【課題】工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）シロキサン構造を有する化合物を含む組成物から多孔質絶縁膜を形成する工程（２）該多孔質絶縁膜に充填材を塗布して多孔質部分を埋め戻し、かつ多孔質絶縁膜上層に充填材由来のポリマー被覆層を形成する工程（３）充填材由来のポリマー被覆層を除去し、埋め戻された空孔内の充填材を除去する工程を経る多孔質絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ内の銅配線が一部消失することを防ぐ。
【解決手段】上層プラグ一本当たりの下層の配線の面積が１００００μｍ^２以上になるような大面積の多層配線を有する半導体装置において、前記多層配線が半導体基板１Ｓの主面においてｎ型拡散層ＮＳを介してｐウエルＰＷに接続される構造を形成せず、前記多層配線をｐ型拡散層ＰＳを介してｐウエルＰＷに接続する構造、前記多層配線をｐ型拡散層ＰＳを介してｎ型拡散層ＮＳに接続する構造、前記多層配線をｎ型拡散層ＮＳを介してｎウエルに接続する構造、または半導体基板１Ｓ上に形成されたＭＩＳＦＥＴのゲート電極に接続する構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 配線材料の層間絶縁膜への拡散を抑制する拡散抑制膜による多層配線構造を設けた光電変換装置において、工程を増加させることなく、受光効率を高める。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、最上配線層の上部に、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する拡散抑制膜が配され、前記拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、前記拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同層配線間の容量及び、上下層配線間の容量を低減し、配線間領域の実効誘電率を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板上に形成された第１の絶縁膜１０１と、第１の絶縁膜１０１の上部に埋め込まれた複数の第１の配線１２０と、第１の絶縁膜１０１上及び複数の第１の配線１２０上に形成され、開口部を有するライナー絶縁膜１０４と、ライナー絶縁膜１０４上に形成された第２の絶縁膜１０７と、第２の絶縁膜１０７の上部に埋め込まれた複数の第２の配線１１０とを備える。第１の絶縁膜１０１における、第１の配線１２０の間であって、ライナー絶縁膜１０４の開口部と重なる部分には、絶縁膜によって塞がれたエアギャップ１０８が形成されており、第２の絶縁膜１０７の比誘電率は２．５以下である。 （もっと読む）

【課題】ヴィアのダメージを抑制することが可能な構造及び方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置を形成するための構造は、半導体基板と、ベースキャップ層２１０と、配線層の形成のための絶縁体層２１５と、絶縁体層上に形成されたハードマスク層２２０とを備え、ヴィアがハードマスク層及び絶縁体層の少なくとも一部を貫通して形成され、ヴィアが金属又は金属化合物を含有した犠牲材料で埋められている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多層配線構造を有する半導体装置及びその製造方法に関し、信頼性や製造歩留りが高く、設計的な制約の小さい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０上に形成された配線２０、４０、６０、８０と、配線２０、４０、６０、８０の周囲に形成された低誘電率膜１２、３２、５２、７２、９２と、低誘電率膜１２、３２、５２、７２、９２の形成材料より弾性係数の大きい誘電体材料で形成され、基板面に垂直に見て配線２０、４０、６０、８０に重なって配置された補強用絶縁膜４２ａ、６２ａ、８２ａ、１０２ａと、配線２０、４０、６０、８０に交差して配置された補強用絶縁膜２２ｂ、４２ｂ、６２ｂ、８２ｂ、１０２ｂとを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを有するプラグ配線において良好な電気的接続を得ることができるカーボンナノチューブ配線の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層１２上に層間絶縁膜１３を形成する工程と、第１配線層上の層間絶縁膜内にコンタクト孔１５を形成する工程と、コンタクト孔内の第１配線層上にカーボンナノチューブ１６を成長させ、コンタクト孔から先端が突き出た複数のカーボンナノチューブを形成する工程と、層間絶縁膜上及び複数のカーボンナノチューブ間に、ストッパ膜１７を形成する工程と、ストッパ膜上及び複数のカーボンナノチューブ上に絶縁膜を形成する工程と、ストッパ膜をストッパとして用い、ストッパ膜上の絶縁膜と共に、コンタクト孔上の複数のカーボンナノチューブを除去する工程と、複数のカーボンナノチューブ上に第２配線層１４を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 接続孔のホールサイズについて制御性良い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に上層絶縁膜が形成され、前記上層絶縁膜上にSiを含む非晶質膜が形成される。