【課題】改善されたイオンビームにより基板を加工するための方法、及び基板を加工するためのイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明は、イオンビーム装置(1) のイオンビーム源(1.1) によって発生し、基板(2) を加工するために基板(2) の表面(2.1) を向いたイオンビーム(I) により基板(2) を加工するための方法に関する。イオンビーム(I) は、炭素含有材料から少なくとも部分的に形成されたオリフィス板(1.3) によって導かれる。本発明によれば、炭素と反応する遊離体(E) が、イオンビーム(I) によってオリフィス板(1.3) から放出された炭素が酸化するように方向性のある流れでオリフィス板(1.3) と基板(2) との間に導かれる。 （もっと読む）

【課題】改良されたビーム画定絞り構造および製作方法を提供すること。
【解決手段】支持基板の空洞の上に配置された薄い導電膜に絞り開口を形成する。絞り開口のサイズおよび形状は、基板によってではなく、導電膜の開口によって決定される。 （もっと読む）

【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに１回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート１０７を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材３９と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具８であって、前記電極部材は、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高密度の荷電粒子小ビームを用い、高精度で荷電粒子小ビームを操作することのできる粒子光学システムを提供する。
【解決手段】粒子光学装置であって、荷電粒子ビームを発生させる少なくとも１つの荷電粒子源３０１と、複数の開孔を有し、その下流側で荷電粒子ビーム３０９から複数の荷電粒子小ビーム３が形成され、その集束領域に荷電粒子小ビームのそれぞれが焦点３２３を有する少なくとも１つの多孔プレート３１３と、荷電粒子小ビームの焦点が形成される多孔プレートの集束領域で視野レンズの効果を有する焦点レンズ装置３０７と、粒子光学装置の物体面内に位置決め可能な物体上に多孔プレートの集束領域をおおむね結像させるための対物レンズ１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本願の目的は、ゲッタポンプを用いて荷電粒子源周辺を排気する構成において、荷電粒子源駆動中の排気性能の低下を抑制する。
【解決手段】 荷電粒子線の成形を行うアパーチャであって、前記アパーチャは表面に非蒸発型ゲッタポンプを有し、前記非蒸発型ゲッタポンプが前記荷電粒子線の照射を受ける位置に設置される。 （もっと読む）

【課題】リボン状のイオンビームの長辺方向におけるビーム電流密度分布を電界レンズにより調整する場合に、従来の電界レンズで発生していたイオンビームの長辺方向における伸縮作用を低減させる。
【解決手段】このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム２の長さ方向におけるビーム電流密度分布の計測結果に応じて、イオンビーム２の長辺方向における少なくとも一部を略短辺方向に向けて偏向させる偏向電極５と偏向されたイオンビーム２を部分的に遮蔽する遮蔽部材６を備えている。また、偏向電極５はイオンビーム２の短辺方向からイオンビーム２を挟んで対向配置された１枚の平板電極１１と電極群１２で構成されている。そして、平板電極１１は電気的に接地されているとともに、電極群１２を構成する複数の電極１３〜１７は互いに電気的に独立していて、各電極には電位設定を行う為の複数の電源Ｖ１〜Ｖ５が個別に接続されている。 （もっと読む）

【課題】最近のナノテクノロジー技術の進展に伴う透過電子顕微鏡に対する新たなニーズにおいて、例えば電子線の平行性を維持したまま数ｎｍ領域に照射して、同サイズの物体の精密な構造解析や三次元可視化像の構築法が提案されているが、そのためには、孔径が１μｍ程度の超微小孔絞りが必要であり、このような超微小孔保有の絞り用プレート板を実現することを目的とする。
【解決手段】イオンビーム加工を用いた製造技術により、電子線を遮蔽するために要求される１００μｍ程度の厚みを有する金属板７に対して、多段の円筒形状の空洞からなる孔１１の加工を施し、目的の超微小の孔を逆方向から加工することにより得て、直径１μｍ程度の超微小孔径を有する顕微鏡用絞りプレート板とその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置において正確な絞り位置調整を行う。
【解決手段】電子銃111から試料に照射する電子ビームを通過させるための複数の絞り穴を備える絞り板113と、電子ビームの通過経路で前記絞り板を駆動する絞り駆動部170と、前記絞り板により遮断される前記電子ビームを電流として検出する電流検出部160と、前記電子ビームの照射と前記絞り駆動部による前記絞り板の駆動状態を制御する制御部101と、を備えた電子ビーム装置で電子ビームを絞る際に、電子ビームの通過経路中で複数の絞り穴が設けられた絞り板113を所定方向に移動させつつ、電流検出部160で検出される電流により絞り板113の駆動位置を算出する。 （もっと読む）

