【課題】温度補償型の圧力センサモジュールにおいて、温度測定部および温度補償部を備えた温度補償装置と、圧力検出部を備えた圧力センサ装置とが互いに別々の半導体基板に形成された場合であっても、温度測定部が圧力センサ装置の温度を正確に測定することができ、適切に温度補償された圧力値を出力することが可能な圧力センサモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサモジュールは、圧力を検出する圧力検出部を有する圧力センサ装置と、温度測定部を有し前記温度測定部の出力値に基づいて前記圧力センサ装置の出力値を補償する温度補償装置と、を少なくとも備えてなる圧力センサモジュールであって、前記圧力センサ装置は、前記温度補償装置の前記温度測定部と重なる領域に配置されていること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】組み立て時の手間を軽減しながら、一方の音道の音波を他方に対して遅延させて音を検知可能な範囲（指向性の範囲）を広げることが可能なマイクロホン装置を提供する。
【解決手段】このＭＥＭＳマイク１０（マイクロホン装置）は、音波により振動するダイアフラム１４１を含み、ダイアフラム１４１の振動に基づいて音波を電気信号に変換する振動部１４と、内部に振動部１４を収容するとともに、ダイアフラム１４１の下面に音波を導く第１音道１７１と、ダイアフラム１４１の上面に音波を導く第２音道１７２とを含むマイクロホン筐体１７とを備え、第１音道１７１には、音波の進行方向に略直交する音道の断面を小さくして第２音道１７２に対して音波を遅延させる音波遅延部１２１ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制することができ、かつ圧力測定精度を向上することができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体圧力センサは、主表面１ａに凹部３およびアライメントマーク４を有する第１の基板１と、第１の基板１の主表面１ａ上に形成されており、第１の基板１の凹部３内の空間ＩＳ上を覆うように設けられたダイヤフラム５およびダイヤフラム５上に設けられたゲージ抵抗６を有する第２の基板２とを備えている。アライメントマーク４は第２の基板２から露出するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】シリコンチップの一部をモールド樹脂で封止し、他部をモールド樹脂より露出させてなる半導体装置の製造方法において、シリコンチップの露出部分と封止部分との境界を封止するための封止部材を、シリコンチップに取り付けるときの応力を低減し、シリコンチップへの損傷を極力抑制する。
【解決手段】封止部材として熱印加により収縮する材料よりなる環状の収縮シール部材６０を用意し、この収縮シール部材６０にシリコンチップ１０を挿入して上記境界１３に設けた後、収縮シール部材６０に熱を印加して収縮を完了させ、その後、モールド工程では、収縮シール部材６０を介して金型１００にてシリコンチップ１０を押さえ付けた状態で、モールド樹脂２０を注入する。 （もっと読む）

【課題】複数種類の物理量を測定するセンサに好適な計測装置のインタフェース装置を提供する。
【解決手段】複数の容量型センサの各出力が供給されるべき入力部(10)と、供給される切替指令信号に応じて上記入力部に供給される複数の容量型センサのいずれかの出力を選択するセンサ選択部(21)と、選択された容量型センサの出力をデジタル値に変換する信号変換部(22)と、デジタル値を含む伝送可能な電気信号を形成する出力部(23)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】感度の高い静電容量トランスデューサの製造方法を提供する。
【解決手段】一連の可動フィンガおよび一連の固定フィンガのうちの一方の位置を画定するために、基体上の層に第１エッチングマスクを適用する。一連の可動フィンガ、一連の固定フィンガ、本体及びばねを画定するために、第２エッチングマスクを適用する。本体は一連の可動フィンガ及びばねに接続され、一連の可動フィンガは一連の固定フィンガと相互に入り込む。第２エッチングマスクを使用して、層および第１エッチングマスクをエッチングする。第１エッチングマスクを使用して、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガとのうちの一方が、一連の可動フィンガと一連の固定フィンガのもう一方より短くなるように、エッチングされた層をエッチングする。力が本体に加わったときに、本体が基体に対して平行に動くように、本体、ばね及び一連の可動フィンガをエッチングを用いて分離する。 （もっと読む）

