【課題】被処理基板の第１面の表面処理を抑制又は防止しながら、第１面とは反対側の第２面を反応ガスにて表面処理する。
【解決手段】搬送手段２にて被処理基板９を搬送路３に沿って搬送し、反応室１０に搬入する。被処理基板９の第１面９ａを搬送路３と直交する方向の第１側に向け、かつ第２面９ｂを第２側に向ける。反応ガスを供給部３０の供給口３９から反応室１０に供給する。反応室１０内の搬送路３より第１側の第１室部１１のうち被処理基板９にて第２室部１２と隔てられた第１隔室部分１１ａに置換手段５０から不活性ガスからなる置換ガスを供給し、第１隔室部分１１ａのガスを置換ガスに置換する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産性が低下することを抑制しつつ、ウェハの裏面に、ステージに起因した傷が発生することを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージが加熱されている状態で、半導体ウェハは、ステージ上に載置される（ステップＳ１０）。そして第１の時間が経過した後、制御部は、真空容器内の圧力Ｐ_１を、第１の圧力よりも高い第２の圧力に上げる（ステップＳ４０）。半導体ウェハをステージ上に載置したあと、真空容器内の圧力Ｐ_１と、吸着口内の圧力Ｐ_２の差圧は、半導体ウェハが凸部上でスライドしない最小の値に設定される。またステップＳ４０においても、差圧は、半導体ウェハが凸部上でスライドしない最小の値に維持される。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング層の除去と凹凸構造の形成とを、ドライプロセスで行う手法を提供することで、半導体基板の汚染を防ぎ、かつ低コストで光発電体用の半導体基板を提供する。
【解決手段】ゲッタリング層を有する半導体基板を用意するステップと、前記半導体基板のゲッタリング層に、エッチングガスを供給して、半導体基板の表面に凹凸形状を形成するステップとを含む、光発電体用半導体基板の製造方法を提供する。エッチングガスは、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３，ＢｒＦ_５およびＮＦ_３からなる群から選ばれる一以上のガスを含むことが好ましく、さらに分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】冷却液の流通が仕切りによって過度に妨げられてしまうことを回避でき、基板支持台の冷却効率を向上させる。
【解決手段】基板支持台は、基板を支持する支持板と、支持板によって上端が閉塞され支持板の下方に冷却液の流路を構成する周壁と、周壁の下端を閉塞し流路の底部を構成する下蓋と、流路の上流端から冷却液を供給する冷却液供給部と、流路の下流端から冷却液を排出する排出部と、冷却液供給部と排出部との間に設けられた仕切りと、を備え、流路の底部と仕切りとの間に空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３およびＢｒＦ_５のガスを用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供すること。
【解決手段】大気圧以下に減圧可能な反応室と；前記反応室内を移動可能であり、半導体基板を載置するための移動ステージと；前記移動ステージに載置される半導体基板表面に向けて、ＣｌＦ_３，ＸｅＦ_２，ＢｒＦ_３およびＢｒＦ_５からなる群から選ばれる一以上のガスを含むエッチングガスを噴射するノズルと；前記移動ステージに載置される半導体基板に向けて、窒素ガスまたは不活性ガスを含む冷却ガスを噴射するノズルとを有する、半導体基板の表面エッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスを用いて縦型反応炉内をクリーニングする際あるいは成膜中に粉末状の粒子が発生することを防止する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、モータ６の回転軸に固定される下部接続部５と、下部接続部５上に固定される上部接続部４と、上部接続部４上に固定されて被処理基板１０を支持するボート２とを有する上下移動可能な回転構造と、回転構造を収容する反応室を形成する反応管１と、を備え、上部接続部４を下部接続部５の熱膨張率とボート２の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する材料で構成する半導体製造装置である。上部接続部４は、反応室で使用するクリーニングガスおよび反応ガスに対し耐腐食性を有するコーティング膜によってコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】改善されたウエハ領域圧力制御を提供するプラズマ処理室を実現する。
