【課題】照射されるイオンに金属不純物の混入することのない荷電粒子引出照射機構を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ型のプラズマ発生手段により、プラズマ生成室２００内に誘導結合プラズマを励起し、被処理体１２０にイオンでプラズマ処理を施す荷電粒子引出照射機構１であって、誘導結合プラズマから被処理体に向けて、誘導結合プラズマを引出し制御する複数の多孔電極１０、２０、３０、４０が、相互に離隔して平行に配置されており、かつ、全ての多孔電極がカーボン材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】熱による厚み方向への変形を防止する引き出し電極を備えたイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】加速電極２０ａに形成され加速電極２０ａの取り付け位置を位置決めする基準穴２５ａと、加速電極２０ａに形成され加速電極２０ａの取り付け位置を案内する案内穴２６ａと、電極取り付け板に立設された基準穴２５ａと係合する加速電極保持軸４０と、電極取り付け板に立設された案内穴２６ａと係合する加速電極案内軸４１と、基準穴２５ａおよび案内穴２６ａの周囲を加速電極２０ａの厚み方向に押圧する圧縮コイルバネと、を有し、案内穴２６ａは基準穴２５ａの中心と加速電極２０ａの中心を結ぶ直線上に設けられ、直線に沿って長穴形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ動作用のイオン・モードまたはＳＥＭ動作用の電子モードで動作するユーザが選択可能な構成を有する単一カラム誘導結合プラズマ源を提供すること。
【解決手段】Ｘ線検出器が装着されていれば、エネルギー分散型のＸ線分光分析が可能である。ユーザは、イオン・モードまたはＦＩＢモードで試料を調製するようにＩＣＰを選択的に構成し、次いで電子モードまたはＳＥＭモードを選択するスイッチを実際に動かし、ＥＤＳまたは他のタイプの分析を使用して試料を分析することができる。 （もっと読む）

【課題】効率的にイオンミリング加工を行えるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するプラズマ生成室１０と、プラズマ生成室１０に連通する処理室４０と、プラズマ生成室１０から処理室４０へイオンビームを引き出す複数の引き出し電極２０，２１，２２と、複数の引き出し電極２０，２１，２２から選択された一つの引き出し電極をプラズマ生成室１０の開口部１８に移動させるスライドテーブル３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】表面が任意の初期形状の被加工物でも表面を平坦に加工できるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム源１０として第１イオンガン１１と、第２イオンガン１２と、を備え、第１イオンガン１１を制御する第１制御部２９ａと、第２イオンガン１２を制御する第２制御部２９ｂと、イオンビームが照射される位置に基板１４を搭載し回転する基板ホルダー３５と、を備え第１イオンガン１１は、第１イオンガン１１の中心軸Ｃ１が基板ホルダー３５の中心を通る位置に配置され、第２イオンガン１２は、第１イオンガン１１と同じ方向にイオンビームが出射され、かつ第２イオンガン１２の中心軸Ｃ２が基板ホルダー３５の中心から偏心した位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ビームを形成する目的に対して望ましい小さなエネルギー幅を得るために、荷電粒子ビーム・システム内でのプラズマとの容量結合を低減させる。
【解決手段】集束荷電粒子ビーム・システム用の誘導結合プラズマ源２００は、プラズマとの容量結合を低減させるため、プラズマ室１０２内に導電性シールド２０２を含む。この内部導電性シールドは、バイアス電極１０６またはプラズマ１０４によってプラズマ源と実質的に同じ電位に維持される。この内部シールドは、プラズマ室の外側においてより幅広いさまざまな冷却方法を使用することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】集束イオン・ビーム・カラム用のプラズマ源内の処理ガスの迅速な変更または汚染の迅速な除去を可能にする方法および装置を提供すること。
【解決手段】開閉式ガス通路は、荷電粒子ビーム・システムの誘導結合プラズマ源内の処理ガスまたは焼出しガスの迅速な排出を提供する。一般に源電極またはガス入口の一部に配置された弁は、プラズマ室を排気するために開いているときにガスの導通を増大させ、プラズマ源の動作中は閉じる。 （もっと読む）

