【課題】低誘電率絶縁膜を用いた多層配線構造の配線の特性を向上する。
【解決手段】まず、フォトレジスト膜２５ｃをマスクとしてストッパ絶縁膜２１ｃ／低誘電率絶縁膜２２ｃ／キャップ絶縁膜２３ｃからなる積層絶縁膜２４ｃ中のストッパ絶縁膜２１ｃを含めた状態までドライエッチングすることによって、積層絶縁膜２４ｃに配線溝３２を形成する。次いで、還元性プラズマ処理によって、フォトレジスト膜２５ｃを除去した後、配線溝３２に配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来技術にかかる構造、および製造プロセスの欠点を回避するキャパシタ構造と、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハの基板上に形成された食刻相互接続構造（damascene）を有する半導体デバイスで使用される本発明のキャパシタは、食刻相互接続構造の一部を含む第１キャパシタ電極１６４と、食刻相互接続構造の上に形成され、パッシベーション層として機能する絶縁層１６６と、絶縁層の少なくとも一部の上に形成された導電層を含む第２キャパシタ電極１６８とを有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線、半導体装置等に好適に用いられ、露光光、例えば紫外線の吸収性が高い露光光遮蔽膜形成用材料等の提供。
【解決手段】露光光遮蔽膜形成用材料は、構造式（１）で表されるシリコン化合物及び構造式（２）で表されるシリコン化合物のいずれかを含んでなり、Ｒ^１及びＲ^２のいずれかが露光光を吸収可能な置換基で置換されている。




（Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は水素原子並びにアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基及びアリール基のいずれかを表す。ｎは２以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】電気的な短絡を防止するコンタクトを備える半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に形成された下部導電層１２４、下部導電層１２４を覆う層間絶縁膜１５０、層間絶縁膜１５０内に形成されるコンタクトホール１６０〜１６４、及びコンタクトホール１６０〜１６４を埋めるコンタクトプラグ１７０〜１７４を備える。コンタクトホール１６０〜１６４は、下部導電層１２４の上面を露出させるとともに、上断面が楕円形である。そして、コンタクトホール１６０〜１６４は、上断面の短軸方向に比べて長軸方向を近接して配列される。これにより、ボーイングによるコンタクトホール１６０〜１６４間の電気的な短絡を防止でき、素子の誤動作を減少させて性能を向上させて信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 導体回路素子内の微細配線形成方法として使用されているいわゆるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用し得るナノメータオーダーの微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の微細パターンの形成方法は、基板上に設けられた絶縁膜に形成された溝及び孔の少なくとも一方を、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、めっき液及び界面活性剤を含む超臨界流体又は亜臨界流体を用いためっき法により所定の金属で埋めることを特徴とする。この場合、めっき液として従来から使用されている電解めっき液や無電解めっき液を使用することができ、また、本発明の微細パターンの形成方法を実施する際には、脱脂部Ａ、酸洗部Ｂ、触媒化部Ｃ及びめっき部Ｄを備える表面処理装置１０を使用し得る。 （もっと読む）

【課題】メッキ処理を用いることなくプラズマスパッタだけで微細な凹部を金属によりボイドを発生させることなく埋め込むことができる成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を載置台３４上に載置した被処理体Ｗにバイアス電力により引き込んで凹部４を埋め込むようにした成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の金属ターゲットに対する対向面に関して、金属粒子による成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して凹部内に金属膜を形成する成膜工程と、金属粒子の供給を停止した状態で被処理体を金属膜の表面拡散が生ずる所定の温度範囲に加熱維持することにより金属膜の原子を凹部の底部に向けて移動させる拡散工程とを交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

水素ラジカルでバイアホールにバリヤ層をコーティングする前に、低ｋ誘電体の水素プラズマ洗浄に特に有用なチャンバ不動態化法が遠隔プラズマ源（６０）から提供される。各ウエハについて、水素プラズマの点火前に遠隔プラズマ源を通過した水蒸気（８６）（又はプラズマ対向壁上により多く化学吸収された他のガス）でチャンバが不動態化される。遠隔プラズマ源のアルミナや石英部分のような壁（７８、７９）上に水蒸気が吸収され、水素プラズマの生成で壁を保護するのに充分な長さを耐える保護単層を形成する。それによって、特にアルミナのような誘電体の、プラズマ対向壁がエッチングから保護される （もっと読む）