【解決手段】プラズマ処理室は、プラズマを発生し維持するために接続される装置を持つ真空チャンバである。この装置の一部は、エッチング用ガス源および排気口である。閉じ込めリングはウエハ上の領域を定義する。ウエハ領域圧力はこの閉じ込めリングにわたる圧力降下に依存する。閉じ込めリングは、１００％より大きいウエハ領域圧力制御範囲を提供するウエハ領域圧力制御装置の一部である。そのようなウエハ領域圧力制御装置は、所望のウエハ領域圧力制御を提供するのに用いられるホルダ上の３つの調節可能閉じ込めリングおよび閉じ込めブロックでありえる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生を極大化でき、プラズマ密度を制御できる常圧プラズマ装置を提供する。
【解決手段】常圧プラズマ装置は、反応ガスを注入するための注入口１１が形成されたハウジング１０と、ハウジング１０の内部に複数層で備えられる高電圧電極１１０と、高電圧電極１１０を覆う誘電体１２０と、高電圧を発生させて高電圧電極１１０に印加する高電圧発生部と、誘電体１２０の両側に隣接するように配置される接地電極１３０、及び反応によって生成されるプラズマの密度を制御する制御部で構成される。 （もっと読む）

【課題】所望の微細化パターンを高精度かつ効率良く形成することができ、生産効率を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トリミングされたフォトレジスト層１０４のラインパターンの上に第１の膜１０５を成膜する工程と、前記ラインパターンの側壁部以外にある第１の膜１０５およびフォトレジスト層１０４を除去する工程と、該除去後に残った部分の第１の膜１０５をマスクとして反射防止膜１０３とコア層１０２をエッチングし、コア層１０２をラインパターンとする工程と、ラインパターン化コア層１０２の上に第２の膜１０６を成膜する工程と、ラインパターン化コア層１０２の側壁部以外にある第２の膜１０６およびラインパターン化コア層１０２を除去する工程と、該除去後に残った部分の第２の膜１０６をマスクとして被エッチング層１０１をエッチングし、ラインパターンとする工程とを備えた製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】大型基板を処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】識別表記の視認性を阻害することがなく、プラズマ処理時において、識別表示を起点として生じる割れ等の弊害を防止することができるプラズマ処理装置用部品及び識別表示の刻印方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１内に配置される電極板３の背面に、断面形状がＵ字状の凹溝３１により形成された識別表示３０が付されており、凹溝３１は、深さＨに対する幅Ｗの比率が０．３以上２．０以下であり、その凹溝３１の底部３３の半径Ｒが３０μｍ以上の曲率半径で形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の温度が１００℃以下の低温環境下において、基板上の被処理膜をエッチングする際のマスクを所定のパターンに適切に形成する。
【解決手段】ウェハＷの被処理膜４００上に反射防止膜４０１とレジストパターン４０２が形成される（図１０（ａ））。レジストパターン４０２がトリミングされると共に、反射防止膜４０１がエッチングされる（図１０（ｂ））。ウェハＷの温度を１００℃以下に維持した状態でプラズマ処理を行い、レジストパターン４０２及び反射防止膜パターン４０３上に、１００ＭＰａ以下の膜ストレスを有するシリコン窒化膜４０４が成膜される（図１０（ｃ））。シリコン窒化膜４０４がエッチングされ、レジストパターン４０２及び反射防止膜パターン４０３が除去されて、被処理膜４００上にシリコン窒化膜パターン４０５が形成される（図１０（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】エッチングレートを低下させることなくアスペクト比の高いホール等をシリコン層に形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハ上のポリシリコン層３８が臭化水素ガス、酸素ガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中の臭素陽イオン４５ａや臭素ラジカル４５ｂでエッチングされ、次いで、該エッチング中に生成された臭化珪素系デポ物４４が酸素ガス及び窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中の酸素ラジカル４６や窒素ラジカル４７で酸化処理されて酸化珪素に変成し、該酸化珪素がアルゴンガス及び三弗化窒素ガスを含む処理ガスから生成されたプラズマ中のフッ素陽イオン４８ａやフッ素ラジカル４８ｂで引き続きエッチングされることによって、ホール４３のエッチングレート低下が防止される。 （もっと読む）

