【課題】配線層にスリットを設けたり、下層に位置する配線層にライン幅及びスペース間隔の比率を制限したりすることなく、ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜におけるクラックの発生を防止する。
【解決手段】下地絶縁膜３上に第１配線層５が形成されている。下地絶縁膜３上及び第１配線層５上に第１層間絶縁膜７が形成されている。回転塗布法及びエッチバック処理により第１層間絶縁膜７上に第２層間絶縁膜９が形成されている。第１層間絶縁膜７上及び第２層間絶縁膜９上に第３層間絶縁膜１１が形成されている。第３層間絶縁膜１１上に第２配線層１３が形成されている。第１配線層５のうち幅寸法が１０.０μｍ以上の幅広第１配線層５に対して、第２配線層１３のうち幅寸法が１０.０μｍ以上の幅広第２配線層１３は、上方から見て、幅広第１配線層５と１.０μｍ以上の重なりをもって配置されているか、幅広第１配線層５とは２.０μｍ以上の間隔を設けて配置されている。 （もっと読む）

集積回路及び形成方法は、少なくとも１つの直線的に延在する導電配線の斜端に形成されたコンタクト領域を提供する。実施形態では、コンタクトランディングパッドを有する導電配線は、マスク材料に配線をパターン化することと、材料配線の延在方向に対して角度を形成するために少なくとも１つの材料配線を切断することと、マスク材料の斜端面から拡張部を形成することと、前記材料配線及び拡張部をマスクとして用いてエッチングすることによって基本的な半導体をパターン化することとによって形成される。他の実施形態では、少なくとも１つの導電配線は、斜端面を作るように導電配線の延在方向に対して角度を付けて切断されるとともに、電気的コンタクトランディングパッドは、斜端面にコンタクトして形成される。 （もっと読む）

【課題】側壁転写加工技術を用いる場合に、転写用のマスクが非対称な形状となることに起因した不具合を極力防止する
【解決手段】半導体基板１上に形成したシリコン酸化膜４にコンタクトプラグ５を形成し、シリコン窒化膜６、シリコン酸化膜７を積層し、芯材用膜を積層して芯材パターンに加工する。上面に非晶質シリコン膜を形成してスペーサ加工をしてマスクパターンを形成する。このとき、マスクパターンは、芯材パターンを挟んで対向するペア部の間隔に対して隣接部の間隔が小さくなるように形成される。芯材パターン除去の後、マスクパターンをマスクとしてシリコン酸化膜７、シリコン窒化膜６を加工して配線溝パターンを形成し、内部に導体膜８，９を埋め込み、埋め込み配線１０ａ、１０ｂを形成する。埋め込み配線１０ｂは、上部で配線幅が広く形成されている。 （もっと読む）

【課題】容量素子を構成する第１電極及び第２電極を形成するためのリソグラフィ工程で重ね合わせズレが生じた場合にも容量ばらつきを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の配線層Ｌ１〜Ｌ５のそれぞれは、絶縁膜１０３〜１０６と、当該絶縁膜中に相互に離隔し且つ向かい合うように埋め込まれた第１電極１０１及び第２電極１０２とを有する。一の配線層の第１電極１０１と、その上方又は下方に設けられた他の配線層の第２電極１０２とは相互に向かい合うように配置されている。一の配線層の第１電極１０１の幅と、他の配線層の第２電極１０２の幅とは異なっている。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの形状に異常を生じず且つサイズの小さい多層配線構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜を挟んで互いに対向して形成された上下の配線路の一方の配線幅を大、他方の配線幅を小とし、且つ、同一の配線層において互いに隣接する配線路の配線幅を大小交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の増大を抑制しつつ、ゲート抵抗を低減して高速スイッチング化が図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層１０におけるソース領域１４が設けられた表面上に設けられソース領域１４と接続された第１の主電極４０と、ベース領域１３に対して絶縁膜１７を介して対向し第１の方向Ｘに延在するゲート電極１６と、ゲート電極１６と接続され半導体層１０の表面上で第１の方向Ｘに交差して設けられた第１のゲート配線３１と、第１のゲート配線３１上に設けられ第１のゲート配線３１と接続されたゲートコンタクト部３２と、第１のゲート配線３１上に設けられ、ゲートコンタクト部３２を介して第１のゲート配線３１と接続され、第１のゲート配線３１よりも幅が広く且つ低抵抗な材料からなる第２のゲート配線３２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型表示装置等の半導体装置において、トランジスタの駆動能力を低下させることなく寄生容量の容量値を低減することを課題の一とする。または、寄生容量の容量値を低減した半導体装置を低コストに提供することを課題の一とする。
【解決手段】トランジスタのゲート電極と同一の材料層で形成される配線と、ソース電極またはドレイン電極と同一の材料層で形成される配線との間に、ゲート絶縁層以外の絶縁層を設ける。 （もっと読む）

