【課題】コンタクトホールの形成工程を省略し、製造プロセスの簡素化を実現して生産効率の向上を図る。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０上にＴＦＴ３０を構成するゲート電極３ａを形成する第１配線膜形成工程(ａ)と、ゲート電極３ａを被覆する下層絶縁膜４１ａを成膜する絶縁膜成膜工程(ｂ)と、ゲート電極３ａに対して電気的に接続される走査線１１ａを下層絶縁膜４１ａ上に形成する第２配線膜形成工程(ｃ)とを有し、絶縁膜成膜工程では、ゲート電極３ａと走査線１１ａとを直接接続するための非成膜領域４１ａａを有する下層絶縁膜４１ａを成膜する。 （もっと読む）

【課題】実施例は、半導体チップ上部のチップパッドを通じて加えられる外部荷重に対する層間絶縁膜の構造的強度を改善する。
【解決手段】実施例による半導体チップは、半導体基板上に形成される半導体素子と、該半導体素子を電気的に連結するための複数の金属配線層と、前記半導体素子と金属配線層の間及び前記複数の金属配線層の間に形成される層間絶縁膜と、及び最上側に位置する層間絶縁膜上に形成されて外部回路と電気的に連結される導電性パッドと、が含まれて、少なくとも一つ以上の金属配線層は前記導電性パッドの下側で前記層間絶縁膜を間に置いて分離形成されることで前記導電性パッドの一部領域の下のみに形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極と、前記下部電極と電気的に連結されるように設けられるカーボンナノチューブ成長用の触媒層と、前記触媒層表面から上方に成長する多数のカーボンナノチューブで構成され、上端部の個数密度が下端部の個数密度より高いカーボンナノチューブ束と、前記カーボンナノチューブ束を取り囲む層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に前記カーボンナノチューブ束の上端部と電気的に連結されるように配置される上部電極と、を備えることを特徴とする、カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上させることができ、Ａｕメッキ部のイオンマイグレーションによる劣化を抑制することができる半導体装置を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、非気密パッケージに実装される半導体装置であって、半導体基板と、半導体基板上に形成された配線金属膜と、配線金属膜上に形成されたメッキ給電膜と、メッキ給電膜上に形成されたＡｕメッキ部と、Ａｕメッキ部を覆う金属膜と、金属膜を覆う絶縁保護膜とを有する。そして、金属膜は、電位−ｐＨ図において不感域及び不動態域で構成され、腐食域を持たない又は腐食域が非常に小さい金属材料からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細なコンタクトホールを有する絶縁膜を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】背面側基板１０１の表面側に設けられたドレイン電極１０６の表面の所望の箇所に、撥水性パターンＳを塗布形成する第１工程と、ドレイン電極１０６上を含むゲート絶縁膜１０４上に、撥水性パターンＳよりも表面エネルギーの高い絶縁材料含有液を塗布することで、撥水性パターンＳ上にコンタクトホール１０８ａを有する層間絶縁膜１０８を形成する第２工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】２個以上の半導体チップをスタック型に一体化しても段切れを抑制でき、導電性ポストの高さのばらつきを低減できるＳｉＰ形態の半導体装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、基板１０に、能動素子が形成された第１半導体チップ１３がマウントされ、第１半導体チップ１３の外周において基板１０に段差緩和樹脂層（第１樹脂層１２）が形成されて、能動素子が形成された第２半導体チップ２１が第１半導体チップ１３の上方に積層してマウントされている構成とする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを有する半導体装置において、多層配線（上下に配置される配線）間の寄生容量を低減しつつ、キャパシタ容量を大きくする。
【解決手段】ガラス基板１上にフォトレジスト膜３を形成し、フォトレジスト膜を選択的に除去し、深さＴ１の溝３ｃとより浅い深さＴ２（＜Ｔ１）の溝３ｄを有する溝を形成し、この溝内に導電性材料液を注入し、熱処理を施し、導電性膜（下層配線）と導電性膜（下部電極）を形成し、これらの上部に絶縁膜を形成し、その上部に導電性膜（上層配線）および導電性膜（上部電極）を形成する。その結果、下層配線と上層配線との距離を大きくでき、これらの間の寄生容量を低減することができる。また、下部電極と上部電極との距離を小さくでき、これらの間の容量を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングを伴うストレスによる層間絶縁膜および配線層、入出力パッド、表面保護膜等の損傷を低減する。
【解決手段】半導体基板上に設けられた入出力パッド２下に層間絶縁膜９を介して配線層７を有し、この配線層７および入出力パッド２間を電気的に接続するコンタクト８が形成されるとともに、入出力パッド２上に形成された表面保護膜３に保護膜開口４が形成され、この保護膜開口４を含む半導体基板上に入出力パッド２に接続される突起電極５を形成した半導体装置であって、コンタクト８は保護膜開口４のエッジから一定の距離を離して配置した。このように、保護膜開口４のエッジの真下を避けてコンタクト８を形成することにより、保護膜開口４のエッジの真下は平らな層間絶縁膜９となり、ボンディングによるストレス集中にも十分耐えることができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減に寄与する製造方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に設けられたバンク３４によって区画されたパターン形成領域に
、機能液を配置して膜パターンを形成する。基板１８上に第１のバンク形成材料を配置し
て第１バンク層３５を形成する工程と、第１バンク層３５上に第２バンク層３６を形成す
る工程とを有する。第１のバンク形成材料は有機材料であり、第２バンク層３６は第１バ
ンク層３５を被覆するフッ素系の樹脂材料からなる。 （もっと読む）

