【課題】銅ヒューズに起因する故障または特性悪化を抑制または防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、銅ヒューズ４と、半導体基板１と銅ヒューズ４との間に配置された銅膜からなるシール膜７，８と、銅ヒューズ４よりも上の層に形成された銅以外の金属材料膜からなり、銅ヒューズ４の両端にそれぞれに接続された最上層配線５０１，５０２と、シール膜７，８に結合され、銅ヒューズ４の周囲を取り囲む筒状に形成された銅シールリング６とを含む。 （もっと読む）

【課題】アルミ膜を用いて生産コストの低減を図りながら、歩留りおよび信頼性を両立できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された酸化膜３上に指向性スパッタによってチタン膜４１が形成される。このチタン膜４１上に通常のスパッタによって窒化チタン膜４２が形成される。さらに、窒化チタン膜４２上に、通常のスパッタによってアルミ膜４３が形成される。チタン膜４１は、（００２）配向し、アルミ膜４３は（１１１）配向する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】ＬＤＭＯＳと、ＬＤＭＯＳのソース領域と電気的に接続されるソースプラグＰ１Ｓと、ソースプラグＰ１Ｓ上に配置されるソース配線Ｍ１Ｓと、ＬＤＭＯＳのドレイン領域と電気的に接続されるドレインプラグＰ１Ｄと、ドレインプラグＰ１Ｄ上に配置されるドレイン配線Ｍ１Ｄと、を有する半導体装置のソースプラグＰ１Ｓの構成を工夫する。ドレインプラグＰ１Ｄは、Ｙ方向に延在するライン状に配置され、ソースプラグＰ１Ｓは、Ｙ方向に所定の間隔を置いて配置された複数の分割ソースプラグＰ１Ｓを有するように半導体装置を構成する。このように、ソースプラグＰ１Ｓを分割することにより、ソースプラグＰ１ＳとドレインプラグＰ１Ｄ等との対向面積が低減し、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】配線加工時のエッチングレートの極端な上昇を抑え、プロセスを安定化させる。
【解決手段】炭化珪素基板１上に形成された炭化珪素層２０の上に、ソース電極８、ゲート電極９、層間絶縁膜１０、層間絶縁膜１０上に形成されたソース電極上部配線１１およびゲート電極上部配線１２とが形成され、ソース電極上部配線１１とゲート電極上部配線１２の下には、これらの上部配線を構成する金属が炭化珪素層２０に拡散することを抑制するためのバリアメタル１６が形成されている。層間絶縁膜１０には、炭化珪素層２０上に形成されたソース電極８およびゲート電極９に到達するようにコンタクトホール１３、１５が形成されており、バリアメタル１６はコンタクトホール内の電極と上部配線との界面、層間絶縁膜１０の側壁と上部配線との界面、および側壁の上端部近傍と上部配線との界面にのみ形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極パッド部の安定した電気的接触を確保しつつ電極パッド部の面積を小さくすることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の主表面上であって平面視において素子形成領域内およびダイシングライン領域内の少なくともいずれかに形成された半導体チップ用電極パッド部，ＴＥＧ用電極パッド部ＰＴとを備えている。半導体チップ用電極パッド部，ＴＥＧ用電極パッド部ＰＴは、外部と電気的に接続するための表面ＯＳＦを有し、かつ半導体チップ用電極パッド部，ＴＥＧ用電極パッド部ＰＴの辺ＳＩＤに対して斜めに傾斜した方向に延びた溝部ＴＨＰを表面ＯＳＦに有している。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによりアルミニウム材料を金属配線とする加工では、加工中に生成されるホトレジストの反応性生成物が固着することから、取り扱いに手間やコストが掛かる高価な専用の剥離液を用いる必要があった。また、この剥離液は、金属配線にダメージを与えるため、金属配線の品質を低下させていた。
【解決手段】塩素ガス又は塩素を含む反応ガスを用いるドライエッチング工程である金属配線形成工程と、ホトレジストを剥離するホトレジスト剥離工程とを有し、このホトレジスト剥離工程は、酸素と水素を含むフッ化炭素との混合ガスを用いフルアッシングする金属配線露出工程と、純水により洗浄する洗浄工程と、酸素を用いるプラズマでアッシングと、の３つの工程からなる。これにより、専用の剥離液による処理が不要になるため、低コストで品質の高い金属配線を形成できる。 （もっと読む）

