材と、
を備えることを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記基板は、
前記電子部品実装面とは反対側の端子形成面と、
前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって窪む部分を有する段差部と、を備え、
前記シールド部材のうち前記基板に接触する部分は、前記段差部と前記第２封止部材とに挟み込まれる請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記第２封止部材は、前記シールド部材の全体を覆う請求項１または請求項２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記基板は、
前記電子部品実装面とは反対側の端子形成面と、
前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって窪む部分を有する第１段差部と、
前記第１段差部と隣接する部分であって、前記第１段差部を境に前記電子部品とは反対側の部分に設けられ、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記第１段差部よりもさらに前記端子形成面側へ窪む部分を有する第２段差部と、を備え、
前記シールド部材の端部は、前記第１段差部に接触すると共に当該前記第１段差部と前記第２封止部材とに挟み込まれて設けられ、
前記第２封止部材は、前記第２段差部に接触する請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記回路モジュール全体の外形を形成する面であって、前記電子部品実装面に対して角度を有する回路モジュール側面は、平面である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の回路モジュール。
【請求項６】
前記第２封止部材の線膨張係数は、前記第１封止部材の線膨張係数よりも小さい請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の回路モジュール。
【請求項７】
前記第２封止部材の線膨張係数は、前記基板の線膨張係数以下である請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の回路モジュール。
【請求項８】
電子部品実装面と、当該電子部品実装面とは反対側の端子形成面との２つの面を有する基板の前記電子部品実装面に形成される電子部品を第１封止部材で覆う第１工程と、
前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、少なくとも前記第１封止部材を切断する第２工程と、
前記第１封止部材をシールド部材で覆い、かつ前記シールド部材の一部を前記基板に接触させる第３工程と、
第２封止部材で前記シールド部材の少なくとも一部を覆うと共に、前記シールド部材のうち前記基板に接触する部分を前記基板との間で挟み込む第４工程と、
前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、少なくとも前記第２封止部材及び前記基板を切断する第５工程と、
を備えることを特徴とする回路モジュール製造方法。
【請求項９】
前記第２工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第１封止部材を切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部を切除し、
前記第５工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第２封止部材と、前記基板と、前記シールド部材とを切断する請求項８に記載の回路モジュール製造方法。
【請求項１０】
前記第３工程と前記第４工程との間に、前記シールド部材の部分のうち前記基板に接触する部分を、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって切断する第６工程を備える請求項８に記載の回路モジュール製造方法。
【請求項１１】
前記第２工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第１封止部材を切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部を切除し、
前記第６工程では、前記シールド部材の部分のうち前記基板に接触する部分を、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部も切除し、
前記第５工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、前記第２封止部材及び前記基板を切断する請求項１０に記載の回路モジュール製造方法。
【請求項１】
電子部品実装面を有する基板と、
前記電子部品実装面に搭載される電子部品と、
前記電子部品を覆う第１封止部材と、
当該第１封止部材を覆うと共に前記基板に一部が接触するシールド部材と、
当該シールド部材のうち前記基板に接触する部分を前記基板との間で挟み込み、かつ、前記シールド部材の少なくとも一部を覆う第２封止部材と、
を備えることを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記基板は、
前記電子部品実装面とは反対側の端子形成面と、
前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって窪む部分を有する段差部と、を備え、
前記シールド部材のうち前記基板に接触する部分は、前記段差部と前記第２封止部材とに挟み込まれる請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記第２封止部材は、前記シールド部材の全体を覆う請求項１または請求項２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記基板は、
前記電子部品実装面とは反対側の端子形成面と、
前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって窪む部分を有する第１段差部と、
前記第１段差部と隣接する部分であって、前記第１段差部を境に前記電子部品とは反対側の部分に設けられ、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記第１段差部よりもさらに前記端子形成面側へ窪む部分を有する第２段差部と、を備え、
前記シールド部材の端部は、前記第１段差部に接触すると共に当該前記第１段差部と前記第２封止部材とに挟み込まれて設けられ、
前記第２封止部材は、前記第２段差部に接触する請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記回路モジュール全体の外形を形成する面であって、前記電子部品実装面に対して角度を有する回路モジュール側面は、平面である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の回路モジュール。
【請求項６】
前記第２封止部材の線膨張係数は、前記第１封止部材の線膨張係数よりも小さい請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の回路モジュール。
【請求項７】
前記第２封止部材の線膨張係数は、前記基板の線膨張係数以下である請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の回路モジュール。
【請求項８】
電子部品実装面と、当該電子部品実装面とは反対側の端子形成面との２つの面を有する基板の前記電子部品実装面に形成される電子部品を第１封止部材で覆う第１工程と、
前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、少なくとも前記第１封止部材を切断する第２工程と、
前記第１封止部材をシールド部材で覆い、かつ前記シールド部材の一部を前記基板に接触させる第３工程と、
第２封止部材で前記シールド部材の少なくとも一部を覆うと共に、前記シールド部材のうち前記基板に接触する部分を前記基板との間で挟み込む第４工程と、
前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、少なくとも前記第２封止部材及び前記基板を切断する第５工程と、
を備えることを特徴とする回路モジュール製造方法。
【請求項９】
前記第２工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第１封止部材を切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部を切除し、
前記第５工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第２封止部材と、前記基板と、前記シールド部材とを切断する請求項８に記載の回路モジュール製造方法。
【請求項１０】
前記第３工程と前記第４工程との間に、前記シールド部材の部分のうち前記基板に接触する部分を、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって切断する第６工程を備える請求項８に記載の回路モジュール製造方法。
【請求項１１】
前記第２工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって前記第１封止部材を切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部を切除し、
前記第６工程では、前記シールド部材の部分のうち前記基板に接触する部分を、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって切断すると共に、前記電子部品実装面から前記端子形成面に向かって前記基板の一部も切除し、
前記第５工程では、前記電子部品実装面側から前記端子形成面側へ向かって、前記第２封止部材及び前記基板を切断する請求項１０に記載の回路モジュール製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−１３８９６３（Ｐ２０１１−１３８９６３Ａ）
【公開日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２９８６０６（Ｐ２００９−２９８６０６）
【出願日】平成２１年１２月２８日（２００９．１２．２８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月２８日（２００９．１２．２８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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