【課題】間隙底面の絶縁層の平坦性のバラツキにより生じるセル間及びセルを含むエレメント間の絶縁破壊強度のバラツキを低減した電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置の製造方法において、第一の基板１の上に第一の絶縁層２を形成し、第一の絶縁層２の一部を第一の基板１まで除去して隔壁３を形成し、第一の絶縁層２の一部が除去された第一の基板１の領域上に第二の絶縁層１０を形成する。次に、第二の基板１８を隔壁３の上に接合して間隙２４を形成し、第二の基板１８から、間隙２４を介して第二の絶縁層１０と対向する振動膜２３を形成する。隔壁３を形成する工程では、第一の基板１に垂直な方向において間隙２４側の高さが中央部の高さよりも低くなるように隔壁３を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路素子を縦積みにした半導体装置において、半導体素子と回路素子を結ぶ接続用配線の寄生抵抗を小さくし、さらに接続用配線どうしの短絡が起きにくくする。
【解決手段】基板４５の上面にバンプ接合パッド６１を設け、回路素子４３のバンプ７０をバンプ接合パッド６１に接続する。バンプ接合パッド６１は、パターン配線６４によってカバー４４との対向面に設けられた基板側接合部６９に接続されている。カバー４４の下面にはマイクチップ４２が実装される。カバー４４の、基板４５と対向する面には第１の接合用パッド（ボンディング用パッド４８、カバー側接合部４９）が設けられ、マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によって第１の接合用パッドに接続される。カバー４４の第１の接合用パッドと基板４５の基板側接合部６９は導電性材料６５によって接合されており、その結果マイクチップ４２と回路素子４３が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】セルを配置した基板を支持する支持部材に進入する弾性波を低減して、支持部材内で反射する弾性波による送受信特性の劣化を抑制することができる電気機械変換装置を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は、第２の電極１０５と間隙１０４を介して対向して設けられた第１の電極１０２を含む振動膜１０１を夫々有する複数のセル２００を基板１０６上に備え、送信動作及び受信動作の少なくとも一方を行う。基板１０６は、支持部材１１０との間にスペーサー間隙１１２が形成されるように、スペーサー手段１１１を介して支持部材１１１により支持される。セルを備えた基板１０６の面とは逆側の基板１０６の裏面と、この裏面に対向した支持部材１１０の面と、の間にスペーサー間隙１１２が形成され、スペーサー間隙内は、均一の気体または液体で満たされた状態に保たれている。 （もっと読む）

【課題】マイクチップと回路素子を縦積みにした半導体装置の耐ノイズ性を向上させる。
【解決手段】カバー４４と基板４５を上下に重ね合わせることによってパッケージを形成する。カバー４４に設けた凹部４６の天面にはマイクチップ４２が実装され、基板４５の上面には回路素子４３が実装される。マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によってカバー下面のパッド４８に接続され、回路素子４３はボンディングワイヤによって基板上面のパッドに接続される。カバー下面のパッド４８に導通したカバー側接合部４９と基板上面のパッドに導通した基板側接合部６９は、導電性材料８６によって接合される。ボンディング用パッド４８及びカバー側接合部４９の近傍において、カバー４４内には電磁シールド用の導電層５５が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】回路チップの一面側にセンサチップを電気的に接続するとともに、回路チップの一面側に接続部材を設け、接続部材を介して回路チップを基台に支持してなるセンサ装置において、接続部材と基台とのはんだ接合性を向上させる。
【解決手段】接続部材は、Ａｇ−Ｓｎ合金の焼結体よりなり、回路チップ２０側から基台１０側に向かって先窄まりとなるアスペクト比が１以上の円錐形状をなす円錐部材４０であり、基台１０の一面１１に設けられたはんだ６０により、円錐部材４０の先端部４２側と基台１０とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面側からエッチングすることにより、基板裏面における開口面積が基板表面における開口面積よりも小さな空洞を基板に形成することができる音響センサを提供する。
【解決手段】基板４２には、その表面から裏面へ貫通するように空洞４４を設ける。空洞４４の上方において、基板４２の上方には音響振動を感知する薄膜のダイアフラム４３を設ける。空洞４４の少なくとも１つの壁面は、基板４２の表面とその厚み方向中間部との間において、基板４２の表面から前記中間部へ向かうにつれて次第に基板４２の外側へ向かって広がった第１の斜面４７ａと、前記中間部と基板４２の裏面との間において、前記中間部から基板４２の裏面へ向かうにつれて次第に基板４２の内側へ向かって狭まった第２の斜面４７ｂとで構成される。また、空洞４４の裏面開口幅が表面開口幅よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 （もっと読む）

