【課題】配線基板の微細配線形成、特に、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ以下または配線厚み１５μｍ以下の微細配線形成が可能な銅のエッチング処理方法およびこの方法を用いてなる配線基板を提供することである。
【解決手段】銅をエッチング処理する方法であって、銅を酸化処理して酸化銅とする工程、その後、前記酸化銅を酸性溶液で溶解する工程を有する、銅のエッチング処理方法。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が少なく、大面積を連続的に生産することが可能となる導電性パターンの形成方法、配線板の製造方法及び配線板を提供する。
【解決手段】基板１１の表面に、導電性パターンを形成する導電性パターンの形成方法であって、疎水性の表面を有する基板１１を選択し、基板１１の表面のうち導電性パターンを形成する導電性パターン形成部１２に親水化処理を施す親水化処理工程と、基板１１の表面に、金属粒子、バインダー、溶媒を含む親水性の溶液１４を接触させ、親水化処理が施された導電性パターン形成部１２に選択的に溶液１４を付着・固化させて金属粒子層１４Ａを形成する金属粒子層形成工程と、金属粒子層１４Ａが形成された基板１１の表面に、無電解めっきあるいは電解めっきを施してめっき層を形成するめっき工程とを、備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インプリント技術やフォトリソグラフィー技術を用いて回路パターンを形成するためには、下地に金属膜を形成し、さらにエッチング工程を必要とする。
【解決手段】本発明は、インプリントされた樹脂パターン８が形成された、透明な３基板の背面から光を照射し、光ＣＶＤ法により樹脂パターン８の無い凹部にだけ選択的に導体パターン（光ＣＶＤ膜パターン６）を形成する。樹脂パターン８部においては、基板背面から照射された光が吸収または遮光されるので、光ＣＶＤ反応は起こらない。 （もっと読む）

【課題】１０μｍ前後の細線で電極断線部などを修正することができ、かつ、欠陥部周辺の汚染が小さなパターン修正方法を提供する。
【解決手段】このパターン修正方法では、孔３ａの開いたフィルム３をマスクとして電極２のオープン欠陥部２ａに修正ペースト７を塗布する場合に、フィルム３の厚さＦｔと孔３ａの短軸長Ｓｗとの関係をＦｔ＞Ｓｗにする。これにより、修正ペースト７を孔３ａ内に保持する力を強くすることができ、孔３ａに塗布された修正ペースト７がフィルム３と基板１との隙間に吸い込まれることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】微細配線形成を可能とする低コストで省資源なレジスト膜形成方法を提供する。
【解決手段】光触媒膜１２を形成した支持基板１１を準備し、光触媒膜の一部に光１４を照射し、その光照射領域を親水性に変化させることにより、光触媒膜１２の膜表面に所定パターンの親水領域１５を形成し、光触媒膜１２上にレジストを塗布して撥水領域１５ａ上のレジストを選択的に親水領域１５上に集合させることにより、所定パターンのレジスト膜１６を形成する。また、レジスト膜被転写用基板２７に支持基板１１上のレジスト膜１６を密着させ、その支持基板１１を除去して基板２７にレジスト膜１６を転写する。親水領域１５を再び撥水領域に復元することにより、支持基板１１を繰り返し再利用する。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の良好なＦＰＣを低コストに提供する。
【解決手段】ＦＰＣは、ベースフィルム上の導体層のエッチングによって形成される導体ライン５〜１２と、該導体ラインの部品実装部に電解メッキ処理によって形成される導体ランドパターン２４と、アイランド型の導体ライン６，７，１０，１１から延びてＦＰＣ外周部に至るメッキ用導通線６ａ，７ａ，１０ａ，１１ａとを有する。ＦＰＣ外周部に、ＦＰＣの端面ラインよりも内側に後退する凹部２５を設け、メッキ用導通線６ａ，７ａ，１０ａ，１１ａの末端が該凹部２５に位置する。 （もっと読む）

【課題】伝送特性を悪化させることなく導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１上に例えば電解銅めっきにより所定の導体パターン２が形成される。導体パターン２上の一部の領域を除いて当該導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層６が形成される。すなわち、導体パターン２上の上記一部の領域が端子用開口部７となり、カバー絶縁層６により覆われていない導体パターン２の部分が端子部となる。導体パターン２上の上記一部の領域には電解金めっき層１０が形成される。端子用開口部７の外側の周縁における導体パターン２上の一部の領域に粗化部５が形成される。 （もっと読む）

