【課題】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより形成された導電性被加工物を、下地層に段差を作ることなく、異なる電位に固定する。
【解決手段】同一レイヤに成膜された後、複数回のエッチングにより線状に形成された導電性被加工物を備え、導電性被加工物は、自身を電気的に分断する２以上の分断部分を有し、分断部分における導電性被加工物は、その一部が平行になるように形成されており、平行に形成された部分の少なくとも一方は分断されている。複数回のエッチングに用いられるレジストパターンのうちの、所定回数目のエッチングに用いられる第１のレジストパターンと、他の回数目のエッチングに用いられる第２のレジストパターンとが重なる領域の、平行に形成された部分に対応する箇所の幅は、エッチングによる導電性被加工物の後退量より小さい。本技術は、半導体装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】工程が煩雑になることなく、埋め込み部分のボイドやシームを解消することができるタングステン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内において、ホールを有する基板にＣＶＤによりタングステン膜を成膜してホール内にタングステンの埋め込み部を形成する工程と、同じ処理容器内にエッチングガスとしてＣｌＦ_３ガスまたはＦ_２ガスを供給して埋め込み部の上部をエッチングし、開口を形成する工程と、開口が形成された埋め込み部を有する基板に対して同じ処理容器内において、ＣＶＤによりタングステン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板の表面にダメージを与えることなく、平坦な表面を有する窒化物半導体基板を製造できる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏのいずれか、又はこれらいずれかの金属の窒化物から形成される表面を有する定盤を用い、前記定盤の前記表面と窒化物半導体基板の平坦化する表面とを対向して近接して配置し、対向配置の前記定盤および前記窒化物半導体基板を９００℃以上の高温状態とし、前記定盤の表面と前記窒化物半導体基板の表面との間に少なくとも水素とアンモニアを含むガスを供給することにより、前記定盤に対向する前記窒化物半導体基板の表面をエッチングして平坦化する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】傾斜ベース検出タスクを閾値ベース検出タスクに変換する方法を提供する。
【解決手段】モニターされている処理の値に対応する一組の点についての近似方程式を規定すること１４０で開始する。その後、モニターされている処理の現在点における期待値が予測される１４２。次に、モニターされている処理の現在点における測定値と対応する期待値との差が計算される１４４。それから、逐次点についてこの差がモニターされることにより、測定値と期待値との間の偏差値を検出する１４６。次に、モニターされている処理の遷移点は、偏差値の検出に基づいて識別される１４８。 （もっと読む）

【課題】微細化及び高集積化を達成した酸化物半導体を用いた半導体装置、及び半導体装置の作製工程において、安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。また、上記半導体装置の作製工程において、不良を抑制し、歩留まりよく作製する技術を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜を、絶縁層に設けられたトレンチに設ける。トレンチは下端コーナ部及び曲率半径が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲面状の上端コーナ部を含み、酸化物半導体膜は、トレンチの底面、下端コーナ部、上端コーナ部、及び内壁面に接して設けられる。酸化物半導体膜は、少なくとも上端コーナ部において表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜である。 （もっと読む）

【課題】良好な側壁形状の開口を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０１上に形成された誘電体膜１０２の一部を誘電体膜１０２の表面から所定の深さまでエッチングする第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程により誘電体膜１０２がエッチングされた第１のエッチング領域１１において誘電体膜１０２をエッチングしてＧａＡｓ基板１０１の表面を露出し、かつ、第１のエッチング領域１１を包含する第２のエッチング領域１２において第１のエッチング領域１１以外の領域に配置された誘電体膜１０２を所定の膜厚までエッチングする第２のエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 反射電極の表面にダメージを与えることなく、異物を除去する技術が望まれている。
