【課題】基板背面に形成された各種異物を取り除くためのプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、非反応性ガスが噴射される第１電極３０と、第１電極３０との離隔を調整可能であり、基板５０を支持する基板支持台２０と、基板支持台２０と離隔配置され、電源７０が印加されて反応性ガスが噴射されて、基板支持台２０によって支持された基板５０との間にプラズマを生成させる第２電極４０と、により構成される。基板支持台２０は、少なくとも一つのアーム２１を備え、基板の安定した搭載を保障する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の処理率を向上させる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、基板が収納される容器が置かれるロードポートと、前記基板を処理する処理モジュールと、前記容器と前記処理モジュールとの間に前記基板を搬送するロボットが提供される移送モジュールと、を含む。前記処理モジュールは、前記基板を搬送するロボットが提供されるトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーと前記移送モジュールとの間に配置されるロードロックチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に前記移送モジュールと離隔配置されて第１処理工程を遂行する第１処理チャンバー、及び前記トランスファーチャンバーの周囲に配置されて第２処理工程を遂行する第２処理チャンバーを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの端部に欠けが発生するのを抑制することが可能で、且つ、製造歩留まりの向上を図ることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１２１の表面側に薄膜部１２３を形成する薄膜部形成工程と、薄膜部１２３上にレジスト膜１２４を形成するフォトリソグラフィ工程と、レジスト膜１２４をエッチングマスクとして薄膜部１２３をエッチングすることで半導体ウェハ１２１の表面の一部１２１ｄを露出させる第１エッチング工程と、半導体ウェハ１２１の表面の一部１２１ｄから半導体ウェハ１２１をエッチングする第２エッチング工程とを備え、フォトリソグラフィ工程では、薄膜部１２３のうち半導体ウェハ１２１の端部１３１に形成されている部位１２３ｄにレジスト膜１２４を形成しないようにし、第１エッチング工程では、薄膜部１２３の上記部位１２３ａをエッチング装置に設けた遮蔽物１２６によって保護する。 （もっと読む）

【課題】全体工程の時間を減らすことができる基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置は内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、前記工程チャンバー内部に反応ガスを供給するガス供給部と、前記チャックの上部に位置し、前記反応ガスに高周波電力を印加する上部電極と、前記上部電極に設置され、前記上部電極を加熱するヒーターを含む。 （もっと読む）

【課題】保持シートに保持された基板を対象とするプラズマ処理において、保持シートを覆うカバーから基板への輻射熱を効果的に抑制する。
【解決手段】搬送キャリア５は、ウエハ２を保持する保持シート６とフレーム７とを有する。保持シート６とフレーム７を覆うカバー３１の本体３２の下面３２ｂには突出部３４が設けられている。突出部３４は保持シート６に設けられた開口部８を貫通し、先端３４ａが電極部２１の上端面２１ａに接触する。電極部２１を含むステージ部１６は冷却装置２４で冷却される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ構成部品のような加工片の表面にテクスチャを設ける方法及びシステムを提供する。
【解決手段】本方法は、加工片をテクスチャ化チャンバへ供給するステップと、加工片の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップとを含む。形成されたフィーチャは、一般的には凹み、突起、及びそれらの組合わせである。プロセスチャンバ内の汚染を減少させる方法も提供される。この方法は、１またはそれ以上のプロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップと、１またはそれ以上のチャンバ構成部品をプロセスチャンバ内に位置決めするステップと、プロセスチャンバ内においてプロセスシーケンスを開始するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】反応器チャンバ内部のパーティクル汚染度を低減するプラズマ反応器の構成部品を提供する。
【解決手段】反応器１５０のプラズマ処理チャンバ１５２において、プラズマ閉じ込めリング（不図示）、チャンバ壁１７２、チャンバライナ（不図示）及び／又はシャワーヘッド１５４のプラズマ露出面は、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つプラズマ溶射された被膜１６０を備え得る。更に、基板支持体１６８のプラズマ露出面は、プラズマ溶射された被膜（不図示）も備え得る。高密度プラズマを閉じ込める実質的に全ての面がポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つことができ、反応器内のパーティクル汚染は実質的に減少され得る。 （もっと読む）

