【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極１５を被覆するゲート絶縁層３７と、ゲート絶縁層３７上においてゲート電極１５と端部が重畳し、第２酸化物半導体層４０と導電層４１が積層された一対の第１配線層３８及び第２配線層３９と、少なくともゲート電極１５と重畳しゲート絶縁層３７及び該第１配線層３８及び該第２配線層３９における導電層４１の側面部及び上面部の一部と第２酸化物半導体層４０の側面部と接する第１酸化物半導体層３６とを有する非線形素子３０ａを用いて保護回路を構成する。
ゲート絶縁層３７上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子３０ａの特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ソフトエラーを低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 電極パッドを有する半導体チップが形成される半導体基板と、前記電極パッドに設けられる内部接続端子と、前記複数の半導体チップと前記内部接続端子とを覆うように設けられる絶縁層と、前記絶縁層を挟んで前記内部接続端子と接続される配線パターンと、を有する半導体装置であって、前記絶縁層は、ポリイミド及び／又はポリイミド系化合物等のα線を遮蔽する材料を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な構造でも安定して製造可能な不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の方向に延在する第１の配線と、前記第１の方向と非平行な第２の方向に延在する第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に挟持され、前記第１の配線と前記第２の配線とを介して供給される電流により、第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、前記第１の配線の層を形成する工程と、前記第１の配線の層の主面上に前記記録層の層を形成する工程と、前記記録層の層と前記第１の配線の層を選択的にエッチングして、前記第１の方向に延在する複数の積層体を形成する工程と、前記複数の積層体の間隙の表面に、気相成長法を用いて第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層の上に、塗布法を用いて第２の絶縁層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上の受動素子を用いてインピーダンス制御を行うために、高精度の抵抗部を容易に形成する。
【解決手段】半導体装置１２１の能動面１２１ａの周縁部には、複数の電極パッド２４が配列形成され、半導体装置１２１の能動面全体に保護膜としてのパッシベーション膜２６が形成されており、上述した各電極パッド２４の表面に、パッシベーション膜２６の開口部２６ａが形成されている。パッシベーション膜２６上には、応力緩和性の高い有機樹脂膜が形成される。そのパッシベーション膜２６の表面であって、電極パッド列２４ａの内側には、樹脂突起１２が形成されている。樹脂突起１２は、半導体装置１２１の能動面１２１ａから突出して形成され、略同一高さで直線状に延在しており、電極パッド列２４ａと平行に配設されている。 （もっと読む）

凹型導電性ソケットを備える環状バイアを有するダイを含むダイスタックおよびそのダイスタックを形成する方法は、様々な電子システムで使用するための構造を提供する。一実施形態において、ダイスタックは、別のダイの凹型導電性ソケット中に挿入されたダイの頂部上に導電性ピラーを含む。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動になどに対して強度を向上させることで高い信頼性が得られる半導体チップ、光電変換チップおよび半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２と、受光部３および制御回路部４とを形成する集積回路と、前記半導体基板２の側面に形成され、半円筒形状に形成された外部端子５と、底面を除く全体を覆う樹脂封止部６とを備えた光電変換チップ１は、プリント配線基板に搭載する場合に、ワイヤによる接続が不要なので、ワイヤボンディング工程が不要である。 （もっと読む）

【課題】歩留りが高く且つ配線間容量を十分に低減でき、且つ機械的強度を十分に得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の上に形成された第１の層間絶縁膜１０１と、第１の層間絶縁膜１０１に形成された複数の配線１０５と、第１の層間絶縁膜１０１に複数の配線１０５の少なくとも１つと接続するように形成されたビア１１３及びダミービア１０６とを有している。第１の層間絶縁膜１０１における互いに隣り合う配線１０５同士の間には空隙部１０９が選択的に形成されており、ダミービア１０６は、空隙部１０９と接する配線１０５Ａの下側に該配線１０５Ａと接続して形成され、ビア１１３及びダミービア１０６は、空隙部１０９を介することなく第１の層間絶縁膜１０１により周囲を覆われている。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ膜からなる配線層と封止樹脂層との密着性を向上させ、両層間での剥離を防止し信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１Ａ（１）は、一面に電極３を配してなる半導体基板２と、前記半導体基板の一面を覆うように配され、前記電極と整合する位置に電極用の開口部αを有する絶縁樹脂層４と、前記絶縁樹脂層の一部を覆うように配され、前記開口部αを通して前記電極と電気的に接続される配線層５と、を少なくとも備える半導体装置であって、前記配線層は、Ｃｕ膜からなり、該配線層の表面が１０ｎｍ〜３００ｎｍの凹凸形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をＦＩＢ加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、ＦＩＢ加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をＦＩＢＣＶＤにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、ＦＩＢＣＶＤにより形成するものである。 （もっと読む）