【課題】ステージ温度変化など運用条件の変更に対応し、突入電流の発生や過剰なＥＳＣ電流が流れることを防ぎ、なおかつ伝熱用ガスを導入する時点で裏面圧力以上の静電吸着力を発生させる。
【解決手段】被処理基板をプラズマ処理するための処理室と、該処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、処理室内に設けられ被処理基板を保持する静電吸着膜を備えたステージを具備したプラズマ処理装置において、静電吸着膜と被処理基板間に流れるＥＳＣ電流の電流値を検知し、ＥＳＣ電流の値で吸着条件を設定し、ＥＳＣ電流が設定した制御範囲内に収まるようにＥＳＣ電流を検知しながら吸着電圧を段階的にステージに印加し、ＥＳＣ電流が制御範囲内に収まったことを検知した後に伝熱用ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチングにおける面内均一性を向上させるとともに、丸みのある滑らかな底面を有する素子分離用トレンチを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板５１に素子分離用トレンチ５９を形成するためのパターニングが施されたハードマスク５７を形成する工程と、該ハードマスクをエッチング用マスクとして、希ガス、ハロゲンガス、および酸化性ガスを含むプロセスガスを供給し、所定の深さよりも浅い深さまでシリコン基板５１をエッチングする第一工程と、該第一工程の後に、希ガス、ハロゲンガス、酸化性ガス、および堆積性ガスを含むプロセスガスを、シリコン基板５１の中央領域および周縁領域にそれぞれ流量を制御して供給し、所定の深さＤ２までシリコン基板５１をエッチングして素子分離用トレンチ５９を形成する第二工程と、を備える製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、密部スペース幅２０ｎｍ以下のパターンにおいて、疎密マイクロローディングの低減を可能とするプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコン基板上に密部スペース幅２０ｎｍ以下のパターンのマスクを有する試料のシリコンをプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Ｃｌ₂ガスとＮ₂ガスの混合ガスを用い、０.１Ｐａ以下の圧力で、デューティー比５％〜５０％の時間変調された間欠的な高周波電力を前記試料に印加しながら、シリコンのエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法である。 （もっと読む）

【課題】１パスカル以下の低ガス圧でも放電開始や放電維持が容易で、基材表面へのプラズマダメージを最小限にするプラズマ処理装置を提供する。また、大面積プラズマ生成装置及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理容器内に低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体を装着したプラズマ処理装置において、前記低インダクタンス誘導結合型アンテナ導体に高周波電力を給電する高周波電源として、放電プラズマを持続するための第１の高周波電源と、該第1の高周波電源の周波数より大きな周波数の高周波電力を給電する第２の高周波電源で構成する。 （もっと読む）

【課題】エッチング選択比の高いマスクを形成する技術を提供する。
【解決手段】エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクを形成するためのマスク用材料であって、イソブチル基および／または環状炭化水素を有するシラン化合物からなることを特徴とするマスク用材料を提供する。また、エッチングによって被エッチング物をパターニングする際に用いるマスクの形成方法であって、パターン化されたホトレジスト上に上記マスク形成用材料を用いてＡＬＤ法により共形膜を形成する工程、エッチバックして前記レジスト膜の側面にマスク形成用材料が残るように加工する工程、前記レジスト膜を除去する工程、とを有することを特徴とするマスクの形成方法を提供する。こうして形成したマスク形成用材料をマスクとしてエッチングすることで、被エッチング物に微細パターンを形成する （もっと読む）