配線回路基板およびその製造方法
【課題】伝送特性を悪化させることなく導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】屈曲部１００ａおよび２つの非屈曲部１００ｂに渡ってベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成される。粗化レジスト４が形成されていない屈曲部１００ａにおける導体パターン２の表面に、例えば凹凸形状を有する粗化部５が形成される。粗化処理用の処理液として、例えば、硫酸と過酸化水素との混合液、アルカリ−亜塩素酸系の処理液、または有機酸系の処理液を用いることができる。また、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、１μｍ〜３μｍであることが好ましい。そして、導体パターン２上の端子用開口部の領域を除いて、ベース絶縁層１および導体パターン２上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層６が形成される。
【解決手段】屈曲部１００ａおよび２つの非屈曲部１００ｂに渡ってベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成される。粗化レジスト４が形成されていない屈曲部１００ａにおける導体パターン２の表面に、例えば凹凸形状を有する粗化部５が形成される。粗化処理用の処理液として、例えば、硫酸と過酸化水素との混合液、アルカリ−亜塩素酸系の処理液、または有機酸系の処理液を用いることができる。また、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、１μｍ〜３μｍであることが好ましい。そして、導体パターン２上の端子用開口部の領域を除いて、ベース絶縁層１および導体パターン２上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層６が形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電子機器に用いられる配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板は、一般的にセミアディティブ法またはサブトラクティブ法等により製造される。
【０００３】
上記の各方法により製造される配線回路基板は、一般的にポリイミドフィルム等からなるベース絶縁層と、当該ベース絶縁層上に形成される導体パターンと、当該導体パターンを覆うカバー絶縁層とを有する。
【０００４】
従来から、導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上するために、当該導体パターンの表面に粗化処理が施されている（例えば、特許文献１および２参照）。
【０００５】
導体パターンの表面に粗化処理を施すことにより、導体パターンの表面が凹凸形状となる。それにより、アンカー効果が生じ、導体パターンとカバー絶縁層との接着性が向上されている。
【特許文献１】特開２００１−３６２１９号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１および特許文献２の回路基板（プリント基板）においては、信号配線となる導体パターン表面のほとんどの領域が粗化される。その結果、上記回路基板の導体パターンに高周波信号（例えば、１００ＭＨｚまたは３００ＭＨｚ以上）が伝送される場合には、表皮効果によって電流が導体パターン表面の凹凸に沿って流れる。それにより、実質的な伝送路長が長くなり、高周波信号の伝送特性が悪くなる。
【０００７】
例えば、高周波信号が１ＧＨｚの周波数を有する場合には、電流は導体パターンの表面から深さ２μｍ程度の領域に集中する。この場合、粗化処理が施された導体パターン表面の凹凸が大きいと、実質的な伝送路長が長くなり伝送特性は非常に悪化する。
【０００８】
また、上記のように、導体パターンの粗化処理を行わずにカバー絶縁層を形成する場合には、導体パターンとカバー絶縁層との接着性が向上されない。その結果、回路基板の繰り返し屈曲される屈曲部において導体パターンとカバー絶縁層との間に剥離が生じる場合がある。
【０００９】
本発明の目的は、伝送特性を悪化させることなく導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板であって、屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる絶縁層と、絶縁層上に形成される１または複数の配線と、１または複数の配線を覆うように絶縁層上に形成される保護層とを備え、屈曲部における１または複数の配線の面がそれぞれ粗化されているものである。
【００１１】
第１の発明に係る配線回路基板においては、絶縁層が屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる。１または複数の配線は絶縁層上に形成される。保護層は１または複数の配線を覆うように絶縁層上に形成される。そして、屈曲部における１または複数の配線の面がそれぞれ粗化されている。
【００１２】
このような構成により、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００１３】
すなわち、屈曲部における１または複数の配線上の面のみが粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００１４】
また、屈曲部における１または複数の配線上の面が粗化されることによって、１または複数の配線と保護層との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が１または複数の配線と保護層との間に生じることが防止される。
【００１５】
（２）１または複数の配線における絶縁層との積層面に対向する面が少なくとも粗化されていてもよい。
【００１６】
この場合、１または複数の配線と保護層との接着性を確保しつつ、実質的な伝送路長が長くなることによる高周波信号の伝送特性の悪化を十分に防止できる。
【００１７】
（３）粗化された面の算術平均高さは、１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。この場合、１または複数の配線と保護層との十分な接着性を確保しつつ、実質的な伝送路長が長くなることによる高周波信号の伝送特性の悪化を防止できる。
【００１８】
（４）１または複数の配線は、屈曲部において互いに並列に延びる複数の配線を有し、複数の配線の互いに対向する面は粗化されていなくてもよい。
【００１９】
この場合、複数の配線と保護層との接着性を確保しつつ、実質的な伝送路長が長くなることによる高周波信号の伝送特性の悪化を十分に防止できる。
【００２０】
（５）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、屈曲部を除く領域における１または複数の配線上に粗化用のレジストを形成する工程と、粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面を粗化する工程と、粗化用のレジストを除去する工程と、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたものである。
【００２１】
第２の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、絶縁層が屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる。１または複数の配線は絶縁層上に形成される。そして、屈曲部を除く領域における１または複数の配線上に粗化用のレジストが形成され、粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面が粗化される。また、粗化用のレジストが除去され、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層が形成される。
【００２２】
このような構成により、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００２３】
すなわち、屈曲部における１または複数の配線上の面のみが粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００２４】
また、屈曲部における１または複数の配線上の面が粗化されることによって、１または複数の配線と保護層との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が１または複数の配線と保護層との間に生じることが防止される。
【００２５】
（６）第３の発明に係る配線回路基板の製造方法は、屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、１または複数の配線の表面を粗化する工程と、非屈曲部を除く領域における１または複数の配線上に平滑化用のレジストを形成する工程と、平滑化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面を平滑化する工程と、平滑化用のレジストを除去する工程と、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたものである。
【００２６】
第３の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、絶縁層が屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる。１または複数の配線は絶縁層上に形成される。そして、１または複数の配線の表面が粗化される。また、非屈曲部を除く領域における１または複数の配線上に平滑化用のレジストが形成され、平滑化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面が平滑化される。そして、平滑化用のレジストが除去され、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層が形成される。
【００２７】
このような構成により、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００２８】
すなわち、屈曲部における１または複数の配線上の面のみが粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００２９】
また、屈曲部における１または複数の配線上の面が粗化されることによって、１または複数の配線と保護層との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が１または複数の配線と保護層との間に生じることが防止される。
【００３０】
（７）第４の発明に係る配線回路基板の製造方法は、屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を、１または複数の配線とは逆パターンのめっき用のレジストを用いて形成する工程と、非屈曲部における１または複数の配線およびめっき用のレジスト上に粗化用のレジストを形成する工程と、粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面を粗化する工程と、めっき用のレジストおよび粗化用のレジストを除去する工程と、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたものである。
【００３１】
第４の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、絶縁層が屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる。１または複数の配線が、当該１または複数の配線とは逆パターンのめっき用のレジストを用いて絶縁層上に形成される。また、非屈曲部における１または複数の配線およびめっき用のレジスト上に粗化用のレジストが形成され、粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面が粗化される。そして、めっき用のレジストおよび粗化用のレジストが除去され、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層が形成される。
【００３２】
このような構成により、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００３３】
すなわち、屈曲部における１または複数の配線上の面のみが粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００３４】