【課題】パッドと当該パッドの下地との密着性の向上および信頼性の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の一表面側に熱酸化膜１ｂとシリコン窒化膜３２と層間絶縁膜５０とパッシベーション膜６０との積層構造を有する半導体装置であって、熱酸化膜１ｂ上にパッド８０を形成してある。半導体装置の製造方法では、半導体基板１の上記一表面側に熱酸化膜１ｂと熱酸化膜１ｂの表面の一部を覆うシリコン窒化膜３２とを有する基本構造を形成してから、半導体基板１の上記一表面側に層間絶縁膜５０を形成する。基本構造の形成にあたっては、シリコン窒化膜３２のうち熱酸化膜１ｂにおけるパッド８０の形成予定領域に形成した部分を除去する。層間絶縁膜の形成後であってパッド８０の形成前に層間絶縁膜５０のうち熱酸化膜１ｂにおけるパッド８０の形成予定領域上に形成されている部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】直接描画法によりレジストの膜パターンやパッシベーション用などの有機膜パターンを形成する際に発生し易い描画性や密着性の問題を防ぐことのできる半導体基板への有機膜パターンの直接描画プロセスにおける前処理方法を提供すること。
【解決手段】相互に異なる材料で構成された複数のパターン膜２、３、４で覆われた半導体基板１表面上に、前記複数のパターン膜２、３、４上に跨って積層される有機膜パターン５を直接描画法により形成する際に、前処理として前記半導体基板１表面を、プラズマ生成ガスとして酸素と窒素を用いてアッシングし、続いて水素と窒素をプラズマ生成ガスとして用いてクリーニング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部２０を画成する被覆構造体３０と、空洞部２０に収容されたヒューズ素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、を含み、被覆構造体３０は、導電層を有し、ヒューズ素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃの材質は、導電層の材質と同じである。 （もっと読む）

【課題】ボンディング・パッド下方に各回路を有する集積回路。
【解決手段】一実施例において、集積回路は基板と、最上部導電層と、１つ以上の中間導電層と、絶縁材料から成る各層と、各デバイスとを具備する。最上部導電層は少なくとも１個のボンディング・パッド及び比較的硬質の材料から成る副層を有する。１つ以上の中間導電層は最上部導電層及び基板の間に形成する。絶縁材料から成る各層は各導電層を分離する。更に、絶縁材料から成る各層のうちの１つの層は比較的硬質で、最上部導電層及びこの最上部導電層に最も近接した中間導電層の間に位置する。各デバイスは集積回路に形成する。また、最上部導電層に最も近接した少なくとも中間導電層は、ボンディング・パッド下方の各選択デバイスの機能的相互接続部に対して適合する。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に対応し得る金属配線を作製する。
【解決手段】絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜１２，１３を形成し、前記導電膜１２，１３上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成する。このようにして形成された金属配線は、幅や長さのばらつきが低減されており、基板１０の大型化にも十分対応し得る。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭセルとロジックを混載したＬＳＩデバイスにおけるアスペクト比の大きいコンタクト構造において、素子分離絶縁膜および不純物拡散層のオーバエッチングを抑制して、接合リークを抑制することを課題とする。
