【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】基板表面においてナノ炭素材料をパターニングして成長させることの出来るナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の微粒子を基板表面に配列し、該微粒子間の空隙からナノ炭素材料を成長させる。複数の微粒子を基板表面に配置したとき、微粒子は粒径に従って自己整合的に配列されることから、該微粒子間の空隙から成長したナノ炭素材料は、基板表面においてパターニングされて成長することになる。 （もっと読む）

【課題】ガス吸着材料が電子放出素子内に均一に分布されて、均一な発光が得られる電子放出素子、該電子放出素子を光源とする照明装置、および該電子放出素子のカソード電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子１のカソード電極２は、電子輸送層９の表面に、カーボンナノ構造体１３と電子放出材料１４を固定して構成されている。カーボンナノ構造体１３は、電子放出素子１の動作中に発生するガスや電子放出素子１の製造時に除去出来なかったガスを吸着するガス吸着材料として機能する物質である。カーボンナノ構造体１３は、大きさを制御して製造される。電子放出材料１４は、その先端がカーボンナノ構造体１３の上面から突出している。 （もっと読む）

【課題】 ナノチューブなどの針状炭素で構成されるエミッタペーストを使用するなど、「ランダムなエミッタの集合」を用いる必要のある電子電界エミッタ形成方法に必ず伴う大きな欠点の放出のホットスポットを最小限に抑えること。
【解決手段】 陽極電圧を正常動作陽極電圧レベルより上に維持しつつ電子電界エミッタにおいて放出のホットスポットを減らすための方法であって、反応性ガスとして酸素を用い、電子電界エミッタをその酸素に暴露することを含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】長時間に渡り安定して動作する電子源を提供する。
【解決手段】電子源のエミッタ１１は、先端に｛１００｝結晶面１６ａを電子放出面１６ａとして備える先端部１６を備える＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａを備える。電子放出面１６ａは、仕事関数を低減させるためのＺｒＯ膜で被覆されている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａには、補助棒１１ｂ、１１ｃが取り付けられている。＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａと補助棒１１ｂ、１１ｃには、ＺｒとＯを拡散・供給するための拡散源１２が配置されている。補助棒１１ｂ、１１ｃは、＜１００＞方位単結晶タングステンロッド１１ａの外表面以外に、ＺｒとＯを電子放出面１６ａに拡散供給するための通路を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で、大面積にわたって一定方向に整列した、高密度、大容量のカーボンナノチューブ電界放出エミッタ電極を得る。
【解決手段】カーボンナノチューブを溶媒に希釈させた分散液を、電磁場発生装置の上端に固定された基板上に分散させ、電磁場の方向にカーボンナノチューブを整列された後、金属を蒸着することによりカーボンナノチューブを固定する。 （もっと読む）

【課題】電子放出側の電極が電子放出に伴って徐々に消失していく事態を回避して、電子放出特性の長期維持が可能な電子放出素子の構成、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電子加速層４を有する。電子加速層４は、電極基板２側に位置する絶縁体微粒子を含む微粒子層１０５を有し、微粒子層１０５の表面には、導電微粒子の堆積物１０６を有する。そして、電子加速層４には予め導電経路が形成され、堆積物１０６には導電経路の出口に相当する物理的な欠陥よりなる電子放出部が形成されている。電子は、この電子放出部１０８より放出される。 （もっと読む）