【解決手段】 半導体ウエハのチップ領域に、複数の反射電極を形成する。反射電極の表面を覆うように、半導体ウエハの上に絶縁膜を形成する。反射電極が絶縁膜で覆われた状態で、チップ領域とは異なるナンバリング領域に、凹凸による識別標識を形成する。識別標識を形成した後、反射電極の上面が露出するまで絶縁膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】表面加工処理の所要時間を大幅に短縮化して生産性を向上できるＧａＮ系半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体基板の表面加工処理において、ＧａＮ系半導体基板の表面に対して機械的研磨を行い（研削工程、ラッピング工程）、その後、ＧａＮ系半導体基板表面に対して化学的気相エッチングを行う（ＣＶＥ工程）。
ラッピング工程後にＧａＮ系半導体基板表面に残存する加工変質層が、ＣＶＥ工程により効率的に除去されるので、ＧａＮ系半導体基板の表面加工処理の所要時間を大幅に短縮化できる。 （もっと読む）

【課題】近接場光によるエッチングが困難なサイズの凸部でも光の照射により選択的にエッチングすることを可能とする。
【解決手段】基板の表面に形成された凸部をエッチングするための基板の表面平坦化方法である。凸部３が露出するように基板２の表面２ａにレジスト５を被覆させる。続いて、エッチングガス雰囲気中において当該エッチングガスのガス分子６の吸収端波長より長波長の伝搬光を基板２に照射する。このとき、凸部２のレジスト５からの露出部４の表面において、照射した伝搬光によりガス分子４を断熱過程を経て解離させることによって露出部４がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】固体表面上に存在するスクラッチやそれに類する表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減すること。
【解決手段】固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射過程を含むガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法であるとし、この照射過程は、固体表面のうち少なくともガスクラスターイオンビームが照射されている領域（スポット）に、複数方向からクラスターをほぼ同時に衝突させる固体表面の平坦化方法とする。スポットに対する複数方向からのクラスター衝突は、複数のガスクラスターイオンビームを照射することによって行われる。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低減したドリフト層を有する高出力ダイヤモンド電子素子を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体からなるドリフト層と、半絶縁性ダイヤモンド層を有する構造保持材と、ダイヤモンド半導体からなるコンタクト層とを備えるダイヤモンド電子素子であって、前記構造保持材は、開口部を有し、前記ドリフト層の一方の面に積層されており、前記コンタクト層は、前記開口部内において、前記ドリフト層に直接積層されており、また、アノード電極は、前記開口部内の前記コンタクト層に設け、カソード電極は前記ドリフト層の他方の面に設けて、例えば、ショットキーバリアダイオードを実現する。単結晶ダイヤモンド基板の一方の基板面に欠陥層を形成した後、該基板面上に前記ドリフト層を成膜し、半絶縁性ダイヤモンド層を選択的に成長させて開口部を有する構造保持材を形成した後、前記基板はスマートカット法により素子部より分離する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表層が窒化ガリウムから成る被処理基板をドライエッチングする方法であって、平滑なエッチング面が得られ、且つ、良好な再現性をもってエッチングできるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上に寄与し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０にトランジスタ３６を形成する工程と、半導体基板上に、トランジスタを覆う第１のシリコン窒化膜３８を形成する工程と、第１のシリコン窒化膜にＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程と、ＮＨ_４Ｆラジカルを供給する工程の後、第１のシリコン窒化膜に対して熱処理を行う工程と、熱処理を行う工程の後、第１のシリコン窒化膜上に第２のシリコン窒化膜を形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】局所表面加工後の研磨工程において、ガラス基板表面の平坦度を維持又は向上させつつ、ガラス基板表面の面荒れを改善することができ、高平坦度と高平滑性を実現する方法を提供する。