【課題】一定の加速電圧で処理対象物の厚さ方向全長に亘って均一なイオン濃度分布を得ることができる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、減圧下で所定の処理ガスを導入してプラズマを形成し、このプラズマ中のイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物Ｗ内に注入するイオン注入法であって、処理ガスとして、Ｘ_ｍＹ_ｎ（式中、Ｘ及びＹを互いに異なる元素であって、その質量数が１、５〜４０の原子とし、ｍ＝１〜４、ｎ＝１〜１０とする）で表される分子の中から選択されるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】高周波放電型のプラズマ発生装置において、ＰＦＧ電流の減少が少なく、長寿命化を図る。
【解決手段】プラズマ生成容器内で高周波放電によってガスを電離させてプラズマを生成して、電子放出孔を通してプラズマよりの電子を外部に放出する装置であって、プラズマ生成容器内に設けられていて高周波を放射するアンテナとアンテナ全体を覆うものであって絶縁物から成るアンテナカバーとを備えており、前記電子放出孔のあるプラズマ電極材質が導電性材料であるプラズマ発生装置において、プラズマ電極の表面にプラズマによるスパッタリングによって絶縁物がプラズマ電極のプラズマ側に堆積することを防止し、導通を確保する筒状の枠体領域に枠体の内側または内側と外側に厚みの異なる突起部がある枠カバーをもっていることを特徴とするプラズマ発生装置。 （もっと読む）

【課題】 イオン源の引出し電極系を構成する電極の広い領域に亘って高速で堆積物を除去することができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 イオン源２のプラズマ生成部４にイオン化ガスを導入してイオンビームを引き出す代わりに、引出し電極系１０を構成する第１電極１１と第２電極１２との間にクリーニングガス４８を供給して、第１電極１１と第２電極１２との間のガス圧を、イオンビーム引き出し時のガス圧よりも高く保った状態で、第１電極１１と第２電極１２との間にグロー放電用電源６０から電圧を印加して、両電極１１、１２間にクリーニングガス４８のグロー放電８０を発生させる。 （もっと読む）

【課題】様々なイオン種を発生させることができ、イオンエネルギーが揃ったイオンを発生させることができるイオン源の実現。
【解決手段】イオン源は、図１のように、低インダクタンス内部アンテナ１０と、低インダクタンス内部アンテナ１０を内部に保持する誘電体容器１１と、誘電体容器１１および引き出し電極１３を内部に保持する真空容器１４と、によって構成されている。誘導結合プラズマは誘電体容器１１内部で生成されるため、金属に対する腐食性の高いガスのイオンも生成可能である。また、低インダクタンス内部アンテナ１０を用いているため、プラズマ電位の揺動を小さく抑えることができ、エネルギーの揃ったイオンを引き出すことができる。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマイオン源が高ｄｃ電圧にバイアスされた集束イオンビームシステムにおいて、イオン源内のプラズマに点火する方法を提供する。
【解決手段】バイアス電源９３０からの高ｄｃ電圧は、集束イオンビームカラムの近くでプラズマ点火装置９５０からの振動波形が結合（重畳）されて、プラズマ室９５４の一部を構成する源バイアス電極９０６に印加される。プラズマ点火装置９５０は論理回路９２４によって制御されるプラズマ点火装置電源９２５によって駆動される。電位の低いプラズマ点火装置９５０からの振動波形は、絶縁変圧器またはキャパシタ等を通して高ｄｃ電圧に結合（重畳）される。集束イオンビームカラムの近くにプラズマ点火装置９５０を取り付けることによって、高ｄｃ電圧を供給するケーブルの静電容量の影響が最小化される。 （もっと読む）