【課題】伝送特性を悪化させることなく導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】屈曲部１００ａおよび２つの非屈曲部１００ｂに渡ってベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成される。粗化レジスト４が形成されていない屈曲部１００ａにおける導体パターン２の表面に、例えば凹凸形状を有する粗化部５が形成される。粗化処理用の処理液として、例えば、硫酸と過酸化水素との混合液、アルカリ−亜塩素酸系の処理液、または有機酸系の処理液を用いることができる。また、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、１μｍ〜３μｍであることが好ましい。そして、導体パターン２上の端子用開口部の領域を除いて、ベース絶縁層１および導体パターン２上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層６が形成される。 （もっと読む）

【課題】回路基板の貫通孔の孔径の大小に係わらず、サイドエッチ量が変わらず、かつ現像残渣の発生がないレジスト像を形成することができるアルカリ可溶性樹脂層処理液、アルカリ可溶性樹脂層除去方法、レジストパターンの形成方法及び回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ化合物のうち少なくともいずれか１種を高濃度で含み、さらに、硫酸塩または亜硫酸塩のうち少なくともいずれか１種を適量含むアルカリ可溶性樹脂層処理液と、この処理液を用いたアルカリ可溶性樹脂層除去方法と、このアルカリ可溶性樹脂層除去方法を用いたレジストパターンの形成方法及び回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜感光層であっても、優れた厚み均一性と基板への密着性とを両立することができるため、高解像度であり、かつ、感度と現像許容性とに優れ、高精細なパターンを形成可能なパターン形成材料、及び該パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体と、該支持体上に感光層とを少なくとも有してなり、前記感光層が、バインダー、重合性化合物、光重合開始剤及びフッ素系界面活性剤を少なくとも含んでおり、前記バインダーが、分子中にカルボキシル基を含有する共重合体と、１分子中に１つのエポキシ基を有する飽和エポキシ化合物との開環付加反応物であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が３００〜４００Ｋであり、かつ、質量平均分子量が１，０００〜１０，０００であり、前記感光層の厚みが、３〜１０μｍであることを特徴とするパターン形成材料、及び該パターン形成材料を用いたパターン形成方法である。 （もっと読む）

本発明はｎ層の所定材料の元素状活性層（ｎは２以上の整数）を含む多層構造物を支持体上に製造する方法（１００）に関する。この方法は、第１の元素状材料活性層の成膜工程（２００）と、ｎ番目の元素状材料活性層の成膜工程（３００）とを含む方法であって、特性が制御された多層構造物を得るために、成膜されたｎ層の材料元素状活性層上に、ｎ層の元素状活性層のそれぞれの個々の特性を変性させるのに適したイオン種をレジストを介して注入する単一の工程（６００）を含むことを特徴とする。
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【課題】本願発明は、従来のスクリーン印刷やめっき方法とは異なる方法によって、電子部品のバンプ等の導電部を簡易かつ効率的に形成可能とする技術を提供する。
【解決手段】 本願発明は、開口部を有するレジストで被覆された基材を、粒子を分散させた懸濁液に浸漬し、懸濁液中の粒子を開口部に堆積させる方法であって、懸濁液は、分散させた粒子が沈降して開口部に堆積するような粘性を有し、基材を該懸濁液に浸漬して、粒子を開口部に堆積させることを特徴とする粒子堆積方法に関する。よって、本願発明では、基板の開口部に比較的短時間で均一に粒子を堆積させることが可能となる。また、レジスト上に残留した余剰な粒子についても簡易的に取り除くことができるため、電子部品において所望の形状を備えたバンプ等の導電部を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの高さの均一性を必要とする箇所において、回路パターンの高さが均一なプリント配線板を提供する。
【解決手段】絶縁基材の表面上に導電性のシード層を形成する工程と、シード層上にレジスト層を形成する工程と、レジスト層に回路形成用パターンをパターンニングしてメッキ用レジスト層を形成する工程と、メッキ用レジスト層の回路形成用パターンで高さの均一性を必要とする箇所にカバー材を配置する工程と、シード層から成長させたメッキをカバー材で制限して回路パターンを形成する工程と、メッキ用レジスト層及びカバー材を除去する工程と、回路パターンが形成された部分以外のシード層を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高い密着性と、高いパターン精度で、ポリイミド表面に金属パターンを形成することができる、ポリイミドへの金属パターン形成方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド表面の金属パターンを形成しない領域にアルカリ性水溶液に溶解しない疎水性物質を付着させ、疎水性物質が付着していない領域に選択的にアルカリ性水溶液を塗布し、この水溶液を塗布した領域に前記アルカリ金属イオンとは異なる金属イオンを含有する水溶液を接触させることによってカルボン酸金属塩の層を生成し、次いで、カルボン酸金属塩を還元して金属薄膜からなる金属パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】マスキング材と基体との双方が高周波信号に対して誘電正接が低く、両者の密着性に優れる導電性回路を簡易かつ低コストで形成できる。
【解決手段】軟質重合体を混合分散したシクロオレフィン系樹脂を射出成形して一次基体１を形成し、その表面上に相溶性がある、軟質重合体を混合しないシクロオレフィン系樹脂を射出成形してマスキング層２を形成する。シクロオレフィン系樹脂自体は耐エッチング性を有するため、マスキング層２で覆われていない一次基体１の表面、すなわち導電性回路を形成すべき部分１ａだけについて軟質重合体を溶解させて粗化できると共に親水性となる。したがってマスキング層２で覆われていない部分１ａにのみ、選択的に無電解めっきによる導電層４が形成できる。 （もっと読む）