【課題】低コストで高精度かつ高分解能の荷電粒子ビーム用収束光学系を提供する。
【解決手段】ビーム軌道を輪帯状に制限し、電磁界をそのビーム軌道軸の中心方向に集中させる分布を作る。その結果、電子レンズの球面収差に代表される外側で大きな非線形の作用を打ち消す。具体的には、軸上に電極を置き電圧を印加すれば、容易に電界集中が発生する。また、磁界の場合は、回転方向に角度等分割した面に径方向に分布巻きしたコイルを形成すれば、磁束密度の集中を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】絞り孔の形状が安定し、絞りの寸法精度が保たれた電子顕微鏡に用いる絞り装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、前記シリコン基板側から順にシリコン酸化膜、自立薄膜が積層された構造であり、前記自立薄膜は前記シリコン酸化膜よりもヤング率が大きく、かつ引張応力を有することを特徴とする電子顕微鏡に用いる絞り装置。また、シリコン基板上に、前記シリコン基板側から順にシリコン酸化膜、シリコン膜が積層されたＳＯＩ基板からなり、前記シリコン基板及び前記シリコン酸化膜の一部は切欠かれており、前記シリコン膜は前記シリコン酸化膜に支持されていない領域において前記シリコン基板側に露出面を有し、前記シリコン基板及び前記シリコン酸化膜に支持されていない前記シリコン膜の厚さが０．２μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする電子顕微鏡に用いる絞り装置。 （もっと読む）

【課題】
基板の面内に形成される不均一なドーズ量分布の形状によらず、不所望なドーズ量分布である遷移領域を小さくするとともに、イオン注入処理に要する時間を短縮させることのできるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】
このイオン注入方法は、イオンビーム３と基板１１との相対的な位置関係を変更させることによって、基板１１へのイオン注入を実施するイオン注入方法である。そして、基板１１上に均一なドーズ量分布を形成する第一のイオン注入処理と基板１１上に不均一なドーズ量分布を形成する第二のイオン注入処理とを予め決められた順番に従って行うとともに、第二のイオン注入処理時に基板１１上に照射されるイオンビーム３の断面寸法が、第一のイオン注入処理時に基板１１上に照射されるイオンビーム３の断面寸法よりも小さい。
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【目的】本発明は、電子顕微鏡等の荷電粒子光学系の可動絞り装置に関し、鏡筒に１つの孔でよく、かつ部品点数を少なくして安価で鏡筒からの突出を極めて小さくして操作時に邪魔にならないようにできると共に、絞りの位置合わせを容易かつ絞りが汚染した場合に鏡筒を分解することなく簡易に交換することを目的とする。
【構成】荷電粒子光学系を構成する鏡筒の側面に設けたフランジと、フランジに真空シールして軸方向に移動あるいは軸方向に回転あるいは両者の回転・移動を可能にして装着した２つのＸ駆動シャフトおよびＹ駆動シャフトと、Ｘ駆動シャフトおよびＹ駆動シャフトの移動あるいは回転あるいは回転・移動に連動して絞りをある一定方向および一定方向にほぼ直角方向にそれぞれ移動させる移動機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は可変成形形電子ビーム描画装置に関して、第１の成形開口板３（又は絞り）上の電流密度分布を均一にするために、球面収差係数を減少させる手法とは異なる方法により球面収差起因の電流密度むらを解消することを目的としている。
【解決手段】
荷電粒子源、照明レンズ群、絞り、投影レンズ群、及び材料面の順にこれらが配置され、前記荷電粒子源から出射される荷電粒子ビームが前記照明レンズ群を介 して前記絞り上に照射され、更に投影レンズにより前記絞りの像が材料面上に結像される状態で絞りを通過したビームが材料上に照射される荷電粒子ビーム装置 において、前記照明レンズ群は、前記荷電粒子源の像が前記絞り上に結像しないように配置され、かつ前記照明レンズ群のうちの一つのレンズが、前記絞りの位置と光学的に共役関係にある位置に配置されて構成される。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム応用装置では，複数の電子ビーム検出器および電磁波発生手段をもつことにより性能向上が図れるが，空間的制約により同時に配置することが困難である。
【解決手段】
電子ビーム検出器（１０２，１０５）と電磁波発生手段（１０２，１０４，１０８，１０９）を両立した構成１００により，電子ビーム応用装置内部に多数の電子ビーム検出器及び電磁波発生手段を配置することができ，電磁波発生手段による試料表面の電位の制御やコンタミネーションの除去により，長期間安定した像観察が可能になる。 （もっと読む）

