【課題】メモリを有するＲＦＩＤにおいて、プロセスもしくは回路面積を増大させることなくアンテナの配置を行うことを課題とする。
【解決手段】メモリを中央に配置し、メモリ共通電極を囲むようにアンテナの配線を行う。さらに、メモリ共通電極とアンテナの距離は５００μｍ以上、好ましくは１０００μｍ以上離して配置する。このような構成により、メモリ共通電極とアンテナとを共通の絶縁層上に形成することが可能となり、余剰プロセスを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブと層間配線される導体との間に良好な電気的接触を付与するカーボンナノチューブに基づく層間配線要素を提供する。
【解決手段】マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素であって、下側導体と称する初期導体２１０と、前記初期導体に配置された誘電層２３０と、前記誘電層上の上側導体と称する第２の導体２２０と、一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる誘電層における空洞２４０とを含む、要素に関連する。上側導体２２０は下側導体２１０の上方にブリッジを形成しており、空洞２４０はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベント２４３を形成している。 （もっと読む）

【課題】基板と複数のマイクロ電子デバイスを備える集積回路デバイス及びその方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのマイクロ電子デバイス150に電気的に接触する導電性相互接続部を備える第１の層と、第１の層のラインに対して直角に整列された導電性のラインを備える第２の層であってかつ第２の層のラインが第１の層のラインと電気的に接触している第２の層と、第２の層のラインに対して直角に整列された導電性のラインを備える第３の層であってかつ第３の層のラインが第２の層のラインと電気的に接触している第３の層とを備え、第１の層を第２の層に相互接続し、かつ第３の層を第２の層に相互接続する複数のバイア224等を備える。 （もっと読む）

【課題】電気的性能の向上が図れる貫通孔配線構造およびその形成方法を提供することにある。
【解決手段】貫通孔配線構造は、ベース基板１の厚み方向に貫設した貫通孔１０の内側に形成された貫通配線部２と、ベース基板の厚み方向の両表面側それぞれに貫通配線部２の端面および貫通孔１０の周部に重なる形で形成されたパッド５ａ，５ｂとを備え、貫通配線部２においてパッド５ａ，５ｂそれぞれに接する端部からなるコンタクト部３ａ，３ｂが、貫通配線部２における他の部位である主部４よりも弾性率が高い導電性材料を用いて形成されている。 （もっと読む）

金属炭化物薄膜を形成する方法が提供される。好ましい実施形態によれば、金属炭化物薄膜は、反応空間中で基板を、金属源化学物質、還元剤および炭素源化学物質の空間的にかつ時間的に分離された気相パルスと交互的かつ逐次的に接触させるステップによって、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスで形成される。この還元剤は、好ましくは水素の励起された種およびケイ素含有化合物からなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイス及びその製造方法に関し、カーボンナノチューブの特性を生かすとともに、よりに良好な電気伝導特性をもつ配線構造を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ束３の間隙を重合フラーレン６で埋め込んだカーボンベース配線を設ける。 （もっと読む）

