【課題】改善されたイオンビームにより基板を加工するための方法、及び基板を加工するためのイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明は、イオンビーム装置(1) のイオンビーム源(1.1) によって発生し、基板(2) を加工するために基板(2) の表面(2.1) を向いたイオンビーム(I) により基板(2) を加工するための方法に関する。イオンビーム(I) は、炭素含有材料から少なくとも部分的に形成されたオリフィス板(1.3) によって導かれる。本発明によれば、炭素と反応する遊離体(E) が、イオンビーム(I) によってオリフィス板(1.3) から放出された炭素が酸化するように方向性のある流れでオリフィス板(1.3) と基板(2) との間に導かれる。 （もっと読む）

【課題】改良されたビーム画定絞り構造および製作方法を提供すること。
【解決手段】支持基板の空洞の上に配置された薄い導電膜に絞り開口を形成する。絞り開口のサイズおよび形状は、基板によってではなく、導電膜の開口によって決定される。 （もっと読む）

【課題】高密度の荷電粒子小ビームを用い、高精度で荷電粒子小ビームを操作することのできる粒子光学システムを提供する。
【解決手段】粒子光学装置であって、荷電粒子ビームを発生させる少なくとも１つの荷電粒子源３０１と、複数の開孔を有し、その下流側で荷電粒子ビーム３０９から複数の荷電粒子小ビーム３が形成され、その集束領域に荷電粒子小ビームのそれぞれが焦点３２３を有する少なくとも１つの多孔プレート３１３と、荷電粒子小ビームの焦点が形成される多孔プレートの集束領域で視野レンズの効果を有する焦点レンズ装置３０７と、粒子光学装置の物体面内に位置決め可能な物体上に多孔プレートの集束領域をおおむね結像させるための対物レンズ１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】リボン状のイオンビームの長辺方向におけるビーム電流密度分布を電界レンズにより調整する場合に、従来の電界レンズで発生していたイオンビームの長辺方向における伸縮作用を低減させる。
【解決手段】このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム２の長さ方向におけるビーム電流密度分布の計測結果に応じて、イオンビーム２の長辺方向における少なくとも一部を略短辺方向に向けて偏向させる偏向電極５と偏向されたイオンビーム２を部分的に遮蔽する遮蔽部材６を備えている。また、偏向電極５はイオンビーム２の短辺方向からイオンビーム２を挟んで対向配置された１枚の平板電極１１と電極群１２で構成されている。そして、平板電極１１は電気的に接地されているとともに、電極群１２を構成する複数の電極１３〜１７は互いに電気的に独立していて、各電極には電位設定を行う為の複数の電源Ｖ１〜Ｖ５が個別に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、ダミーウェハを使用することなく、ウェハが装着されない装着部の劣化を防止可能なイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、イオン注入装置が提供される。イオン注入装置は、イオン注入部と、複数の装着部と、傾斜機構とを備える。イオン注入部は、ウェハへイオンビームを照射して該ウェハへイオンを注入する。装着部は、ウェハをそれぞれ装着可能に構成され、前記イオンビームが照射される照射領域へ順次移動する。傾斜機構は、ウェハが装着されない前記装着部を前記イオンビームが照射されない位置まで傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】複数のイオン源から所望のイオン種を色収差なく選別する集束イオンビーム装置用の質量フィルタを提供する。
【解決手段】イオン源１１４により生成された複数のイオン１１０は、上部レンズ１０６により略平行なビーム３１０となり質量フィルタ３０４に入射する。質量フィルタ３０４は、互いの中心軸がオフセットされた上部ＥＸＢフィルタ３０６Ｕおよび下部ＥＸＢフィルタ３０６Lより構成され、ビーム３１０を質量毎に分離偏向した後、光軸３８０に平行な軌道として出射する。この際、上部ＥＸＢフィルタ３０６Ｕにより生じる色収差は下部ＥＸＢフィルタ３０６Ｌにより打ち消される。その後、質量分離アパーチャ３４２により所望のイオン３３２のみを通過させ下部レンズ１０８により基板１１２上に集束する。 （もっと読む）