【課題】電極間において強度の高い接合が可能で、かつ低コスト化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１半導体チップ１０と、第１半導体チップ１０に設けられた第１電極１２と、第１半導体チップ１０が実装される第２半導体チップ２０と、第２半導体チップ２０に設けられた、突起２４を有する第２電極２２と、第１電極１２と第２電極２２を接合し、前記突起２４の側面の少なくとも一部を覆う半田バンプ１４とを具備している半導体装置及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接着剤の特性に依存せずに電気的な絶縁信頼性を確保することを目的とする。
【解決手段】電子デバイスは、半導体装置と、複数の基板電極４０を有する配線パターン３６が形成されて半導体装置が搭載された配線基板３４と、を有する。複数の配線２４と複数の基板電極４０とが対向して電気的に接続する。樹脂突起１８は、半導体装置と配線基板３４の対向方向に圧縮されて、露出部２８が基板電極４０に密着する。樹脂突起１８の表面は、複数の第１の領域２０と、複数の第１の領域２０よりも低くなった複数の第２の領域２２と、を交互に有する。それぞれの第１の領域２０は、いずれかの配線２４が載る支持部２６と、支持部２６及び第２の領域２２の間で配線２４から露出する露出部２８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 突起電極と電極パッドとの接着性が良好な半導体装置と、この半導体装置を短い処理工程で形成可能な製造方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板１に形成した絶縁膜３の開口から露出する電極パッド２と、電極パッド表面に形成されたプローブ痕５と電極パッド上とに設ける共通電極層８、９と、共通電極層８、９上に設ける突起電極１３を有する半導体装置において、プローブ痕５の庇５ａの下に感光性樹脂６を設ける半導体装置と、電極パッド２表面にプローブ針４を接触させてプローブテストを行なうプローブテスト工程と、このプローブテスト工程にて電極パッド２表面に生じるプローブ痕５の庇５ａの下に自己整合的に感光性樹脂６を形成する感光性樹脂形成工程と、共通電極層８、９を形成する工程と、共通電極層８、９の上に突起電極１３を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に新たな材料を用いる必要がなく、構造が単純で低コストのキャパシタを実現する。
【解決手段】基板１上に設けられた第１の樹脂層２と、第１の樹脂層２上に設けられた第１の配線層３と、第１の配線層３を覆い第１の樹脂層２上に設けられた第２の樹脂層４と、第２の樹脂層４上に設けられた第２の配線層５とを少なくとも備え、第１の配線層３および第２の配線層５がキャパシタを構成した電気回路素子とする。第１の配線層３または第２の配線層５の少なくとも一方が金属めっき層からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、信頼性の高い外部接続（パッド）構造をもつ半導体装置を提供する。また、低コストで製造作業性が良好な外部接続構造をもつ半導体装置を提供する。
【解決手段】所望の素子領域の形成された半導体基板１と、外部接続用端子部３の外部接続領域４の周縁を覆うように塗布形成された保護膜６とを具備した半導体装置であって、前記外部接続領域を囲むように前記保護膜の内縁を画定する画定領域５を具備している。 （もっと読む）