また、屈曲部における１または複数の配線上の面が粗化されることによって、１または複数の配線と保護層との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が１または複数の配線と保護層との間に生じることが防止される。
【００３５】
特に、本発明に係る配線回路基板の製造方法では、互いに隣接する配線に互いに逆方向の電流が流れる場合、電流が上記配線の互いに対向する側面に沿って流れることがある（近接効果）。したがって、上記のように、屈曲部における１または複数の配線の面が粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００３６】
（８）第５の発明に係る配線回路基板の製造方法は、屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、屈曲部および非屈曲部に渡って設けられ、絶縁層と導体層とが積層されてなる積層板における導体層上の面を粗化する工程と、導体層上の所定の領域にエッチング用のレジストを形成し、所定の領域を除いて導体層をエッチングすることにより絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、エッチング用のレジストを除去する工程と、屈曲部における１または複数の配線上に平滑化用のレジストを形成する工程と、平滑化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面を平滑化する工程と、平滑化用のレジストを除去する工程と、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたものである。
【００３７】
第５の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、絶縁層が屈曲部および非屈曲部に渡って設けられ、絶縁層と導体層とが積層されてなる積層板における導体層上の面が粗化される。そして、導体層上の所定の領域にエッチング用のレジストが形成され、上記の所定の領域を除いて導体層をエッチングすることにより絶縁層上に１または複数の配線が形成される。また、エッチング用のレジストが除去された後、屈曲部における１または複数の配線上に平滑化用のレジストが形成され、平滑化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面が平滑化される。そして、平滑化用のレジストが除去され、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層が形成される。
【００３８】
このような構成により、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００３９】
すなわち、屈曲部における１または複数の配線上の面のみが粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００４０】
また、屈曲部における１または複数の配線上の面が粗化されることによって、１または複数の配線と保護層との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が１または複数の配線と保護層との間に生じることが防止される。
【００４１】
特に、本発明に係る配線回路基板の製造方法では、互いに隣接する配線に互いに逆方向の電流が流れる場合、電流が上記配線の互いに対向する側面に沿って流れることがある（近接効果）。したがって、上記のように、屈曲部における１または複数の配線の面が粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、伝送特性を悪化させることなく導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板について図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態に係る配線回路基板はフレキシブル配線回路基板である。
【００４４】
（１）第１の実施の形態
最初に、本実施の形態および後述する第２〜第４の実施の形態に係る配線回路基板の全体構成について説明する。
【００４５】
図１は、第１〜第４の実施の形態に係る配線回路基板の全体構成を示す平面図である。
【００４６】
図１に示すように、本実施の形態に係る配線回路基板１００は、屈曲部１００ａおよび非屈曲部１００ｂを備える。本実施の形態では、大きさが異なる２つの非屈曲部１００ｂの間に屈曲部１００ａが設けられている。
【００４７】
屈曲部１００ａは、屈曲する部位または屈曲を繰り返す部位であり、非屈曲部１００ｂは、半導体チップ等が搭載されるとともに屈曲しない部位である。
【００４８】
一方の非屈曲部１００ｂから他方の非屈曲部１００ｂまで複数（本実施の形態では、２つ）の導体パターン２が、屈曲部１００ａの外形に略平行に沿うように形成されている。また、導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層６が形成される。各非屈曲部１００ｂにおけるカバー絶縁層６に半導体チップ等が搭載されるための端子用開口部７がそれぞれ設けられる。
【００４９】
各導体パターン２の両端部は、それぞれ各端子用開口部７において露出している。各導体パターン２の端子用開口部７で露出している部分が端子部となる。半導体チップ等は、端子用開口部７における導体パターン２の上記端子部にそれぞれ接続される。なお、上述したように、本実施の形態では、導体パターン２の数を２つとしたが、これに限定されるものではなく、例えば３つ以上としてもよい。
【００５０】
導体パターン２の端子部上には図示しない電解金めっき層が形成される。なお、上記の電解金めっき層は、金を単一成分として含むものであってもよく、また、金を主成分として銅（Ｃｕ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、およびリン（Ｐ）等からなる群から選択される一種以上の元素を含むものであってもよい。
【００５１】
次に、本実施の形態に係る配線回路基板１００の製造方法について各工程を示した図面を参照しながら説明する。
【００５２】
図２は、セミアディティブ法による配線回路基板１００の製造方法の各工程を示す模式的断面図である。
【００５３】
図２（ａ）に示すように、例えばポリイミドフィルムからなる厚さ１２μｍのベース絶縁層１を用意する。
【００５４】
続いて、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１上にドライフィルムレジスト等を用いて、後工程で形成される導体パターン２とは逆パターンのめっきレジスト３が形成される。
【００５５】
その後、図２（ｃ）に示すように、ベース絶縁層１上におけるめっきレジスト３が形成されていない表面に、電解銅めっきにより例えば１８μｍの厚さを有する導体パターン２が形成される。
【００５６】
続いて、図２（ｄ）に示すように、めっきレジスト３が剥離等により除去される。なお、ベース絶縁層１と導体パターン２との接着性が懸念される場合には、ベース絶縁層１と導体パターン２との間に金属薄膜を設けることにより接着性を向上することができる。
【００５７】
次に、上述の図２（ｄ）の工程後、本実施の形態に係る配線回路基板１００が製造されるまでの各工程について説明する。
【００５８】
図３は、ベース絶縁層１上に導体パターン２が形成された後、配線回路基板１００が製造されるまでの各工程を示す断面図である。なお、図３においては、図１の配線回路基板１００のＣ−Ｃ線断面におけるＤ領域が示されている。
【００５９】
図３（ａ）に示すように、屈曲部１００ａおよび２つの非屈曲部１００ｂに渡ってベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成されている。
【００６０】
２つの非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２上に、感光性樹脂により粗化レジスト４がそれぞれ形成される。すなわち、後述するように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に粗化処理を施すので、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上には粗化レジスト４は形成されない。なお、粗化処理の詳細については後述する。
【００６１】
次いで、図３（ａ）において２つの非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２上に粗化レジスト４がそれぞれ形成されたものを、粗化処理用の処理液中に浸漬させる。このような処理を行うことにより、図３（ｂ）に示すように、粗化レジスト４が形成されていない屈曲部１００ａにおける導体パターン２の表面に、例えば凹凸形状を有する粗化部５が形成される。
【００６２】
上記の粗化処理用の処理液として、例えば、硫酸と過酸化水素との混合液、アルカリ−亜塩素酸系の処理液、または有機酸系の処理液を用いることができる。
【００６３】
硫酸と過酸化水素との混合液の具体例として、メック社製のメックブライト（ＣＢ−５００４）およびメックＶ−Ｂｏｎｄ（Ｂ０−７７７０）、ならびに、マクダーミッド社製のＭＥ−６０５およびマルチボンド（ＭＢ−１００）等が挙げられる。
【００６４】
また、アルカリ−亜塩素酸系の処理液の具体例として、マクダーミッド社製のオムニボンド（オムニボンド９２５１）およびＢ０−２０００等が挙げられる。さらに、有機酸系の処理液の具体例として、メック社製のメックエッチボンド（ＣＺ−８１００）等が挙げられる。
【００６５】
また、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、１μｍ〜３μｍであることが好ましい。本実施の形態では、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、例えば２μｍとすることができる。なお、表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａとは、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４）に定められた表面粗さを表すパラメータであり、例えば触針式表面粗さ計により測定される。
【００６６】
次に、図３（ｃ）に示すように、粗化レジスト４が剥離等により除去される。そして、導体パターン２上の端子用開口部７（図１）の領域を除いて、ベース絶縁層１および導体パターン２上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層６が形成される。これにより、屈曲部１００ａにおける導体パターン２の表面に形成された粗化部５上にカバー絶縁層６の一部が接着される。なお、図３においては、ベース絶縁層１上に形成されたカバー絶縁層６は、断面線の位置の関係上図示されない。以上により、屈曲部１００ａにおける導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【００６７】
ここで、このように製造された配線回路基板１００のＡ−Ａ線断面（図１）の模式図について説明する。
【００６８】
図４は、第１の実施の形態に係る配線回路基板１００の製造方法により製造された配線回路基板１００のＡ−Ａ線断面（図１）の模式図である。
【００６９】
本実施の形態では、上述したように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に粗化レジスト４を形成しないで、ベース絶縁層１上に導体パターン２が形成されたものを粗化処理用の処理液中に浸漬させる。
【００７０】
これにより、図４に示すように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２においては、ベース絶縁層１との接着面（図４では、下面）を除いた面（図４では、上面および両側面）上に粗化部５が形成される。
【００７１】
（２）第２の実施の形態
次に、第２の実施の形態における配線回路基板１００の製造方法について説明する。
【００７２】
第２の実施の形態においては、セミアディティブ法によりベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成されるまでの工程は第１の実施の形態（図２（ａ）〜（ｄ）に相当する工程）と同じであるので、説明は省略する。
【００７３】
図５は、ベース絶縁層１上に導体パターン２が形成された後、配線回路基板１００が製造されるまでの各工程の他の例を示す断面図である。なお、図５においては、図１の配線回路基板１００のＣ−Ｃ線断面におけるＤ領域が示されている。
【００７４】
屈曲部１００ａおよび２つの非屈曲部１００ｂに渡ってベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成されている。このように、ベース絶縁層１上に導体パターン２が形成されたものを、第１の実施の形態と同じ粗化処理用の処理液中に浸漬させる。