【課題】 不要なイオンの放出を抑制することができ、不要なイオンによる下流の線形加速器側の汚染を低減する。
【解決手段】 レーザ光の照射によりイオンを発生させるレーザ・イオン源であって、真空排気される容器１０と、容器１０内に配置され、レーザ光の照射により多価イオンを発生するターゲット２１が収容された照射箱２０と、照射箱２０からイオンを静電的に引き出し、イオンビームとして容器１０の外部に導くイオンビーム引き出し部１２と、照射箱２０から引き出されたイオンビームを静電力により収束する静電レンズ５１と、静電レンズ５１の下流側の位置に設けられ、該位置で収束されたイオンビームを通過させるアパーチャ５２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】
基板の面内に形成される不均一なドーズ量分布の形状によらず、不所望なドーズ量分布である遷移領域を小さくするとともに、イオン注入処理に要する時間を短縮させることのできるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】
このイオン注入方法は、イオンビーム３と基板１１との相対的な位置関係を変更させることによって、基板１１へのイオン注入を実施するイオン注入方法である。そして、基板１１上に均一なドーズ量分布を形成する第一のイオン注入処理と基板１１上に不均一なドーズ量分布を形成する第二のイオン注入処理とを予め決められた順番に従って行うとともに、第二のイオン注入処理時に基板１１上に照射されるイオンビーム３の断面寸法が、第一のイオン注入処理時に基板１１上に照射されるイオンビーム３の断面寸法よりも小さい。
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【課題】本発明は、低加速電圧でのイオン電流の制御を容易にしつつ、カソードに付着するリデポジションによる影響を抑制することを目的とするイオンミリング装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、イオンガンの内部に配置され、正電圧が印加されるアノードと、当該アノードとの間に電位差を発生させることによってイオンを発生させるカソードを備えたイオンミリング装置において、カソードは、前記ガス供給源によってガスが供給される空間と、前記イオンが照射される試料側の空間を分圧すると共に、前記イオンを通過させる開口を備え、当該開口を通過したイオンを試料に向かって加速させる加速電極を備えたイオンミリング装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】平行化レンズを用いずに、ガラス基板に対してのイオン注入を実現するＣООに優れたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム３をガラス基板７に照射する質量分析型のイオン注入装置１であって、さらに、イオン源２から質量分析マグネット４までのイオンビーム３の輸送経路にイオンビーム発散手段を備えている。イオンビーム発散手段は、イオンビーム３の長辺方向（Ｙ方向）とイオンビームの進行方向（Ｚ方向）からなる平面において、ガラス基板７上に引かれた垂線とガラス基板７に入射するイオンビーム３との成す角度であるイオンビーム３の照射角度が０度よりも大きくデザインルールに基づいて設定される許容発散角度以下となるように、イオンビーム３をその長辺方向に発散させる。 （もっと読む）

【課題】可変開口を利用したイオン注入方法とイオン注入機を提供する。
【解決手段】イオンビームの形状を変化させ、特に、基板付近で、イオンビームの最終形状を変化させ、その後、成形後のイオンビームにより、基板に対しイオン注入を実行する可変開口を有する開口調整装置を提供する。よって、基板の異なる部分、又は、異なる基板は、複数の固定開口を使用しない、又は、毎回、イオンビームを再調整しない情況下で、それぞれ、異なる成形後のイオンビームにより、イオン注入を実行する。つまり、高コストで、複雑な操作なしでも、それぞれ、特製のイオンビームにより、異なるイオン注入を実行する目的を達成することができる。この他、公知技術と比較すると、可変開口の調整は、機械操作により容易に達成されるので、イオンビーム調整プロセスが加速されて、イオン注入を実行する特定のイオンビームのイオンビーム調整プロセスが達成される。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマイオン源が高ｄｃ電圧にバイアスされた集束イオンビームシステムにおいて、イオン源内のプラズマに点火する方法を提供する。
【解決手段】バイアス電源９３０からの高ｄｃ電圧は、集束イオンビームカラムの近くでプラズマ点火装置９５０からの振動波形が結合（重畳）されて、プラズマ室９５４の一部を構成する源バイアス電極９０６に印加される。プラズマ点火装置９５０は論理回路９２４によって制御されるプラズマ点火装置電源９２５によって駆動される。電位の低いプラズマ点火装置９５０からの振動波形は、絶縁変圧器またはキャパシタ等を通して高ｄｃ電圧に結合（重畳）される。集束イオンビームカラムの近くにプラズマ点火装置９５０を取り付けることによって、高ｄｃ電圧を供給するケーブルの静電容量の影響が最小化される。 （もっと読む）

