【課題】反応室内の熱環境を一定に保ち、パーティクルの混入を防止して安定した成膜を行うことが可能な構造を有する自公転方式の気相成長装置及びこの装置を用いた気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタを回転させるとともに基板を加熱した状態でガス導入管から原料ガスを導入して基板表面に薄膜を成長させる成膜操作を基板を交換して繰り返し行うことが可能な気相成長装置であって、成膜操作を終了したときに仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内から取り外し、清浄な状態の仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内に配置してから次の成膜操作を開始する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法を提供する。
【解決手段】本願の方法は、エッチングガス混合物と親和性を有するプレコート（pre-coat）ガス混合物をプラズマ処理チャンバに流入させる工程、プレコートガス混合物の第一プラズマを照射する工程、基材を含む基板を導入する工程を含む。また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程、エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程、第二プラズマにより基板をエッチングする工程、を含む。そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を確実に除去して半導体装置の欠陥発生を低減する。
【解決手段】第１の層間絶縁膜の上に、絶縁膜と、反射防止膜と、レジスト膜とを順番に形成する。レジスト膜を用いて反射防止膜と絶縁膜をエッチングし、絶縁膜からハードマスクを作成する。この後、ラジカル照射によってレジスト膜と反射防止膜を除去する。ラジカル照射は、基板温度を１００℃、１５０℃、２５０℃と順番に上昇させながら行う。基板温度が低い初期段階では、反射防止膜の膜材料の飛散防止と、反射防止膜の表面に残留する他の物質の除去が行われる。この後、基板温度を高くすることで、反射防止膜が確実に除去される。 （もっと読む）

【課題】試料が処理室内に搬入され、プラズマ処理され、処理室内から搬出されるまでの中で処理室内での圧力変動により生じる異物巻上げ等による異物を低減する。
【解決手段】試料を処理する複数のプラズマ処理室と、それぞれの処理室内に連結され試料を搬送するための搬送室を有し、両室内もしくは処理室内のみに搬送室に供給する搬送用ガスと同じガスを供給する供給システムを具備するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、処理室内への搬送用ガス導入後処理室内に試料を搬入する工程（イ）、その後処理室内の搬送用ガス導入維持状態で処理室内の搬送用ガスを利用してプラズマ発生させる工程（ウ）、このプラズマ維持状態で搬送用ガスを排気することなく処理室内に連続してプロセスガスを供給して搬送用ガスからプロセスガスへ切り替える工程（エ）、試料にプラズマ処理を行う工程（オ）、を有する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理後の放置時間の長短に係わらず、効率的に堆積物を除去することができ、かつ、パターン中の構造物の二酸化シリコンに対するダメージを抑制することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、前記基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、前記酸素プラズマ処理工程の後、前記基板を、処理チャンバー内でフッ化水素ガスとアルコールガスの混合ガスの雰囲気に晒し、かつ、前記アルコールガスの分圧を第１の分圧とする第１の期間と、処理チャンバー内を排気し前記アルコールガスの分圧を第１の分圧より低い第２の分圧とする第２の期間とを、複数サイクル繰り返すサイクル処理工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のコンタクトホールなどのパターンを形成することが可能となるドライエッチングガスを提供する。
【解決手段】二重結合に直接結合したCF₃CFフラグメントを持つ化合物（ただし、CF₃CF=CFCF=CF₂を除く）を含むドライエッチングガス。特に、ＣＦ_３ＣＦ＝ＣＦ_２及びＣＨ_２Ｆ_２を含むドライエッチングガスが好ましい。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、エッチング選択性が高く、アッシング可能なハードマスク（ＡＨＭ）を提供する。
【解決手段】プラズマ化学気相成長チャンバ内に基板を配置する段階を備える成膜方法を開示する。炭素系の第１のアッシング可能ハードマスク（ＡＨＭ）層１０を基板上に成膜する。第１のＡＨＭ層の成膜時に、シリコン、シラン、ホウ素、窒素、ゲルマニウム、炭素、アンモニア、および、二酸化炭素から成る群から選択される少なくとも１つのドーパントでドープを行う。少なくとも１つのドーパントの原子濃度は、第１のＡＨＭ層の５％以上である。 （もっと読む）

