【課題】高周波領域での電気特性、特に低誘電率、低誘電正接を有する高周波回路基材用フィルム及びハンダ耐熱性、導体との密接接合性に優れた高周波回路基材を提供する。
【解決手段】（Ａ）：ポリフェニレンエーテルと、（Ｂ）：（Ａ）以外の熱可塑性樹脂とを、含有する熱可塑性樹脂組成物からなり、前記（Ａ）ポリフェニレンエーテルの含有量が、前記（Ａ）と前記（Ｂ）との合計量を１００質量部としたとき、８０質量部以上であり、７６．５ＧＨｚにおける比誘電率が２．７以下で、誘電正接が０．００３以下である高周波回路基材用フィルム、及び当該高周波回路基材用フィルムに厚み５〜５０μｍの銅層を積層した高周波回路基材を提供する。 （もっと読む）

【課題】複合体の樹脂層に形成された高信頼性、算術平均粗さ（Ｒａ）が小さい微細配線及びビアを有する複合体の製造方法及び複合体を提供するものである。
【解決手段】本発明の複合体の製造方法は、樹脂層と導体層とを含む複合体を製造する方法であって、（Ａ）基板上に樹脂層を準備する工程と、（Ｂ）樹脂層上にレジスト層を形成する工程と、（Ｃ）レジスト層を介してレーザー光を照射することによって樹脂層表面に溝を形成する工程と、（Ｄ）前記樹脂層表面に導体を形成する工程と、（Ｅ）レジスト層を剥離する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂層と導電層との接着力を強化可能な配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板２は、第１樹脂層６ｅと第１樹脂層６ｅ上に形成された第１導電層７ａとを備える。第１導電層７ａは、周期表第４族、５族又は６族である遷移金属の炭化物を含み、且つ、第１樹脂層６ｅに接着する金属炭化物層７ａｘを有する。第１樹脂層６ｅは、金属炭化物層７ａｘが接着した第１領域６ｅｊと、第１領域６ｅｊよりも第１樹脂層６ｅの内部に位置する第２領域６ｅｋとを有する。第１領域６ｅｊは、炭素原子数に対する窒素原子数の比率が第２領域６ｅｋよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】熱硬化型のシリコン系接着剤を介して半導体素子が装着された基板をプラズマ処理して、接着剤中に含まれるシロキサン成分を除去して、その後の信頼性の高いワイヤーボンディング等が行えるようにすること。
【解決手段】真空チャンバー１を所定の真空状態とし、高周波電源１０からの高周波電圧を下部電極３に高周波電圧を印加する。また、開閉バルブ２３を開いて、上部電極２と下部電極３との間に六フッ化イオウガスを供給してプラズマ化する。すると、六フッ化イオウガスのフッ素がシリコン系接着剤７中のケイ素と合体して、このケイ素は真空通路６を介して装置外部へ排出される。このプラズマ洗浄を６０秒間行った後、５秒経過後に上部電極２と下部電極３との間にアルゴンガスを供給してプラズマ化する。すると、アルゴンガスのアルゴンが六フッ化イオウガス中のイオウと合体して、このイオウは真空通路６を介して装置外部へ排出される。 （もっと読む）

部材の配置方法は、基板と第１の液体を準備する工程と、部材及び第２の液体を含有する部材含有液を準備する工程と、親水性領域に第１の液体を配置する工程と、前記親水性領域に配置された前記第１の液体に前記部材含有液を接触させる工程と、前記第１の液体および前記第２の液体を除去することによって、前記部材を前記親水性領域に配置する工程と、を具備する。前記親水性領域は、部材配置領域と、前記部材配置領域の周辺に形成された液体捕捉領域とから構成されている。前記液体捕捉領域は、Ｘ−（ＣＨ₂）_n−Ｓ−（基板）またはＹ−（ＣＨ₂）_m−Ｓ−（基板）で表される表面を具備する。ＸはＮ+Ｒ₃Ｑ-（ＱはＣｌ、Ｂｒ、またはＩ）、ＯＲ、またはハロゲン原子であり、Ｒは低級アルキル基であり、ｎは１以上３以下の自然数であり、ＹはＣＯＯＨ、またはＯＨであり、ｍは１以上２２以下の自然数である。
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【課題】導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有し、前記樹脂絶縁層の表面と、前記樹脂絶縁層の開口部から露出した導体層表面とにより、最表層が形成されてなる配線基板において、前記樹脂絶縁層の表面を活性化して、封止樹脂層によるパッケージを良好に行うことができるようにする。
【解決手段】導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有し、前記樹脂絶縁層の表面と、前記樹脂絶縁層の開口部から露出した導体層表面とにより、最表層が形成されてなる配線基板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層に対してレジスト塗布及び露光現像を施すことによって少なくとも１つの前記開口部を形成し、次いで、前記樹脂絶縁層に対してプラズマ処理及びウォータージェット処理を連続して実施し、次いで、無電解メッキによって、前記開口部内に前記導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＶＯＣの量を減らした、または、用いない液状のフラックスには、アルコールよりも蒸発しにくい水を用いているため、従来のフラックスでのプリヒート温度では、噴流はんだ槽投入前に水分を完全に除去することができず、従来のはんだ付け実績を用いることができない。