【課題】装置全体を大きくすることなく、基板への入射イオンビームの均一性を図ったイオンビーム発生装置を提供する。
【解決手段】放電槽２でプラズマを発生させ、引き出し電極７より環状のイオンビームを引き出し、偏向電極３０によって、該イオンビームを環状の中心方向に屈曲させて基板Ｗに対して、傾斜した方向から入射させる。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビーム装置に用いられる誘導結合型プラズマイオン源において、プラズマ室を冷却する手段と方法、並びにプラズマ室と接地電位の間の異常放電を防止する手段と方法を提供する。
【解決手段】プラズマ室１０２の外壁１０６に沿って絶縁性液体１２６を流すことによってプラズマ室を冷却する。プラズマ源ガスは接地電位にあるタンク１５０からレギュレータ１５２、調整弁１５６、および流量制限器１５８を介してプラズマ室１０２に供給される。前記流量制限器を前記プラズマ室の近傍に設けて、プラズマ電位と接地電位との間の電圧が比較的ガス圧力の高いところに加わるようにすることによって、プラズマ室と接地電位の間の異常放電を防止する。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム発生装置の第２電極と、第２電極と接続される電源との間に、並列接続してバイパス回路を設けることにより、電源の焼損を防ぐことができる。
【解決手段】イオンビーム発生装置は、プラズマ発生源５と、プラズマ発生源１により発生されたプラズマを閉じ込めるための放電槽１０と、放電槽の前面に設けられた引出し電極２０とを備え、該引出し電極２０は、放電槽１０側に設けられ、かつ正極直流電源７と接続するための第１電極２と、第１電極２の前面に設けられ、かつ負極直流電源８と接続するための第２電極３と、第２電極３の前面に設けられ、接地された第３電極４と、第２電極２と接続され、かつ該負極直流電源８と並列接続されたバイパス回路１４とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に入射する正のイオン流による急速な帯電に起因するアーク放電を生じることなく、絶縁材料の堆積にも使用できるイオンビーム源を提供する。
【解決手段】非導電ターゲットとともに使用するイオンビーム源であって、イオンを抽出するグリッド１〜４と、このグリッドにパルス電力を供給する電源（直流電源１６およびビーム制御装置１７）とからなり、前記電源は、グリッド１電源〜グリッド３電源と、前記グリッドに対する電力の供給を接続および遮断するスイッチのセット１９と、このスイッチを制御する電力スイッチング装置２１と、スイッチの切替を行うためのパルス発生器２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】３枚の多孔板電極からなる引き出し電極を備えたイオンビーム発生装置において、第３電極を損傷することなく、第３電極に付着した付着膜を除去する技術を提供する。
【解決手段】第１電極７ａを正電位に、第２電極７ｂを負電位に、第３電極７ｃを接地電位にそれぞれ設定し、第３電極７ｃに流れる電流値を電流計９で測定しながら、該電流計９で測定された電流値が設定値を超えた場合には、フィードバック制御部１０によって第２電極７ｂに印加する電圧の絶対値を上げる。 （もっと読む）

【課題】加速イオンを用いた低温プラズマ浸漬イオンにより様々な試片を加工処理する装置と方法を提供する。
【解決手段】本発明によるプラズマ浸漬イオンを用いた加工装置は、チャンバ内部に円筒形加工物が載置されると共に円筒形加工物の周囲を低温プラズマが囲むようになり、多重スロットを有する抽出電極を含む加工物蓋が円筒形加工物の周囲を覆ってプラズマから分離させ、スパッタリングを誘発するに十分な負電位が円筒形加工物と加工物蓋の抽出電極に付加されることにより、プラズマから出てきたイオンが抽出電極とプラズマとの間に形成されたシース内で加速され、抽出電極のスロットを通過して円筒形加工物に衝突して円筒形加工物の表面粗さを減少させる方式で行われ、本発明による加工装置及び方法は、大面積の円筒形基板、特に、マイクロまたはナノパターン転写技術のための基板表面を数ｎｍの表面粗さにする効果があり、単一または多重チャンバ内でプラズマ洗浄、表面活性、表面研磨、乾式エッチング、蒸着、プラズマ浸漬イオンの注入及び蒸着などの工程を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ・イオン源を使用した集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムにおいてミリングおよび画像化を実行する方法を提供すること。
【解決手段】本方法では、ＦＩＢシステムをミリング・モードで動作させるための最適化されたパラメータを表す第１のセットと、画像化モードで動作させるための最適化されたパラメータを表す第２のセットの２つのＦＩＢシステム動作パラメータ・セットが利用される。これらの動作パラメータは、ＩＣＰ源内のガス圧、ＩＣＰ源へのＲＦ電力およびイオン抽出電圧を含むことができ、いくつかの実施形態では、レンズ電圧およびビーム画定アパーチャ直径を含むＦＩＢシステム・イオン・カラム内のさまざまなパラメータを含むことができる。最適化されたミリング・プロセスは、基板の表面から材料をバルク（低空間分解能）高速除去する最大ミリング速度を提供する。最適化された画像化プロセスは、ミリング中の基板領域の画像化を改善するため、最小化された材料除去およびより高い空間分解能を提供する。 （もっと読む）