【課題】エッチング時に生成されるプラズマの密度を高めることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】高周波アンテナ１０を有するプラズマエッチング装置であって、高周波アンテナ１０の備える上段アンテナ１０ａ及び下段アンテナ１０ｂの各々は、渦巻き状をなす一つの配列ライン上に配列されて互いに並列の線路部材を有している。上段アンテナ１０ａ及び下段アンテナ１０ｂは、複数の線路部材として、配列ラインの中心側に配置された内側線路１１と、内側線路１１を取り巻く線路部材である外側線路１２とからなる。配列ラインにおける旋回の回数が、内側線路１１と外側線路１２とで連続している。 （もっと読む）

【課題】傾斜ベース検出タスクを閾値ベース検出タスクに変換する方法を提供する。
【解決手段】モニターされている処理の値に対応する一組の点についての近似方程式を規定すること１４０で開始する。その後、モニターされている処理の現在点における期待値が予測される１４２。次に、モニターされている処理の現在点における測定値と対応する期待値との差が計算される１４４。それから、逐次点についてこの差がモニターされることにより、測定値と期待値との間の偏差値を検出する１４６。次に、モニターされている処理の遷移点は、偏差値の検出に基づいて識別される１４８。 （もっと読む）

【課題】 エッチングの終点を精度良く制御する。
【解決手段】エッチング装置１は、処理ユニット２と制御ユニット３とを有する。処理ユニット内のプラズマの発光強度は、ＯＥＳ検出器２１で取得され、エッチング制御装置３１が非線形回帰分析して回帰式を決定する。非線形回帰分析は、プラズマの発光強度がピークを超えた第１の時間までに取得したプラズマの発光強度を用いて行われ、回帰式を用いてエッチング終点となる第２の時間が算出される。エッチング終点は、第１の時間から発光強度が所定値だけ減少する時間として算出される。エッチング装置１は、エッチング終点に達したら、エッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】基板の周囲を整流部材で囲んだ状態でプラズマ処理を行う基板処理装置において、基板の搬入出の際にパーティクル等による基板の汚染を生じ難くすること。
【解決手段】チャンバ２の載置台３上に基板Ｇを載置し、その基板Ｇを整流部材９で囲繞した状態で、チャンバ２内に処理ガスのプラズマを形成して基板Ｇにプラズマ処理を行う基板処理装置１において、整流部材９は、角筒状をなす４つの側板９ａ、９ｂからなり、少なくとも基板搬入出口３１に対応する位置に存在する可動部材としての側板９ａが、載置台３に対する基板Ｇの搬入出が可能なように退避位置に移動可能に設けられ、側板９ａは、回転軸４７を回転させることにより、処理の際の処理位置と退避位置との間で回動するように構成され、回転軸４７と側板９ａとが連結部材４５で結合され、連結部材４５の回転により側板９ａを回動させる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減ことが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器、ステージ、誘電体部材１６、マイクロ波を導入する手段２０ｂ、インジェクタ２２、及び、電界遮蔽部２４ｃを備えている。処理容器は、その内部に処理空間を画成する。ステージは、処理容器内に設けられている。誘電体部材は、ステージに対面するように設けられている。マイクロ波を導入する手段は、誘電体部材を介して処理空間内にマイクロ波を導入する。インジェクタは、誘電体製であり、一以上の貫通孔を有する。インジェクタは、例えば、バルク誘電体材料から構成される。このインジェクタは、一以上の貫通孔を有し、誘電体部材の内部に配置される。インジェクタは、誘電体部材に形成された貫通孔と共に処理空間に処理ガスを供給するための経路を画成する。電界遮蔽部は、インジェクタの周囲を覆う。 （もっと読む）

【課題】 反応性プラズマエッチング加工など加工時に発生する熱量が大きな局所加工において、被加工物の温度プロファイルが変化し、それに依って単位加工形状が変化する場合においても、高精度かつ低コストで加工を行えるようにする。
【解決手段】 上述の課題を解決するために、
温度測定器（１１１）によって被加工物（１０３）の表面の複数の点の温度を測定することで被加工物の温度プロファイルを計測する工程と、その温度プロファイルと局所加工ツール（１０１）の単位加工形状とに基づき被加工物に対する局所加工ツールの滞留時間分布を算出する工程と、この滞留時間分布に基づき局所加工ツールを制御して被加工物を加工する工程と、を有する局所加工方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理経過時間毎に異常範囲設定したグラフと比較して異常検知することにより、設定値とは無関係にモニタ値が一定ではないデータの異常を検知する基板処理装置を提供する。
【解決手段】本願発明の基板処理装置は、複数のステップから構成される各種レシピをファイルとして少なくとも格納する記憶部と、少なくとも前記ファイルのパラメータ編集を行うための操作画面を表示する表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや前記レシピ編集時におけるパラメータ設定値を入力する入力部とを少なくとも備えた操作部と、各ステップにおいて、前記パラメータ設定値、ステップ終了条件、異常監視条件のそれぞれが指定される所定のレシピを実行する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造に用いられかつプラズマ耐食性に優れたドープ石英ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造に用いられるプラズマ反応用治具材料としてプラズマ耐食性に優れかつ２種以上のドープ元素を併せて０．１〜２０質量％含有するドープ石英ガラスをベルヌイ法で石英粉から製造する方法であって、前記石英粉が、２種以上のドープ元素を併せて０．１〜２０質量％含有し、前記ドープ元素が、Ｎ、Ｃ及びＦからなる群から選択される１種以上の第１の元素と、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、ランタノイド及びアクチノイドからなる群から選択される１種以上の第２の元素とを含む混合石英粉であり、該混合石英粉を加熱溶融落下させ石英ガラスインゴットを作成する際、該石英ガラスインゴット表面温度を、１８００℃以上に加熱するようにした。 （もっと読む）