【解決手段】基板８のスルーホールのランド１２ｂ及び部品装着面１０のランド１２ａにプラズマ１を照射し、このスルーホール９のはんだ付け面１１にメタルマスク１４を設置し、メタルマスク１４を介してはんだペースト１５をはんだディスペンサ１６で塗布した後、基板８のはんだ付け面１１の反対面である部品装着面１０から挿入部品１７を装着し、基板８を噴流はんだ槽２０にてはんだ付けを行うフローはんだ付け方法を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路配線を構成する回路配線膜の線幅が微細であって、膜厚が均一である回路配線を形成できる回路配線形成方法、当該回路配線を備える回路基板、及び線幅が微細であって、膜厚が均一である配線膜の膜厚が配線膜の幅より大きい回路配線膜を提供する。
【解決手段】回路配線形成方法は、回路基板における回路配線を形成する回路配線形成方法であって、回路配線を形成する配線基材に回路配線の形状に対応したトレンチを形成するトレンチ形成工程と、トレンチに導電層形成用触媒を配設する触媒配設工程と、メッキ液をトレンチを含む範囲に配設し、導電層形成用触媒によってメッキ液から導電性材料を析出させることで、回路配線を構成する導電性の回路配線膜を形成する膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を挟んで絶縁状態で配置された配線パターンを電気的に接続するコンタクト部の断面積や形成位置のばらつきを抑制した状態でビルドアップ構造を形成する。
【解決手段】ビルドアップ基板の製造工程は、１層目の配線パターンを形成する工程として、表面処理工程Ｓ１と、インクジェットで触媒パターンを形成する触媒パターン形成工程Ｓ２と、触媒パターンの焼成工程Ｓ３と、配線パターンを形成する無電解銅めっき工程Ｓ４とを備えている。また、２層目の配線パターン及び１層目及び２層目の配線パターンを電気的に接続するコンタクト部を形成する工程として、撥液部形成工程Ｓ５と、絶縁膜形成工程Ｓ６と、絶縁膜表面処理工程Ｓ７と、触媒パターン形成工程Ｓ８と、触媒パターンの焼成工程Ｓ９と、配線パターン及びコンタクト部を形成する無電解銅めっき工程Ｓ１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィを用いずに配線パターンを形成することが可能で、基板上の配線パターンを形成すべき領域と配線パターンとの密着性を向上することができる基板上への導電パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】導電パターンの形成方法は、基板１１上の導電パターン（配線パターン１６）を形成すべき領域に、めっき触媒を担持したカップリング剤を含む触媒液１２を液体噴射ヘッド１３から吐出する触媒液吐出工程と、めっき触媒を担持した状態で基板１１上に付着したカップリング剤を非酸化雰囲気で焼成して触媒層１５を形成する触媒層形成工程と、触媒層１５上に無電解めっきで導電パターンを形成する無電解めっき工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線パターンと絶縁層との密着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配線回路基板７０は、絶縁層１を備える。絶縁層１上に、複数の配線パターン７が形成される。各配線パターン７は、界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６を含む。界面層２、第１のシード層３、第２のシード層４および配線層６は、この順で絶縁層１上に積層される。界面層２は、硫酸を１８％の濃度（体積濃度）で含むとともに塩酸を１０％の濃度で含む混合水溶液中における飽和カロメル電極に対する電極電位が−０．３Ｖ以上０．０１Ｖ以下となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】基板自体の厚みを薄くできる利点を有する２層フレキシブル基板において、課題となっている耐熱環境や高温高湿環境における信頼性に関わる密着性を、従来の３層フレキシブル基板と同等以上とした２層フレキシブル基板の提供。
【解決手段】絶縁体フィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに下地金属層を形成し、次いで前記下地金属層上に銅被膜層が形成される２層フレキシブル基板において、前記下地金属層が接する側の前記絶縁体フィルムの表面に、層厚２〜１０ｎｍの改質層が設けられていることを特徴とする２層フレキシブル基板。 （もっと読む）

【課題】所望の親水性パターンを形成することができる表面処理装置を実現すること。
【解決手段】プラズマ発生装置１は、複数のマイクロプラズマ発生源が直線状に配置された装置であり、各マイクロプラズマ発生源におけるマイクロプラズマの発生は、制御装置２によってそれぞれ独立にオンオフ制御することができる。走査手段３によってフレキシブル基板５を巻き取りつつ、所望の親水性パターンのデータに基づいて制御装置２により各マイクロプラズマの発生をオンオフ制御し、フレキシブル基板５表面にマイクロプラズマを照射する。これにより、フレキシブル基板５表面上に所望の親水性パターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】配線基板の製造においてスパッタプロセスを採用しつつ、スループットの向上及びランニングコストの低減が可能な配線基板の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を表面に有する被処理基板１０２上に、導電体メッキ層を形成する場合、導電体メッキ層の下地となるシード層をスパッタのみによって形成した場合、密着性及びスループットの向上ができない。