【００７５】
このような処理を行うことにより、図５（ａ）に示すように、屈曲部１００ａおよび２つの非屈曲部１００ｂに渡って、導体パターン２の表面に粗化部５が形成される。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、例えば２μｍとすることができる。
【００７６】
続いて、図５（ｂ）に示すように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に平滑化レジスト８が形成される。これは、後述するように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に形成された粗化部５を残すためである。
【００７７】
次いで、図５（ｃ）に示すように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に平滑化レジスト８が形成されたものを、平滑化処理用の処理液中に浸漬させる。これにより、２つの非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２上に形成された各粗化部５がそれぞれ平滑化される。
【００７８】
本実施の形態では、上記の平滑化処理用の処理液として、例えば、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸案アンモニウム水溶液または過硫酸カリウム水溶液を用いることができる。
【００７９】
続いて、図５（ｄ）に示すように、平滑化レジスト８が剥離等により除去される。そして、導体パターン２上の端子用開口部７（図１）の領域を除いて、ベース絶縁層１および導体パターン２上にカバー絶縁層６が形成される。これにより、屈曲部１００ａにおける導体パターン２の表面に形成された粗化部５上にカバー絶縁層６の一部が接着される。なお、図５においては、ベース絶縁層１上に形成されたカバー絶縁層６は、断面線の位置の関係上図示されない。以上により、屈曲部１００ａにおける導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【００８０】
なお、このように製造された配線回路基板１００のＡ−Ａ線断面（図１）の模式図は、上述の図４と同じである。
【００８１】
（３）第３の実施の形態
次に、第３の実施の形態における配線回路基板１００の製造方法について説明する。
【００８２】
第３の実施の形態においては、ベース絶縁層１上にめっきレジスト３が形成された後、当該ベース絶縁層１上におけるめっきレジスト３が形成されていない表面に導体パターン２が形成されるまでの工程は第１の実施の形態（図２（ａ）〜（ｃ）に相当する工程）と同じであるので、説明は省略する。したがって、以下では、上記図２（ｃ）の工程後、本実施の形態に係る配線回路基板１００が製造されるまでの各工程について説明する。
【００８３】
図６Ａおよび図６Ｂは、図２（ｃ）の工程後、配線回路基板１００が製造されるまでの各工程のさらに他の例を示す断面図である。
【００８４】
ここで、図６Ａおよび図６Ｂにおいては、（Ａ１）と（Ｂ１）、（Ａ２）と（Ｂ２）、（Ａ３）と（Ｂ３）、および（Ａ４）と（Ｂ４）が、それぞれ同じ工程における異なる領域の断面図を示している。
【００８５】
すなわち、（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、および（Ａ４）は、図１の配線回路基板１００の屈曲部１００ａにおけるＡ−Ａ線断面図を示し、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、および（Ｂ４）は、配線回路基板１００の一方の非屈曲部１００ｂにおけるＢ−Ｂ線断面図を示している。なお、以下では、Ｂ−Ｂ線断面図を用いて一方の非屈曲部１００ｂにおける断面の構成について説明するが、他方の非屈曲部１００ｂにおける断面の構成については上記構成と同じであるので、説明は省略する。
【００８６】
図６Ａ（Ａ１）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、図２（ｃ）の工程における処理後の状態が維持される。
【００８７】
一方、図６Ａ（Ｂ１）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいては、図２（ｃ）の工程における処理の後、導体パターン２上およびめっきレジスト３上に粗化レジスト４が形成される。
【００８８】
次いで、図６Ａ（Ａ２）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、ベース絶縁層１上に導体パターン２およびめっきレジスト３が形成されたものが、第１の実施の形態と同じ粗化処理用の処理液中に浸漬される。これにより、導体パターン２の表面に粗化部５が形成される。なお、導体パターン２の側面はめっきレジスト３の側面に接しているので、当該導体パターン２の側面には粗化部５は形成されない。また、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、例えば２μｍである。
【００８９】
一方、図６Ａ（Ｂ２）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいては、図６Ａ（Ｂ１）の工程における処理後の状態が維持される。
【００９０】
次に、図６Ｂ（Ａ３）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、めっきレジスト３が除去される。
【００９１】
一方、図６Ｂ（Ｂ３）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいては、めっきレジスト３および粗化レジスト４が共に除去される。
【００９２】
続いて、図６Ｂ（Ａ４）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、ベース絶縁層１上および粗化部５が形成された導体パターン２上に、カバー絶縁層６が形成される。
【００９３】
一方、図６Ｂ（Ｂ４）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいても、ベース絶縁層１上および粗化部５が形成されていない導体パターン２上に、カバー絶縁層６が形成される。
【００９４】
以上により、屈曲部１００ａにおける導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【００９５】
（４）第４の実施の形態
次に、第４の実施の形態における配線回路基板１００の製造方法について説明する。
【００９６】
図７Ａおよび図７Ｂは、第４の実施の形態に係る配線回路基板１００が製造されるまでの各工程を示す断面図である。
【００９７】
ここで、図７Ｂにおいては、（ｅ１）と（ｅ２）、（ｆ１）と（ｆ２）、および（ｇ１）と（ｇ２）が、それぞれ同じ工程における異なる領域の断面図を示している。
【００９８】
すなわち、（ｅ１）、（ｆ１）、および（ｇ１）は、図１の配線回路基板１００の屈曲部１００ａにおけるＡ−Ａ線断面図を示し、（ｅ２）、（ｆ２）、および（ｇ２）は、配線回路基板１００の一方の非屈曲部１００ｂにおけるＢ−Ｂ線断面図を示している。
【００９９】
また、図７Ａ（ａ）〜（ｄ）においては、配線回路基板１００の屈曲部１００ａにおけるＡ−Ａ線断面図と一方の非屈曲部１００ｂにおけるＢ−Ｂ線断面図とは同じであるので、一の断面図のみ示されている。なお、以下では、Ｂ−Ｂ線断面図を用いて一方の非屈曲部１００ｂにおける断面の構成について説明するが、他方の非屈曲部１００ｂにおける断面の構成については上記構成と同じであるので、説明は省略する。
【０１００】
図７Ａ（ａ）に示すように、例えば１２μｍの厚さを有するポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１と、当該ベース絶縁層１上の例えば銅箔からなる導体層２ａとが積層されてなる二層基材が用意される。
【０１０１】
続いて、図７Ａ（ｂ）に示すように、上記の二層基材が、第１の実施の形態と同じ粗化処理用の処理液中（例えば、３２℃）に例えば１分間浸漬される。これにより、導体層２ａにおけるベース絶縁層１との接着面（図７Ａでは、下面）を除いた面（上面および両側面）上に粗化部５が形成される。なお、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、例えば２μｍである。
【０１０２】
次いで、上記導体層２ａをエッチングすることにより後述の所定の導体パターン２を形成するために、図７Ａ（ｃ）に示すように、導体層２ａ上のエッチングする領域を除いた領域にエッチングレジスト３０が形成される。
【０１０３】
そして、所定のエッチング液によりエッチング処理が行われた後、エッチングレジスト３０が除去されることによって、図７Ａ（ｄ）に示すように、ベース絶縁層１上に導体パターン２が形成される。なお、形成された導体パターン２の表面に粗化部５が形成されていることとなる。
【０１０４】
続いて、図７Ｂ（ｅ１）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、導体パターン２上に感光性樹脂により平滑化レジスト８が形成される。
【０１０５】
一方、図７Ｂ（ｅ２）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいては、図７Ａ（ｄ）の工程における処理後の状態が維持される。
【０１０６】
そして、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に平滑化レジスト８が形成されたものが、第２の実施の形態と同じ平滑化処理用の処理液中に浸漬される。その後、平滑化レジスト８が除去される。
【０１０７】
これにより、図７Ｂ（ｆ１）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、導体パターン２上の粗化部５は維持される。一方、図７Ｂ（ｆ２）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいては、導体パターン２上の粗化部５は平滑化され除去される。
【０１０８】
次いで、図７Ｂ（ｇ１）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、ベース絶縁層１上および粗化部５が形成された導体パターン２上に、カバー絶縁層６が形成される。
【０１０９】
一方、図７Ｂ（ｇ２）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいても、ベース絶縁層１上および粗化部５が形成されていない導体パターン２上に、カバー絶縁層６が形成される。
【０１１０】
以上により、屈曲部１００ａにおける導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【０１１１】
（５）他の実施の形態
上記実施の形態において、配線回路基板１００の製造方法として、セミアディティブ法を用いたが、これに限定されるものではなく、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等の他の方法を用いることも可能である。
【０１１２】
さらに、配線回路基板１００の非屈曲部１００ｂの端子用開口部７には、上述のように、半導体チップを接続してもよいし、別の配線回路基板を接続してもよい。
【０１１３】
また、ベース絶縁層１の他の例として、ポリパラバン酸フィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、およびポリエーテルエーテルケトンフィルム等のエンジニアリングプラスチックフィルムが挙げられる。
【０１１４】
また、カバー絶縁層６の材料として、ベース絶縁層１と同様の材料を用いることができる。
【０１１５】
さらに、導体パターン２の材料は、銅に限定されず、銅を含む合金、アルミニウム、銀等の他の金属材料を用いてもよい。
【０１１６】
（６）各実施の形態における効果
このように、上記各実施の形態では、配線回路基板１００の屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に粗化処理により粗化部５が形成される。そして、導体パターン２上に形成された粗化部５を介してカバー絶縁層６が接着される。
【０１１７】
このような構成により、屈曲部１００ａおよび非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号（例えば、１００ＭＨｚ以上または３００ＭＨｚ以上）の伝送特性の悪化が防止される。
【０１１８】
すなわち、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上の領域にのみ粗化部５を形成することによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【０１１９】
