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Fターム[5E319AC02]の内容

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【課題】表面実装においてフラックスやはんだの飛散及びつららやブリッジがなく良好な作業性を呈し、濡れ性に優れて良品率が高く、製造効率を向上できる鉛フリーヤニ入りはんだを提供する。
【解決手段】メルトマスフローレートが25g/10min以下(JIS K
7210:条件Dによる)の重合脂肪酸系ポリアミドエラストマーを含有するフラックス組成物を有する。 (もっと読む)


【課題】配線パターンに設ける接続端子としてのはんだボール搭載用パッドが直近領域より高くならないように制御して、搭載したはんだボールの変形や搭載前のパッドの損傷を防止したプリント配線基板を提供する。
【解決手段】 接続端子としてのはんだボールを搭載するためのパッド20を含む配線パターンを備えたプリント配線基板において、該パッド20は、該配線パターンを構成する導体層14と、下層めっき層16と、上層めっき層18とがこの順で積層して成り、該パッド20を取り囲む直近領域は、該導体層14と、該下層めっき層16および該上層めっき層18のうち少なくとも該下層めっき層16と、ソルダーレジスト層22とがこの順で積層して成り、該上層めっき層18の厚さは、該下層めっき層16および該ソルダーレジスト層22の各厚さに比較して無視し得る厚さであり、該パッドの上面の高さが、該直近領域の上面の高さを超えないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と電気的に接続された複数のリード端子を、複数のターミナルに高速且つ良好に溶接することができるとともに、半導体素子の破壊を防止することができる回路部品の製造方法を提供する。
【解決手段】「配置工程」では、リード端子52とターミナル42のIC接続部42aとを当接させ、その当接した部分である当接部62と半導体素子が搭載(埋設)されたベース部51との間のリード端子52にアース用治具61を当接させる。その後、「溶接工程」では、「配置工程」の状態を保って、当接部62に電子ビームを照射してリード端子52とターミナル42のIC接続部42aとを溶接する。 (もっと読む)


【課題】
端子パッドが形成されている領域と、それ以外の領域とで配線密度の差があっても、端子パッドに均一な大きさの半田バンプを形成することができる配線基板を提供する。
【解決手段】
端子パッドと、高密度導体部と、端子パッドの間に位置するダミーパターンを備える。これら端子パッド、高密度導体部、ダミーパターンは同一の導電層によって構成されている。高密度導体部は、端子パッドが形成されているパッド領域よりも配線密度が高い。ダミーパターンは、パッド領域の配線密度を高めることにより、パッド領域と高密度導体部との間にできる、ソルダーレジスト表面の凹凸を減少させる。これにより、半田印刷をした際に半田のボリュームを均一にすることができる。 (もっと読む)


【課題】 低温速硬化性と貯蔵安定性に優れた回路接続材料を提供する。
【解決手段】 相対向する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し、加圧方向の電極間のみを電気的に接続する回路接続材料であって、下記(1)〜(3)の成分を含有する回路接続材料。
(1)ラジカル重合性物質
(2)ラジカル重合開始剤
(3)光照射によって塩基を発生する光塩基発生剤 (もっと読む)


【課題】 多種類のチップサイズに対応可能であり、接続時の熱の影響が少なく残余接着剤の除去処理が容易なマルチチップ実装法とそれに用いる硬化性フィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】下記工程よりなるマルチチップ実装法
(1)基板の同一方向に接続すべき複数個のチップ群の中の最大サイズのテ−プ幅を有する硬化性フィルム状接着剤を複数列分、複数準備する工程、
(2)基板の同一方向に接続すべき複数個のチップ群の中の最大サイズのテ−プ幅を、離して複数列、前記フィルム状接着剤を基板のチップ群搭載列に活性温度以下で仮接続して形成する工程、
(3)接続すべきチップの電極と前記(2)の接着剤付き基板の電極を位置合わせする工程、
(4)電極の位置合わせを終了したチップの電極と基板の電極を、接続すべき電極間で、活性温度以上で加熱加圧し、同一基板に複数列、複数個のチップの電気的接続を得る工程。 (もっと読む)


【課題】 多成分系無鉛はんだ合金を用いた金属コアはんだボール又ははんだバンプにおいて、組成のずれを生じさせることのないはんだボール又ははんだバンプの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板3上に多数の島状はんだペースト領域4を形成し、各島状はんだペースト領域4に金属ボール2を配置し、その後基板上のはんだを溶融させることを特徴とするはんだボールの製造方法である。基板3の材質は、テフロン(登録商標)、カーボン、ガラス、セラミックスのいずれかである。はんだペースト領域4の形成は、はんだペースト10を液滴ジェット11として基板上に転写する方法、あるいははんだペースト10をスクリーン印刷して基板上に転写する方法を用いる。島状はんだペースト領域4は、基板上に設けた凹部5に形成する。 (もっと読む)


