【課題】製造工程及び製造コストを増大させることなく製造することができる、放熱特性に優れたフレキシブルプリント配線板、該フレキシブルプリント配線板を備える電子機器及び前記フレキシブルプリント配線板の製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】発熱性の電子部品２０を実装するためのフレキシブルプリント配線板１０であって、基材１１の表裏両面に導電層１２を設けてあるものにおいて、裏面側の導電層１２のうち、前記電子部品２０の直下を含む電子部品近傍領域Ｋに、凹凸パターンからなる放熱構造を設けてあると共に、前記基材１１の表裏の導電層１２を、前記電子部品近傍領域Ｋに設けたブラインドビアホールＢを介して電気接続してある。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板をインサート物質を介して接合する複合基板の製造方法において、該インサート物質の移動を制御する複合基板の製造方法、及び該複合基板の製造方法によって得られる複合基板の提供。
【解決手段】平面をなす主面２ａに機能素子８が配された第一基板２と、該第一基板２と接合させる主面３ａを有する第二基板３とを用い、主面２ａ，３ａのうち少なくとも一方の主面にインサート物質４を形成する工程Ａと、主面２ａ，３ａどうしを向かい合わせて圧接することにより、インサート物質４を介して、第一基板２と第二基板３とを接合させる工程Ｂと、を含む複合基板の製造方法であって、工程Ａにおいてインサート物質４の表面に段差を設けること、及び工程Ｂにおいて前記段差の高い側から低い側に向けて、インサート物質４が移動するように圧接することを特徴とする複合基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと電気的に接続される電極パッドのピッチの、所望のピッチからのずれを小さくすることができる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップを構成する半導体基板と同等の熱膨張率を有する材料からなる支持基板１１の上面に凹部を形成する工程、前記支持基板の上面に剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に第１絶縁層１６を形成する工程と、前記凹部に対応する位置の前記金属層が露出するように、前記第１絶縁層１６を貫通する貫通穴を形成する工程と、前記金属層をシード層として、前記貫通穴内に露出した前記金属層上に第１配線層１７を形成する第１配線層形成工程と、前記第１配線層１７及び前記第１絶縁層１６上に更に配線層及び絶縁層を積層する積層工程と、前記剥離層に所定の処理を施すことにより、前記支持基板１１を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ビルドアップ基板中に内蔵できるキャパシタを、エアロゾルデポジション法を使って形成する。
【解決手段】金属よりなる第１の基体上に第１のセラミック膜を形成する工程と、金属よりなる第２の基体上に第２のセラミック膜を形成する工程と、前記第１および第２のセラミック膜の一方の表面に銅よりなる第１の電極パタ―ンと第１のビアプラグパタ―ンとを、相互に離間して形成する工程と、前記第１および第２の基体を互いに押圧することにより、前記第１のセラミック膜と前記第２のセラミック膜とを、前記第１の基体と前記第２の基体とが押圧された状態で、前記第１の基体と前記第２の基体との間にパルス電圧を印加することにより、前記第１および第２のセラミック膜を、前記第１の電極パターンおよび前記第１のビアプラグパタ―ンを介して相互に接合する工程と、前記第２の基体を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プリプレグの両面に異なる用途、機能、性能または特性等を付与することができ、かつ、優れた機械的強度や耐久性を有するプリプレグ、このプリプレグを備える基板、およびかかる基板を用いて製造される半導体装置を提供すること。
【解決手段】プリプレグ１は、平板状の繊維基材２と、この繊維基材２の一方の面側に位置し、第１の樹脂組成物で構成された第１の樹脂層３と、繊維基材２の他方の面側に位置し、第１の樹脂組成物と異なる組成の第２の樹脂組成物で構成された第２の樹脂層４とを備えている。第１の樹脂層３は、繊維基材２の厚さ方向の一部に第１の樹脂組成物が含浸した第１の含浸部３１を有している。第２の樹脂層４は、繊維基材２の第１の樹脂組成物が含浸されていない残りの部分に第２の樹脂組成物が含浸した第２の含浸部４１を有している。そして、繊維基材２内において、第１の含浸部３１と第２の含浸部４１が接触している。 （もっと読む）

【課題】安価かつ信頼性の高いセラミック基板において、多層構造とする際に誘電体材料から鉛を排除した材料として環境対応を図る。
【解決手段】焼結したセラミック基体２と、セラミック基体の表面に形成された導電性金属の導体ペーストからなる第一の回路配線パターン３と、第一の回路配線パターンの表層に形成された誘電体からなる絶縁層８と、絶縁層の表層に第二の回路配線パターンと回路搭載部品を搭載するランドが形成された導体パターンと抵抗体４とが形成されており、回路搭載部品を搭載するランド部分以外を保護膜５でコートし、電子回路部品７を導電性接着剤で接続したセラミック基板において、誘電体は、アルミナ粉末とガラス粉末を溶剤で混練した低温焼成セラミック基板のグリーンシート１１からなることを特徴とする多層セラミック基板とする。 （もっと読む）