また、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に粗化部５を形成することによって、導体パターン２とカバー絶縁層６との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が導体パターン２とカバー絶縁層６との間に生じることが防止される。
【０１２０】
特に、第１および第２の実施の形態に係る配線回路基板１００では、屈曲部１００ａにおける導体パターン２の絶縁層１との接着面を除いた面上に粗化部５が形成される。これにより、導体パターン２とカバー絶縁層６との接着性がより向上される。
【０１２１】
また、特に、第３および第４の実施の形態に係る配線回路基板１００では、屈曲部１００ａにおける導体パターン２の上面上に粗化部５が形成される。これにより、実質的な伝送路長が長くなることがさらに防止される。それにより、高周波信号の伝送特性の悪化がさらに抑制または防止される。
【０１２２】
このような第３および第４の実施の形態に係る配線回路基板１００においては、以下の効果も奏される。
【０１２３】
すなわち、互いに隣接する導体パターン２に互いに逆方向の電流が流れる場合、電流が上記各導体パターン２の側面に沿って流れることがある（近接効果）。したがって、上記のように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２の上面上に粗化部５が形成されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが十分に防止される。それにより、高周波信号の伝送特性の悪化が十分に抑制または防止される。
【０１２４】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１２５】
上記実施の形態においては、ベース絶縁層１が絶縁層に相当し、導体パターン２が配線に相当し、カバー絶縁層６が保護層に相当し、粗化レジスト４が粗化用のレジストに相当し、平滑化レジスト８が平滑化用のレジストに相当し、めっきレジスト３がめっき用のレジストに相当し、エッチングレジスト３０がエッチング用のレジストに相当する。
【実施例】
【０１２６】
以下、本発明の実施例および比較例について説明する。
【０１２７】
（ａ）実施例１
上述した第１の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。なお、以下では、具体的な設計条件を除き、第１の実施の形態と重複する部分の説明については省略する。
【０１２８】
具体的な設計条件として、ベース絶縁層１の厚さを１２μｍとし、導体パターン２の厚さを１８μｍとした。
【０１２９】
また、粗化処理においては、マクダーミッド社製のマルチボンド（ＭＢ−１００）を処理液として用い３２℃で、１分間浸漬した。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは２μｍとした。
【０１３０】
（ｂ）実施例２
上述した第２の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。なお、以下では、具体的な設計条件を除き、第２の実施の形態と重複する部分の説明については省略する。
【０１３１】
具体的な設計条件として、ベース絶縁層１の厚さを１２μｍとし、導体パターン２の厚さを１８μｍとした。
【０１３２】
また、粗化処理は、上述の実施例１と同じ処理液を用い、同様に行った。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは２μｍとした。
【０１３３】
さらに、平滑化処理においては、過硫酸ナトリウム水溶液を処理液として用いた。
【０１３４】
（ｃ）実施例３
上述した第３の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。なお、以下では、具体的な設計条件を除き、第３の実施の形態と重複する部分の説明については省略する。
【０１３５】
具体的な設計条件として、ベース絶縁層１の厚さを１２μｍとし、導体パターン２の厚さを１８μｍとした。
【０１３６】
また、粗化処理は、上述の実施例１と同じ処理液を用い、同様に行った。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは２μｍとした。
【０１３７】
（ｄ）実施例４
上述した第４の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。なお、以下では、具体的な設計条件を除き、第４の実施の形態と重複する部分の説明については省略する。
【０１３８】
具体的な設計条件として、二層基材のベース絶縁層１の厚さを１２μｍとし、銅箔からなる導体層２ａの厚さを２０μｍとした。
【０１３９】
また、粗化処理は、上述の実施例１と同じ処理液を用い、同様に行った。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは２μｍとした。さらに、平滑化処理においては、上述の実施例２と同じ処理液を用いた。
【０１４０】
（ｅ）比較例１
粗化処理を行わないことを除いて、上述の実施例１と同様にして配線回路基板を製造した。
【０１４１】
すなわち、本比較例では、ベース絶縁層１上に形成される導体パターン２の表面に粗化部５を形成しないので、屈曲部１００ａおよび非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２の表面全体は平滑となっている。なお、導体パターン２の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは１．０μｍ未満であった。
【０１４２】
（ｆ）比較例２
平滑化処理を行わないことを除いて、上述の実施例２と同様にして配線回路基板を製造した。
【０１４３】
すなわち、本比較例では、屈曲部１００ａおよび非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２の表面全体に粗化部５を形成した。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは２μｍであった。
【０１４４】
（ｇ）評価
実施例１〜４で製造した各配線回路基板１００、および比較例１，２で製造した各配線回路基板について屈曲信頼性試験を行った。なお、屈曲信頼性試験とは、配線回路基板に対し屈曲（屈曲動作）を繰り返し行った後、導体パターン２とカバー絶縁層６との間に剥離が生じているか否かを調査する試験である。
【０１４５】
その結果、実施例１〜４の各配線回路基板１００および比較例２の配線回路基板の屈曲部１００ａにおいては、導体パターン２とカバー絶縁層６との間に剥離は生じなかったが、比較例１の配線回路基板の屈曲部１００ａにおいては、導体パターン２とカバー絶縁層６との間に剥離が生じていた。
【０１４６】
また、実施例１〜４の各配線回路基板１００、および比較例１の配線回路基板においては、高周波特性において周波数１ＧＨｚでの伝送損失が０．１ｄＢ／ｃｍであったのに対して、比較例２の配線回路基板においては、高周波特性において周波数１ＧＨｚでの伝送損失が０．５ｄＢ／ｃｍとなり非常に悪くなった。
【０１４７】
以上の結果から、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上の領域にのみ粗化部５を形成することによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止され、高周波信号の伝送特性が悪化しないことが確認できた。
【０１４８】
また、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に粗化部５を形成することによって、導体パターン２とカバー絶縁層６との接着性が向上されることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１４９】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】第１〜第４の実施の形態に係る配線回路基板の全体構成を示す平面図である。
【図２】セミアディティブ法による配線回路基板の製造方法の各工程を示す模式的断面図である。
【図３】ベース絶縁層上に導体パターンが形成された後、配線回路基板が製造されるまでの各工程を示す断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法により製造された配線回路基板のＡ−Ａ線断面（図１）の模式図である。
【図５】ベース絶縁層上に導体パターンが形成された後、配線回路基板が製造されるまでの各工程の他の例を示す断面図である。
【図６Ａ】図２（ｃ）の工程後、配線回路基板が製造されるまでの各工程のさらに他の例を示す断面図である。
【図６Ｂ】図２（ｃ）の工程後、配線回路基板が製造されるまでの各工程のさらに他の例を示す断面図である。
【図７Ａ】第４の実施の形態に係る配線回路基板が製造されるまでの各工程を示す断面図である。
【図７Ｂ】第４の実施の形態に係る配線回路基板が製造されるまでの各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１５１】
１ ベース絶縁層
２ 導体パターン
２ａ 導体層
３ めっきレジスト
４ 粗化レジスト
５ 粗化部
６ カバー絶縁層
７ 端子用開口部
８ 平滑化レジスト
３０ エッチングレジスト
１００ 配線回路基板
１００ａ 屈曲部
１００ｂ 非屈曲部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の電子機器に用いられる配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板は、一般的にセミアディティブ法またはサブトラクティブ法等により製造される。
【０００３】
上記の各方法により製造される配線回路基板は、一般的にポリイミドフィルム等からなるベース絶縁層と、当該ベース絶縁層上に形成される導体パターンと、当該導体パターンを覆うカバー絶縁層とを有する。
【０００４】
従来から、導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上するために、当該導体パターンの表面に粗化処理が施されている（例えば、特許文献１および２参照）。
【０００５】
導体パターンの表面に粗化処理を施すことにより、導体パターンの表面が凹凸形状となる。それにより、アンカー効果が生じ、導体パターンとカバー絶縁層との接着性が向上されている。
【特許文献１】特開２００１−３６２１９号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１および特許文献２の回路基板（プリント基板）においては、信号配線となる導体パターン表面のほとんどの領域が粗化される。その結果、上記回路基板の導体パターンに高周波信号（例えば、１００ＭＨｚまたは３００ＭＨｚ以上）が伝送される場合には、表皮効果によって電流が導体パターン表面の凹凸に沿って流れる。それにより、実質的な伝送路長が長くなり、高周波信号の伝送特性が悪くなる。
【０００７】
例えば、高周波信号が１ＧＨｚの周波数を有する場合には、電流は導体パターンの表面から深さ２μｍ程度の領域に集中する。この場合、粗化処理が施された導体パターン表面の凹凸が大きいと、実質的な伝送路長が長くなり伝送特性は非常に悪化する。
【０００８】
また、上記のように、導体パターンの粗化処理を行わずにカバー絶縁層を形成する場合には、導体パターンとカバー絶縁層との接着性が向上されない。その結果、回路基板の繰り返し屈曲される屈曲部において導体パターンとカバー絶縁層との間に剥離が生じる場合がある。
【０００９】
本発明の目的は、伝送特性を悪化させることなく導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板であって、屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる絶縁層と、絶縁層上に形成される１または複数の配線と、１または複数の配線を覆うように絶縁層上に形成される保護層とを備え、屈曲部における１または複数の配線の面がそれぞれ粗化されているものである。
【００１１】
第１の発明に係る配線回路基板においては、絶縁層が屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる。１または複数の配線は絶縁層上に形成される。保護層は１または複数の配線を覆うように絶縁層上に形成される。そして、屈曲部における１または複数の配線の面がそれぞれ粗化されている。
【００１２】
このような構成により、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００１３】
すなわち、屈曲部における１または複数の配線上の面のみが粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００１４】