【課題】微細半田が発生するのを防止することができるようにする。
【解決手段】半田面を備え、所定の箇所にスルーホールが形成された基板本体11aと、スルーホールに配設され、スルーホールの内壁に沿って形成された内壁ランド部、及びスルーホールの周縁において半田面に沿って形成された半田面ランド部を備えたランド16とを有する。そして、半田面に設定された半田付けエリア内において、内壁ランド部と半田面ランド部とが接する部分から成るエッジ部g2に沿って第1の被膜が形成される。半田付けエリア内において、エッジ部g2に沿って第1の被膜が形成されるので、半田切りを行う際に、エッジ部g2の近傍において微細半田が発生するのを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】電子部品を搭載する搭載用ランドの領域内にスルーホールが存在する回路基板において、電子部品を搭載する際に、回路基板の表面に塗布されたハンダペーストが、スルーホールを通って裏面に到達し、突出することを防止するためのスクリーンマスクおよび部品実装方法を提供する。
【解決手段】電子部品3が搭載される搭載用ランド13と、搭載用ランド13に形成されたスルーホール15とを有する回路基板1にスクリーン印刷を行う際に用いられるスクリーンマスク2において、搭載用ランド13に対応する位置に搭載用開口部23が設けられるとともに、搭載用開口部23には、スルーホール15を閉塞するマスク部材25が設けられたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
実装基材へのクリーム半田印刷工程時において、簡便に印刷マスク面を平坦に保持し、印刷マスクのたわみを抑制できる手段を提供すること。
【解決手段】
ステージ1の上に実装基材2を配置し、実装基材2の上に印刷マスク5を配置し、印刷マスク5の上に印刷スキージ6を移動しながら押圧せしめてクリーム半田7を塗り広げるとともに、実装基材2にクリーム半田7を印刷する、クリーム半田印刷方法において、実装基材2の厚みに基づきステージ1と印刷マスク5の間に生じる隙間の、所定箇所に支持部材4を配置して、支持部材4と実装基材2の両者により、押圧による印刷マスク5のたわみを抑制することを特徴とするものである。これにより、実装基材2へのクリーム半田印刷時において、印刷マスク5面を平坦に保持し、印刷マスク5のたわみを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】 実装基板の熱による膨張収縮によって生じる接合部へのダメージを低減し、信頼性を向上させる。
【解決手段】 半導体装置とはんだボールを介して接続される外部電極5を有する実装基板であって、外部電極5と接する第1の基板材料部14と、第1の基板材料部14を除く主材料である第2の基板材料部15とから構成され、第1の基板材料部14は第2の基板材料部15よりも軟らかい材料である。これにより、熱による基板材料の膨張収縮によってはんだボールと外部電極接合部に生じる応力集中を軟らかい基板材料の変形により緩和することができる。このため、はんだボールと外部電極接合部周辺部への応力集中がなくなり、はんだボールと外部電極接合部へのクラック発生が防止でき、接続信頼性が向上する。 (もっと読む)


【課題】 半田ボールを使わずに回路部品モジュールを回路基板に実装することができ、また回路部品モジュールを製造する際に回路部品の破損を防止することが可能な回路基板構造及び回路基板構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 接続端子10hを備えた回路基板10と、回路基板10上に実装された回路部品モジュール14とからなり、回路部品モジュール14は、回路基板10の接続端子10h上に積層される誘電体樹脂層11と、誘電体樹脂層11に埋め込まれた回路部品7と、誘電体樹脂層11の回路基板10側と反対側の面に積層されて回路部品7に接続される配線パターン4とから構成され、配線パターン4が、誘電体樹脂層11に設けられたスルーホール11fを介して接続端子10hに接続されていることを特徴とする回路基板構造15を採用する。 (もっと読む)


【課題】 半導体チップを破損することなく、半導体チップと回路基板とを確実にフリップチップ接合することができる超音波フリップチップ接合装置を提供する。
【解決手段】 超音波ホーン22は、超音波振動子25の超音波振動によって超音波振動方向Aに共振する。超音波ホーン22には、チップ保持体27が設けられる。チップ保持体27は、半導体チップ23を超音波振動方向Aに平行に保持し、基板保持体28は、回路基板24を半導体チップ23に対して平行に保持し、押圧手段29は、半導体チップ23を回路基板24に押圧する。このような接合装置21で、超音波ホーン22の腹位置の部分が、超音波振動方向Aに振動可能となるように、支持手段26によって支持される。また超音波振動子25は、超音波ホーン22の節位置に配置され、超音波振動方向Aの両端部25a,25bが超音波ホーン22に接触した状態で超音波ホーン22に設けられる。 (もっと読む)