【課題】自然酸化膜下に位置する半導体基板や金属膜がオーバエッチングされず、位置によって厚みの異なる自然酸化膜を良好に除去できる半導体装置の提供。
【解決手段】半導体基板１の主表面に、第１導電型の第１不純物を導入して第１不純物領域３、４を形成する工程と、第２導電型の第２不純物を導入して第２不純物領域３３、３４を形成する工程と、第１不純物領域１上に第１ニッケルシリサイド膜２１、２２を形成すると共に、第２不純物領域３３、３４上に第２ニッケルシリサイド膜４１、４２を形成する工程と、ＮＨ３ガスと水素元素を含むガスとが混合された混合ガスを用いて、第１、第２ニッケルシリサイド膜２１、２２上に形成された酸化膜を除去する工程と、酸化膜を除去した状態で、第１ニッケルシリサイド膜２１、２２上に第１導電膜６ａ、７ａ、を形成すると共に、第２ニッケルシリサイド膜上に第２導電膜３６ａ、３７ａを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線の接続抵抗を低減し、かつ、接続信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１導電層４が形成された基板１上に、層間絶縁膜６を形成する工程と、層間絶縁膜６に第１導電層４を露出させる接続孔９を形成する工程と、接続孔９に露出した第１導電層４の表面を酸化して、酸化膜１０を形成する工程と、酸化膜１０を選択的に除去して、第１導電層４の表面を窪ませる工程と、接続孔９内に第２導電層を埋め込む工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線部からAVAI層間絶縁膜に亘る領域にＭＩＭ素子およびヒューズを形成し易い構造の半導体装置を得ること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板に形成された回路素子２０，３０と、回路素子を覆うようにして半導体基板上に形成された多層配線部５０と、多層配線部における最も上の層間絶縁膜４５に形成されたヒューズ７５と、多層配線部上に形成されたＭＩＭ素子７０と、多層配線部を覆う最外層間絶縁膜６０とを備えた半導体装置１００を作製するにあたり、多層配線部における最も上の層間絶縁膜に形成された下部電極６２と、下部電極上に形成された電気絶縁膜６４と、電気絶縁膜上に形成された上部電極６６とによってＭＩＭ素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】多層配線部上に形成されたＭＩＭ素子およびヒューズを具備し、所望性能のものを高い歩留りの下に作製し易い半導体装置を得ること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板に形成された回路素子２０，３０と、半導体基板上に形成されて回路素子を覆う多層配線部５０と、多層配線部上に形成された最外層間絶縁膜６０と、最外層間絶縁膜に形成されたＭＩＭ素子７０と、最外層間絶縁膜に形成されたヒューズ７５とを具備した半導体装置１００を作製するにあたり、最外層間絶縁膜に設けられた凹部に埋め込まれて最外層間絶縁膜の上面と共通の面を形成する下部電極６２と、下部電極上に形成された電気絶縁膜６４と、電気絶縁膜上に形成された上部電極６６とによってＭＩＭ素子を構成すると共に、最外層間絶縁膜に設けられた凹部に埋め込まれて最外層間絶縁膜の上面と共通の面を形成するようにして該最外層間絶縁膜にヒューズを埋め込み形成する。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。
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【課題】密着性の低い層間絶縁膜を使用する半導体装置の製造過程において、ウエハ端縁部で層間絶縁膜を含む積層膜が剥離することを防止した半導体装置の製造方法および半導体基板を得る。
【解決手段】ベベル部ＢＶ１上に形成された層間絶縁膜４を除去する際には、ラインＬ１で示す部分まで研磨を行い、層間絶縁膜４だけでなく半導体基板１の一部も除去するものとする。ラインＬ１が半導体基板１の主面となす角度αは０°よりも大きく３０°以下に設定され、半導体基板１のベベル部ＢＶ１の角度に合わせて適宜設定される。研磨ドラムＲＤは、円筒状のドラムの側面に研磨布を貼り付けて構成され、ドラムを中心軸の回りに回転させるとともに半導体基板１も面内回転させながら、研磨ドラムＲＤを半導体基板１の端縁部に押し当てることで研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】上下に積み重ねられる半導体チップ間の電気的接続についての信頼性を十分に確保した、半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体チップ２が積み重ねられてなる半導体装置である。半導体チップ２には、その第１面３ａに電極パッド４が設けられ、かつ第２面３ｂ側から第１面３ａ側にまで貫通し、電極パッド４の裏面に通じる貫通孔６が形成されるとともに、電極パッド４に導通する導電部７が、貫通孔６を通って第２面３ｂ側にまで引き出されて設けられている。電極パッド４上には、電極パッド４に導通するバンプ１０が設けられている。