また、屈曲部における１または複数の配線上の面が粗化されることによって、１または複数の配線と保護層との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が１または複数の配線と保護層との間に生じることが防止される。
【００１５】
（２）１または複数の配線における絶縁層との積層面に対向する面が少なくとも粗化されていてもよい。
【００１６】
この場合、１または複数の配線と保護層との接着性を確保しつつ、実質的な伝送路長が長くなることによる高周波信号の伝送特性の悪化を十分に防止できる。
【００１７】
（３）粗化された面の算術平均高さは、１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。この場合、１または複数の配線と保護層との十分な接着性を確保しつつ、実質的な伝送路長が長くなることによる高周波信号の伝送特性の悪化を防止できる。
【００１８】
（４）１または複数の配線は、屈曲部において互いに並列に延びる複数の配線を有し、複数の配線の互いに対向する面は粗化されていなくてもよい。
【００１９】
この場合、複数の配線と保護層との接着性を確保しつつ、実質的な伝送路長が長くなることによる高周波信号の伝送特性の悪化を十分に防止できる。
【００２０】
（５）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、屈曲部を除く領域における１または複数の配線上に粗化用のレジストを形成する工程と、粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面を粗化する工程と、粗化用のレジストを除去する工程と、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたものである。
【００２１】
第２の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、絶縁層が屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる。１または複数の配線は絶縁層上に形成される。そして、屈曲部を除く領域における１または複数の配線上に粗化用のレジストが形成され、粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面が粗化される。また、粗化用のレジストが除去され、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層が形成される。
【００２２】
このような構成により、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００２３】
すなわち、屈曲部における１または複数の配線上の面のみが粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００２４】
また、屈曲部における１または複数の配線上の面が粗化されることによって、１または複数の配線と保護層との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が１または複数の配線と保護層との間に生じることが防止される。
【００２５】
（６）第３の発明に係る配線回路基板の製造方法は、屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、１または複数の配線の表面を粗化する工程と、非屈曲部を除く領域における１または複数の配線上に平滑化用のレジストを形成する工程と、平滑化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面を平滑化する工程と、平滑化用のレジストを除去する工程と、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたものである。
【００２６】
第３の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、絶縁層が屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる。１または複数の配線は絶縁層上に形成される。そして、１または複数の配線の表面が粗化される。また、非屈曲部を除く領域における１または複数の配線上に平滑化用のレジストが形成され、平滑化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面が平滑化される。そして、平滑化用のレジストが除去され、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層が形成される。
【００２７】
このような構成により、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００２８】
すなわち、屈曲部における１または複数の配線上の面のみが粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００２９】
また、屈曲部における１または複数の配線上の面が粗化されることによって、１または複数の配線と保護層との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が１または複数の配線と保護層との間に生じることが防止される。
【００３０】
（７）第４の発明に係る配線回路基板の製造方法は、屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を、１または複数の配線とは逆パターンのめっき用のレジストを用いて形成する工程と、非屈曲部における１または複数の配線およびめっき用のレジスト上に粗化用のレジストを形成する工程と、粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面を粗化する工程と、めっき用のレジストおよび粗化用のレジストを除去する工程と、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたものである。
【００３１】
第４の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、絶縁層が屈曲部および非屈曲部に渡って設けられる。１または複数の配線が、当該１または複数の配線とは逆パターンのめっき用のレジストを用いて絶縁層上に形成される。また、非屈曲部における１または複数の配線およびめっき用のレジスト上に粗化用のレジストが形成され、粗化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面が粗化される。そして、めっき用のレジストおよび粗化用のレジストが除去され、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層が形成される。
【００３２】
このような構成により、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００３３】
すなわち、屈曲部における１または複数の配線上の面のみが粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００３４】
また、屈曲部における１または複数の配線上の面が粗化されることによって、１または複数の配線と保護層との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が１または複数の配線と保護層との間に生じることが防止される。
【００３５】
特に、本発明に係る配線回路基板の製造方法では、互いに隣接する配線に互いに逆方向の電流が流れる場合、電流が上記配線の互いに対向する側面に沿って流れることがある（近接効果）。したがって、上記のように、屈曲部における１または複数の配線の面が粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００３６】
（８）第５の発明に係る配線回路基板の製造方法は、屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、屈曲部および非屈曲部に渡って設けられ、絶縁層と導体層とが積層されてなる積層板における導体層上の面を粗化する工程と、導体層上の所定の領域にエッチング用のレジストを形成し、所定の領域を除いて導体層をエッチングすることにより絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、エッチング用のレジストを除去する工程と、屈曲部における１または複数の配線上に平滑化用のレジストを形成する工程と、平滑化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面を平滑化する工程と、平滑化用のレジストを除去する工程と、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたものである。
【００３７】
第５の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、絶縁層が屈曲部および非屈曲部に渡って設けられ、絶縁層と導体層とが積層されてなる積層板における導体層上の面が粗化される。そして、導体層上の所定の領域にエッチング用のレジストが形成され、上記の所定の領域を除いて導体層をエッチングすることにより絶縁層上に１または複数の配線が形成される。また、エッチング用のレジストが除去された後、屈曲部における１または複数の配線上に平滑化用のレジストが形成され、平滑化用のレジストが形成されていない１または複数の配線の面が平滑化される。そして、平滑化用のレジストが除去され、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線を覆うように絶縁層上に保護層が形成される。
【００３８】
このような構成により、屈曲部および非屈曲部における１または複数の配線上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【００３９】
すなわち、屈曲部における１または複数の配線上の面のみが粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【００４０】
また、屈曲部における１または複数の配線上の面が粗化されることによって、１または複数の配線と保護層との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が１または複数の配線と保護層との間に生じることが防止される。
【００４１】
特に、本発明に係る配線回路基板の製造方法では、互いに隣接する配線に互いに逆方向の電流が流れる場合、電流が上記配線の互いに対向する側面に沿って流れることがある（近接効果）。したがって、上記のように、屈曲部における１または複数の配線の面が粗化されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性の悪化が防止される。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、伝送特性を悪化させることなく導体パターンとカバー絶縁層との接着性を向上することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板について図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態に係る配線回路基板はフレキシブル配線回路基板である。
【００４４】
（１）第１の実施の形態
最初に、本実施の形態および後述する第２〜第４の実施の形態に係る配線回路基板の全体構成について説明する。
【００４５】
図１は、第１〜第４の実施の形態に係る配線回路基板の全体構成を示す平面図である。
【００４６】
図１に示すように、本実施の形態に係る配線回路基板１００は、屈曲部１００ａおよび非屈曲部１００ｂを備える。本実施の形態では、大きさが異なる２つの非屈曲部１００ｂの間に屈曲部１００ａが設けられている。
【００４７】
屈曲部１００ａは、屈曲する部位または屈曲を繰り返す部位であり、非屈曲部１００ｂは、半導体チップ等が搭載されるとともに屈曲しない部位である。
【００４８】
一方の非屈曲部１００ｂから他方の非屈曲部１００ｂまで複数（本実施の形態では、２つ）の導体パターン２が、屈曲部１００ａの外形に略平行に沿うように形成されている。また、導体パターン２を覆うようにカバー絶縁層６が形成される。各非屈曲部１００ｂにおけるカバー絶縁層６に半導体チップ等が搭載されるための端子用開口部７がそれぞれ設けられる。
【００４９】
各導体パターン２の両端部は、それぞれ各端子用開口部７において露出している。各導体パターン２の端子用開口部７で露出している部分が端子部となる。半導体チップ等は、端子用開口部７における導体パターン２の上記端子部にそれぞれ接続される。なお、上述したように、本実施の形態では、導体パターン２の数を２つとしたが、これに限定されるものではなく、例えば３つ以上としてもよい。