【課題】複雑な調整機構を用いることなく安定したビームの照射を図ること。
【解決手段】針状のチップ１と、チップ１にガスを供給するイオン源用ガスノズル２とイオン源用ガス供給源３からなるガス供給部と、チップ１との間で電圧を印加し、チップ１の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極４と、イオンを試料１３に向けて加速させるカソード電極５からなるイオン銃部１９を備え、イオン銃部１９とレンズ系の間に配置された第二のアパーチャ１０と、試料１３にイオンビーム１１を集束させる集束レンズ電極６と対物レンズ電極８からなるレンズ系を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複雑な調整機構を用いることなく安定したビームの照射を図ること。
【解決手段】針状のチップ１と、チップ１にガスを供給するイオン源用ガスノズル２とイオン源用ガス供給源３からなるガス供給部と、チップ１との間で電圧を印加し、チップ１の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極４と、イオンを試料１３に向けて加速させるカソード電極５からなるイオン銃部１９を備え、イオン銃部１９より試料１３側に位置し、イオン銃部１９から放出されたイオンビーム１１の照射方向を調整するガンアライメント電極９と、試料１３にイオンビーム１１を集束させる集束レンズ電極６と対物レンズ電極８からなるレンズ系を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの発熱に起因したメンブレンの撓みというイオン注入用ステンシルマスクの欠陥を低減し、優れた耐熱性や耐久性を有してイオン注入精度を向上するイオン注入用ステンシルマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】支持層１１上にエッチングストッパー層１２を形成する工程と、エッチングストッパー層１２上に第１の薄膜層１３を形成する工程と、第１の薄膜層１３上に第２の薄膜層１４を形成する工程と、支持層１１に開口部１７を形成する工程と、第１の薄膜層１３に第１のイオン注入用貫通孔パターン１１０を形成する工程と、第２の薄膜層１４に第２のイオン注入用貫通孔パターン１１４を形成する工程とを含むイオン注入用ステンシルマスクの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの径と強度を制御できるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】イオンビームが通過する絞り開口５１が設けられた絞り装置２０を有するイオンビーム照射装置５であって、絞り装置２０は、絞り開口５１内に位置する一の配置中心を中心とした円の円周に沿って並べられている。三個以上の遮蔽羽根２２と、絞り開口５１を取り囲む枠体２１と、枠体２１に対して位置が固定された回転軸とを有している。絞り開口５１の外周は、各遮蔽羽根２２の一辺であって配置中心に対面する辺である縁取り辺の一部によって構成されている。絞り開口５１の外周と枠体２１の間は遮蔽羽根２２で遮蔽され、遮蔽羽根２２は回転軸を中心に所定角度回転可能に構成され、遮蔽羽根２２を同角度回転させ、絞り開口５１の大きさを変更させる制御部を有するイオンビーム照射装置５である。 （もっと読む）

イオン注入システムにおいて粒子汚染を低減させるための装置が提供される。該装置は、入口（２６０）、出口（２６２）及び自側面内に規定される複数のルーバー（２６６）を有する少なくとも１つのルーバー加工された側面（２６４）を有する筐体（２５０）を有する。イオン注入システムのビームライン（Ｐ）該入口及び該出口を通過する。該少なくとも１つのルーバー加工された側面の該複数のルーバーは、該ビームラインに沿って飛行するイオンビームの縁を機械的にフィルタリングするように構成される。該筐体は、２つのルーバー加工された側面（２５４ Ａ、Ｂ）及びルーバー加工された上面（２７８）を有し得る。該筐体の該入口及び該出口の各幅は、該ビームラインに対し垂直に測定される場合、該２つのルーバー加工された側面の互いに対する位置により略規定される。１つ以上の該ルーバー加工された側面は調節可能に取り付けられており、該筐体の該入口及び該出口の片方又は両方の幅は調節可能である。
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【課題】ビーム制限アパーチャの寿命を延ばし、エミッションを長時間安定に維持することができ、再現良く安定な状態に回復することができる液体金属イオン銃を提供する。
【解決手段】タングステン（Ｗ）により形成され、液体金属ガリウム（Ｇａ）を保持するリザーバ３６と、Ｗにより形成されたエミッタ３５とを有する液体金属イオン源３１と、Ｗにより形成されたベース４６にＧａよりなる液体金属材４４を載せて形成され、液体金属イオン源３１から引き出されたイオンビーム２の通過を許容する開口４１を有し、イオンビーム２の径を制限するビーム制限アパーチャ３３とを備えた液体金属イオン銃３において、ビーム制限アパーチャ３３は、液体金属４４を開口４１の周囲に集める溝構造４５を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、ＦＩＢ鏡筒とＳＥＭ鏡筒を備えたシステムにおいて、ＦＩＢ加工を実行している過程をリアルタイムでＳＥＭ観察する際に、ＦＩＢ照射によって放出される二次電子がＳＥＭ検出信号のノイズとならないようなシステムを提供することにある。
【解決手段】本発明はＦＩＢ鏡筒と、ＳＥＭ鏡筒を備えた複合装置において、ＦＩＢ用のアパーチャに加工形状のスリットを備えることにより、集束したイオンビームの走査ではなく試料面にパターンを転写することによりイオンビーム加工するようにした。 （もっと読む）