【課題】ＡｇやＡｕのような貴金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性、流動性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤を含有し、（Ａ）エポキシ樹脂が、特定の一般式で示されるエポキシ樹脂を含有する封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、上記問題に鑑みなされたものであって、高い透明性を有し、タック感が無く、高い耐熱変色性を有する硬化物を与える付加硬化型シリコーン組成物、および該組成物からなる光学素子封止材を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、（Ａ）２５℃における粘度が３０Ｐａ・ｓ以上であり、下記式（１）で表される構造を有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、（Ｂ）下記式（２）で表される環状シロキサン化合物：０．５〜１００質量部、（Ｃ）下記平均組成式（３）で表される構造を有する分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも２ケ有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：（Ａ）成分と（Ｂ）成分のケイ素原子に結合した脂肪族不飽和基に対する（Ｃ）成分のケイ素原子に結合した水素原子のモル比が０．２〜１０となる量、および（Ｄ）白金族金属を含むヒドロシリル化触媒：触媒量を含むことを特徴とする付加硬化型シリコーン組成物。 （もっと読む）

【課題】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子に反りが発生するのを抑制又は防止することが可能なフリップチップ型半導体裏面用フィルム、及びダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムを提供する。
【解決手段】被着体上にフリップチップ接続された半導体素子の裏面に形成するためのフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、熱硬化前のフリップチップ型半導体裏面用フィルムの全体積に対する、熱硬化による収縮量が２体積％以上３０体積％以下であるフリップチップ型半導体裏面用フィルム。 （もっと読む）

【課題】高耐熱性と高耐電圧性を達成できると共に半導体素子の被覆部と半導体素子の支持体との密着性を向上でき、高温での使用を可能にできる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置では、銅製の支持体３の上面３Ａに載置されたＳｉＣ ＧＴＯサイリスタ素子１の表面を被覆する第１の被覆部１５の表面１５Ａを被覆する第２の被覆部１６の環状の端部２３が支持体３の環状の嵌合溝２１に嵌合する。支持体３の嵌合溝２１に嵌合した第２の被覆部１６の環状の端部２３が支持体３に対するアンカーとしての役割を果たすので、支持体３との線膨張係数の差がかなりある第２の被覆部１６が高温時(例えば２００℃以上)に支持体３から剥離するのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ及びＮｉのような金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性や耐湿性、高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）分子内にジスルフィド基（−Ｓ−Ｓ−）を有する化合物を含有し、（Ｃ）分子内にジスルフィド基を有する化合物として、このＳ−Ｓ結合が金属面に対する配位が可能な構造の化合物を含有する封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 作業性、ハンドリングの容易性、狭ピッチ化対応のため、液状であり、短時間での硬化が可能で、短時間で半導体チップ-基板間のボイドを抑制し、さらに硬化後には、半導体チップ-基板間を接着するためのボンディング性、THB試験での抵抗値変化の抑制、PCT試験での剥離抑制に優れた先供給型封止材樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 (A)液状エポキシ樹脂、(B)特定の構造のエポキシ樹脂、(C)酸無水物硬化剤、(D)特定の構造のイミダゾール化合物硬化促進剤および(E)シランカップリング剤を含み、(A)成分と(B)成分の質量割合が、84：16〜16：84であり、(A)成分のエポキシ当量と(B)成分のエポキシ当量の合計1に対して、(C)成分の酸無水当量が0.8〜1.1であり、かつ(A)成分と(B)成分の合計100質量部に対して、(D)成分が1.7質量部より多く10.3質量部未満で、成分(E)が0.1質量部より多く2.3質量部未満であることを特徴とする、先供給型液状半導体封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体チップ接着用樹脂を提供する。
【解決手段】重合可能な主樹脂成分と、主樹脂成分を自己重合反応させる主硬化剤と、主樹脂成分に付加重合反応する副硬化剤とを含有させ、接着剤１２を構成される。この接着剤１２を基板１３に塗布し、半導体チップ１１を貼付し、加熱すると、主樹脂成分の自己重合反応によって形成される三次元網目構造の主鎖に対し、副硬化剤が付加重合する。付加重合による部分がゴム状構造になる第１の温度は、主鎖がゴム状構造になる第２の温度よりも低温なので、第１の温度で弾性率の低下率が急激に大きくなり、半導体チップ１１と基板１３の間の応力が緩和される。 （もっと読む）

