【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜の信頼性を向上させる。
【解決手段】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜からなる第２ファイン層の層間絶縁膜ＩＬ２内の空孔１０および空孔１１の平均径を１．０ｎｍ以上１．４５ｎｍ未満とすることで、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。また、水分を含む変質層ＣＬの形成を抑えることで、各配線を構成するバリア膜および主導体膜の酸化を防ぎ、各配線間の耐圧の劣化を防ぐ。これにより、層間絶縁膜ＩＬ２に隣接して形成される配線のＥＭ寿命および前記配線の線間ＴＤＤＢ寿命の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】配線回路基板において、コンタクト抵抗の上昇を抑制し、熱応力による断線を防止することのできるコンタクト構造を提供する。
【解決手段】 配線回路基板は、第１配線層（５）、第２配線層（７）、及び前記第１配線層と前記第２配線層を電気的に接続するコンタクト配線（６）を有する。前記コンタクト配線は、前記第１配線層のコンタクト面を被覆する第１被覆部（６ａ）と、前記第２配線層のコンタクト面を被覆する第２被覆部（６ｃ）と、前記第１被覆部と前記第２被覆部の間に延びるプラグ部（６ｂ）を有する。前記第１被覆部、前記プラグ部、及び前記第２被覆部は、同一の導電性材料で一体的に形成された内部に界面のないコンタクト配線である。 （もっと読む）

【課題】短時間で、配線母体の内部に、種々のトポロジーの貫通配線や連結配線を埋め込むことが可能な配線構造物を提供する。
【解決手段】配線母体１１と、配線母体１１の内部に設けられた複数の穴部の内部にそれぞれ配置された、配線子連続体（Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1n）からなる複数の貫通配線部とを備える。複数の配線子連続体のそれぞれをなす複数の配線子Ｑ_i1，Ｑ_i2，Ｑ_i3，……，Ｑ_in-1，Ｑ_in；Ｑ_i+11，Ｑ_i+12，Ｑ_i+13，……，Ｑ_i+1n-1，Ｑ_i+1nのそれぞれは、コア部と、コア部を被覆し、コア部より融点の低い導電体からなるシェル部Ｑ_i,shell，Ｑ_i+1,shellを有する。複数の配線子は、それぞれのシェル部を互いに溶融することにより金属学的に接合される。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成に時間を要さず、貫通電極内でのボイドの発生を抑制できる半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、孔１１１が形成された絶縁性あるいは半導体の層１１と、層１１の孔１１１内に設けられた貫通電極１２と、を備える。貫通電極１２は、シード層１２１と、めっき層１２２と、を備える。シード層１２１は、孔１１１の底面１１１Ａを覆う。また、シード層１２１は、孔１１１の側面１１１Ｂのうち、孔１１１の開口から、孔１１１の開口と孔１１１の底面１１１Ａとの間の所定の位置までの第１の領域を未被覆とし、この第１の領域（未被覆領域）１１１Ｂ１を除いた第二の領域を被覆している。めっき層１２２は、シード層１２１と、未被覆領域１１１Ｂ１の少なくとも一部を覆う。 （もっと読む）

【課題】ダイシングブレードの寿命を延ばすことができるとともに、半導体装置のエッジ部へのダメージを低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】機能素子領域２においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続される上配線２９およびキャップメタル層３２が形成されている。下配線２５はＣｕ以外の配線材料からなり、上配線２９はＣｕからなる。このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口３４から露出した部分が第１パッド６である。一方、スクライブ領域３においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続されるキャップメタル層３２が形成されている。このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口４４から露出した部分が第２パッド１０である。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】安定した形状の信頼性の高いエアギャップを効率良く形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、半導体基板上に、ビアホール及びエアギャップ用トレンチを含む複数のホールを有する層間絶縁膜を形成する。次に、エアギャップ用トレンチ内に有機材料を埋め込んだ後、硬化させる。また、ビアホール内にビアプラグを形成する。この後、エアギャップ用トレンチ内に埋め込まれた有機材料を除去することにより、エアギャップを形成する。 （もっと読む）

【課題】金属層からなるガードリングで囲まれたトリミング素子形成領域のヒューズ上の保護膜の開口からヒューズ上の層間絶縁膜に浸入した水分等がガードリングに形成されたヒューズ引き出し電極用の開口を通ってデバイス形成領域に浸入することを防止する。
【解決手段】ヒューズ５ａを取り囲む第１ガードリング３０とその外側の第２ガードリング４０に囲まれたヒューズ電極引き出し領域４１を形成する。ヒューズ５ａと連続し層間絶縁膜６とフィールド酸化膜４の間をヒューズ電極引き出し領域４１まで延在するヒューズ電極５と、該ヒューズ電極５と接続する第１ヒューズ引き出し電極７ｃと、該第１ヒューズ引き出し電極７ｃと接続する第２ヒューズ引き出し電極９ｃとを形成し、該第２ヒューズ引き出し電極９ｃを層間絶縁膜８上に形成された第２ガードリング４０を構成する第２電極の開口２４を通してデバイス素子形成領域８０に引き出す。 （もっと読む）

