【課題】埋め込み特性や膜特性に優れたシリコン酸化膜を高アスペクト比を有する凹部に形成することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主表面側に形成された凹部を有する下地領域と、前記下地領域の凹部内全体に埋め込まれた塩素を含有するシリコン酸化膜とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗体とＭＯＳトランジスタを同一基板に備える、半導体装置を製造するにあたり、コンタクトの導通不良を防ぐとともに、シリコン基板への配線金属の溶出を防ぐ。
【解決手段】先ず、下地２０を用意する。次に、下地上にシリコン酸化膜３０を形成する。次に、シリコン酸化膜３０上にシリコン窒化膜５０を形成する。次に、シリコン窒化膜上に層間絶縁膜６０を形成する。次に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及び層間絶縁膜の積層体６５を貫通するコンタクトホール７０を設ける。ここで、シリコン酸化膜の厚みを、３２〜４８ｎｍの範囲内の値とする。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く機械的強度が高い多孔質の絶縁膜を有する半導体装置の製造方法、並びにこのような多孔質絶縁膜の形成に好適な絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】基板１０上に、多孔質の第１の絶縁膜３８を形成する工程と、第１の絶縁膜３８上にＳｉ−ＣＨ_３結合を３０〜９０％の割合で含有するシリコン化合物を含む第２の絶縁膜４０を形成する工程と、第１の絶縁膜３８上に第２の絶縁膜４０が形成された状態で紫外線を照射し、第１の絶縁膜３８を硬化させる工程とを有する。これにより、ＣＨ_３基を脱離する波長域を有する紫外線が第２の絶縁膜により十分に吸収され、第１の絶縁膜では紫外線キュアによる高強度化が優先的に進行するので、第２の絶縁膜の誘電率を増加することなく膜密度を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】支持体を用いた半導体装置の製造方法において、製造工程を複雑化させることなく、信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】支持体８と半導体基板１とを貼りつける工程の前に、半導体基板１の表面を一部除去し、ダイシングラインＤＬに対応する位置に沿って溝部５を形成する。一連の加工をした後、ダイシングブレードやドライエッチングによって保護層２０，第２の絶縁膜１１，半導体基板１を順に除去して開口部２２（溶解剤供給経路）を形成する。開口部２２はその底部で溝部５と連通し、接着層７が当該開口部２２内において一部露出される。この時点で多数の半導体装置は個々の半導体チップに分割される。次に、開口部２２を介して溶解剤（例えばアルコールやアセトン）を露出された接着層７に対して供給し、接着力を徐々に低下させることで半導体基板１から支持体８を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の実装時の熱応力による配線層や導電層の剥がれを抑制し、電気的な断線を防止した、高性能かつ信頼性の高い半導体装置及びその効率的な製造方法の提供。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板（例えばシリコンウェハー１０）と、該半導体基板１０上に形成された配線層１４と、該配線層上に形成された第一の導電層１５と、該第一の導電層上に形成された層間絶縁膜１６と、前記第一の導電層１５と導通可能に、前記層間絶縁膜１６上に形成された第二の導電層１７とを有する。第二の導電層上にはバンプが形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線構造をパターン形成した際に発生した不要な残存物を容易且つ確実に除去し、信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】配線膜１上に、Ａｌ₂Ｏ₃（アルミナ）、ＳｉＯＮ、Ａｌ窒素酸化物、Ｔａ酸化物、及びＴｉ酸化物よりなる群から選ばれた少なくとも一種の材料からなる犠牲剥離膜４０を形成し、第１の配線４５をパターン形成した後、フッ化アンモニウム、アミド、有機酸、有機酸塩類、及び水を含有する薬液を用いて、ウェットエッチングにより残存物５０を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＣｕとＡｌが反応することによる配線抵抗の上昇や、Ｃｕの隆起によるＣｕ配線の信頼性の低下を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１上に形成される絶縁膜１２と、この絶縁膜の表面に形成された溝内に、第１のバリアメタル層を介在して埋め込まれるＣｕ配線Ｍ１Ａ，Ｍ１Ｂと、上記絶縁膜、第１のバリアメタル層及びＣｕ配線上に形成され、上記Ｃｕ配線上に対応する位置に開口１７Ａ，１７Ｂを有する層間絶縁膜１６と、上記層間絶縁膜の開口内において上記Ｃｕ配線と電気的に接続されるＡｌ配線２０と、少なくとも上記Ｃｕ配線とＡｌ配線との間に介在され、ＣｕとＡｌとの反応を防止するための第２のバリアメタル層１８と、上記第２のバリアメタル層に対するＡｌの流動性を上げるための第３のバリアメタル層１９とを含む積層膜とを備えている。 （もっと読む）