同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】より簡易な方法で微細かつ平坦性に優れるパターン化膜を実現するためのパターン化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】パターン化膜の形成方法は、第１の基板２１上に被転写膜６０を形成する工程と、第２の基板２０上に濡れ性変化層３０を形成する工程と、濡れ性変化層３０に低表面エネルギー部位と高表面エネルギー部位とを形成する工程と、第１の基板２１上に形成された被転写膜６０を、濡れ性変化層３０が形成された第２の基板２０に押し当てる工程と、第２の基板２０から第１の基板２１を剥離して濡れ性変化層３０の高表面エネルギー部位４０のみに選択的に被転写膜６０を転写してパターン化膜６０ａを形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 無機充填材のエッチングにより樹脂表面を粗面化する方法では、無機充填材を含有しない樹脂表面を粗面化することができない。樹脂のブタジエン成分を酸化分解して樹脂部材から脱離させる方法では、ブタジエン成分を含有しない樹脂表面を粗面化することができない。
【解決手段】 樹脂が露出した部材の樹脂表面を、一置換トリアルコキシシランまたは二置換ジアルコキシシランで覆うことにより、一置換トリアルコキシシランまたは二置換ジアルコキシシランの液状膜を形成する。液状膜の一置換トリアルコキシシランまたは二置換ジアルコキシシランを重合させることにより、樹脂表面の上に点在する複数のポリシロキサン膜を形成する。ポリシロキサン膜をエッチングマスクとして、樹脂表面をエッチングすることにより、樹脂表面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】本発明は多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多層セラミック基板は、多層のセラミック層１１１、１１２、１１３、１１４、１１５を積層して構成され、各セラミック層に設けられたビア１２２を介して層間接続が行われ、上下部にガラス成分の除去された表面改質層１１１ａ、１１５ａが設けられたセラミック積層体１１０と、該セラミック積層体１１０の上下両面にビア１２２と電気的に接続されるように設けられたコンタクトパッド１４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】めっき法により金属膜が金属ベース層上に形成され、フレキシブル配線基板に利用される金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムの製造法等を提供する。
【解決手段】ロール・トゥ・ロール方式により搬送される耐熱性樹脂フィルム８の両面に原子層堆積（ＡＬＤ）法により金属シード層（Ｃｕ）を成膜する工程と、スパッタリングウェブコータにより各金属シード層上に金属ベース層（Ｃｕ）をそれぞれ成膜する工程と、各金属シード層上に金属ベース層が成膜された長尺の耐熱性樹脂フィルムを巻き取りロールに巻き取る巻き取り工程を具備し、かつ、これ等の工程を連続して行なうことを特徴とする。この方法によれば、ＡＬＤ法により成膜されたピンホールのない金属シード層上に金属ベース層を形成しているため、金属ベース層の膜厚を薄く設定してもピンホールが生じ難く金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムの製造効率の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜表面の粗化処理や酸性水溶液による処理を行わなくとも、電気絶縁層となる絶縁膜と、導体層となる金属層との密着性が良好である回路基板を与えることができる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】官能基を有する脂環式オレフィン重合体、および硬化剤を含有してなる硬化性樹脂組成物を硬化することにより形成された絶縁膜の表面に紫外線を照射し、次いで、その紫外線が照射された絶縁膜の表面に無電解めっき法により金属層を形成する工程を含む、回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた回路を有し、且つ、非回路部の残渣が低減された微細な回路基板を、比較的簡易な方法で作製可能な回路基板の作製方法回路基板の作製方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板の表面に密着補助層を形成する工程と、該密着補助層の表面に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基及び重合性基を有する高分子化合物を含む密着層を形成し、該密着層にエネルギーを付与して、当該密着層を前記密着補助層に固定する工程と、該固定した密着層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、該めっき触媒又はその前駆体が付与された密着層に、無電解めっきを行い金属薄膜を形成する工程と、形成された金属薄膜を用いて電気めっきを行う工程と、を含み、且つ、前記密着補助層、密着層、及び金属薄膜のいずれかにおける非回路部に対応した領域を、レーザーの照射により部分的に除去する工程を更に含む回路基板の作製方法。 （もっと読む）