【課題】素子チップの厚み方向に素子チップを押圧しても曲げ応力が加わり難い構造の素子チップを提供する。
【解決手段】回路基板１３に接着剤１２を介して実装される素子チップ１にかかわる。基板２上にスパイラルインダクターを構成するインダクター配線５と、インダクター配線５に沿ってインダクター配線５の一部を覆う第１樹脂膜６と、第１樹脂膜６に覆われていないインダクター配線５の他の一部と基板２との間に位置する第２樹脂膜７を有する。 （もっと読む）

【課題】通常の回路基板担持体またはマルチレイヤー型回路基板担持体の上に被着されている金属または金属合金部に一体に形成することもでき、電子回路を被着させた回路基板担持材を含めて該電子回路が曝される２００℃以上の高い動作温度でも安定に耐えることができる保護要素を提供する。
【解決手段】保護部（１２）を上に形成可能な回路基板担持材（１１）は、少なくとも高熱に対して安定で電気絶縁性のある材料から成り、該材料の熱膨張係数は、少なくとも、前記保護部（１２）が形成されている金属または金属合金部（１５）の熱膨張係数に実質的に対応して推移する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み部品具有配線板およびその製造方法において、生産効率を向上すること。
【解決手段】第１の板状絶縁層と、第１の板状絶縁層上に配置され、該第１の板状絶縁層に対向する第１の面と該第１の面とは反対の側の第２の面とを有し、該第２の面に、電気導通する部材が露出するように設けられている電気／電子部品と、第１の板状絶縁層に対して積層する位置に設けられた、電気／電子部品が存在する領域に対応して、該電気／電子部品から離間した縁の開口部を有する第２の板状絶縁層と、第１、第２の板状絶縁層の間を満たすように、かつ、第２の板状絶縁層の開口部の縁と電気／電子部品との間を満たすように、設けられた絶縁樹脂部と、第２の板状絶縁層の第１の板状絶縁層に対向する側とは反対側の面上に設けられた配線パターンと、配線パターンと電気／電子部品の第２の面の電気導通する部材とを電気的に接続する導電部材とを具備する。 （もっと読む）

【課題】部品内蔵基板の絶縁層に埋設されたチップ部品の外部電極を絶縁層上の電極層に接続するビア又はスルーホールのストレート性を高くする。
【解決手段】絶縁層２に埋設されたチップ部品３の外部電極４ａ、４ｂにつき、上面側の延長部分４２の少なくともビア５の形成位置４２ａを、表面粗さの指標Ｒｚにおいて、０＜Ｒｚ＜５μｍを満たすように平坦化して表面の湾曲を解消し、それによって、絶縁層２に形成するビア５又はスルーホールのストレート性を高くする。 （もっと読む）

【課題】擬似ウエハーの樹脂層にレーザ等でビアホールを形成することなく、簡単な工程で微細な貫通ビアを形成してチップの実装密度を高める半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体チップ２０と、複数の突起を有する金属構造体とを支持基板１１上の所定の箇所に配置し、前記複数の半導体チップ及び前記金属構造体２５を樹脂で覆って固化し、前記固化した樹脂の一部及び前記金属構造体の一部を除去、平坦化して、前記金属構造体の前記突起２５ａを貫通ビアとして露出させ、前記半導体チップ及び前記貫通ビアが埋め込まれた樹脂層を前記支持基板から剥離し、前記剥離面に所定の配線パターンを形成して擬似ウエハーを完成する。 （もっと読む）

【課題】エンベデッド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明によるエンベデッド基板の製造方法は、両面にパターンが形成され、上下部が貫通されるキャビティが形成されたコア基板と、上記キャビティに内蔵されるチップと、上記パターンを保護するように上記コア基板の両面にそれぞれ形成される第１及び第２絶縁体と、を含むエンベデッド基板の製造方法であって、上記コア基板を準備するステップと、上記キャビティの下側を遮蔽するように上記コア基板の下面に上記第１絶縁体をラミネイションするステップと、上記キャビティから露出する上記第１絶縁体に接着層を形成するステップと、上記接着層に上記チップを接着させて上記キャビティに上記チップを内蔵するステップと、上記コア基板の上面に上記第２絶縁体をラミネイションするステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セラミック基板及びその製造方法並びにイメージセンサーパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック基板は、上部面に第１溝が形成され、第１溝に第２溝が形成され、第２溝に貫通孔が形成されたセラミックボディーと、第１溝に形成された第１電極パッドと、セラミックボディーの上部面、下部面及びこれら両面のうちのいずれかに形成され、第１電極パッドに電気的に接続された第２電極パッドと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間導通部の補強効果を向上した多層配線板およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１絶縁樹脂層１１０の一方の主面に形成された第１導体回路パターン１１２を備えた第１基板１１と、第２絶縁樹脂層１２０の一方の主面に形成された第２導体回路パターン１２２を備えた第２基板１２と、第１絶縁樹脂層１１０を貫通して形成された層間導通部１１５とを有し、第１基板１１と第２基板１２とを積層し、層間導通部１１５を介して第１導体回路パターン１１２と第２導体回路パターン１２２とを接合した多層配線板において、第１導体回路パターン１１２と層間導通部１１５との接合部の周囲に空隙を介して第１絶縁樹脂層１１０上に形成された第１補強パターン１１４と、第２導体回路パターン１２２と層間導通部１１５との接合部の周囲に空隙を介して第２絶縁樹脂層１２０上に形成された第２補強パターン１２４とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】銅コアボールをスペーサ部材として用いて上基板と下基板とを接続する際にモールド樹脂内に多量のはんだが閉じこめられない半導体パッケージの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】上基板２０を含みその周囲に延在部４０ａを有する上基板用基板材４０の接合パッドに、スペーサ部材として銅コアボール１８を接合するとともに、下基板１２を含みその周囲に延在部５０ａを有する下基板用基板材５０を準備する。上基板用基板材４０を銅コアボール１８を介して下基板用基板材５０に接続する。上基板用基板材４０と下基板用基板材５０との間にモールド樹脂２２を充填して固定する。上基板用基板材４０延在部４０ａと下基板用基板５０の延在部５０ａとを含む部分を除去し、半導体パッケージ１０を個片化する。 （もっと読む）