【課題】複数のセンサー素子間での特性バラツキを抑制し、所望の歩留まりが得られる超音波アレイセンサーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】超音波アレイセンサーにおいて、センサー素子２は、圧電体層８の平面パターンが下部電極５の平面パターンよりも外側にはみ出しておらず、上部電極３の平面パターンが圧電体層８の平面パターンよりも外側にはみ出していない。下部電極引き回し配線６は、コンタクトホール１３を介して下部電極５と電気的に接続され、コンタクトホール１３の箇所を除いて圧電体層８の一面上に配置されている。上部電極引き回し配線４は、下部電極引き回し配線６の延在方向と交差する方向に延在して上部電極３と一体に形成され、圧電体層８の一面上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】実装時の応力緩和を達成しつつ、機械的強度を保ち、かつ圧電デバイスの小型化にも適した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】枠部３０と枠部３０の内周側に配置された圧電振動片２２とを有する圧電振動基板２０と、圧電振動基板２０の一方の主面と対向するように配置され、枠部３０に接合された第１基板１２と、圧電振動基板２０の他方の主面と対向するように配置され、枠部３０に接合された第２基板４０と、を備え、圧電振動基板２０には、枠部３０の外周の圧電振動片２２を挟んで対向する端部に夫々配置された接続部３２，３６の一辺を二分するように切り欠くスリットが設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最適化された感度を有するＭＥＭＳおよび／またはＮＥＭＳ圧力測定デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上で懸架された変形可能な膜４であって、膜の面の１つが測定される圧力を受けるように意図された膜と、歪みゲージを備え、膜４の変形を検出する手段であって、基板２上に形成される検出手段６と、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達する変形不能なアーム１４とを備え、アーム１４が、膜４の面にほぼ平行な軸線Ｙの周りで回転可能に基板２にヒンジ留めされ、膜４の変形を増幅された形で検出手段６に伝達するように膜と一体である。 （もっと読む）

【課題】センサチップの一端側をモールド樹脂で封止してモールド樹脂で片持ち支持するようにしたモールドパッケージの製造方法において、モールド樹脂による封止前におけるセンサチップのぐらつきを防止して、工程中のワークの取り扱い性に優れた製造方法を実現する。
【解決手段】センサチップ２０の一端２３側をモールド樹脂５０で封止してモールド樹脂５０で片持ち支持するようにしたモールドパッケージＳ１の製造方法においてリードフレーム３０として、センサチップ２０の他端２４側を支持する支持部３３を有するものを用意し、センサチップ２０の他端２３側を支持部３３で受けて支持するようにし、支持部３３による支持を維持した状態にてモールド樹脂５０による封止を行った後に、リードフレーム３０から支持部３３をカットして、センサチップ２０の他端２４側から支持部３３を除去する。 （もっと読む）

【課題】圧力センサと高精度の力学量センサとが最適にモジュール化されて、各力学量センサの性能がモジュール化に伴い低下することのない安価な力学量センサ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力を検出する第１力学量センサＲ１の第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量センサＲ２の第２力学量検出部Ｍ２とが、第１の基板１０に変位可能な状態に形成され、第２の基板２０が貼り合わされて第１空間Ｋ１と第２空間Ｋ２が互いに連通せずに形成されてなり、第１の基板１０がＳＯＩ基板からなり、ＳＯＩ層３からなる一部の半導体領域Ｓで第１力学量検出部Ｍ１と第２力学量検出部Ｍ２がそれぞれ構成されてなり、第２力学量検出部Ｍ２が、第２可動半導体領域Ｓ２ａと第２固定半導体領域Ｓ２ｂの対向する面の静電容量の変化を測定して、第２力学量を検出する力学量センサ装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】特性が安定で、ローコスト化が可能な圧力センサを実現する。
【解決手段】測定ダイアフラムに歪センサが形成されている圧力センサにおいて、第１の半導体基板の一方の面に形成された半導体歪ゲージと、第１の半導体基板の一方の面に一方の面が接合された第２の半導体基板と、半導体歪ゲージを挟んで第１の半導体基板と第２の半導体基板の一方の面に直交して互いに対向して設けられ半導体歪ゲージを含む測定ダイアフラムを形成する第１，第２の測定室と、第１の半導体基板の他方の面に一面が接して設けられた支持基板と、支持基板の他方の面に低融点ガラスを介して一面が接する金属よりなる支持台と、一端が第１の測定室に連通し一端側が支持基板に設けられ他端側が支持台に設けられた他端が外部に開口する第１の導圧孔と、一端が第２の測定室に連通し一端側が支持基板に設けられ他端側が支持台に設けられた他端が外部に開口する第２の導圧孔とを具備したことを特徴とする圧力センサである。 （もっと読む）