説明

エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

【課題】 優れたレーザーマーキング性と半田耐熱性を有するエポキシ樹脂組成物と、それを用いて封止したことによりレーザーマーキング視認性に優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および無機充填剤(C)を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、DBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラック(D)を含有し、かつ前記無機充填剤(C)が平均粒径0.1〜10μmの破砕シリカ(c1)または平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカ(c2)の少なくとも一方を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物及び該樹脂組成物で封止してなる樹脂封止型半導体装置。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半田耐熱性に優れ、かつYAGレーザーマーキング性に優れるエポキシ樹脂組成物およびそれを用いて封止された半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
主にエポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置は、従来、熱硬化型もしくはUV硬化型の特殊なインクで半導体デバイスの製造者、製造履歴等をマーキングしていたが、マーキングやその硬化に時間がかかり、更にそのインクの取扱も容易でないため、最近はレーザーマーキングを採用する電子部品メーカーが増加している。YAG、または炭酸ガスのレーザー光の短時間照射によるエポキシ樹脂組成物の成形品表面へのマーキングは、インクによるマーキングよりも作業性に優れ、しかも短時間で終了するために、電子部品メーカーにとっては利点の多い方法である。
【0003】
しかし、従来のエポキシ樹脂組成物を用いて封止した半導体デバイスの封止成形品表面にレーザーマーキングした場合、マーキングした部分とマーキングしていない部分とのコントラストが不鮮明であり、しかも印字が黄色であるために、印字の読みとりが困難である。c 炭酸ガスレーザーマーキングに関しては、既に効果的な着色剤が開発され、鮮明な印字が得られる樹脂組成物が上市されている。
【0004】
一方、YAGレーザーマーキングに関しては、例えば特開平2−127449号公報によると、「カーボン含有量が99.5重量%以上、水素含有量が0.3重量%以下であるカーボンブラック」が同目的に効果的であると記載されており、またその他の種々の研究がなされているが、カーボンブラックが揮散した後のマーキングコントラストが未だ不十分で、鮮明な印字は得られていない。さらに、特開2000−128960号公報では、DBP吸収量が80ml/100g以上で平均粒径20nm以上のカ−ボンブラックとビフェニル型エポキシ樹脂を用いることで良好なレ−ザ−マ−キング性が得られるとされており実際その効果は認められているが、近年のさらなる半田耐熱性の要求に応えられる樹脂組成物が望まれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、優れたレーザーマーキング性と半田耐熱性を有するエポキシ樹脂組成物と、それを用いて封止したことによりレーザーマーキング視認性に優れる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
そこで本発明者らは、鋭意検討した結果、着色剤としてDBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラックと、平均粒径0.1〜10μmの破砕シリカ、または平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカを含む無機充填剤を用いることにより優れたレーザーマーキング性と半田耐熱性を有するエポキシ樹脂組成物と封止された半導体装置が得られることを見出し、本課題を解決するに至った。
【0007】
本発明は、主として次の構成を有する。すなわち、「エポキシ樹脂、硬化剤および無機充填剤を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、着色剤としてDBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラックを用い、無機充填剤には平均粒径0.1〜10μmの破砕シリカまたは平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカの少なくとも一方を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物」である。
【0008】
これを用いた半導体装置は優れたレーザーマーキング性を示し、鮮明なマーキングを得ることができ、さらに半田耐熱性にも優れる。
【発明の効果】
【0009】
本発明は、DBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラック(D)を着色剤として用い、かつ無機充填剤(C)に平均粒径0.1〜10μmの破砕シリカ(c1)または平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカ(c2)を含有させた樹脂組成物であり、この樹脂組成物を用いて封止した半導体装置はYAGレーザーマーキング性、半田耐熱性が共に優れたものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
以下、本発明の構成を詳述する。
本発明におけるエポキシ樹脂組成物とは、エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および無機充填剤(C)を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、DBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラック(D)を用い、かつ前記充填材(C)が平均粒径0.1〜10μmの破砕シリカ(c1)または平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカ(c2)の少なくとも一方を含有することを必須とするエポキシ樹脂組成物である。
【0011】
本発明に用いるエポキシ樹脂(A)は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するものであれば、特にその種類については限定されない。例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂およびハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。また、これらエポキシ樹脂は2種類以上併用してもよいが、機械的性質および半田耐熱性の点から一般式(I)で表せるビフェニル型エポキシ樹脂(a1)、または一般式(II)で表せるビスフェノ−ルF型エポキシ樹脂(a2)が好ましい。さらに一般式(I)で表せるビフェニル型エポキシ樹脂(a1)、一般式(II)で表せるビスフェノ−ルF型エポキシ樹脂(a2)両者を併用することも可能であり、この場合一般式(I)で表せるビフェニル型エポキシ樹脂(a1)と一般式(II)で表せるビスフェノ−ルF型エポキシ樹脂(a2)合計が、エポキシ樹脂中80重量%以上であることが好ましい
【0012】
【化3】