【００５０】
導体パターン２の端子部上には図示しない電解金めっき層が形成される。なお、上記の電解金めっき層は、金を単一成分として含むものであってもよく、また、金を主成分として銅（Ｃｕ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、およびリン（Ｐ）等からなる群から選択される一種以上の元素を含むものであってもよい。
【００５１】
次に、本実施の形態に係る配線回路基板１００の製造方法について各工程を示した図面を参照しながら説明する。
【００５２】
図２は、セミアディティブ法による配線回路基板１００の製造方法の各工程を示す模式的断面図である。
【００５３】
図２（ａ）に示すように、例えばポリイミドフィルムからなる厚さ１２μｍのベース絶縁層１を用意する。
【００５４】
続いて、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１上にドライフィルムレジスト等を用いて、後工程で形成される導体パターン２とは逆パターンのめっきレジスト３が形成される。
【００５５】
その後、図２（ｃ）に示すように、ベース絶縁層１上におけるめっきレジスト３が形成されていない表面に、電解銅めっきにより例えば１８μｍの厚さを有する導体パターン２が形成される。
【００５６】
続いて、図２（ｄ）に示すように、めっきレジスト３が剥離等により除去される。なお、ベース絶縁層１と導体パターン２との接着性が懸念される場合には、ベース絶縁層１と導体パターン２との間に金属薄膜を設けることにより接着性を向上することができる。
【００５７】
次に、上述の図２（ｄ）の工程後、本実施の形態に係る配線回路基板１００が製造されるまでの各工程について説明する。
【００５８】
図３は、ベース絶縁層１上に導体パターン２が形成された後、配線回路基板１００が製造されるまでの各工程を示す断面図である。なお、図３においては、図１の配線回路基板１００のＣ−Ｃ線断面におけるＤ領域が示されている。
【００５９】
図３（ａ）に示すように、屈曲部１００ａおよび２つの非屈曲部１００ｂに渡ってベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成されている。
【００６０】
２つの非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２上に、感光性樹脂により粗化レジスト４がそれぞれ形成される。すなわち、後述するように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に粗化処理を施すので、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上には粗化レジスト４は形成されない。なお、粗化処理の詳細については後述する。
【００６１】
次いで、図３（ａ）において２つの非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２上に粗化レジスト４がそれぞれ形成されたものを、粗化処理用の処理液中に浸漬させる。このような処理を行うことにより、図３（ｂ）に示すように、粗化レジスト４が形成されていない屈曲部１００ａにおける導体パターン２の表面に、例えば凹凸形状を有する粗化部５が形成される。
【００６２】
上記の粗化処理用の処理液として、例えば、硫酸と過酸化水素との混合液、アルカリ−亜塩素酸系の処理液、または有機酸系の処理液を用いることができる。
【００６３】
硫酸と過酸化水素との混合液の具体例として、メック社製のメックブライト（ＣＢ−５００４）およびメックＶ−Ｂｏｎｄ（Ｂ０−７７７０）、ならびに、マクダーミッド社製のＭＥ−６０５およびマルチボンド（ＭＢ−１００）等が挙げられる。
【００６４】
また、アルカリ−亜塩素酸系の処理液の具体例として、マクダーミッド社製のオムニボンド（オムニボンド９２５１）およびＢ０−２０００等が挙げられる。さらに、有機酸系の処理液の具体例として、メック社製のメックエッチボンド（ＣＺ−８１００）等が挙げられる。
【００６５】
また、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、１μｍ〜３μｍであることが好ましい。本実施の形態では、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、例えば２μｍとすることができる。なお、表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａとは、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４）に定められた表面粗さを表すパラメータであり、例えば触針式表面粗さ計により測定される。
【００６６】
次に、図３（ｃ）に示すように、粗化レジスト４が剥離等により除去される。そして、導体パターン２上の端子用開口部７（図１）の領域を除いて、ベース絶縁層１および導体パターン２上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層６が形成される。これにより、屈曲部１００ａにおける導体パターン２の表面に形成された粗化部５上にカバー絶縁層６の一部が接着される。なお、図３においては、ベース絶縁層１上に形成されたカバー絶縁層６は、断面線の位置の関係上図示されない。以上により、屈曲部１００ａにおける導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【００６７】
ここで、このように製造された配線回路基板１００のＡ−Ａ線断面（図１）の模式図について説明する。
【００６８】
図４は、第１の実施の形態に係る配線回路基板１００の製造方法により製造された配線回路基板１００のＡ−Ａ線断面（図１）の模式図である。
【００６９】
本実施の形態では、上述したように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に粗化レジスト４を形成しないで、ベース絶縁層１上に導体パターン２が形成されたものを粗化処理用の処理液中に浸漬させる。
【００７０】
これにより、図４に示すように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２においては、ベース絶縁層１との接着面（図４では、下面）を除いた面（図４では、上面および両側面）上に粗化部５が形成される。
【００７１】
（２）第２の実施の形態
次に、第２の実施の形態における配線回路基板１００の製造方法について説明する。
【００７２】
第２の実施の形態においては、セミアディティブ法によりベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成されるまでの工程は第１の実施の形態（図２（ａ）〜（ｄ）に相当する工程）と同じであるので、説明は省略する。
【００７３】
図５は、ベース絶縁層１上に導体パターン２が形成された後、配線回路基板１００が製造されるまでの各工程の他の例を示す断面図である。なお、図５においては、図１の配線回路基板１００のＣ−Ｃ線断面におけるＤ領域が示されている。
【００７４】
屈曲部１００ａおよび２つの非屈曲部１００ｂに渡ってベース絶縁層１上に所定の導体パターン２が形成されている。このように、ベース絶縁層１上に導体パターン２が形成されたものを、第１の実施の形態と同じ粗化処理用の処理液中に浸漬させる。
【００７５】
このような処理を行うことにより、図５（ａ）に示すように、屈曲部１００ａおよび２つの非屈曲部１００ｂに渡って、導体パターン２の表面に粗化部５が形成される。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、例えば２μｍとすることができる。
【００７６】
続いて、図５（ｂ）に示すように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に平滑化レジスト８が形成される。これは、後述するように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に形成された粗化部５を残すためである。
【００７７】
次いで、図５（ｃ）に示すように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に平滑化レジスト８が形成されたものを、平滑化処理用の処理液中に浸漬させる。これにより、２つの非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２上に形成された各粗化部５がそれぞれ平滑化される。
【００７８】
本実施の形態では、上記の平滑化処理用の処理液として、例えば、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸案アンモニウム水溶液または過硫酸カリウム水溶液を用いることができる。
【００７９】
続いて、図５（ｄ）に示すように、平滑化レジスト８が剥離等により除去される。そして、導体パターン２上の端子用開口部７（図１）の領域を除いて、ベース絶縁層１および導体パターン２上にカバー絶縁層６が形成される。これにより、屈曲部１００ａにおける導体パターン２の表面に形成された粗化部５上にカバー絶縁層６の一部が接着される。なお、図５においては、ベース絶縁層１上に形成されたカバー絶縁層６は、断面線の位置の関係上図示されない。以上により、屈曲部１００ａにおける導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【００８０】
なお、このように製造された配線回路基板１００のＡ−Ａ線断面（図１）の模式図は、上述の図４と同じである。
【００８１】
（３）第３の実施の形態
次に、第３の実施の形態における配線回路基板１００の製造方法について説明する。
【００８２】
第３の実施の形態においては、ベース絶縁層１上にめっきレジスト３が形成された後、当該ベース絶縁層１上におけるめっきレジスト３が形成されていない表面に導体パターン２が形成されるまでの工程は第１の実施の形態（図２（ａ）〜（ｃ）に相当する工程）と同じであるので、説明は省略する。したがって、以下では、上記図２（ｃ）の工程後、本実施の形態に係る配線回路基板１００が製造されるまでの各工程について説明する。
【００８３】
図６Ａおよび図６Ｂは、図２（ｃ）の工程後、配線回路基板１００が製造されるまでの各工程のさらに他の例を示す断面図である。
【００８４】
ここで、図６Ａおよび図６Ｂにおいては、（Ａ１）と（Ｂ１）、（Ａ２）と（Ｂ２）、（Ａ３）と（Ｂ３）、および（Ａ４）と（Ｂ４）が、それぞれ同じ工程における異なる領域の断面図を示している。
【００８５】
すなわち、（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、および（Ａ４）は、図１の配線回路基板１００の屈曲部１００ａにおけるＡ−Ａ線断面図を示し、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、および（Ｂ４）は、配線回路基板１００の一方の非屈曲部１００ｂにおけるＢ−Ｂ線断面図を示している。なお、以下では、Ｂ−Ｂ線断面図を用いて一方の非屈曲部１００ｂにおける断面の構成について説明するが、他方の非屈曲部１００ｂにおける断面の構成については上記構成と同じであるので、説明は省略する。
【００８６】
図６Ａ（Ａ１）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、図２（ｃ）の工程における処理後の状態が維持される。
【００８７】
一方、図６Ａ（Ｂ１）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいては、図２（ｃ）の工程における処理の後、導体パターン２上およびめっきレジスト３上に粗化レジスト４が形成される。
【００８８】
次いで、図６Ａ（Ａ２）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、ベース絶縁層１上に導体パターン２およびめっきレジスト３が形成されたものが、第１の実施の形態と同じ粗化処理用の処理液中に浸漬される。これにより、導体パターン２の表面に粗化部５が形成される。なお、導体パターン２の側面はめっきレジスト３の側面に接しているので、当該導体パターン２の側面には粗化部５は形成されない。また、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、例えば２μｍである。
【００８９】
一方、図６Ａ（Ｂ２）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいては、図６Ａ（Ｂ１）の工程における処理後の状態が維持される。
【００９０】