【課題】透明基材の被処理面に粗面化処理を施すことなく、少量かつ十分の量の触媒層を透明基材に付着させることにより、透明基材に対してめっき膜を確実に密着させることができるとともに、非めっき膜形成部において触媒層を除去しなくても、透過率がよく、光学的特性が良好なめっき配線基板を形成する方法と配線基板の提供。
【解決手段】透明基材２に、錫化合物を接触させる錫処理工程と、錫処理工程の後、透明基材２に銅化合物を接触させる銅処理工程と、銅処理工程の後、透明基材２にパラジウム化合物を接触させて触媒層５を形成するパラジウム処理工程と、触媒層５上に任意のパターンの銅めっき膜３を形成するめっき処理工程とを有し、触媒層５におけるパラジウム化合物の付着量を、１×１０^１３〜５×１０^１４ａｔｍｓ／ｃｍ^２とし、非めっき膜形成部７に形成されたレジスト８の表面高さと銅めっき膜３の表面高さとを同一高さ位置に形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と回路基板の接続信頼性を確保できるフリップチップ実装用回路基板を提供する。
【解決手段】基板表面に配線パターン１と、フリップチップ実装用の接続パッド２と、接続パッド２上に開口部４が形成されたソルダレジスト３とを備えたフリップチップ実装用回路基板において、開口部４内に導電性を有する物質５を形成する。 （もっと読む）

【課題】めっき厚のばらつきが抑制されるため良品率を向上できるにもかかわらず、高コスト化を伴わない配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の配線基板は、準備工程及び配線層形成工程とを経て製造される。準備工程では、製品となるべき部分２７が複数配置された製品形成領域２８と、製品形成領域２８の周囲を取り囲む枠部２９とからなる配線基板の中間製品１１を準備する。中間製品１１の枠部２９は、第１縁部２１と、製品形成領域２８を挟んで第１縁部２１の反対側に位置する第２縁部２２とを有する。第１縁部２１には第１メッシュ導体層８１が形成され、第２縁部２２には第１メッシュ導体層２１よりも面積率が低い第２メッシュ導体層８２が形成される。配線層形成工程では、中間製品１１を電解めっき浴に浸漬してパターンめっきを行い、製品となるべき部分２７に配線層６２，７２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ホイスカの発生がなくて信頼性が高く、ワイヤボンディング性や半田濡れ性の改善された配線基板を確実な方法で得る。
【解決手段】 セミアディティブ法により絶縁体表面にメッキ層からなる銅配線を設けた配線基板であって、該メッキ層からなる銅配線表面の表面粗さ（Ｒｚ）が０．２５μｍ以下の配線基板とする。銅配線は絶縁体表面にメタライズ層もしくはシード層とメタライズ層とを介して設けるのが好ましい。銅配線表面の表面粗さ（Ｒｚ）が０．２５μｍ以下にするには、組成が、硫酸濃度５〜５０ｇ／ｌ、過酸化水素濃度１０〜６０ｇ／ｌ、塩素濃度５〜４０ｐｐｍであるフラッシュエッチング液を使用して、銅メッキ層をフラッシュエッチングする。 （もっと読む）

【課題】立体回路基板の製造方法において、環境に対する負荷が少ない方法で、強固な下地密着性を有する回路の形成を可能とする。
【解決手段】成形体の表面に回路を備えた立体回路基板を製造する方法であって、所望の立体形状の成形体を形成する成形体形成工程（Ｓ１）、成形体の表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程（Ｓ２）、レジスト膜から回路となる部位のレジスト膜をレーザ光を用いて除去してパターンを形成するパターン形成工程（Ｓ３）、レジスト膜を含む成形体の表面に下地膜となるチタン膜を形成する下地膜形成工程（Ｓ４）、レジスト膜を除去することによりレジスト膜の表面に形成されたチタン膜を除去する不要部除去工程（Ｓ５）、成形体の表面に残ったチタン膜の表面にめっきを施すことにより回路を形成するめっき膜形成工程（Ｓ６）、を含んでおり、この順番で実施される。 （もっと読む）