【課題】パッド電極に荷重または衝撃力が加わっても、周囲の絶縁膜にクラックが発生しにくい構造の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、平面形状が、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形、ならびに、これらの少なくとも一部分を含む形状の組合せからなる群から選ばれた平面形状となるような凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の内面に少なくとも一部を被覆する下敷膜を形成する下敷膜形成工程と、絶縁膜で覆われた前記凹部に導電性の電極材質を埋め込むパッド部形成工程とを含み、前記凹部形成工程は、第１の凹部を形成する工程と、前記第１の凹部の一部分においてさらに深く凹む第２の凹部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を追加することなく、コンタクト抵抗の増加を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、Ｃｕ配線上の第２層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のＴｉ膜、ＴｉＮ膜、第２のＴｉ膜、第1のＡｌ膜、及び第２のＡｌ膜をこの順に形成する。第1のＴｉ膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第１の部分と第２層間絶縁膜上の第２の部分の膜厚の比（第1の部分）／（第２の部分）を０．０５以下とする。また、第２のＡｌ膜はアルミ・リフロー法を用いて形成し、この際に第２のＴｉ膜及び第1のＡｌ膜をアルミニウム・チタン合金膜とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体上のビアホールや配線用溝等の開口部に高密度にカーボンナノチューブ膜を埋め込むことができるカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】表面に１又は複数の開口部を有し、当該開口部底面に触媒金属層が形成された被処理体を準備し（ＳＴＥＰ１）、触媒金属層に酸素プラズマ処理を施し（ＳＴＥＰ２）、酸素プラズマ処理後の触媒金属層に水素含有プラズマ処理を施して、触媒金属層の表面を活性化し（ＳＴＥＰ３）、その後、触媒金属層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブを成長させて、被処理体の開口部内をカーボンナノチューブで充填する（ＳＴＥＰ５）。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン配線上への誘電体層の形成において、導電材料と誘電体層間の密着性を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オルガノシロキサンからなる第２誘電体層１１８に、ＴａＮからなる金属バリア層１２４とＣｕからなる導電性金属特徴部１２６を形成する。平坦化後アンモニアプラズマ処理還元により表面の酸化物を除去する。連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりＳｉＣＮ膜１３０を形成し、さらに連続してＳｉＣ膜１３２を堆積する。酸化物の除去から誘電体層の形成までインサイチュで行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】基板切断などの切出し加工の際に生じるクラックからの水分侵入に起因する金属配線端面の腐食防止、あるいは金属配線端面の腐食が生じている場合でも該腐食が液晶表示装置を駆動する液晶表示部分を構成するゲート配線、ソース配線や配線端子部に金属配線にまで到達することを防止する技術を提供する。
【解決手段】基板の上に、切り出し加工により切断端面が露出している第１の金属配線と、第２の金属配線と、絶縁膜と、を有する表示装置用配線構造であって、前記第１の金属配線は１００μｍ以上の不連続部を有し、前記不連続部によって分断された各第１の金属配線は、第２の金属配線によって連結されており、前記分断された第１の金属配線と、前記第２の金属配線との接触界面の少なくとも一方は、前記第１の金属配線または前記第２の金属配線を構成する金属よりも貴な金属を含むもので構成される腐食防止層を有する配線構造。 （もっと読む）

【課題】任意の方向に傾斜した開口部を形成可能な基板の製造方法、半導体装置の製造方法、およびこれを適用した半導体装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】本適用例の素子基板１０１の製造方法は、素子基板１０１上に設けられた半導体装置としてのＴＦＴ１１０を覆うと共に第１開口部としての孔１０４ａが設けられた第２絶縁膜としての層間絶縁膜１０４をマスクとして、素子基板１０１の面法線１０１ａと交差する一の方向からドライエッチングを第１絶縁膜としてのゲート絶縁膜１０３に施して、孔１０４ａに連通すると共にＴＦＴ１１０のドレイン電極１１０ｄに開口する第２開口部としての孔１０３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を有する半導体装置において、貫通電極によって被覆された貫通孔の内部を充填する保護層にクラック等が発生する不具合を防止する。
【解決手段】
貫通電極９を被覆するとともに、貫通孔６内を充填する保護層１０を備える半導体装置１において、保護層１０が複数層１１、１２からなり、複数層の保護層のうち最も半導体基板２の一面２ａに近い層が、少なくとも貫通電極の底面９ａと側面９ｂの交差部を被覆し、かつ、ポジ型感光性樹脂を用いて形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤが接続されたボンディングパッドを一面に有する半導体基板において、ワイヤの接続によるボンディングパッド下部のクラックの発生を適切に検出できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の内部にてボンディングパッド１０の下部には、当該半導体基板１の特性を検査するための検査用配線４０が設けられており、検査用配線４０は、ボンディングパッド１０のうちボンディングワイヤ７０の端部が位置する部位の直下に配置されている。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、パーティクルの発生を抑制可能な製造方法、及びこの製造方法を用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。次いで、最下層となる第１金属層の表面に第１金属酸化物層を形成した後に、層間において構成元素が異なるように、一つ以上の金属層を含む下地の表面に対して酸化処理、窒化処理、及び酸窒化処理のいずれかの処理を施す。こうした処理より第２金属化合物層を形成する。上記金属化合物層は、金属酸化物層の他、金属窒化物層や金属酸窒化物層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】 膜ストレス低減を図った無機ＳＯＧ膜を有した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された下層配線３と、前記下層配線３上及び下層配線３間に形成され、不純物がイオン注入されることで圧縮応力を示す無機ＳＯＧ膜５ａと、前記無機ＳＯＧ膜５ａを含む層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホールを介して前記下層配線に接続する上層配線とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面研削やダイシングの際に生じる、水分の浸入による汚れ、あるいは割れ、クラック、チッピング、層間剥離等の物理的損傷を抑制することを目的とする。
【解決手段】基板１１上のチップ領域１２の周縁部にその内側の部分を連続して取り囲むよう有機保護膜２３’を形成する。また、パッシベーション膜２２および有機保護膜２３がキャップ層４７上に閉環状開口部を形成する。 （もっと読む）