【課題】新規な電子放出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電子放出装置は、エミッタ3と、前記エミッタ3との間に電圧が印加される引き出し電極4と、前記エミッタ3の先端にレーザー光を照射するレーザー照射装置を有する。ここで、エミッタ3は、金、銀、銅、アルミニウムまたは白金からなることが好ましい。また、エミッタ3の先端直径は1〜400nmの範囲内にあることが好ましい。また、エミッタ3の先端と引き出し電極4の距離は10nm〜5mmの範囲内にあることが好ましい。また、印加される電圧は1mV〜1000Vの範囲内にあることが好ましい。また、パルスレーザーの強度尖頭値、または連続波レーザーの強度は1W/cm²〜10GW/cm²の範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】カソード電極に含まれるカーボン繊維の向きをアノード電極に向けて垂直に揃えるカーボン繊維配向方法を提供する。
【解決手段】カーボン繊維配向装置１のカソード電極２とアノード電極３の間に逆バイアス電圧を印加すると、カソード電極２からアノード電極３に向かう電界が発生するので、カソード電極２中のカーボン繊維９は、この電界から力を受けて、バンドル構造を形成した状態でアノード電極３に向かう方向に揃う。カソード電極２に垂直な向きに揃ったバンドル構造のカーボン繊維９には、カソード電極２に水平な方向にのみ斥力が作用し、この斥力はカーボン繊維９に作用するファンデルワールス力よりも大きいので、カーボン繊維９のバンドル構造が解消されて、カソード電極２上でカーボン繊維９を十分に分散できる。 （もっと読む）

【課題】カーボン繊維の先端をカソード電極上に露出させて、該カーボン繊維の向きをアノード電極に向かう方向に揃えて、発光効率を高くすることができる発光装置を提供する。
【解決手段】カーボン繊維１０を含有するカソード電極２と、蛍光体層１３を備えて、カソード電極２に対向配置されるアノード電極３と、を有する発光装置１に、カソード電極２とアノード電極３の間に逆バイアス電圧を印加する電圧印加装置４を備える。また、電圧印加装置４は、直流電源装置１４、直流電源装置１４の正極１７に、カソード電極２またはアノード電極３のいずれかを選択して接続する第１の切替スイッチ１５、及び、直流電源装置１４の負極２１を、カソード電極２またはアノード電極３のいずれかを選択して接続する第２の切替スイッチ１６を備える。 （もっと読む）