【0013】
【化4】

【0014】
エポキシ樹脂(A)の配合量は、成形性および密着性の観点から、エポキシ樹脂組成物全体に対して、通常0.5〜15重量%、さらに好ましくは2〜10重量%である。エポキシ樹脂(A)の配合量が0.5重量%以上であれば成形性や密着性が不十分になったりすることがなく、15重量%以下であれば硬化物の線膨張係数が大きくなり、硬化物の低応力化が困難となることもない。
【0015】
本発明に用いる硬化剤(B)は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば特にその種類は限定されない。例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノール樹脂、ビスフェノールAやレゾルシンから合成される各種ノボラック樹脂、多価フェノール類、無水マレイン酸、無水フタル酸などの酸無水物、およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族ジアミンなどが挙げられる。なかでも半導体封止用としては耐熱性、耐湿性および保存性の点から、フェノール系硬化剤が好ましく用いられ、用途によっては2種類以上の硬化剤を併用してもよい。
【0016】
本発明において、硬化剤(B)の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体に対して通常0.5〜15重量%、好ましくは1〜10重量%である。さらに、エポキシ樹脂(A)と硬化剤(B)の配合比は、機械的性質および耐湿信頼性の点から(A)に対する(B)の化学当量比が0.5〜1.5、特に0.7〜1.2の範囲にあることが好ましい。
【0017】
本発明には無機充填剤(C)が含まれる。具体例には、非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、酸化マグネシウム、ジルコニア、ジルコン、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベスト、ガラス繊維などが挙げられる。好ましくはシリカ、アルミナ、ジルコニアであり、より好ましくはシリカである。無機充填材としてこれらを単独でも2種類以上併用してもかまわない。充填剤(C)の形状および粒径は特に限定されないが、平均粒径3μm以上40μm以下の球状粒子を充填剤(C)中に50重量%以上含有することが流動性の点から好ましい。
【0018】
ここでいう平均粒子径は累積重量50%になる粒径(メジアン径)を意味する。本発明において無機質充填剤の(D)の割合は難燃性、流動性、低応力性および密着性の点から樹脂組成物全体の83〜95重量%であることが必要であり、好ましくは85〜93重量%である。
【0019】
本発明において、無機充填材(C)には平均粒径0.1〜10μmの破砕シリカ(c1)または平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカ(c2)の少なくとも一方が含有されることが重要である。平均粒径0.1〜10μmの破砕シリカ(c1)または極小微細シリカ(c2)の少なくとも一方を含有することによりさらに優れたレ−ザ−マ−キング性と半田耐熱性が得られる。またこの破砕シリカ(c1)、平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカ(c2)は、いずれも無機充填剤(C)全体に対して1〜30重量%の割合で含有され、1〜10重量%がより好ましい。さらに、平均粒径0.1〜10μmの破砕シリカ(c1)または平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカ(c2)を両方含有することも好ましい。
【0020】
この破砕シリカ(c1)または極小微細球状シリカ(c2)の少なくとも一方を含有することによりさらに優れたレ−ザ−マ−キング性と半田耐熱性が得られる。またこの破砕シリカ(c1)と極小微細シリカ(c2)は平均粒径以外、特に比表面積、粒度分布は限定されない。
【0021】