【解決手段】周辺ＭＯＳトランジスタを覆う第１エッチングストッパ層１２１と、ＤＲＡＭメモリセルのキャパシタ部上層に第２エッチングストッパ層１２２が形成され、周辺ＭＯＳトランジスタの不純物拡散層１１３は、第１、第２エッチングストッパ層１２１、１２２を貫通する電極層１３１により、上記キャパシタ部上層に形成された金属配線層と接続され、不純物拡散層１１３の少なくとも一つは素子分離絶縁膜１０２の境界上に電極層１３１を接続し、素子分離絶縁膜１０２上に形成された電極層１３１の底部の不純物拡散層１１３表面からの深さ寸法は、不純物拡散層１１３の接合深さ寸法もより短く形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】工程数を削減して生産性を向上できる構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体層１にトレンチ２０を形成する工程と、トレンチ２の内壁およびトレンチ２外の表面を覆うように半導体層１上に絶縁膜３を形成する工程と、トレンチ２を埋め尽くし、トレンチ２外の絶縁膜３上に堆積されるように導電性のポリシリコン膜４を形成する工程と、トレンチ２内、およびトレンチ２外の絶縁膜３上の所定領域にポリシリコン膜４が残るように、当該ポリシリコン膜４を選択的に除去するポリシリコンエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に層間絶縁膜１を形成する工程と、層間絶縁膜１上に導電性を有する第１の薄膜２を形成する工程と、第１の薄膜２上に第２の薄膜３を形成する工程と、第２の薄膜３上に、複数階調露光によって膜厚差を有するレジストパターン５を形成する工程と、膜厚差を有するレジストパターン５を介して、第２の薄膜３及び第１の薄膜２をエッチングして、レジストパターンの存在しない領域の層間絶縁膜１を露出させる工程と、膜厚差を有するレジストパターン５をアッシングして、レジストパターンの薄膜部５ｂを除去する工程と、薄膜部５ｂが除去されたレジストパターン５ｃを介して、第２の薄膜３をエッチングする工程と、を順次実施する。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を削減し、電気抵抗値のバラツキを低減して歩留まりを向上させる。
【解決手段】まず、半導体基板１の平面１ａに、開口部を有するマスク層を形成し、次いで、半導体基板１に、マスク層の開口部から電極パッド層４に達するビアホール６を形成した後、マスク層を除去する。次に、金属層形成工程において、半導体基板１に形成したビアホール６の底部６ａとなる電極パッド層４上に、電極パッド層４よりも絶縁材料の密着性が低い金属層８を形成する。次に、絶縁層形成工程において、化学気相成長法にて金属層８を除く部分、即ちビアホール６の側壁部６ｂに絶縁材料からなる絶縁層９を形成する。そして、導電膜形成工程において、半導体基板１の平面１ａ及びビアホール６の内部に導電層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アルミ配線パターンに含まれるアルミニウムと銅配線に含まれる銅とが反応して高抵抗の合金が生成されることを防止した上で、導電膜である窒化チタン膜に起因する半導体基板の反りを低減することの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第２の層間絶縁膜１８に形成されたコンタクト孔２７により露出された銅配線１６の上面１６ａを覆うように、窒化チタン膜を含む第１の導電膜２１を設けると共に、アルミ配線パターン２３と第１の導電膜２１及び第２の層間絶縁膜１８との間に、窒化チタン膜を含まない第２の導電膜２２を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】(ａ)リン酸３０〜８０重量％と、(ｂ)硝酸０．１〜２０重量％と、(ｃ)有機酸塩０．１〜２０重量％と、(ｄ)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、上記エッチング液を用いて、アルミニウム系導電性薄膜と、モリブデン系導電性薄膜とを備えてなる２層構造の積層導電性薄膜、または、アルミニウム系導電性薄膜と、アルミニウム系導電性薄膜を挟み込むようにその両主面側に配設された第１のモリブデン系導電性薄膜および第２のモリブデン系導電性薄膜を備えてなる３層構造の積層導電性薄膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】水素又はカルボン酸を用いたリフロー時の導電部と絶縁層の密着力低下を抑制する。
【解決手段】半導体基板の上に設けられた第１導電部上に絶縁層を形成し（ステップＳ１）、その絶縁層を被覆するようにバリア層を形成した後（ステップＳ２）、そのバリア層の上に第２導電部を形成する（ステップＳ３）。そして、第１導電部上の絶縁層がバリア層で被覆されている状態で、第２導電部を水素又はカルボン酸を含む雰囲気中で溶融し（ステップＳ４）、その後、その第２導電部をマスクにして、絶縁層の上からバリア層を除去する（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 （もっと読む）