【課題】配線板の表面および裏面に実装される電子部品を１回の接続工程で製造可能とした部品内蔵多層配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の部品内蔵多層配線板は、第１の印刷配線板と、第１の印刷配線板と同じ大きさの第２の印刷配線板と、第１の印刷配線板の表層に実装される第１電子部品と、第１の印刷配線板と第２の印刷配線板の間に内蔵され、第１電子部品と対向する前記第１の印刷配線板の裏層に実装される第２電子部品とを有する。そして、第１の印刷配線板の第１電子部品および第２電子部品の両端に設けられるスルーホールを用いて、第１の印刷配線板と第１電子部品との接続時に、第１の印刷配線板と第２電子部品との接続を同時に行う。 （もっと読む）

【課題】多層配線が簡易な方法によって低コストで形成される電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層３０の上に、絶縁層２２の上に金属層３２ａが積層された積層膜ＣＦを形成する工程と、積層膜ＣＦの上に開口部２３ａが設けられたレジスト２３を形成する工程と、レジスト２３の開口部２３ａを通して金属層３２ａをエッチングすることにより金属層３２ａに開口部３２ｘを形成する工程と、ウェットブラスト法により、金属層３２ａの開口部３２ｘを通して絶縁層２２をエッチングすることにより、第１配線層３０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨに導電性ペースト４０又ははんだからなるビア導体を形成することにより、第１配線層３０と第２配線層３２となる金属層３２ａとをビア導体で接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】放熱性が良く短絡故障のおそれがない多層回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱板３に塗布した第１の樹脂４０〔図２（ａ）参照〕を熱硬化させ、放熱板３に接合された第１の接着層４を形成する〔図２（ｂ）参照〕。第１の接着層４に第２の樹脂５０を塗布し〔図２（ｃ）参照〕、その第２の樹脂５０の上に、予め形成されたサブアセンブリとしての基板本体２を載せる〔図２（ｄ）参照〕。基板本体２および放熱板３を上下から加圧しつつ加熱する。第２の樹脂５０を熱硬化させて、第２の接着層５を形成するとともに、多層回路基板１を形成する〔図２（ｅ）参照〕。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子部品との接続信頼性を向上させる要求に応える配線基板およびその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態にかかる配線基板３は、基体１１と、該基体１１の上面側のみに積層された複数の絶縁層１４と、基体１１の下面に部分的に形成された第１接続パッド７ａと、基体１１と該基体１１に隣接する絶縁層１４との間に部分的に形成された第１導電層１０ａと、隣接した絶縁層１４同士の間に部分的に形成された第２導電層１０ｂと、最上層に位置する絶縁層１４の上面に部分的に形成された第２接続パッド７ｂと、を備え、基体１１および絶縁層１４の平面方向の熱膨張率は、第１接続パッド７ａ、第１導電層１０ａ、第２導電層１０ｂおよび第２接続パッド７ｂの平面方向の熱膨張率よりも小さく、絶縁層１４の平面方向の熱膨張率は、基体１１の平面方向の熱膨張率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡素化しつつ、スイッチング素子起因の高周波ノイズを抑制し、且つ、製造時における電子部品の信頼性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の樹脂フィルムとともに電子部品を積層して積層体とし、この積層体を加圧・加熱することで、一括で樹脂フィルムを一体化しつつ電子部品を封止してなる。配線部のうち、ハーフブリッジ回路及びコンデンサの接続点とスイッチング素子とを接続する第１配線部、スイッチング素子を接続する第２配線部、接続点とコンデンサを接続する第３配線部、ゲート電極と制御ＩＣを接続する第４配線部が、絶縁基材の厚さ方向に沿って設けられている。上記配線部を除く配線部である第５配線部は、導体パターンの表面及び該表面の裏面に層間接続ビアがそれぞれ接続され、２つの層間接続ビアが絶縁基材の厚み方向に垂直な方向において、互いに重ならないように離間して配置された配線部分を含む。 （もっと読む）