本発明には、着色剤としてDBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラック(D)が用いられる。DBP吸収量は以下の方法で求められる。すなわち、150±1℃で1時間乾燥した試料20gをアブソープトメーターの混合室に投入し、予めリミットスイッチを所定の位置に設定した混合室の回転機を回転する。同時に、自走ビュレットからDBP(比重1.045〜1.050)を4ml/分の割合で添加し始める。終点近くになるとトルクが急速に増加してリミットスイッチが切れる。それまでに添加したDBP量(cm3)よりDBP吸収量(cm3/100g)を次式により求める。
【0022】
DBP吸収量(cm3/100g)=DBP量(cm3)/試料量(g)×100カ−ボンブラックのDBP吸収量が100cm3/100g以下では満足なレーザーマーキング性は得られない。100cm3/100gのカーボンブラックを用いることにより、満足なレーザーマーキング性が得られるのである。100cm3/100g以上のものであれば十分な効果が得られるが、より良いレーザーマーキング性を得るためには好ましくはDBP吸収量が110cm3/100g以上のカーボンブラック、より好ましくはDBP吸収量が120cm3/100g以上のカーボンブラックを用いるのがよい。
【0023】
本発明においてカーボンブラック(D)の平均粒径、比表面積やpHは、DBP吸収量が100cm3/100g以上であれば特に限定されない。
【0024】
また、カーボンブラック(D)の樹脂組成物全体に対する配合量は特に限定されないが、より良いレーザーマーキング性を得るためには、好ましくは0.1〜0.6重量%、より好ましくは0.2〜0.4重量%がよい。
【0025】
そしてDBP吸収量が100cm3/100g以上のカーボンブラック(D)を得る方法としては熱分解法、不完全燃焼法等で製造されるいずれでもよく、その製造方法には特に限定されない。結果としてDBP吸収量が100cm3/100g以上となっていれば良い。
【0026】
本発明にはエポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進する硬化促進剤を用いてもよい。硬化促進剤は硬化反応を促進するものであればその種類は特に限定されない。具体的には、各種イミダゾール化合物、各種アミン化合物、各種有機金属化合物、各種有機ホスフィン化合物などが好ましく用いられる。これらの硬化促進剤は用途に応じて2種類を併用してもよい。なかでも耐湿性の点から、有機ホスフィン化合物が好ましく用いられる。これらの硬化促進剤(C)は、用途によっては2種類以上を併用してもよく、その添加量は、エポキシ樹脂(A)100重量部に対して0.1〜10重量部の範囲が好ましい。
【0027】
さらに本発明には、エラストマなどの低応力化剤、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などの各種カップリング剤、ハロゲン化エポキシ樹脂などのハロゲン化物、リンなどの各種難燃剤、アンチモン化合物などの難燃助剤、カーボンブラック以外の各種着色剤、長鎖脂肪酸エステル、長鎖脂肪酸アミドなどの各種離型剤など、各種添加剤を本発明の特性を損なわない範囲で任意に配合できる。なおカップリング剤はあらかじめ無機充填剤に表面処理しておくことも可能である。
【0028】
本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法としては、溶融混練することが好ましい。例えば、各種原料成分をミキサ−などの公知の方法で混合(ドライブレンド)した後、バンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練後、固化、粉砕し、必要に応じてタブレット化またはペレット化することにより製造される。そしてこのようにして得られたタブレット、ペレットや粉末状の樹脂組成物を用いて、例えばトランスファ成形などにより半導体素子を封止することにより半導体装置を得ることができる。
【実施例】
【0029】
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【0030】
[実施例1〜20、比較例1〜5]
<エポキシ樹脂組成物の調製>
表1に示した原料を、表2 〜4 に示した組成比で配合し、ミキサーによりブレンドした。これらの混合物を2軸押出機を用いて樹脂温度90℃で溶融混練したのち、冷却、粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
【0031】
【表1】