次に、図６Ｂ（Ａ３）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、めっきレジスト３が除去される。
【００９１】
一方、図６Ｂ（Ｂ３）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいては、めっきレジスト３および粗化レジスト４が共に除去される。
【００９２】
続いて、図６Ｂ（Ａ４）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、ベース絶縁層１上および粗化部５が形成された導体パターン２上に、カバー絶縁層６が形成される。
【００９３】
一方、図６Ｂ（Ｂ４）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいても、ベース絶縁層１上および粗化部５が形成されていない導体パターン２上に、カバー絶縁層６が形成される。
【００９４】
以上により、屈曲部１００ａにおける導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【００９５】
（４）第４の実施の形態
次に、第４の実施の形態における配線回路基板１００の製造方法について説明する。
【００９６】
図７Ａおよび図７Ｂは、第４の実施の形態に係る配線回路基板１００が製造されるまでの各工程を示す断面図である。
【００９７】
ここで、図７Ｂにおいては、（ｅ１）と（ｅ２）、（ｆ１）と（ｆ２）、および（ｇ１）と（ｇ２）が、それぞれ同じ工程における異なる領域の断面図を示している。
【００９８】
すなわち、（ｅ１）、（ｆ１）、および（ｇ１）は、図１の配線回路基板１００の屈曲部１００ａにおけるＡ−Ａ線断面図を示し、（ｅ２）、（ｆ２）、および（ｇ２）は、配線回路基板１００の一方の非屈曲部１００ｂにおけるＢ−Ｂ線断面図を示している。
【００９９】
また、図７Ａ（ａ）〜（ｄ）においては、配線回路基板１００の屈曲部１００ａにおけるＡ−Ａ線断面図と一方の非屈曲部１００ｂにおけるＢ−Ｂ線断面図とは同じであるので、一の断面図のみ示されている。なお、以下では、Ｂ−Ｂ線断面図を用いて一方の非屈曲部１００ｂにおける断面の構成について説明するが、他方の非屈曲部１００ｂにおける断面の構成については上記構成と同じであるので、説明は省略する。
【０１００】
図７Ａ（ａ）に示すように、例えば１２μｍの厚さを有するポリイミドフィルムからなるベース絶縁層１と、当該ベース絶縁層１上の例えば銅箔からなる導体層２ａとが積層されてなる二層基材が用意される。
【０１０１】
続いて、図７Ａ（ｂ）に示すように、上記の二層基材が、第１の実施の形態と同じ粗化処理用の処理液中（例えば、３２℃）に例えば１分間浸漬される。これにより、導体層２ａにおけるベース絶縁層１との接着面（図７Ａでは、下面）を除いた面（上面および両側面）上に粗化部５が形成される。なお、粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは、例えば２μｍである。
【０１０２】
次いで、上記導体層２ａをエッチングすることにより後述の所定の導体パターン２を形成するために、図７Ａ（ｃ）に示すように、導体層２ａ上のエッチングする領域を除いた領域にエッチングレジスト３０が形成される。
【０１０３】
そして、所定のエッチング液によりエッチング処理が行われた後、エッチングレジスト３０が除去されることによって、図７Ａ（ｄ）に示すように、ベース絶縁層１上に導体パターン２が形成される。なお、形成された導体パターン２の表面に粗化部５が形成されていることとなる。
【０１０４】
続いて、図７Ｂ（ｅ１）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、導体パターン２上に感光性樹脂により平滑化レジスト８が形成される。
【０１０５】
一方、図７Ｂ（ｅ２）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいては、図７Ａ（ｄ）の工程における処理後の状態が維持される。
【０１０６】
そして、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に平滑化レジスト８が形成されたものが、第２の実施の形態と同じ平滑化処理用の処理液中に浸漬される。その後、平滑化レジスト８が除去される。
【０１０７】
これにより、図７Ｂ（ｆ１）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、導体パターン２上の粗化部５は維持される。一方、図７Ｂ（ｆ２）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいては、導体パターン２上の粗化部５は平滑化され除去される。
【０１０８】
次いで、図７Ｂ（ｇ１）に示すように、屈曲部１００ａにおいては、ベース絶縁層１上および粗化部５が形成された導体パターン２上に、カバー絶縁層６が形成される。
【０１０９】
一方、図７Ｂ（ｇ２）に示すように、非屈曲部１００ｂにおいても、ベース絶縁層１上および粗化部５が形成されていない導体パターン２上に、カバー絶縁層６が形成される。
【０１１０】
以上により、屈曲部１００ａにおける導体パターン２とカバー絶縁層６とが粗化部５を介して接着された配線回路基板１００が製造される。
【０１１１】
（５）他の実施の形態
上記実施の形態において、配線回路基板１００の製造方法として、セミアディティブ法を用いたが、これに限定されるものではなく、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等の他の方法を用いることも可能である。
【０１１２】
さらに、配線回路基板１００の非屈曲部１００ｂの端子用開口部７には、上述のように、半導体チップを接続してもよいし、別の配線回路基板を接続してもよい。
【０１１３】
また、ベース絶縁層１の他の例として、ポリパラバン酸フィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、およびポリエーテルエーテルケトンフィルム等のエンジニアリングプラスチックフィルムが挙げられる。
【０１１４】
また、カバー絶縁層６の材料として、ベース絶縁層１と同様の材料を用いることができる。
【０１１５】
さらに、導体パターン２の材料は、銅に限定されず、銅を含む合金、アルミニウム、銀等の他の金属材料を用いてもよい。
【０１１６】
（６）各実施の形態における効果
このように、上記各実施の形態では、配線回路基板１００の屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に粗化処理により粗化部５が形成される。そして、導体パターン２上に形成された粗化部５を介してカバー絶縁層６が接着される。
【０１１７】
このような構成により、屈曲部１００ａおよび非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２上の領域が粗化されることによって生じる高周波信号（例えば、１００ＭＨｚ以上または３００ＭＨｚ以上）の伝送特性の悪化が防止される。
【０１１８】
すなわち、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上の領域にのみ粗化部５を形成することによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止される。それにより、高周波信号の伝送特性が悪化しない。
【０１１９】
また、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に粗化部５を形成することによって、導体パターン２とカバー絶縁層６との接着性を向上することが可能となる。それにより、屈曲または屈曲の繰り返しによる剥離が導体パターン２とカバー絶縁層６との間に生じることが防止される。
【０１２０】
特に、第１および第２の実施の形態に係る配線回路基板１００では、屈曲部１００ａにおける導体パターン２の絶縁層１との接着面を除いた面上に粗化部５が形成される。これにより、導体パターン２とカバー絶縁層６との接着性がより向上される。
【０１２１】
また、特に、第３および第４の実施の形態に係る配線回路基板１００では、屈曲部１００ａにおける導体パターン２の上面上に粗化部５が形成される。これにより、実質的な伝送路長が長くなることがさらに防止される。それにより、高周波信号の伝送特性の悪化がさらに抑制または防止される。
【０１２２】
このような第３および第４の実施の形態に係る配線回路基板１００においては、以下の効果も奏される。
【０１２３】
すなわち、互いに隣接する導体パターン２に互いに逆方向の電流が流れる場合、電流が上記各導体パターン２の側面に沿って流れることがある（近接効果）。したがって、上記のように、屈曲部１００ａにおける導体パターン２の上面上に粗化部５が形成されることによって、実質的な伝送路長が長くなることが十分に防止される。それにより、高周波信号の伝送特性の悪化が十分に抑制または防止される。
【０１２４】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１２５】
上記実施の形態においては、ベース絶縁層１が絶縁層に相当し、導体パターン２が配線に相当し、カバー絶縁層６が保護層に相当し、粗化レジスト４が粗化用のレジストに相当し、平滑化レジスト８が平滑化用のレジストに相当し、めっきレジスト３がめっき用のレジストに相当し、エッチングレジスト３０がエッチング用のレジストに相当する。
【実施例】
【０１２６】
以下、本発明の実施例および比較例について説明する。
【０１２７】
（ａ）実施例１
上述した第１の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。なお、以下では、具体的な設計条件を除き、第１の実施の形態と重複する部分の説明については省略する。
【０１２８】
具体的な設計条件として、ベース絶縁層１の厚さを１２μｍとし、導体パターン２の厚さを１８μｍとした。
【０１２９】
また、粗化処理においては、マクダーミッド社製のマルチボンド（ＭＢ−１００）を処理液として用い３２℃で、１分間浸漬した。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは２μｍとした。
【０１３０】
（ｂ）実施例２
上述した第２の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。なお、以下では、具体的な設計条件を除き、第２の実施の形態と重複する部分の説明については省略する。
【０１３１】
具体的な設計条件として、ベース絶縁層１の厚さを１２μｍとし、導体パターン２の厚さを１８μｍとした。
【０１３２】
また、粗化処理は、上述の実施例１と同じ処理液を用い、同様に行った。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは２μｍとした。
【０１３３】
さらに、平滑化処理においては、過硫酸ナトリウム水溶液を処理液として用いた。
【０１３４】
（ｃ）実施例３
上述した第３の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。なお、以下では、具体的な設計条件を除き、第３の実施の形態と重複する部分の説明については省略する。
【０１３５】
具体的な設計条件として、ベース絶縁層１の厚さを１２μｍとし、導体パターン２の厚さを１８μｍとした。
【０１３６】
また、粗化処理は、上述の実施例１と同じ処理液を用い、同様に行った。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは２μｍとした。
【０１３７】
（ｄ）実施例４
上述した第４の実施の形態に基づいて配線回路基板１００を製造した。なお、以下では、具体的な設計条件を除き、第４の実施の形態と重複する部分の説明については省略する。
【０１３８】
具体的な設計条件として、二層基材のベース絶縁層１の厚さを１２μｍとし、銅箔からなる導体層２ａの厚さを２０μｍとした。
【０１３９】
また、粗化処理は、上述の実施例１と同じ処理液を用い、同様に行った。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは２μｍとした。さらに、平滑化処理においては、上述の実施例２と同じ処理液を用いた。
【０１４０】
（ｅ）比較例１
粗化処理を行わないことを除いて、上述の実施例１と同様にして配線回路基板を製造した。
【０１４１】
すなわち、本比較例では、ベース絶縁層１上に形成される導体パターン２の表面に粗化部５を形成しないので、屈曲部１００ａおよび非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２の表面全体は平滑となっている。なお、導体パターン２の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは１．０μｍ未満であった。
【０１４２】
（ｆ）比較例２