【課題】金属膜の充電特性を改善させることのできる半導体素子の金属（例えば、銅）配線及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（３０）上に一つ以上の絶縁層（３２）を形成し、前記絶縁層（３２）上に形成されたリセスを埋め込む金属層が電気メッキされる前に、前記金属配線は基板に形成されているリセス上に拡散阻止層及びシード層（３４）を電気メッキして形成する。その後、前記シード層を阻止層上に形成した後に電解研磨し（３６）、前記シード層の電解研磨後、銅物質層が電気メッキ工程（３８）を用いて前記研磨されたシード層上に形成されて前記リセスを埋め込む。 （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】４００℃以上の高温でのリフロー処理を行わなくても、リフロー処理による埋め込み特性が改善された状態で、凹部内にＣｕを主成分とする導電層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成する工程を行う。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎ合金からなる合金層２１を形成する工程を行う。次いで、リフロー処理により合金層２１を流動させて配線溝１６を合金層２１で埋め込むとともに、合金層２１中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層２１と層間絶縁膜１２、１５との界面に、Ｃｕの拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜２２を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合金層（シード層）中のＭｎを高濃度化せずに、導電層の膜剥がれを防止する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成し、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０を形成する工程を行う。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０上にＣｕＭｎ合金からなる合金層１７を形成する工程を行う。次いで、合金層１７が設けられた配線溝に、Ｃｕを主成分とする導電層１８を埋め込む工程を行う。その後、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを多孔質膜２０の構成成分と反応させて、合金層１７と多孔質膜２０との界面に、銅の拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】薄く且つ連続的なＲｕ膜を形成する。
【解決手段】 反応室内で基板上にルテニウム（Ｒｕ）薄膜を堆積させる方法であって、（ｉ）反応室内にルテニウム前駆体のガスを供給して、非環式ジエニルを含むルテニウム複合体であるルテニウム前駆体のガスを基板に吸着させる段階と、（ｉｉ）励起した還元ガスを反応室内に供給して、基板に吸着されたルテニウム前駆体を活性化させる段階と、（ｉｉｉ）段階（ｉ）と（ｉｉ）を繰り返し、それにより基板上にルテニウム薄膜を形成する段階とを含む方法。 （もっと読む）

【課題】合金層（シード層）中の自己形成バリア膜の生成に寄与しない余剰なＭｎを除去することで、配線抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成する。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎからなる合金層１７を形成する。次いで、合金層１７が設けられた状態の基板１１の表面に、Ｃｕに対してＭｎを選択的に溶解する洗浄液を供給し、自己形成バリア膜の形成に寄与しない合金層１７中のＭｎを、洗浄液に溶解させて選択的に除去する。続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。続いて、自己形成バリア膜が設けられた配線溝１６にＣｕを主成分とする導電層を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】有機不純物層の形成や銅膜の異常成長が少なく、下地膜との密着性のよい銅膜の成膜方法等を提供する。
【解決手段】基板が載置された処理容器内に水蒸気が存在する状態で、銅の有機化合物（例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）からなる原料ガスを供給して基板上に銅の密着層を形成する。次いで、処理容器内の水蒸気と原料ガスとを排出して、その後、処理容器内に再び原料ガスを供給することにより密着層の表面に銅膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】入力信号のＨレベルとＬレベルとを同時にレベルシフトすることができ、且つ低コストで製造できるレベルシフタ、及びレベルシフタを具備する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単一の導電型のトランジスタで構成されたオフセット回路を用いて、入力信号をオフセットする。そして、オフセットされた入力信号をオフセット回路と同じ導電型のトランジスタで構成された論理回路に供給することによって、入力信号のＨレベルとＬレベルとを同時にレベルシフトすることができる。また、オフセット回路と論理回路は単一の導電型のトランジスタで構成されているため、表示装置を低コストで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤを有する半導体装置において、駆動電源のための電池の経時的劣化に伴う電池の残存容量の確認や電池の交換作業をすることなく、個体情報を送受信することができ、且つ駆動するための電源を外部からの電磁波の電力が十分でない場合であっても良好な個体情報の送受信状態を維持するＲＦＩＤを有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】信号処理回路と、信号処理回路に接続された第１のアンテナ回路及び第２のアンテナ回路と、信号処理回路に接続されたバッテリーとを設け、第１のアンテナ回路は、信号処理回路に記憶されたデータを送信するための信号を送受信するものであり、第２のアンテナ回路は、バッテリーに充電するための信号を受信するものであり、第１のアンテナ回路が受信する信号と第２のアンテナ回路が受信する信号の波長が異なる構成とする。 （もっと読む）