【課題】
工業的に満足のいく方法で得られる低粘度で全塩素含有量の少ないトリメチロールプロパンポリグリシジルエーテルを提供すること、及び該化合物を配合し硬化した際、高いガラス転移温度を持つ硬化物が得られるエポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
トリメチロールプロパンの水酸基１当量に対し、エピクロルヒドリンを２〜１５モル、アルカリ金属水酸化物及び４級塩の相間移動触媒の存在下に常圧で反応させて得られるグリシジルエーテルであって、２５℃での粘度が３００ｍＰａ・ｓ以下、全塩素の含有量が０．７重量％以下、エポキシ当量が１４０ｇ／ｅｑ以下であるトリメチロールプロパンのポリグリシジルエーテル、及び該化合物と他のエポキシ樹脂、硬化剤を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】過酷な環境下で使用されてもクラック又は剥離が生じ難い光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用封止剤は、環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂反応物と、上記シリコーン樹脂反応物の上記環状エーテル含有基と反応可能な熱硬化剤とを含有する。上記シリコーン樹脂反応物は、単官能のカルボン酸及び単官能のアミン化合物の内の少なくとも１種の成分と、環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂との反応により得られる。光半導体装置１は、光半導体素子３と、該光半導体素子３を封止するように設けられた光半導体装置用封止剤４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体電子パッケージング物質の製造に有用なエポキシ樹脂配合物、およびより具体的にはキャピラリーアンダーフィル封止材を提供する。
【解決手段】電子部品はハンダジョイント１５（電子部品１４上のハンダバンプと基体１２上のボンディングパッドとから形成される）を介して基体１２に電気的に接続されており、このハンダジョイント１５は、電子部品１４と基体１２との間に配置された硬化したアンダーフィル組成物１１を有し、硬化したアンダーフィル組成物１１はジビニルベンゼンジオキシドを配合物中の成分として含み、キャピラリーアンダーフィル組成物の製造に有用な、低粘度で、ほとんど〜全く塩化物を含まないエポキシ樹脂配合物。 （もっと読む）

【課題】電子部品と相手部材とをポーラス状の貴金属よりなる金属導体を介して機械的に接合してなる電子装置において、金属導体の強度を適切に向上できるようにする。
【解決手段】電子部品１０と、電子部品１０と機械的に接続される相手部材２０と、電子部品１０および相手部材２０の間に介在し当該両者１０、２０を機械的に接続するものであって空孔３３を有するポーラス状をなすＡｇなどの貴金属よりなる金属導体３０と、を備え、金属導体３０は、その端面３１が電子部品１０および相手部材２０の間隙の端部より露出しており、金属導体３０の端面３１側から内部に向かって、金属導体３０を機械的に補強するポリイミドなどの補強樹脂６０が、金属導体３０の空孔３３に含浸されている。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れるシリコーン樹脂組成物、およびこれを用いる光半導体封止体。
【解決手段】１分子中に１つ以上の反応基を有する屈折率が１．４２〜１．５1のシリコーン樹脂と、平均粒径が２００ｎｍ以下の球状の疎水性シリカとを含有するシリコーン樹脂組成物、およびＬＥＤチップが当該シリコーン樹脂組成物で封止されている光半導体封止体。 （もっと読む）