【課題】高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性基板の上に酸化チタン等の金属酸化物からなる電子放出材料を有する冷陰極電子源を製造する方法において、電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する。具体的には、導電性基板の上に形成した金属酸化物からなる電子放出材料を活性化処理する工程と電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等に用いられる、安定した電子放出特性が再現性良く得られる電子放出材料を提供する。
【解決手段】異方性の粒子形状をもつ酸化チタン等の金属酸化物を用いた電子放出材料であって、異方性金属酸化物の長軸径の頻度分布が、複数の極大値を持つものを用いる。具体的には、異方性金属酸化物の平均長軸径が異なる少なくとも二種の異方性金属酸化物を混合して用いる。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維の先端とゲート電極との距離の基板内ばらつきが抑制された炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カソード電極２０、絶縁膜３０及びゲート電極４０を積層するステップと、絶縁膜３０及びゲート電極４０を貫通するホール５０を形成してカソード電極２０の電子放出面２０ａを露出させるステップと、電子放出面２０ａ上に炭素繊維１００を成長させながら、炭素繊維１００とゲート電極４０との接触によるカソード電極２０とゲート電極４０間の短絡をリアルタイムで監視するステップと、短絡を検知した場合にゲート電極４０と接触する炭素繊維１００を切断するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体と、第一電極と、第二電極と、を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体の対向する両側を、それぞれ前記第一電極及び第二電極に接続させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体を有機溶剤で浸漬させて複数のカーボンナノチューブ糸を形成させる第三ステップと、前記カーボンナノチューブ糸の対向する両端に電圧を印加して、前記カーボンナノチューブ糸を焼き切って、複数のカーボンナノチューブ針を形成する第四ステップと、前記カーボンナノチューブ針の一端を前記導電基板に固定させる第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面に集合配置した複数のカーボンナノチューブ等のカーボンファイバの先端部を電子放出性能に優れた活性化処理することを可能にする。
【解決手段】基板表面に集合配置した複数のカーボンファイバの各先端部とアノード電極との間隙に酸素を含むガスを導入すると共にアノード電極と該アノード電極に最近の先端部との間隙を最小最適間隙に制御することでその最近先端部に電界集中による通電電流を流してジュール熱を発生させ、このジュール熱で当該最近先端部を損耗させる操作を行うことで全体の先端部とアノード電極との間隙を均等制御し、また、上記間隙にアルゴンガス等を導入すると共に導入したガスをイオン化し、発生したガスイオンを先端部に加速衝突させて各先端部をスパッタリングや起毛処理することで活性化して各先端部の電界放射閾値電界を下げる。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電界放射型電子源１０（図１（ｆ））は、シリコン基板（半導体基板）１と、シリコン基板１の一表面側に形成された強電界ドリフト部３と、シリコン基板１の他表面側に形成された下部電極２と、強電界ドリフト部３上に形成された表面電極４とを備えている。強電界ドリフト部３は、シリコン基板１の上記一表面側をエッチングすることによりナノメータオーダの所定間隔で形成された複数の突起部３１と、各突起部３１の表面に沿って形成された多数のナノメータオーダのシリコン微結晶（半導体微結晶）３３と、各シリコン微結晶３３それぞれの表面に形成され当該シリコン微結晶３３の結晶粒径よりも小さな膜厚のシリコン酸化膜（絶縁膜）３４とを有し、表面にシリコン酸化膜３４が形成されたシリコン微結晶３３が各突起部３１の表面に沿って連なって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 限られた数のＣＮＴを基板上に垂直成長させる試みはこれまでにも多数報告されているが、成長方向にバラツキが出る、ＣＮＴの成長数の制御が困難である、あるいは方法が複雑である等の問題点を抱えている。そこで、本発明の目的は、実用的観点において有効なＣＮＴの限定成長方法を提供することにある。
【解決手段】針状基板に触媒用金属を蒸着する触媒薄膜層形成のための第１工程と、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属を蒸着し触媒被覆層を形成する第２工程と、前記２層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第３工程と露出触媒薄膜を微粒子化する第４工程とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノ構造体のような微細構造体を高度に配列するため、微細構造体を所望の場所に、所望の方向に配列するための方法を実現することを目的とする。
【解決手段】それぞれ独立した電位を与えうる３つの電極を形成した絶縁基板を用意する基板準備工程と、上記絶縁基板上に微細構造体を含んだ液体を塗布する微細構造体塗布工程と、上記３つの電極にそれぞれ電圧を印加して、上記微細構造体を上記電極により規定される位置に配列させる微細構造体配列工程を含む。 （もっと読む）

【課題】先端を原子レベルにまで先鋭化した棒状の単結晶を得る。
【解決手段】単結晶タングステンエミッターを例にすると、はじめは高温（Ｔ_r＝２３００°Ｋ）下で処理電圧Ｖ_rを徐々に上げていくと段階（Ｄ）の直後にフィールドエミッション電圧Ｖ_extが急激に低下するとともに、＜１１１＞頂点が（１１０）面で囲まれた状態になる。ここで電圧を保ったまま処理温度を徐々に下げ、Ｔ_r＝１７００°Ｋとする。その後、温度Ｔ_rを１７００°Ｋという低温に保ったままリモルディング法による熱電界処理を続け、ＦＥパターンが先端数原子からの電子放出を示した時点で処理を停止する。 （もっと読む）

【課題】低電圧にて安定した電子放出が可能な炭素繊維−導電性ポリマー複合電極およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性ポリマー６に炭素繊維７を複合させ、当該炭素繊維７の先端から電子を放出可能な炭素繊維−導電性ポリマー複合電極１であって、電極２と、当該電極２の表面に形成され、当該電極２に達する開口部４を有する絶縁層３と、当該開口部４に形成され、導電性ポリマー６と炭素繊維７とを含む複合膜５とを有する炭素繊維−導電性ポリマー複合電極１とする。 （もっと読む）