一方の半導体チップ２のバンプ１０が、他方の半導体チップの導電部７に接した状態で貫通孔６を気密に塞いでいることにより、貫通孔６内が閉空間１１とされているとともに、閉空間１１が減圧状態に保持されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜、特にＬｏｗ−ｋ膜を用いた場合の絶縁膜中の残留ガスによるバリアメタル等の劣化を抑制し、信頼性の高い半導体装置、その製造方法、およびパターン生成方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態に係る半導体装置１０は、半導体基板上に形成された層間絶縁膜２０と、この層間絶縁膜２０上に形成された層間絶縁膜２０よりも高い密度を有する保護膜２１と、これら層間絶縁膜２０および保護膜２１内に形成された配線１４およびダミー配線１５の少なくとも一方と、を含む配線層１１ａ〜１１ｃと、前記層間絶縁膜２０内で、前記配線１４および前記ダミー配線１５の被覆密度の合計が所定の規定値よりも低い低密度領域１７を取り囲んで他の領域と分離する分離壁（金属壁１６）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線をダマシン法で形成する半導体装置及びその製造方法において、いわゆる電池効果による影響を無くし、低抵抗で信頼性の高いＣｕ配線を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜は、第１の層間絶縁膜２０１と、第１の層間絶縁膜２０１上に形成され銅の拡散を防止する性質を有する第２の層間絶縁膜２０２とから構成される。配線溝Ｔ１の内壁の上端部を除く部分に、Ｃｕ配線を形成する銅が層間絶縁膜へ拡散することを防止するバリアメタル膜が形成される。Ｃｕ配線は、第２の層間絶縁膜２０２とその上端部において接し、これよりも下部においてはバリアメタル膜２０３により覆われている。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型ＭＯＳＦＥＴの閾値のバラつきを抑制して高品質の半導体装置を形成することができ、また、製品開発のコストを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上１００にゲート絶縁膜１０２を形成する第１の工程と、ゲート絶縁膜１０２上に、ゲート電極１０４を構成する導電体膜１０３を、有機材料を用いた形成法によって形成する第２の工程と、導電体膜１０３が形成されたシリコン基板１００を、酸化性雰囲気である水蒸気と、還元性雰囲気である水素との混合雰囲気中で加熱する第３の工程と、を備えた半導体装置の製造方法であって、第３の工程における水蒸気に対する水素の分圧比が、炭素が酸化され、かつ、導電体膜１０４を構成する金属材料が還元される分圧であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】オーバハング部分を生ぜしめることなくシード膜を形成することができるシード膜の成膜方法を提供することにある。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器２４内でプラズマにより金属ターゲット７０をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台３４上に載置した表面に凹部４を有する被処理体へバイアス電力により引き込んで凹部内を含む被処理体の表面に金属膜を形成することによりメッキ用のシード膜を形成するようにしたシード膜の成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の表面に一旦形成された金属膜がスパッタされないような大きさに設定して金属膜を形成する成膜工程と、金属イオンを発生させないで金属膜の形成を休止する休止工程とを、交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

導電性ビアを形成する方法は、一つ以上のビアホールを基板内に形成するステップを含む。ビアホールは、単一マスク、保護層、ボンドパッド、もしくは、エッチングプロセスの間にフォトマスクが除去される場合にハードマスクとして機能する、基板のその他のフィーチャで形成され得る。ビアホールは、その表面に低誘電率（低K）誘電材料を含む誘電体コーティングの付着を促進するように構成されてもよい。障壁層が各ビアホールの表面の上に形成されてもよい。種材料（seed material）を含み得るベース層は、その後のビアホールの表面上の導電材料の選択的堆積を促進するように形成されてもよい。また、結果として得られる半導体素子、中間体構造、ならびに、これらの方法から得られる半導体素子を含むアセンブリと電子デバイスが開示される。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭ部とロジック部とが並設されている構造で生産性を向上させることができる集積回路装置を提供する。
【解決手段】複数の容量素子１３０の上部電極１１８を従来から必須の上部容量配線１２２ａで接続することにより、複数の容量素子１３０の上部電極１１８を接続するために専用の製造工程や専用の製造設備が必要ないので生産性を向上させることができる。 （もっと読む）