【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法であって、基板が少なくとも銅含有表面層を含む方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの検出が可能であるとともに、チャージアップしにくいハードマスクおよびこのハードマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスが形成された半導体基板上に被加工膜１０２を形成し、この被加工膜上にハードマスク１１０を形成してから前記被加工膜をパターニングする工程を含む半導体装置の製造方法において、前記ハードマスクとして、前記被加工膜上に順次積層された導電性カーボン膜１０３及び透光性カーボン膜からなる透明積層膜１０４を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】単一のチャンバーで多様な工程を行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】１つ以上のパターンを有する半導体基板に対して、互いに異なる多数の工程が行われる工程チャンバー６００、各工程を行うための工程ガスを工程チャンバーの内部に独立して提供されるガス供給部７１０、ガス供給部と連結され工程チャンバーの上部に配置される多数の上部電極７２０及び上部電極と一対一で対応するように工程チャンバーの下部に配置され上面に前記基板が搭載される多数の下部電極７３０及び上部電極に電源を供給する第１電源及び下部電極に電源を供給する第２電源を具備する電源供給部７４０を含む。このような構成を採用したことにより、真空断絶なしに互いに異なる工程を行うことにより工程欠陥を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】多層基材を調製するための方法を提供する。
【解決手段】本方法は、バリア領域と銅領域を含む第１層を提供する工程と、該第１層上に銅を含む第２層を堆積する堆積工程とを含み、該堆積工程が、前記バリア領域上に約２０Å〜約２，０００Åの第１の厚さと、前記第１層の前記銅領域上に約０Å〜約１，０００Åの第２の厚さとを含む第２層を提供し、該第１の厚さが該第２の厚さよりも大きい、第１層と第２層を含む多層基材を提供する。 （もっと読む）

【課題】カービンナノチューブを用いた電流容量の大きいトランジスタや配線を製造容易な方法で作製する。
【解決手段】基板上に形成した触媒から垂直方向に、カーボンナノチューブ細線密度の高い、長さの揃ったカーボンナノチューブ束を配向成長し、この側面近傍に、カーボンナノチューブ束に親和性を有する液体である有機溶媒を滴下し、これを、窒素ガスを用いて、横倒ししたい方向の反対側からカーボンナノチューブ束方向に向かってブローして有機溶媒と共に垂直に立ったカーボンナノチューブ束を横倒しし、かつ基板表面に一定長さ（領域）をもって接触させる。有機溶媒を乾燥後、この接触領域の一部を、チャネル部として用いてバックゲート型トランジスタを、あるいは導体として配線を製造する。 （もっと読む）

【課題】電極の周囲へのＣｕの拡散を防止することができ、かつ、リーク電流の低減を図ることができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む材料からなる第１絶縁層２に下溝６が形成され、この下溝６には、Ｃｕからなる下部電極７が埋設されている。下部電極７上には、少なくとも下部電極７側の最下層部分がＳｉＯ_２からなる絶縁膜８が積層されている。絶縁膜８上には、導電性材料からなる上部電極１０が形成されている。上部電極１０は、絶縁膜８を挟んで下部電極７と対向している。そして、第１絶縁層２および絶縁膜８と下部電極７との間には、ＭｎＳｉＯからなる第１バリア膜９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ束の散けを防止することが可能な構造体を提供する。
【解決手段】 下地層１０に設けられた導電膜１２と、一端を導電膜１２に接続した複数のカーボンナノチューブのＣＮＴ束２０とを備え、ＣＮＴ束２０の他端側において、複数のカーボンナノチューブのうち少なくともＣＮＴ束２０の外側部のカーボンナノチューブがＣＮＴ束の外に向かって凸の曲率を有して延伸し、ＣＮＴ束の外周に向かうほど曲率が大きくなり、他端に向かって束の直径が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造にも適用出来る好ましくはカーボンで作られるナノチューブによるビアの形成法を提供する。
【解決手段】底部と、側壁とを備える、少なくとも１つのビアを、金属材料の２つの層４及び１２を隔てる絶縁材料層５の中に形成する。次いで接着層７及び／又は保護層８の上に触媒層９を堆積する。さらに抑止層１１を、前記ビアの前記底部における前記触媒層９の部分を除く、前記ビアの前記ビアの側壁の上と、前記絶縁材料層５の上に方向性堆積によって形成する。ナノチューブを前記抑止層１１のない前記ビア底部の前記触媒層９の部分から成長させて前記金属材料の２つの層４及び１２を電気的に接続する。 （もっと読む）