【課題】隔壁により区画領域を設けて液滴吐出法により液滴を配置する際に、液滴吐出しない細線部にコンタクトホールなどの孔や段差があるとその部分に機能液がぬれ広がらない。
【解決手段】液滴吐出のために設けられる幅広部とコンタクトホールなどの孔や段差がある部分を一致させて、コンタクトホールの場合には上下導通の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、集積回路及び電子デバイス内に含まれるミックススケール電子界面であって、主にマイクロスケール又はサブマイクロスケールの層からなるマイクロスケール特徴（302,308）と主にナノスケールの層からなるナノスケール特徴（307,311）との間の密な電気的相互接続を提供する、ミックススケール電子界面に関するものである。本発明の一実施形態では、主にナノスケールの層は、平行に近接して隔置された複数組のナノワイヤ束（314,316）間のナノワイヤ接合部（318）によって密に相互接続されるモザイク状のパターンのサブマイクロスケール又はマイクロスケールのパッド（306,312）を含む。該主にサブマイクロスケール又はマイクロスケールの層は、主にナノスケールの層内のサブマイクロスケール又はマイクロスケールのパッド（306,312）に対して相補的に配置されたピン（304,310）を含む。 （もっと読む）

【課題】目標電極の信号を外部に引出されて、計測、実証、回路改修または電子素子追加することができる。
【解決手段】複数の電極を有するベース材を用意するステップと、信号を引出そうとする電極を選択するステップと、焦点が絞られたイオンビームにより、選ばれた電極の上での半導体製造プロセスでの各層素材を穴あけ接触穴を形成し電極を露出するステップと、焦点が絞られたイオンビームと、ノズルから噴出された各種の気体分子とにより、各種の材質を前記接触穴内に堆積することにより導電ピアを形成するステップとを含む回路信号の引出方法において、導電ピアの上で導電粘り材料を設置し、前記導電ピアは導電粘り材料によってリードの一端と接続し、前記リードにより選ばれた電極の信号を引出すことを特徴とする回路信号の引出方法である。 （もっと読む）

【課題】ボンディングやプローブ検査等により発生する応力から素子を保護し、素子領域の特性変動を抑制する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、複数の半導体素子２が形成された半導体基板４と、半導体基板４の上に形成された複数の絶縁層と、複数の絶縁層中に形成された複数の金属配線層とからなるファイン層５と、ファイン層５の上に形成されたパッド電極９と、パッド電極９と半導体素子２との間に形成された補強配線である配線層２４と、複数の半導体素子２間における複数のファイン層５を貫通し、半導体基板４と配線層２４とを接続する複数の補強ビアである接続部材２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】導体−誘電体構造およびこれを作成するための方法を提供すること。
【解決手段】導体−誘電体相互接続構造は、パターン形成されたフィーチャをその内部に有する誘電体層を含む構造を用意し、パターン形成されたフィーチャ内の誘電体層の表面にめっきシード層を付着させ、パターン形成されたフィーチャ内のめっきシード層の表面に犠牲シード層を付着させ、犠牲シード層の厚さを逆めっきによって低減させ、パターン形成されたフィーチャ内の犠牲シード層の表面に導電性金属をめっきすることによって作成される。さらに、パターン形成されたフィーチャをその内部に有する誘電体層と、パターン形成されたフィーチャ内の誘電体層の表面のめっきシード層と、パターン形成されたフィーチャ内に位置する不連続な犠牲シード層とを含む構造も提供される。 （もっと読む）