【課題】孔の中や溝の中などに金属材料を埋め込んだ際のカバレッジ性を向上させること
ができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置９１の製造方法は、まず、基板５１上に低透過率のレジスト膜２
２を形成する。次に、ホログラフィック露光装置１１を用いてレジスト膜２２を露光及び
現像する。これにより、ホログラフィック露光装置１１側が広いテーパ状の開口孔６２ａ
を有する第１レジストパターン６１ａを形成することができる。この第１レジストパター
ン６１ａをマスクとしてシリコン酸化膜５３を異方性にエッチングするとともに、第１レ
ジストパターン６１ａも異方性にエッチングする。これにより、第１レジストパターン６
１ａの形状から第２レジストパターン６１bの形状にすることができ、口元が広いテーパ
状のコンタクトホールを形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】配線用溝の深さ制御が容易で、誘電率が低く、かつリーク電流が増加しにくい多孔質の絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層５は、半導体基板１上に形成され、かつビア用貫通孔５ａを有している。多孔質シリカ層６は、ビア用貫通孔５ａに連通する配線用溝６ａを有し、かつ絶縁層５上に接して形成されている。導電層８は、ビア用貫通孔５ａ内および配線用溝６ａ内に形成されている。絶縁層５は、炭素と水素と酸素とシリコンとを含み、かつＦＴ−ＩＲにより測定したときに１２７４ｎｍ付近にＳｉ−ＣＨ₃結合に起因する吸収ピークを有する材質よりなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に記憶された情報のセキュリティ性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板２０上に多層配線層を形成する。そして、多層配線層のうち最上層配線層に配線４２を形成する。配線４２上に酸化シリコン膜４３、有色薄膜４４および酸化シリコン膜４５を順次形成し、酸化シリコン膜４５上に表面保護膜となる窒化シリコン膜４６を形成する。すなわち、本発明の特徴は、最上層配線層を構成する配線４２と表面保護膜となる窒化シリコン膜４６の間に有色薄膜４４を形成する。この有色薄膜４４は、可視光および特定波長域のレーザ光を減衰させる機能を有し、例えば、酸化コバルトを含有する酸化シリコン膜より形成する。 （もっと読む）

【課題】ｅヒューズにおいて、バックフロー効果を回避すること。
【解決手段】斜線で示した部分がシリサイド（領域）１であり、シリサイド領域１は、シリサイド領域１は、第１コンタクト領域７と第１コンタクト領域７よりも長手方向の幅が細いヒューズ領域８と、ヒューズ領域８を挟んで第１コンタクト領域７と対向して設けられた第２コンタクト領域９とから構成され、第２コンタクト領域９のヒューズ領域８と接している側とは反対側に隣接した位置（非ヒューズ接続側）などに非シリサイド領域２を設ける。 （もっと読む）

【課題】理想的なトレンチコンタクト形成によってコンタクトの低抵抗化と製造の低コスト化を実現する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法においては、半導体基板上に中間絶縁膜２０を形成する工程と；前記中間絶縁膜上に第１の層２２を形成する工程と；前記中間絶縁膜及び第１の層にコンタクトホールを形成する工程と；前記第１の層をハードマスクとして用いて、前記半導体基板に前記コンタクトホールと連通するトレンチ４０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】生産性を落とすことなく、上層の配線と下層の導電領域とを接続することができるタングステンプラグ形成工程を有した半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性領域が形成された半導体基板上に、層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記導電性領域に達する接続孔を、前記層間絶縁膜に形成する接続孔形成工程と、前記接続孔に、タングステン膜を埋め込むタングステンプラグ形成工程とを有する半導体装置の製造方法において、タングステンプラグ形成工程は、第１の埋め込みステップと、該第１の埋め込みステップの後の工程で、かつ前記第１の埋め込みステップよりも成膜速度が速い第２の埋め込みステップとを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層の表面をより簡便にかつ効果的に疎水化することができ、かつ、層のより深い領域を疎水化することができる表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、および該表面疎水化方法が施された半導体装置を提供する。
【解決手段】表面疎水化用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種の化合物と、（Ｂ）沸点が３０〜３５０℃である溶媒とを含む。
【化１】