【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程、及びその工程を容易に適用しうる構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子であって、基板上で第１方向に延長される第１ライン部分と該第１ライン部分の一端から前記第１方向とは異なる第２方向に延長される第２ライン部分とを含む複数の導電ラインと、前記複数の導電ラインの各々の前記第２ライン部分の一端と一体に接続されている複数のコンタクトパッドと、前記複数のコンタクトパッドのうち、選択された一部のコンタクトパッドから前記第２方向に沿って前記第２ライン部分と平行に延長される第１ダミー部分を各々有する複数のダミー導電ラインとを有する。 （もっと読む）

【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程及び該工程を容易に適用可能な構造の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、第１方向に相互平行に延びている複数のラインパターンを含む。複数のラインパターンのうちから選択される複数の第１ラインパターンは、第２方向に沿って交互に選択されて両側で各々隣接している２つのラインパターンの両端部のうち、素子領域の第１端部にさらに近い各端部に比べて、第１端部からさらに遠く位置する第１端部を有する。複数のラインパターンのうちから選択される複数の第２ラインパターンは、第２方向に沿って交互に選択され、両側で各々隣接している２つのラインパターンの両端部のうち、第１端部にさらに近い各端部より、第１端部からさらに近く位置する第２端部を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の凹部内に形成された配線のバリアメタル膜の絶縁膜からの剥がれを防ぐ。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成され、太幅配線溝１０６が表面に形成された層間絶縁膜１０４と、層間絶縁膜１０４の太幅配線溝１０６を埋め込んで形成され、バリアメタル膜１１０および銅膜１１６により構成された太幅配線１２０とを含む。太幅配線溝１０６の底面には、角部に選択的に凹凸１１４が形成され、凹凸１１４上にバリアメタル膜１１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】チップの基板への実装工程前の、パッドとバンプ間の接続状態の良否判定の信頼性を高める。
【解決手段】チップ１０が基板に実装された半導体装置であって、チップ１０に配置され、チップ１０の内部回路と電気的に接続するパッド群Ａと、チップ１０のうちパッド群Ａが配置された領域以外の領域に配置されたテスト用パッドパターンＢとを備え、パッド群Ａは、チップ１０の主面に形成された複数のパッド１２ａと、複数のパッド１２ａの各々の上にバリアメタル膜を介して形成され、基板と電気的に接続するバンプ１６ａとを有し、テスト用パッドパターンＢは、チップ１０の主面に形成された複数のテスト用パッド１２ｂと、複数のテスト用パッド１２ｂの各々の上にテスト用バリアメタル膜を介して形成されたテスト用バンプ１６ｂと、複数のテスト用パッド１２ｂのうち互いに隣り合うテスト用パッド１２ｂ間を電気的に接続する配線１１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線層の検査工程を含む半導体装置の製造技術において、検査の迅速性を損なうことなく、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体ウェハの主面上に中間配線層（工程ｓ０３，ｓ０５）、ビア層（工程ｓ０４，ｓ０６）、最上配線層（工程ｓ０７）を形成する。中間配線層を形成した後の電位コントラスト観察工程ｖｃ０１，ｖｃ０２と、最上配線層を形成した後の電気的検査工程ｅｃ０１とを有する。中間配線層は、平面積が大きい第１配線パターンと、面積が小さく、浮遊状態となる第２配線パターンとを有する。最上配線層は、第１配線パターンに導通する第１最上配線パターンと、第２配線パターンに導通する第２最上配線パターンとを有する。電気的検査では、第１最上配線パターンと第２最上配線パターンとの間に電位差を与えて導通状態を検査する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に形成する出力パッドと内部回路の出力端子とを接続する配線の配線抵抗を抑える。
【解決手段】出力端子１８の各々が基板の外周の一辺（第１の辺３１）の側に沿って配列されるように基板の中央部に第１の辺３１に沿って複数の内部回路１６が形成される。第１の辺３１に沿った領域には、複数の第１出力パッド１４Ａが形成され、第１の辺３１に対向する第２の辺３２に沿った領域には、複数の第２出力パッド１４Ｂが形成される。複数の内部回路１６の出力端子のいずれかと複数の第２出力パッド１４Ｂのいずれかとを各々接続する複数の第２配線４２の単位配線長当たりの抵抗値が、複数の内部回路１６の出力端子１８のいずれかと複数の第１出力パッド１４Ａのいずれかとを各々接続する複数の第１配線４１の単位配線長当たりの抵抗値より低くなるように第２配線４２の各々を形成する。 （もっと読む）