【課題】導電性が良好でありながらも銅の拡散を十分に防止することが可能な銅配線の埋め込み構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１絶縁膜１３に形成された配線溝１３ａ内、第２絶縁膜２２および第３絶縁膜に形成された配線溝２４ａと接続孔２２ａ内に、拡散防止層１５，２５を介して銅配線１７ａ，２６ａが埋め込まれた半導体装置２７において、拡散防止層１５，２５は、ルテニウムカーバイト（ＲｕＣｘ）、ルテニウムシリサイド（ＲｕＳｉｘ）、またはルテニウム合金（ＲｕＴａ）を用いて構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気相原料分散システムにおけるパーティクル汚染を低減する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】気相原料分散システム３０は、膜前駆体の気相原料を成膜システム１のプロセスチャンバ１０へ導入するよう構成される複数の開口を備える気相原料分散ヘッド３４と、ハウジングとを備える。ハウジングと気相原料分散ヘッド３４により、膜前駆体蒸発システム５０と結合され、蒸発システム５０からの膜前駆体５２の気相原料を受けてこの気相原料を複数の開口を通してプロセスチャンバ１０へ分散するよう構成されるプレナム３２が形成される。パーティクル汚染を低減するため、気相原料分散システム３０は、プレナム３２の圧力と成膜システムの圧力との差または比を低減するよう構成される。たとえば、プレナム３２の圧力は、プロセス空間３３の圧力の２倍未満、または、プロセス空間３３の圧力よりも５０ｍＴｏｒｒ、３０ｍＴｏｒｒもしくは２０ｍＴｏｒｒ低い。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。下部配線１４が形成された層間絶縁膜１１上に層間絶縁膜１を積層して形成する。下部配線１４に達する上部孔５を層間絶縁膜１に開口する。上部孔５に連通するトレンチ６を形成する。上部孔５内をウエットエッチングすることにより、下部孔１７を下部配線１４内に形成する。トレンチ６の側面および底面と、上部孔５の側面と、下部孔１７の底面とにバリアメタル２を形成する。下部孔１７の底面に存在するバリアメタル２を物理的にエッチングすることにより、下部孔１７の側面１７ａに導電膜１５を形成する（エッチング工程）。エッチング工程の後に、Ｎなどの元素を含むプラズマを用いて層間絶縁膜１を形成する。トレンチ６内、上部孔５内および下部孔１７内を埋めるようにＣｕ膜４を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法により基板に配線パターンを形成する配線形成方法であって、配線形成時にボイド等の不具合発生が無く、信号遅延を低減することのできるダマシン配線の形成方法を提供する。
【解決手段】基板に配線パターンを形成するダマシン配線の形成方法であって、前記基板に形成された絶縁膜２に配線パターンとする溝部２ａを形成するステップと、分散剤６に溶かした炭素ナノ物質７の分散溶液５を前記絶縁膜２上に塗布し、該分散溶液５を前記溝部２ａに埋め込むステップと、前記分散溶液５の溶媒を蒸発させるベーク処理を行うステップと、前記分散剤６を蒸発させ、炭素ナノ物質７の膜を焼成するアニール処理を行うステップと、前記溝部２ａ上の余分な炭素ナノ物質７の膜を除去し前記溝部２ａに沿った配線パターンを形成するステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】配線やビアの構成材料として銅を含む半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、その上に形成された第１の絶縁層１０２と、第１の絶縁層１０２上に形成され、銅を主成分として含むビア１０４（第１の金属膜１０８）と、第１の絶縁層１０２上に第１の金属膜１０８に接して設けられ、Ｒｕ、ＴａまたはＴｉを含む第４の層１１８ａ、Ｗを含む第５の層１１８ｂ、およびＲｕ、ＴａまたはＴｉを含む第６の層１１８ｃがこの順で形成された第２のバリアメタル膜１１８と、第２のバリアメタル膜１１８上に第６の層１１８ｃに接して設けられ、銅を主成分として含む第２の金属膜１２０とを含む。 （もっと読む）