【課題】微細な配線構造を形成可能であると共に、製造コストの低い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線層１１上の低誘電率材料からなる第１層間絶縁層１３および第２層間絶縁層１５のそれぞれを覆うＳｉＯ膜１４，１６を形成する。ＳｉＯ膜１４，１６は、ＣＶＤ法によりＳｉＨ₄ガスとＣＯ₂ガスを用いて、ウェハを３５０℃〜５００℃に加熱して形成する。このようにして形成されたＳｉＯ膜１４，１６は、実質的に窒素を含まないため、シリコン窒化膜等の反射防止膜１８を形成する際にアンモニアガスや窒素ガス等の透過を抑制し、第１層間絶縁層１３および第２層間絶縁層１５に窒素に由来する塩基性物質の吸蔵を抑制する。その結果、レジストポイゾニングを抑制できる。さらに、ＳｉＯ膜１４，１６は原料がガスのみであるので液体原料を使用するＴＥＯＳ膜よりもＣＶＤ装置の汎用性が高まり、製造コストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に全ての信号配線を配線した後であっても、タイミングの合っていない信号配線での信号伝播遅延量の調整を容易に可能として、半導体装置全体のタイミングの収束を短期間で実現する。
【解決手段】回路素子Ｘから回路素子Ｙへと信号が信号配線Ｎ１を介して供給されることによって所望の回路動作を実現する半導体装置において、前記信号配線Ｎ１には、その信号配線Ｎ１での信号伝播遅延量を調整するための冗長配線ＪＮ１１〜ＪＮ１４が予め備えられる。前記信号配線Ｎ１の配線実施後に、前記信号配線Ｎ１での信号伝播遅延量の調整が必要になったときには、前記信号配線Ｎ１に接続される冗長配線ＪＮ１１〜ＪＮ１４を縮小することによって、前記信号配線Ｎ１の配線容量を変化させて信号伝播遅延量を調整する。 （もっと読む）

【課題】レジストポイゾニングを抑止して微細な配線構造を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線層１１上に、キャップ層１２、第１層間絶縁膜１３、エッチングストッパ層１４、第２層間絶縁膜１５、ハードマスク層１６、ハードマスク層１８を順次形成する。第１および／または第２層間絶縁膜１３，１５はｌｏｗ−ｋ材料からなる。次いでキャップ層１２の表面を露出するビアホール１９ａを形成する。次いで、ビアホール１９ａに酸発生剤を含む樹脂、例えば化学増幅型レジスト材料からなる埋込み材２１ａを充填する。次いで、埋込み材２１ａにエネルギー線を照射して酸性物質を発生させ、第１および第２層間絶縁膜１３，１５に吸蔵されていた塩基性物質を埋込み材２１ａの酸性物質により中和させる。 （もっと読む）

本発明は、基板（１１）と、少なくとも１つの半導体素子（Ｅ）を備える半導体本体（１２）とを有する半導体デバイス（１０）の製造方法であって、この半導体本体（１２）の表面上にメサ型半導体領域（１）が形成され、メサ型半導体領域（１）の頂部上での厚みがメサ型半導体領域（１）に隣接する領域（３）における厚みよりも小さな絶縁層（２）が、このメサ型半導体領域を覆って堆積され、次いで、メサ型半導体領域（１）の上側がなくなるように、メサ型半導体領域（１）の頂部の絶縁層（２）の一部を除去した後、メサ型半導体領域（１）に接触する導電膜（４）を、得られた構造を覆って堆積する方法に関する。本発明によれば、絶縁層（２）は、高密度プラズマ堆積プロセスを用いて堆積される。このような処理は、特に、例えばナノワイヤ形成のような小さなメサ型領域（１）を有するデバイスの製造方法に適している。好ましくは、絶縁層（２）の堆積前に、薄い更なる絶縁層（５）を、他の共形的堆積プロセスを用いて堆積する。
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【課題】
半導体装置内の配線の配置自由度を確保しながら当該配線にバンプによる応力が直接的にかかることを防止し、その配線の電気的信頼性を向上させた半導体装置、その半導体装置を用いた実装構造体、その実装構造体を用いた電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】
第１の配線２８と、その第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層２９と、その第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線３０と、第１の配線２８に少なくとも一部が平面的に重なる第１のコンタクトホール３２を有し、第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層３１と、その第２の層間絶縁層上で、当該第１のコンタクトホール３２が設けられた領域と異なる領域に設けられた第１のバンプ３３と、当該第１のコンタクトホール３２を介して第２の配線３０と第１のバンプ３３とを電気的に接続する接続用配線３４とを具備することとした。 （もっと読む）

【課題】相互接続構造内におけるエアギャップの形成に際し、横方向の制御性を向上させること。
【解決手段】集積回路を製造するための方法であって、−集積回路をなす相互接続構造積層体（１０）を形成し；−相互接続構造積層体の表面（１５）上に、エアキャビティの形成を意図した規定部分（１４）を規定し；−基板の表面の規定部分を取り囲む少なくとも１つのトレンチ領域を規定するとともに、トレンチ領域内において相互接続構造積層体内に少なくとも１つのトレンチ（３４）を形成し；−トレンチをコーティングするようにして硬質マスク層（２６）を成膜し；−除去剤（２４）を使用することによって透過材料を透過させつつ犠牲材料を除去することにより、基板の表面の規定部分の下方に、少なくとも１つのエアキャビティ（３２）を形成する。 （もっと読む）