前記非晶質膜上に第１のレジスト膜が形成され、前記第１のレジスト膜に第１のレジストパターンが形成される。前記第１のレジスト膜をマスクとして、前記非晶質膜が加工され、前記上層絶縁膜が露出される。前記第１のレジストパターンが除去され、前記非晶質膜および露出した前記上層絶縁膜上に遷移金属膜が形成される。前記非晶質膜および前記遷移金属膜の熱反応により、前記非晶質膜よりも体積が大きいシリサイド膜が形成される。前記遷移金属膜が除去され、前記シリサイド膜をマスクとして、前記上層絶縁膜を加工し、前記上層絶縁膜に第１の溝が形成される。 （もっと読む）

【課題】 デュアルダマシン法を用いる配線形成方法で、特に最上層の配線を含む上層配線を形成する場合、接続孔の周囲に生ずるクラウンフェンスを容易に除去して信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 接続孔１９ａ、１９ｂ上に形成された開口を有するマスク層２１をマスクとして、第３絶縁膜１７および第３絶縁膜１７より密度の小さい、あるいは比誘電率が小さい第２絶縁膜１６をエッチングして配線溝２２を形成すると、接続孔１９ｂに埋め込まれた有機性材料２０の突出部と同時に、第２絶縁膜１６の構成材料を主成分とするクラウンフェンス２３が生ずる。これに対しマスク層２１の除去工程を兼ねるなどの処理において、少なくとも配線溝２２の内部にプラズマ処理を施した後、第２絶縁膜１６を溶解可能な処理液で処理し上記のプラズマ処理で変質したクラウンフェンス２５を選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的な接続信頼性を向上させる。
【解決手段】（ａ）半導体基板の主面上に、主導体膜（下地膜）７Ａおよび主導体膜７Ａ上のストッパ絶縁膜（被測定膜）６ｓを積層する工程、（ｂ）ストッパ絶縁膜６ｓに開口部８を形成する工程、を含んでいる。また、（ｃ）開口部８に電子ビーム（励起線）ＥＢを照射して、特性Ｘ線を放出させる工程、および（ｄ）特性Ｘ線を検出し、特性Ｘ線の検出結果に基いて開口部８の底部８Ｂにおけるストッパ絶縁膜６ｓの有無または膜厚を判定する工程、を含んでいる。また、（ｄ）工程では、特性Ｘ線に含まれる複数の元素成分の比率により、ストッパ絶縁膜６ｓの有無または膜厚を判定する。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合ダイオードの接合面積を大きくし、かつコストダウンを可能とすること。
【解決手段】半導体基板１０とｐｎ接合を形成する第１拡散領域３２を含む第１ｐｎダイオード３３を含み、前記半導体基板上に形成された電子回路２０と、前記電子回路とスクライブライン２６との間の前記半導体基板内に設けられ前記電子回路を囲み前記第１拡散領域と同じ導電型であり前記半導体基板とｐｎ接合を形成する第２拡散領域２４を、含む第２ｐｎダイオード２３と、前記電子回路と前記スクライブラインとの間の前記半導体基板上に、前記第２拡散領域と重なるように設けられ、前記電子回路を囲む金属層１８と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）基板の上方にアルミニウムを含有する導電性膜（アルミニウム膜１０ｂ）を形成する工程と、（ｂ）上記導電性膜をパターニングすることにより配線を形成する工程と、（ｃ）上記配線の上部に第１絶縁膜（第１保護膜）を形成する工程と、を有する。さらに、（ｄ）上記第１絶縁膜をエッチングすることにより、上記配線のパッド領域（Ｐｄ）を露出する工程と（ｅ）上記パッド領域（Ｐｄ）に、窒素系のプラズマガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、（ｆ）上記（ｅ）工程の後、上記パッド領域（Ｐｄ）にプローブ針を当接し、上記パッド領域（Ｐｄ）に通電する工程と、を有する。上記（ｅ）工程により、上記パッド領域（Ｐｄ）に窒化アルミニウム層（１５）が形成され、パッド領域（Ｐｄ）とプローブ針（Ｎ）との接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法によって、Ｍ（ＢＨ_４）_４（Ｍは、Ｚｒ又はＨｆを意味する）を原料としてＭ／Ｚｒ比が適正範囲内で良質なＭＢ_ｘ膜（Ｍは前記と同じ意味を有し、ｘは１．８〜２．５の数を意味する）を成膜する。
【解決手段】ガス供給源１９から、ガス供給配管１５ａを介してＨ_２ガスを原料容器２１内に供給する。原料容器２１内では、導入されたＨ_２ガスとの接触によって、固体原料のＺｒ（ＢＨ_４）_４が気化する。そして、成膜ガスとしてのＨ_２ガスとＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスの混合ガスが、ガス供給配管１５ｃ，１５ｃ１、シャワーヘッド１１のガス拡散空間１２及びガス吐出孔１３を介して処理容器１内に導入され、ウエハＷ上の絶縁膜の表面を覆うように、ＺｒＢ_ｘ膜の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線間の容量低減を実現するとともに、ミスアライメント・ビアを対策する。