【課題】大気圧下での基板のエッチングにおいて、反応室内でＣｌＦ_３などプロセスガスによるエッチングとＮ_２ガスなどによる基板冷却同時に実現可能とすること。
【解決手段】大気圧下でのエッチング処理において、基板裏面側にベルヌーイチャックで保持し、このベルヌーイチャックに冷却ガスを供給することによって基板裏面を冷却しながら、基板表面をプロセスガスによってエッチングする。
本構成によって、プロセスガスによるエッチングと冷却ガスによる基板冷却を同時に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ端面に形成された余分な酸化膜を気相エッチングにより除去する際に、エッチングガスの使用量を最小限に抑え、かつ均一な除去を行うことができる半導体ウェーハの酸化膜除去方法を提供する。
【解決手段】気相エッチング装置１０のステージ１３上に、酸化膜３２が形成された半導体ウェーハ３１の裏面を下にして水平に載置した後、半導体ウェーハ３１にエッチングガス１４を供給することにより、半導体ウェーハ３１の端面に形成された余分な酸化膜３２を気相エッチングにより除去する半導体ウェーハの酸化膜除去方法であって、ステージ１３上に載置された半導体ウェーハ３１の表面からチャンバ１１の天井までの高さをｈとするとき、半導体ウェーハ３１の端面における、ウェーハ表面からｈ／２高さまでの間のエッチングガス１４の平均流速を制御して気相エッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 モールドパターンに樹脂を充填できると共に、余剰の樹脂によって除去困難な厚さのバリが形成されることを防止できる回折格子作製方法を提供する。
【解決手段】 プライマ層６０上に樹脂Ｕを配置した後に、モールド１押し付ける。プライマ層６０は、モールド１よりも濡れ性が低い。モールドパターンＭＰの溝部Ｍａに樹脂Ｕが充填される。プライマ層６０は、第１の部分Ｐ１上に形成される。また、プライマ層６０は、第２の部分Ｐ２には形成されない。第２の部分Ｐ２上では絶縁膜３０が露出している。絶縁膜３０はプライマ層６０よりも濡れ性が高い。樹脂Ｕにモールド１を押し付けたときに、モールド１とプライマ層６０との間からはみだした余剰樹脂Ｕａが絶縁膜３０に広がる。余剰樹脂Ｕａが、突出部３の側面３ｂに沿って盛り上がらない。余剰樹脂Ｕａによって除去困難な厚さのバリが形成されない。 （もっと読む）

【課題】残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。
【解決手段】一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】被処理物が有機物にて汚染されている場合でも、シリコン含有物を効率良くエッチングする。
【解決手段】原料ガスを大気圧近傍のプラズマ空間２３に導入してエッチングガスを生成する（生成工程）。エッチングガスを、温度を１０℃〜５０℃とした被処理物９０に接触させる（エッチング反応工程）。原料ガスは、フッ素含有成分と、水（Ｈ_２Ｏ）と、窒素（Ｎ_２）と、酸素（Ｏ_２）と、キャリアガスを含む。原料ガス中の窒素と酸素とキャリアガスの合計体積流量（Ａ）とフッ素含有成分の体積流量（Ｂ）との比は、（Ａ）：（Ｂ）＝９７：３〜６０：４０である。原料ガス中の窒素と酸素の合計体積流量は、窒素と酸素とキャリアガスの合計体積流量の２分の１以下である。窒素と酸素の体積流量比は、Ｎ_２：Ｏ_２＝１：４〜４：１である。 （もっと読む）