【課題】 チップ高さの異なる場合や基板の両面に実装する場合に有効なマルチチップ実装法を提供する。
【解決手段】 基板上に複数個以上のチップを実装する方法であって、基板上の電極形成面とチップ電極面の間に接着剤を介在させ、基板の電極とこれに相対峙するチップの電極を位置あわせした状態で、チップ背面に緩衝層として耐熱性やゴム状弾性に富んだシート類に、気体または液体、を内包した袋類または風船状物を介在させて加熱加圧することを特徴とするマルチチップ実装法。 (もっと読む)


【課題】特に2次元的に多数の電極が配列された配線板と電子部品を高い信頼性を持って接合出来る樹脂配線基板及びその接合方法の提供。
【解決手段】電子部品58の電極59と接続する電極104が熱硬化性の樹脂基板100上に2次元状に配列された樹脂配線基板100であって、前記樹脂基板上に形成された前記各電極104の周囲の少なくとも一部の該樹脂基板の厚みが該樹脂基板の他の部分より薄く形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】配線基板のパッド電極と鉛フリーはんだの界面が応力により剥離することを防止し、電気的接続を長期間にわたり確実、強固に維持することができる長期信頼性に優れた配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】配線基板の一方の面の最上層のランド51a上にニッケル層53と、厚さが0.05μm以上、2.00μm以下の銅層54と、金層56とを設けたICパッド電極50aを、他方の面の最上層の配線層ランド51b上にニッケル層53、厚さが0.05μm以上、2.00μm以下銅層54と、厚さが0.05μm以上、1.00μm以下のパラジウム層55と金層56とを設けたBGAパッド電極50bをそれぞれ設けた配線基板である。 (もっと読む)


【課題】 ICチップ等といった被接続部材と、ガラス基板等といった基板とを、異方性導電材を用いて常に安定して導電接続できるようにする。
【解決手段】 端子38aを有する対象物M1と、端子38bを有する対象物M2と、端子38aと端子38bとを導電接続する異方性導電材8’とを有する液晶表示装置を製造するための製造方法である。この製造方法において異方性導電材8は、第1基材31及び第2基材32と、これら第1基材31と第2基材32との間に配置された熱で溶融する半田層33aと、第1基材31、第2基材32及び半田層33aを貫通する貫通孔35とを有する。この製造方法は、対象物M1と対象物M2との間に異方性導電材8’を配置する工程と、異方性導電材8’を加熱及び加圧して半田33を貫通穴35に流動させて、端子38aと端子38bとを導電接続する導通部33bを形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】 ランド剥離を確実に防止し、さらに銅の溶出量を減少させる。
【解決手段】 絶縁部材にスルーホール12およびランド13を備えたプリント配線板において、ランド13の外周縁部全部をレジスト14で被覆し、そのレジストのランド13に対する被覆幅L1およびレジスト13のスルーホール12開口端部からの離間距離L2を、それぞれ少なくとも0.15mmに設定した。 (もっと読む)


【課題】MEMSデバイスやICデバイスなどの配線基板と電子デバイスとの接合に好適な配線基板と電子デバイスとの接合方法及び液体吐出ヘッド製造方法を提供する。
【解決手段】導電性接合部材を介して電子デバイスと配線基板との接合部を接触させ、圧力Paで加圧しながら導電性接合部材の溶融温度Tc以上の温度T1で導電性接合部材を溶融させ、配線基板の反りや成型時の精度を規正し、導電性接合部材の溶融温度Tc未満、配線基板の樹脂材料のガラス転移点温度Tg以上の温度T2で導電性接合部材を硬化させ、配線基板の変形による応力が緩和される。更に、配線基板の樹脂材料のガラス転移点温度Tg未満の温度T3で配線基板と電子デバイスの熱膨張係数の差による残留応力が緩和される。 (もっと読む)


【課題】 フィラー噛み込みによる接続不良を減少させる。
【解決手段】 電極12を有するプリント配線板1の電極12近傍にアンダーフィル樹脂2を塗布し、この電極12の上部の少なくとも一部にマウンタ5を用いてはんだバンプ33を介し回路部品3部品を実装する。このように回路部品3が実装されたプリント配線板1に対し、フィラー射出器6からアンダーフィル樹脂2にフィラー22を射出する。任意の位置にフィラー22の射出が完了した後に、リフロー加熱を実施する。 (もっと読む)


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