【課題】バンプの配列に疎密差があったときに発生する応力を緩和できる、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極端子群を備える配線基板と、バンプ３群が形成されたバンプ形成面７を備え、バンプ３群が前記電極端子群と対向するように前記配線基板上に実装された半導体チップとを具備し、バンプ形成面７は、バンプ３が配置された領域の面積密度が第１密度である第１領域９と、バンプ３が配置された領域の面積密度が前記第１密度よりも小さい第２密度である第２領域１０と、第１領域９と第２領域１０との境界部分に設けられた第３領域１１とを備え、第３領域１１は、バンプ３が配置された領域の面積密度が、前記第２密度よりも大きく、前記第１密度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】接続不良を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、ワイヤ４０にて外部電極と電気的に接続可能に構成されている。半導体装置１００は、基板１０と、その基板１０上に形成され基板１０とワイヤ４０により電気的に接続される半導体チップ２０とを備える。半導体チップ２０は、ワイヤ４０と電気的に接続された配線層２３と、配線層２３上に形成された保護層２４を有する。配線層２３は、保護層２４が上層に形成される一方、下層において他の層と電気的に接続される配線部２３１Ａと、保護層２４が上層に形成されず露出した表面においてワイヤ４０の一端が接続されるボンディング部２３１Ｂと、配線部２３１Ａとボンディング部２３１Ｂとを結ぶ接続部２３１Ｃとを備える。接続部２３１Ｃは、配線層２３を彫り込んで形成されたエッチング部６０を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の微細パターン製造方法を提供する。
【解決手段】フィーチャー層３１０の第１領域Ａには第１マスク構造物を形成し、第２領域Ｂには第２マスク構造物を形成する。各々デュアルマスク層とエッチングマスク層とを含むように第１マスク構造物及び第２マスク構造物を形成する。第１マスク構造物及び第２マスク構造物のエッチングマスクパターンを等方性エッチングし、第１マスク構造物からエッチングマスクパターンを除去する。第１マスク構造物及び第２マスク構造物の両側壁にスペーサ３５０Ａ、３５０Ｂを形成する。第２マスク構造物上にあるエッチングマスクパターンをマスクとして第１領域Ａで間にボイドが形成されるように側壁スペーサ３５０Ａを含む第１マスクパターンと、第２領域Ｂで間に第２マスク構造物が介在するように側壁スペーサ３５０Ｂ、３５０Ｃを含む第２マスクパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】製造バラツキに関わらず、切断箇所を制御できる構成の電気ヒューズを得る。
【解決手段】半導体装置２００は、基板（不図示）上に形成された上層ヒューズ配線１１２、下層ヒューズ配線１２２、および上層ヒューズ配線１１２の一端と接続され、上層ヒューズ配線１１２と下層ヒューズ配線１２２とを接続するビア１３０から構成される電気ヒューズ１００を含む。上層ヒューズ配線１１２には、一端側で配線幅が狭くなった幅変動領域１１８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を増加させることができる半導体素子のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板３００上のデュアルマスク層をパターニングして第１領域Ａには第１マスクパターン３２０Ａを形成し、第２領域Ｂには第１マスクパターン３２０Ａより幅広である第２マスクパターン３２０Ｂを形成する。第１マスクパターン３２０Ａの両側壁を覆う第１スペーサ３５０Ａと第２マスクパターン３２０Ｂの両側壁を覆う第２スペーサ３５０Ｂとを同時に形成する。第１マスクパターン３２０Ａを除去した後、第１領域Ａでは、第１スペーサ３５０Ａをエッチングマスクとして利用し、第２領域Ｂでは第２マスクパターン３２０Ｂ及び第２スペーサ３５０Ｂをエッチングマスクとして利用して第１領域Ａ及び第２領域Ｂで同時に基板３００をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】多層構造のＵＶセンサチップ４１に対して、斜め上方から光が入射した場合は、遮光用メタル７１−１〜７１−３及び第４層メタル７３の間で光が反射し、回路部６０に到達し回路の特性が変化してしまうという課題がある。
【解決手段】ＵＶセンサチップ４１の遮光用メタル７１−１〜７１−３の外周を、上層から下層に向かってその上層の第４層メタル７３及び遮光用メタル７１−２〜７１−３３よりも内側に位置するようにしたことにより、斜め上方から入射する光が遮光メタル７１−１〜７１−３層間で反射して回路部６０に到達することが防止される。 （もっと読む）

【課題】インクジェット方式により緻密な配線の形成される積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された導電層と、を有し、高表面エネルギー領域は、導電層による電気配線が形成される第１の領域と、第１の領域と接続されており、第１の領域よりも幅が狭く、第１の領域に導電材料を含む溶液を供給するための第２の領域とにより構成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）