【課題】平行化レンズを用いずに、ガラス基板に対してのイオン注入を実現するＣООに優れたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム３をガラス基板７に照射する質量分析型のイオン注入装置１であって、さらに、イオン源２から質量分析マグネット４までのイオンビーム３の輸送経路にイオンビーム発散手段を備えている。イオンビーム発散手段は、イオンビーム３の長辺方向（Ｙ方向）とイオンビームの進行方向（Ｚ方向）からなる平面において、ガラス基板７上に引かれた垂線とガラス基板７に入射するイオンビーム３との成す角度であるイオンビーム３の照射角度が０度よりも大きくデザインルールに基づいて設定される許容発散角度以下となるように、イオンビーム３をその長辺方向に発散させる。 （もっと読む）

【課題】機械的強度を維持しつつ微細孔を形成することができ、ＴＥＭの制限視野電子回折像観察に好適な制限視野絞りプレート及びその製造方法等を提供する。
【解決手段】機械的強度を確保した電子線を遮蔽する数10 μm以上の厚さのタンタル、モリブデンなどの単一材料で構成された絞りプレート11に、FIB加工により予備加工領域16(2μm以下)を形成し、次に1μm以下の微細孔15を形成する。この微細孔15の側壁部をシャープかつ非テーパー状に形成することで、200keVないし300keVの高エネルギー電子線でも透過しないようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は対物レンズ絞り上で散乱する電子の量を制限し、主電子線軌道から外れ、分析点以外に照射される電子を制御することでシステムピークを抑制し、試料の元素スペクトルの信憑性または定量精度の高い走査電子顕微鏡または走査電子顕微鏡による試料検査方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、電子線から放出された一次電子線を集束レンズで集束し対物レンズ絞りに照射し、コンデンサー絞りで該照射のビーム径を絞り、対物レンズの孔中心を通過し集束させ、前記電子線の照射によって試料から発生した二次電子または散乱電子を検出し前記試料を検査する際に、前記対物レンズ絞り、前記コンデンサー絞り及び前記集束レンズを含む電子光学系の有するシステムピーク強度を抑制するように前記ビーム径を定めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可変開口を利用したイオン注入方法とイオン注入機を提供する。
【解決手段】イオンビームの形状を変化させ、特に、基板付近で、イオンビームの最終形状を変化させ、その後、成形後のイオンビームにより、基板に対しイオン注入を実行する可変開口を有する開口調整装置を提供する。よって、基板の異なる部分、又は、異なる基板は、複数の固定開口を使用しない、又は、毎回、イオンビームを再調整しない情況下で、それぞれ、異なる成形後のイオンビームにより、イオン注入を実行する。つまり、高コストで、複雑な操作なしでも、それぞれ、特製のイオンビームにより、異なるイオン注入を実行する目的を達成することができる。この他、公知技術と比較すると、可変開口の調整は、機械操作により容易に達成されるので、イオンビーム調整プロセスが加速されて、イオン注入を実行する特定のイオンビームのイオンビーム調整プロセスが達成される。 （もっと読む）