平滑化処理を行わないことを除いて、上述の実施例２と同様にして配線回路基板を製造した。
【０１４３】
すなわち、本比較例では、屈曲部１００ａおよび非屈曲部１００ｂにおける導体パターン２の表面全体に粗化部５を形成した。粗化部５の表面粗さ（算術平均高さ）Ｒａは２μｍであった。
【０１４４】
（ｇ）評価
実施例１〜４で製造した各配線回路基板１００、および比較例１，２で製造した各配線回路基板について屈曲信頼性試験を行った。なお、屈曲信頼性試験とは、配線回路基板に対し屈曲（屈曲動作）を繰り返し行った後、導体パターン２とカバー絶縁層６との間に剥離が生じているか否かを調査する試験である。
【０１４５】
その結果、実施例１〜４の各配線回路基板１００および比較例２の配線回路基板の屈曲部１００ａにおいては、導体パターン２とカバー絶縁層６との間に剥離は生じなかったが、比較例１の配線回路基板の屈曲部１００ａにおいては、導体パターン２とカバー絶縁層６との間に剥離が生じていた。
【０１４６】
また、実施例１〜４の各配線回路基板１００、および比較例１の配線回路基板においては、高周波特性において周波数１ＧＨｚでの伝送損失が０．１ｄＢ／ｃｍであったのに対して、比較例２の配線回路基板においては、高周波特性において周波数１ＧＨｚでの伝送損失が０．５ｄＢ／ｃｍとなり非常に悪くなった。
【０１４７】
以上の結果から、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上の領域にのみ粗化部５を形成することによって、実質的な伝送路長が長くなることが防止され、高周波信号の伝送特性が悪化しないことが確認できた。
【０１４８】
また、屈曲部１００ａにおける導体パターン２上に粗化部５を形成することによって、導体パターン２とカバー絶縁層６との接着性が向上されることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１４９】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】第１〜第４の実施の形態に係る配線回路基板の全体構成を示す平面図である。
【図２】セミアディティブ法による配線回路基板の製造方法の各工程を示す模式的断面図である。
【図３】ベース絶縁層上に導体パターンが形成された後、配線回路基板が製造されるまでの各工程を示す断面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線回路基板の製造方法により製造された配線回路基板のＡ−Ａ線断面（図１）の模式図である。
【図５】ベース絶縁層上に導体パターンが形成された後、配線回路基板が製造されるまでの各工程の他の例を示す断面図である。
【図６Ａ】図２（ｃ）の工程後、配線回路基板が製造されるまでの各工程のさらに他の例を示す断面図である。
【図６Ｂ】図２（ｃ）の工程後、配線回路基板が製造されるまでの各工程のさらに他の例を示す断面図である。
【図７Ａ】第４の実施の形態に係る配線回路基板が製造されるまでの各工程を示す断面図である。
【図７Ｂ】第４の実施の形態に係る配線回路基板が製造されるまでの各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１５１】
１ ベース絶縁層
２ 導体パターン
２ａ 導体層
３ めっきレジスト
４ 粗化レジスト
５ 粗化部
６ カバー絶縁層
７ 端子用開口部
８ 平滑化レジスト
３０ エッチングレジスト
１００ 配線回路基板
１００ａ 屈曲部
１００ｂ 非屈曲部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板であって、
前記屈曲部および前記非屈曲部に渡って設けられる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される１または複数の配線と、
前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に形成される保護層とを備え、
前記屈曲部における前記１または複数の配線の面がそれぞれ粗化されていることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記１または複数の配線における前記絶縁層との積層面に対向する面が少なくとも粗化されていることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記粗化された面の算術平均高さは、１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記１または複数の配線は、前記屈曲部において互いに並列に延びる複数の配線を有し、前記複数の配線の互いに対向する面は粗化されていないことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記屈曲部および前記非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、
前記屈曲部を除く領域における前記１または複数の配線上に粗化用のレジストを形成する工程と、
前記粗化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の面を粗化する工程と、
前記粗化用のレジストを除去する工程と、
前記屈曲部および前記非屈曲部における前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記屈曲部および前記非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、
前記１または複数の配線の表面を粗化する工程と、
前記非屈曲部を除く領域における前記１または複数の配線上に平滑化用のレジストを形成する工程と、
前記平滑化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の面を平滑化する工程と、
前記平滑化用のレジストを除去する工程と、
前記屈曲部および前記非屈曲部における前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記屈曲部および前記非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を、前記１または複数の配線とは逆パターンのめっき用のレジストを用いて形成する工程と、
前記非屈曲部における前記１または複数の配線および前記めっき用のレジスト上に粗化用のレジストを形成する工程と、
前記粗化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の面を粗化する工程と、
前記めっき用のレジストおよび前記粗化用のレジストを除去する工程と、
前記屈曲部および前記非屈曲部における前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記屈曲部および前記非屈曲部に渡って設けられ、絶縁層と導体層とが積層されてなる積層板における前記導体層上の面を粗化する工程と、
前記導体層上の所定の領域にエッチング用のレジストを形成し、前記所定の領域を除いて前記導体層をエッチングすることにより前記絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、
前記エッチング用のレジストを除去する工程と、
前記屈曲部における前記１または複数の配線上に平滑化用のレジストを形成する工程と、
前記平滑化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の面を平滑化する工程と、
前記平滑化用のレジストを除去する工程と、
前記屈曲部および前記非屈曲部における前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項１】
屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板であって、
前記屈曲部および前記非屈曲部に渡って設けられる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される１または複数の配線と、
前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に形成される保護層とを備え、
前記屈曲部における前記１または複数の配線の面がそれぞれ粗化されていることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記１または複数の配線における前記絶縁層との積層面に対向する面が少なくとも粗化されていることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記粗化された面の算術平均高さは、１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記１または複数の配線は、前記屈曲部において互いに並列に延びる複数の配線を有し、前記複数の配線の互いに対向する面は粗化されていないことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記屈曲部および前記非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、
前記屈曲部を除く領域における前記１または複数の配線上に粗化用のレジストを形成する工程と、
前記粗化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の面を粗化する工程と、
前記粗化用のレジストを除去する工程と、
前記屈曲部および前記非屈曲部における前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記屈曲部および前記非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、
前記１または複数の配線の表面を粗化する工程と、
前記非屈曲部を除く領域における前記１または複数の配線上に平滑化用のレジストを形成する工程と、
前記平滑化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の面を平滑化する工程と、
前記平滑化用のレジストを除去する工程と、
前記屈曲部および前記非屈曲部における前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記屈曲部および前記非屈曲部に渡って設けられる絶縁層上に１または複数の配線を、前記１または複数の配線とは逆パターンのめっき用のレジストを用いて形成する工程と、
前記非屈曲部における前記１または複数の配線および前記めっき用のレジスト上に粗化用のレジストを形成する工程と、
前記粗化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の面を粗化する工程と、
前記めっき用のレジストおよび前記粗化用のレジストを除去する工程と、
前記屈曲部および前記非屈曲部における前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
屈曲部および非屈曲部を有する配線回路基板の製造方法であって、
前記屈曲部および前記非屈曲部に渡って設けられ、絶縁層と導体層とが積層されてなる積層板における前記導体層上の面を粗化する工程と、
前記導体層上の所定の領域にエッチング用のレジストを形成し、前記所定の領域を除いて前記導体層をエッチングすることにより前記絶縁層上に１または複数の配線を形成する工程と、
前記エッチング用のレジストを除去する工程と、
前記屈曲部における前記１または複数の配線上に平滑化用のレジストを形成する工程と、
前記平滑化用のレジストが形成されていない前記１または複数の配線の面を平滑化する工程と、
前記平滑化用のレジストを除去する工程と、
前記屈曲部および前記非屈曲部における前記１または複数の配線を覆うように前記絶縁層上に保護層を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【公開番号】特開２００７−３１７９００（Ｐ２００７−３１７９００Ａ）
【公開日】平成１９年１２月６日（２００７．１２．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１４６２１２（Ｐ２００６−１４６２１２）
【出願日】平成１８年５月２６日（２００６．５．２６）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１２月６日（２００７．１２．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年５月２６日（２００６．５．２６）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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