【解決手段】配線上及び配線間のスペース領域に絶縁膜７４を形成し、隣接配線間隔が狭い配線の上面を露出するスルーホールの周辺領域の絶縁膜７４をリザーバーとして残して、周辺領域以外の絶縁膜７４を除去し、絶縁膜７４が除去された配線間のスペース領域に空隙を残しつつ、配線上に絶縁膜７７を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細で良好な形状のコンタクトホールを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜３６上にフォトレジスト膜４２を形成する工程と、フォトレジスト膜４２に開口部４４を形成する工程と、開口部４４が形成されたフォトレジスト膜４２をマスクとして絶縁膜３６をエッチングすることによりコンタクトホール４８を形成する工程とを有し、コンタクトホール４８を形成する工程は、開口部４４が形成されたフォトレジスト膜４２上に保護膜４６を堆積しながら絶縁膜３６をプラズマエッチングする第１の工程と、フォトレジスト膜４２上に堆積された保護膜４６を一旦除去する第２の工程と、保護膜４６が一旦除去されたフォトレジスト膜４２上に他の保護膜を新たに堆積しながら絶縁膜３６を更にプラズマエッチングする第３の工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内にバリアメタル層２０を形成した後、凹部１６、１７内にＣｕ配線層２３を形成する。バリアメタル層２０の形成工程は、凹部１６、１７内にＴｉ含有量が５０原子％を超える第１のＴｉＮ_x膜１８を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ｔｉ含有量が第１のＴｉＮ_x膜１８より多い第２のＴｉＮ_x膜（またはＴｉ膜）１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】下層配線層と配線シード層との密着性を低下させないで高く維持することが可能な配線形成方法を提供する。
【解決手段】下層配線層４と絶縁性バリヤ層６と層間絶縁膜８と上層配線層が順次積層された被処理体に対して上層配線層と、連通配線層１６とを形成する配線形成方法において、絶縁性バリヤ層を残した状態で連通ホール９Ｂを形成し、連通ホール内に犠牲膜を埋め込み、トレンチ９Ａを形成するパターンマスク６２を形成する前処理工程と、トレンチを形成するトレンチ形成工程と、犠牲膜６０とパターンマスクとをアッシングするアッシング工程と、トレンチ内と連通ホール内に熱処理によりバリヤ層１０を形成するバリヤ層形成工程と、異方性エッチングにより連通ホールの底部のバリヤ層と絶縁性バリヤ層とを除去する異方性エッチング工程と、配線シード層１２を形成する配線シード層形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１のＣｕ配線１０２と、第１のＣｕ配線１０２の上に設けられ、第１のＣｕ配線１０２からＣｕの拡散を防ぐ第１のバリア絶縁膜１０３とを備える。また、第１のバリア絶縁膜１０３の上には、第２のＣｕ配線１０５と、第１のＣｕ配線１０５の上に設けられ、第２のＣｕ配線１０５からＣｕの拡散を防ぐ第２のバリア絶縁膜１０６と、を備える。第１、第２のバリア絶縁膜１０３、１０６は、分枝アルキル基、及び、炭素−炭素二重結合を有するシリコン系絶縁膜からなる。 （もっと読む）

【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器２２内でプラズマにより金属のターゲット７６から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部４が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜９０を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜９２を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】めっき工程の埋設不良を抑制する。
【解決手段】半導体基板１００上に設けられた層間絶縁膜３２０に開口部を形成する工程と、開口部上面にバリア層３４０を形成するバリア層形成工程と、バリア層３４０上に配線シード層を形成する配線シード層形成工程を有する。また、バリア層形成工程は、選択成膜工程と、スパッタエッチング工程を有する。バリア層３４０の選択成膜工程は、バリア層３４０を、開口部の平面部３４２のみに選択的に成膜する。次いで、バリア層３４０のスパッタエッチング工程は、平面部３４２のバリア層３４０をスパッタエッチングしながらバリア層３４０のスパッタ粒子を開口部の側壁部３４４に堆積させる。 （もっと読む）