【課題】容量素子の歩留まりおよび信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板の上部に設けられ、ＳｉＯ₂膜１０３およびＳｉＯ₂膜１０３中に埋設された第一銅配線１０５を含む第一配線層、第一配線層上に設けられたＳｉＯ₂膜１０９、ＳｉＯ₂膜１０９上に設けられたＳｉＯ₂膜１１１、ＳｉＯ₂膜１１１上に設けられた容量素子１２１を含む。容量素子１２１は、ＳｉＯ₂膜１１１上に設けられた下部電極１１５、下部電極１１５の上部に対向して設けられた上部電極１１９およびこれらの間に設けられた容量絶縁膜１１７から構成されている。第一銅配線１０５の上面に突起部１３５が設けられている。ＳｉＯ₂膜１１１の上面は平坦である。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金中の合金元素を少なくしても、透明酸化物導電膜との接触抵抗を低くすることのできる低接触電気抵抗型電極、およびこうした電極を製造するための有用な方法、並びにこうした電極を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の低接触電気抵抗型電極は、酸化物透明導電膜と直接接触するＡｌ合金薄膜からなる低接触電気抵抗型電極において、前記Ａｌ合金は、Ａｌよりもイオン化傾向が小さい金属元素を０．１〜１．０原子％の割合で含有し、且つＡｌ合金薄膜の酸化物透明電極と直接接触するＡｌ合金薄膜表面は、最大高さ粗さＲｚで５ｎｍ以上の凹凸が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、製造から実装までの工程を効率的に行うことができる電子部品及び半導体装置、その製造方法及び実装方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【解決手段】パッケージサイズがチップサイズに近くて応力吸収層を有し、パターニングされたフレキシブル基板を省略でき、かつ、複数の部品を同時に製造することができる半導体装置である。ウエーハ１０に電極１２を形成する工程と、電極１２を避けてウエーハ１０に応力緩和層としての樹脂層１４を設ける工程と、電極１２から樹脂層１４の上にかけて配線としてのクローム層１６を形成する工程と、樹脂層１４の上方でクローム層１６に外部電極としてのハンダボールを形成する工程と、ウエーハ１０を個々の半導体チップに切断する工程と、を有し、クローム層１６及びハンダボールの形成工程には、ウエーハプロセスにおける金属薄膜形成技術が適用される。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造を有する半導体装置において、製造工程を増加させることなく形成される、外部との電気接続信頼性の高い電極パッドを備える半導体装置を提供すること。
【解決手段】 この半導体装置１において、第２配線層４の上には、第３配線層５が形成されている。第３配線層５には、所定パターンのＡｌ配線３６（各バリア膜３４，３５，３７を含む）が形成されている。Ａｌ配線３６は、層間膜３８に被覆されている。この層間膜３８の上には、表面保護膜３９が積層されている。そして、表面保護膜３９および層間膜３８には、これらの膜を膜厚方向に貫通する、パッド開口４０が形成されている。Ａｌ配線３６は、パッド開口４０内に臨む部分が、外部との電気接続のための電極パッドとして露出している。 （もっと読む）

集積回路中のコンタクトパッドが開示される。コンタクトパッドは、コンタクトパッドの底部（３０２）を含む平坦部と、平坦部から延在し平坦部に実質的に垂直な複数の突起（３０４、３０６、３０８、３１０、３１２）と、突起および平坦部に取付けられたはんだボール（１０８、１２４）とを含む。コンタクトパッドを形成する方法も開示される。
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【課題】回路素子にダメージをあまり与えることなく配線を形成する技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュールの製造方法において、絶縁層１６の一方の面上に導電性バンプ２０を形成する第１の工程と、絶縁層１６の他方の面から導電性バンプ２０を露出させる第２の工程と、導電性バンプ２０の露出した箇所および絶縁層１６の他方の面上に第１の配線層１８を設ける第３の工程と、回路素子が形成された半導体基板であって、基板の表面に電極が形成されている半導体基板を用意する第４の工程と、第３の工程により第１の配線層１８が設けられた導電性バンプ２０と、電極とを対向させた状態で、絶縁層１６と半導体基板とを圧着して導電性バンプ２０を絶縁層１６に埋め込む第５の工程と、を含む。 （もっと読む）