【課題】光学的手法を用いて被処理基板の構造をより高精度に評価することができるプロセスモニター装置を提供する。
【解決手段】プロセスモニター装置１１は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハＷまで導き、ウェハＷから反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路２１と、第一光経路２１と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハＷを経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路２１を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハＷの構造を解析するコントローラ１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】精密なテクスチャを有するテクスチャ形成面を有するシリコン基板を提供することを目的とする。
【解決手段】テクスチャ形成面を有するシリコン基板において、前記テクスチャ形成面には、複数の第一の凹凸と、前記第一の凹凸のそれぞれに形成された複数の第二の凹凸とが形成されており、前記第一の凹凸の頂点同士の間隔は３〜２０μｍであるシリコン基板を提供する。このようなシリコン基板は、好ましくは、前記シリコン基板の表面に複数の第一の凹凸を形成し；前記複数の第一の凹凸を形成されたシリコン基板の表面にエッチングガスを吹き付けて、前記第一の凹凸のそれぞれに、複数の第二の凹凸を形成して製造される。ここで、前記エッチングガスには、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３，ＢｒＦ_５およびＮＦ_３からなる群から選ばれる一以上のガスが含まれる。 （もっと読む）

【課題】電極板の洗浄回数を減らすことができ、洗浄から次の洗浄までのプラズマエッチング時間を一層長くして、効率良くプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置用電極板を提供する。
【解決手段】電極板３は、両電極構成板３１，３２が積層され、両電極構成板３１，３２の厚さ方向に貫通する通気孔１１が複数設けられてなり、通気孔１１は、放電側電極構成板３１に設けられる小径の第１穴部２１と、固定側電極構成板３２に設けられ第１穴部２１より穴径が大きい大径の第２穴部２２とが互いに連通して形成されており、第２穴部２２の内壁面には、その第２穴部２２の長さ方向に沿う複数の溝が周方向に間隔をおいて形成され、第１穴部２１と第２穴部２２との接続部には、第１穴部２１の開口を取り囲むようにリング状の凹溝部２３が設けられ、凹溝部２３の内周壁面と第１穴部２１の内壁面とで形成される立壁部２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する際に、エッチングガスの使用量を最小限に抑え、かつ均一な除去を行うことができる半導体ウェーハの酸化膜除去方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング装置１０のステージ１３上に、酸化膜３２が形成された半導体ウェーハ３１の裏面を下にして水平に載置した後、半導体ウェーハ３１にエッチングガス１４を供給することにより、半導体ウェーハ３１の端面に形成された余分な酸化膜３２を気相エッチングにより除去する半導体ウェーハの酸化膜除去方法であって、ステージ１３上に載置された半導体ウェーハ３１の表面からチャンバ１１の天井までの高さをｈとするとき、半導体ウェーハ３１の端面における、ウェーハ表面からｈ／２高さまでの間のエッチングガス１４の平均流速を制御して気相エッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、シングルアーム型の搬送装置を採用しつつ高スループットを実現する。
【解決手段】ドライエッチング装置１の搬送装置１５は、処理前のトレイ３をストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂから回転ステージ３３に搬送し、回転ステージ３３でのアラインメント処理後のトレイ３をカセット６２の仮置き棚部６７ｃ，６８ｃを経てプラズマ処理部１１へ搬送する。また、搬送装置１５は、処理後のトレイ３をプラズマ処理部１１からストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂに搬送する。 （もっと読む）