【0032】
【表2】

【0033】
【表3】

【0034】
【表4】

【0035】
<評価用サンプルの作成>
樹脂組成物の粉末をタブレット状に圧縮成形したのち(タブレットの充填率が95.0〜98.5%)、トランスファ成形機を用いて160ピンQFP(Quad Flat Package)(外形寸法:24mm×24mm×3.4mmt)を成形温度175℃、注入時間7秒、成形圧力9.8MPa、成形時間2分の条件で成形し、さらにこれを175℃、10時間の条件で後硬化させ半導体装置を得た。
【0036】
<レーザーマーキング視認性の評価>
得られた半導体装置の硬化体表面に(株)キーエンス製YAGレーザー"マーカー MY9500"を用いてレーザー波長1.06μm、レーザー出力14A(アンペア)で、字幅0.9mm、字の太さ0.1mmでマーキングした。視認性の評価はSTOUFFER GRAPHIC ARTS EQUIPMENT CO.製の21ステップセンシティビティーガイド(1〜21の黒味の異なるフィルムによる視認性の評価。数字が大きいほど視認性が良い。光学濃度Dはステップ1で0.05、ステップ2で0.20、ステップ3で0.35、ステップ4で0.49、ステップ5で0.64、ステップ6で0.79、ステップ7で0.93、以下ステップ21まで続く。ここで光学濃度Dは、入射光強度をI0(mJ/cm2)、透過または反射光の強度をI(mJ/cm2)とすると式(III)のように定義される。
光学濃度D=log10(I0/I) ・・・(III)
半導体装置の硬化体表面の印字部分に21ステップセンシティビティーガイドを合わせるように載せ、印字部分が読めなくなる時の21ステップセンシティビティーガイドの指示値を測定した。
【0037】
<半田耐熱性の評価>
160pinQFPを上記条件で成形、後硬化させた半導体装置16個を85℃/85%RHで120時間加湿し、赤外線リフロ−炉(245℃)を通した後、160pinQFPに発生したクラックの個数を外部と内部についてそれぞれ超音波探傷機により調べた。クラックの合計数(16個のパッケ−ジでの合計)により、次の6段階で評価した。
A:0(個/16パッケ−ジ)
B:1〜2(個/16パッケ−ジ)
C:3〜6(個/16パッケ−ジ)
D:7〜10(個/16パッケ−ジ)
E:10〜15(個/16パッケ−ジ)
F:16(個/16パッケ−ジ)
【0038】
<評価結果>
評価結果を表5に示す。
【0039】
【表5】

【0040】
実施例1〜20に見られるようにDBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラックを用い、かつ無機充填剤中に平均粒径0.1μm〜10μmの破砕シリカ、または平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカを含有する事を必須としエポキシ樹脂にビフェニル型エポキシ樹脂、もしくはビスフェノ−ルF型エポキシ樹脂を用いたエポキシ樹脂組成物で封止された半導体装置はレ−ザ−マ−ク視認性、半田耐熱性に優れる。一方、比較例1〜5に見られるように無機充填材中に破砕シリカまたは極小微細球状シリカを添加しない系、DBP吸収量が100cm3/100g以上のカ−ボンブラックを用いない系では、視認性、半田耐熱性が劣る。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および無機充填剤(C)を主成分とするエポキシ樹脂組成物において、DBP吸収量が100cm3/100g以上であるカーボンブラック(D)を含有し、かつ前記無機充填剤(C)が平均粒径0.1〜10μmの破砕シリカ(c1)または平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカ(c2)の少なくとも一方を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項2】
無機充填剤(C)が平均粒径0.1〜10μmの破砕シリカ(c1)と平均粒径1〜100nmの極小微細球状シリカ(c2)を含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項3】
エポキシ樹脂Aが下記式(I)の構造を有するビフェニル型エポキシ樹脂(a1)もしくは下記式(II)の構造を有するビスフェノ−ルF型エポキシ樹脂(a2)を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化1】


【化2】

【請求項4】
印字部分のマ−キング視認性が21ステップセンシティビティガイドを用いた評価で5以上となることを特徴とする請求項1〜3いずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項5】
請求項1〜4いずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で封止してなる樹脂封止型半導体装置。

【公開番号】特開2011−162789(P2011−162789A)
【公開日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−59981(P2011−59981)
【出願日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【分割の表示】特願2001−76602(P2001−76602)の分割
【原出願日】平成13年3月16日(2001.3.16)
【出願人】(000002141)住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Fターム(参考)】