【課題】 最大ガス流量に関する自由度に富み、電極カバー部材の薄型化も可能であり、かつ、ガス導入時の処理室内におけるガス挙動の経時的な変化も発生し難いガス吐出機能付電極を提供すること。
【解決手段】 複数のガス穴５４を有するベース材５２と、ベース材５２の複数のガス穴５４のそれぞれに対して１対１で対応するガス穴５３を複数有し、ベース材５２に固定されて被処理体をプラズマ処理する処理空間に面して配置される電極カバー部材５１と、を含み、電極カバー部材５１のガス穴径を、ベース材５２のガス穴径よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】被処理物に形成された酸化膜に対して、酸化膜中に含まれる酸素原子を分離させるために必要な量以上の水素ラジカルを照射して酸化膜を高速に除去するとともに、前記水素ラジカルを含むプラズマの温度を調整して被処理物等へダメージフリーな酸化膜除去方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物の表面の原子が酸素原子、窒素原子または硫黄原子のうち少なくとも１種類と結合することにより形成された被膜に対して、プラズマ生成用ガスに電圧を印加することにより発生したプラズマを照射して前記被膜中の前記酸素原子、窒素原子または硫黄原子を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における配線形状を改善すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、溝領域を規定する第１パターンを有する第１マスクを、サイドウォール形状の転写により、半導体装置の層間膜に設けられた金属膜上に形成する工程と、前記第１パターンに重なる少なくとも一つの開口を有する第２マスクを、平面図で見た場合に、前記２マスクが前記第１マスクに重なり、前記開口が前記溝領域に重なるように、形成し、第２パターンを形成する工程と、前記第１及び第２マスクを介して、前記層間膜をエッチングし、前記第１パターンを前記層間膜に転写させる工程と、前記第２マスクを介して前記層間膜をエッチングし、前記第２パターンを前記層間膜に転写させる工程とを具備する。前記第１パターンは、前記第２パターンとは異なる深さで前記層間膜に形成される。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】より安価に基板表面の窒化膜をエッチングできる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面に窒化膜が形成された基板Ｗは、処理室１１内においてヒータユニット１３上で保持される。処理流体導入口２５から過熱水蒸気が導入され、この過熱水蒸気が基板Ｗに導かれる。この過熱水蒸気によって、基板Ｗ上の窒化膜がエッチングされる。処理室１１の内壁は、処理室ヒータユニット５０によって加熱される。均熱リング４０は、基板Ｗの周縁部に接し、基板Ｗの温度を均一化する。 （もっと読む）

【課題】無機膜をマスクとして有機膜をエッチングする場合に、ボーイング等のエッチング形状不良を生じさせずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に、その表面がシリコン含有物からなる上部電極と、被処理基板が載置される下部電極とが配置され、上部電極と下部電極との間にプラズマを形成して被処理基板に対してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置を用い、無機膜をマスクとして被処理基板の有機膜をプラズマエッチングするにあたり、有機膜を途中までプラズマエッチングし、その後、プラズマを形成しつつ上部電極に負の直流電圧を印加して、エッチング部位の側壁に上部電極のシリコン含有物を含む保護膜を形成し、その後、プラズマエッチングを継続する。 （もっと読む）

【課題】伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができ、温度制御範囲を拡張してプロセスマージンの拡大を図ることのできる基板温度制御方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し、基板の裏面と載置台の基板載置面との間に伝熱ガスを供給し、かつ、伝熱ガスの圧力を検出し、検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して、圧力検出値が圧力設定値となるように伝熱ガスの供給を制御する基板温度制御方法であって、伝熱ガスの圧力を予め定めた下限圧力値以下の低圧力値とし、基板と載置台との熱交換を抑制して基板の温度制御を行う際に、圧力設定値を、低圧力値より高くかつ下限圧力値以上の第１圧力設定値とする第１期間と、低圧力値より低い第２圧力設定値とする第２期間とを交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】誘電率値に不利に影響せずに基板を効果的に洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。 （もっと読む）