・・・・・（１）
【化２】


・・・・・（２） （もっと読む）

【課題】 既存のＣＶＤタングステン・プラグ金属化技術と比べて減少したプラグ抵抗を示し得る構造体を提供すること。
【解決手段】 基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、キャビティの底部に配置された、コバルト及び／又はニッケルのようなシリサイド又はゲルニウム化物層と、誘電体層の上部及びキャビティの内部に配置され、前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触する、Ｔｉ又はＴｉ／ＴｉＮを含むコンタクト層と、コンタクト層の上部及びキャビティの内部に配置された拡散バリア層と、バリア層の上部に配置された、めっきのための随意的なシード層と、ビア内の金属充填層とを含むコンタクト金属（メタラジ）構造体が、その製造方法と共に提供される。金属充填層は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、亜鉛、及びこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材を用いて電着される。金属充填層がロジウム、ルテニウム、又はイリジウムである場合、金属充填物と誘電体との間に有効な拡散バリア層を必要としない。バリア層が、ルテニウム、ロジウム、又はイリジウムのようにめっき可能である場合、シード層を必要としない。 （もっと読む）

【課題】配線を低抵抗化するとともに、配線材料と層間絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成された第１の銅含有導電膜１２４と、第１の銅含有導電膜１２４上に形成され、第１の銅含有導電膜１２４に達する凹部が形成された絶縁膜（１０８、１１０、１１２、１１４）と、これら絶縁膜の凹部側壁を覆うように形成され、銅の拡散を防止する材料により構成された第２のバリア絶縁膜１２８と、凹部の底面で第１の銅含有導電膜１２４に接するとともに凹部の側壁で第２のバリア絶縁膜１２８に接して凹部内壁を覆うように形成された銅と銅とは異なる異種元素との第２の接着合金膜１３０と、銅を主成分として含み、第２の接着合金膜１３０上に第２の接着合金膜１３０に接して凹部を埋め込んで形成された第２の銅含有導電膜１３２とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、微細化したコンタクトホールでの安定したコンタクト抵抗と、信頼性の高いアルミニウム配線とを両立することはできないという課題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、コンタクトホールの内部と配線形成部とに、配向の異なるバリア層を有する。このバリア層は、チタン膜と窒化チタン膜とチタン膜との３層構造であって、配線形成部に形成するバリア層の（００２）配向性がコンタクトホールの内部のバリア層の（００２）配向性よりも高い。このような構成とすることによって、安定したコンタクト特性と、高エレクトロマイグレーション耐性とを有する半導体装置を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】 自己整合的に基板のコンタクト部をユニバーサルコンタクトホール内に形成することができる半導体装置の製造方法及びこの製造方法により形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜９にソース領域３が露出されたユニバーサルコンタクトホール７を開口し、ユニバーサルコンタクトホール７から半導体基板１００に第１導電型（Ｐ型）不純物を注入してユニバーサルコンタクトホール７の底面中央に露出するソース領域３を基板領域と同じ導電型の第１導電型領域５にする。ユニバーサルコンタクト１３はユニバーサルコンタクトホール７底面周縁部に露出するソース領域３に電気的に接続されている。基板領域とソース領域のコンタクトの位置関係が一定となりソース領域における電流の不均衡が解消される。 （もっと読む）

【課題】耐酸化した金属の確実かつ効率的な還元方法、該金属の還元方法を用い、配線間の寄生容量が低減可能で配線抵抗が低い多層配線、及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】本発明の金属の還元方法は、カルボン酸エステル化合物を少なくとも含む蒸気を、水蒸気により加水分解させ、酸化金属を還元する。また、本発明の多層配線の製造方法は、被加工表面に、被膜形成工程と、配線形成工程と、本発明の金属の還元方法を用いた還元工程とを少なくとも含む。本発明の多層配線は、本発明の多層配線の製造方法により形成される。本発明の半導体の製造方法は、被膜形成工程と、パターニング工程と、配線形成工程と、本発明の金属の還元方法を用いた還元工程とを少なくとも含む。本発明の半導体は、本発明の多層配線を少なくとも有し、本発明の半導体の製造方法により形成される。 （もっと読む）

【課題】銅と同等以上の抵抗率の導電層（シード層）を有した基板に対して、より均一な膜厚で、全面に亘って膜質の良好なめっき膜を成膜できるようにする。
【解決手段】基板保持部で保持した基板表面の周縁部に当接して該周縁部をシールするシール材９０と、基板保持部で保持した基板の表面に形成した導電層に接触して通電させるカソード接点８８と、内部にめっき液に浸漬させるアノード９８を収納し、基板保持部で保持した基板と対向する開口端部に多孔質構造体１１０を配置してめっき液室１００を区画形成したハウジング９４を有し、めっき液室１００は仕切り板１５０で複数の部屋１５４ａ，１５４ｂに仕切られ、アノード９８は複数に分割された分割アノード９８ａ，９８ｂから構成されて、各分割アノード９８ａ，９８ｂはめっき液室１００の各部屋１５４ａ，１５４ｂの内部に独立しためっき電流が流せるように配置されている。 （もっと読む）