【解決手段】マスクブランクス用のガラス基板１の被測定面および裏面の凹凸形状と板厚ばらつきを測定する凹凸形状測定工程と、前記測定結果にもとづいて、表面加工を施すことにより、前記被測定面および裏面の平坦度と板厚ばらつきを所定の基準値以下に制御する平坦度制御工程と、表面加工の施された前記ガラス基板１の表面を基板押圧手段６７により研磨布６１に押圧しつつ、回転させて研磨する際、前記ガラス基板１の表面における押圧力分布が均一となるように、前記ガラス基板１を研磨布６１に押し当て、かつ、研磨布押圧手段６７が、前記ガラス基板１の外周部近傍の前記研磨布６１を押圧しながら、前記ガラス基板１を研磨する研磨工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】初期故障や偶発故障の発生を低減する。
【解決手段】ＨＦＥＴ１は、下層のＧａＮ層１３およびＧａＮ層１３の一部を露出させるトレンチＴ１が形成された上層のＡｌＧａＮ層１４よりなるＩＩＩ族窒化物半導体層と、ＩＩＩ族窒化物半導体層上に形成されたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたゲート電極１６と、を備える。少なくともゲート絶縁膜１５と接触するトレンチＴ１底部のＧａＮ層１３上面には、原子層ステップが形成されている。原子層ステップのテラス幅の平均値は、０．２μｍ以上１μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】表面のポリシリコン層の膜厚を維持して基板の表面を平坦化することができる表面平坦化方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内においてポリシリコン層４０を表面に有するウエハＷの表面を平坦化する際、ウエハＷをチャンバ内のサセプタに載置し、チャンバ内の圧力を１００ｍＴｏｒｒ以上乃至８００ｍＴｏｒｒ以下のいずれかに設定し、酸素ガス及びアルゴンガスの混合ガスにおけるアルゴンガスの流量比を５０％以上乃至９５％以下のいずれかに設定してチャンバ内部へ導入し、周波数が１３ＭＨｚ以上乃至１００ＭＨｚ以下のいずれかに設定されているプラズマ生成用の高周波電力をサセプタに印加して導入された混合ガスを励起し、プラズマを生じさせ、生じたプラズマ中の酸素の陽イオン４３やアルゴンの陽イオン４４によってウエハＷの表面をスパッタする。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理が困難な材料に対しても適用可能であり、サイドエッチングを抑制し、且つエッチング処理面が平滑である良好なパターン形状を得ることができるミストエッチング装置及びミストエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 エッチング液をミスト化するミスト生成部と、エッチング対象物をエッチングするエッチング部とを備えており、前記ミスト生成部は、エッチング液が収容され且つミスト化されるミスト生成容器と、前記エッチング液をミスト化するミスト生成機構と、生成された前記ミストを前記ミスト生成容器外へ排出するミスト排出口とからなり、前記エッチング部には、前記ミストが導入されるミスト導入口と前記エッチング対象物とが備えられ、該エッチング部で前記ミストが蒸気化されることを特徴とするミストエッチング装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさが検出され、位置や大きさが検出された傷Ｓへ選択的に多数のガス分子２８が集合して形成されたガス分子２８のクラスター２９が吹き付けられ、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０が露光される。 （もっと読む）

【課題】装置全体を大きくすることなく、基板への入射イオンビームの均一性を図ったイオンビーム発生装置を提供する。
【解決手段】放電槽２でプラズマを発生させ、引き出し電極７より環状のイオンビームを引き出し、偏向電極３０によって、該イオンビームを環状の中心方向に屈曲させて基板Ｗに対して、傾斜した方向から入射させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造工程において、シリコンウェーハ表面に粗研磨を施した後に仕上研磨を施すに際し、粗研磨後のウェーハ表面の平坦度を仕上研磨前に事前に改善し、仕上研磨後のウェーハの表面特性を安定して確保することができる仕上研磨前シリコンウェーハの表面平坦化方法およびその表面平坦化装置を提供する。
【解決手段】仕上研磨を施す前に、平坦度測定工程（ステップ＃４２）にて、ウェーハ表面の平坦度を測定し、その表面に同心状に分布する凸領域を特定した後、凸領域除去工程（ステップ＃４４）にて、ウェーハの径方向で凸領域を覆うカップ部材を配置するとともに、ウェーハをウェーハ中心回りに回転させながら、カップ部材内にオゾンガスとフッ化水素蒸気の混合ガスを導入し、凸領域を混合ガスとの化学反応によってエッチング除去する。 （もっと読む）