【課題】金属ケース材を有する大型の電子部品に使用してもクラックや剥離が発生することがない、封止性に優れた電子部品封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた電子部品装置を提供する。
【解決方法】（Ａ）３０質量部〜１００質量部のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び脂環式エポキシ樹脂の少なくとも一種と、（Ｂ）７０質量部〜２０質量部の可撓性エポキシ樹脂からなる樹脂成分と、（Ｃ）８０質量部〜１２０質量部の酸無水物硬化剤と、（Ｄ）８０質量部〜３５０質量部の無機充填材としての結晶性シリカとを具え、（Ｄ）結晶性シリカは、（Ｄ−１）数平均粒径０．５μｍ〜３μｍの破砕型結晶性シリカ及び（Ｄ−２）数平均粒径８μｍ〜３０μｍの破砕型結晶性シリカを含むようにしてエポキシ樹脂組成物を調整する。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能なアンダーフィル形成用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、を含有し、上記（Ａ）熱可塑性樹脂がビスフェノールＡ、Ｆ共重合型フェノキシ樹脂を含む、アンダーフィル形成用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】室温での長期保管によっても流動性を保持し、封止成形時において良好な流動性及び硬化性を有し、かつ低吸湿性、低応力性、金属系部材との密着性のバランスに優れ、無鉛半田に対応する高温の半田処理によっても剥離やクラックが発生しない良好な耐半田性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）と、フェノール樹脂系硬化剤（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）と、ホスホニウムチオシアネート（Ｄ）と、カップリング剤と、を含み、前記カップリング剤がメルカプト基を有するシランカップリング剤（Ｅ）及び／又は２級アミノ基を有するシランカップリング剤（Ｆ）を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、並びにその硬化物により半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】シールド部材の耐久性の低下を抑制すること。
【解決手段】回路モジュール１は、電子部品実装面１０ａを有する基板１０と、電子部品実装面１０ａに搭載される電子部品群１１と、電子部品群１１を覆う第１封止部材としての第１モールド樹脂１２と、第１モールド樹脂１２を覆うと共に基板１０に接触するシールド部材としてのメッキ層１３と、メッキ層１３の部分のうち基板１０に接触する基板接触部１３ａを基板１０との間で挟み込み、メッキ層１３の少なくとも一部を覆う第２封止部材としての第２モールド樹脂１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に電気素子をエポキシ樹脂組成物で接合又は封止する場合に、硬化反応時及び半田リフロー処理時にアウトガスの発生を抑制し、エポキシ樹脂組成物を十分に硬化させる。
【解決手段】エポキシ樹脂組成物は、エポキシ化合物（Ａ）と硬化剤（Ｂ）と硬化触媒（Ｃ）とを含有する。エポキシ化合物（Ａ）は、グリシジル型エポキシ化合物（ａ１）３０〜５５質量％と脂環式エポキシ化合物（ａ２）３５〜６０質量％とウレタン変性エポキシ化合物（ａ３）５〜３０質量％とを含有し、硬化剤（Ｂ）は、アルミニウムキレート系硬化剤が多官能イソシアネート化合物を界面重合させて得られた多孔性樹脂に保持されてなるアルミニウムキレート系潜在性硬化剤であり、硬化触媒（Ｃ）は、特定の構造のシラノール化合物であり、そしてエポキシ化合物（Ａ）１００質量部に対するアルミニウムキレート系潜在性硬化剤（Ｂ）の配合量は、０．５〜５質量部である。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能を有し、ハウジング樹脂や電極金属材料との密着性に優れた光半導体封止用樹脂組成物、上記組成物で封止された発光装置を提供する。
【解決手段】特定の構造および繰り返し単位を有する耐熱性、耐紫外線性等の耐久性に優れるエポキシ基およびシラノール基を有するポリシロキサンとエポキシ基を有する有機化合物およびエポキシ樹脂用硬化剤の組合せによって得られる光半導体封止用組成物を１００〜１８０℃で３〜１３時間加熱することによって硬化させ、硬化体を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銀メッキとの密着性に優れる硬化体、それを用いた光半導体装置、及びそれらを得ることが可能なウレタン樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】ポリオール成分を含むＡ液と、ポリイソシアネート成分を含むＢ液とからなる２液型ウレタン樹脂組成物であって、上記Ａ液又はＢ液に２つ以上のチオール基を有する化合物を含む２液型ウレタン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】不具合が発生することなく、半導体チップの周囲及び背面側を樹脂基板で封止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体１０に、接続電極２０ａを支持体１０側に向けて半導体チップ２０を仮固定する工程と、支持体１０及び半導体チップ２０の上に、半導体チップ２０を被覆する樹脂染込防止用絶縁層３０を形成する工程と、樹脂染込防止用絶縁層３０の上に、半導体チップ２０の周囲及び背面側を封止する樹脂基板５０を形成する工程と、支持体１０を除去することにより、半導体チップ２０の接続電極２０ａを露出させる工程とを含む。半導体チップ２０の接続電極２０ａにビルドアップ配線ＢＷが直接接続される。 （もっと読む）