【目的】コンタクトプラグを従来よりも低抵抗化する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体基体上にＳｉＯ_２膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、ＳｉＯ_２膜にコンタクトホールを形成する工程（Ｓ１０４）と、コンタクトホール内にＴｉ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、Ｔｉ膜を窒化処理する工程（Ｓ１０８）と、コンタクトホール側壁に形成されたＴｉＮ膜を除去する工程（Ｓ１１０）と、コンタクトホール内にＷ膜を堆積させる工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のテスト構造物及び半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置のテスト構造物は、トランジスタ１５０、ダミートランジスタ１６０、及びパッドユニットを具備する。トランジスタ１５０は、基板の第１アクティブ領域１２０上に形成される。ダミートランジスタ１６０は、基板の第２アクティブ領域１３０上に形成され、トランジスタ１５０に接続される。パッドユニットは、トランジスタ１５０に接続される。ダミートランジスタ１６０により、トランジスタ１５０が受けるプラズマダメージが減少する。 （もっと読む）

【課題】微細化された半導体マスクを製造する方法を提供する。
【解決手段】最初に、一連のラインを含む犠牲マスクを有する半導体スタックが提供される２０２。犠牲マスクの一連のラインの側壁に近接するスペーサラインを有するスペーサマスクが形成される２０４。スペーサマスクはまた、スペーサライン間に介挿ラインも有している。最後に、犠牲マスクを除去して、スペーサマスクのみとする。介挿ラインを有するスペーサマスクは、犠牲マスクの一連のラインの頻度を３倍にする。 （もっと読む）

【課題】材料や形成されたパターンが異なる複数の層が積層された構造の半導体装置において、ＣＭＰ法による研磨処理やＳＯＧ膜成膜による平坦化処理を行わなくても平坦化でき、さらに基板材料を選ばず、簡便に平坦化を行う方法を提供することを課題とする
【解決手段】異なる層が複数積層されて形成された半導体装置において、絶縁膜に開口部を形成し、その開口部内に配線（電極）または半導体層を形成することにより、絶縁膜および配線（電極）または半導体層上に形成される絶縁膜に対してＣＭＰ法による研磨処理またはＳＯＧ膜の成膜による平坦化を行わなくても表面の平坦化を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体Ｗの表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばＭｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成する際に、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】径が０．１μｍ以下のＣｕコンタクトプラグを有する半導体装置に関し、バリア性及び密着性に優れたＣｕコンタクトプラグを有する半導体装置を提供することである。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１００の上に形成され、半導体基板１００表面に設けられた金属シリサイド層１０１を露出するコンタクトホール１０２ａを有する絶縁膜１０２と、コンタクトホール１０２ａの側壁部及び底部に形成され、金属シリサイド層１０１と接続する第１の高融点金属膜１０３と、第１の高融点金属膜１０３の上に形成された第２の高融点金属膜１０４と、第２の高融点金属膜１０４の上に形成され、コンタクトホール１０２ａの内部を充填する銅膜１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体マスクを製造する方法が記載されている。
【解決手段】最初に、犠牲マスク及びスペーサマスクを有する半導体スタックが提供される。犠牲マスクは、一連のラインを含み、スペーサマスクは、一連のラインの側壁に近接するスペーサラインを有する。次に、スペーサマスクをトリミングする。最後に、犠牲マスクを除去して、トリミングされたスペーサマスクを与える。トリミングされたスペーサマスクは、犠牲マスクの一連のラインの頻度を２倍にする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に、チタン膜上に窒化チタン膜が形成された積層構造のバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込んだ接続部における不具合を回避する。
【解決手段】コンタクトホールＣ１を形成して、その底部にニッケルシリサイド層１４を露出させた後、ＴｉＣｌ_４ガスを用いた熱反応により熱反応Ｔｉ膜２１ａを形成し、ＴｉＣｌ_４ガスを用いたプラズマ反応によりプラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂを形成し、Ｈ_２ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの塩素濃度を低減すると同時に、ニッケルシリサイド層１４の表面の酸化膜を還元し、ＮＨ_３ガスを用いた熱窒化処理及びＮＨ_３ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの表面に窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃを形成すると同時に、ニッケルシリサイド層１４の表面の酸化膜を還元する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の表面および絶縁膜の凹部に沿ってシード層を成膜し、凹部に銅配線を埋め込んだ後、加熱によりバリア膜を形成すると共にシード層を構成する金属の余剰分を配線から除去するにあたって、配線中における前記金属およびその酸化物の残留を抑えて、配線抵抗の上昇を抑えること。
【解決手段】凹部の底部に露出した、銅からなる下層側導電路の表面における、前記銅の自然酸化物を還元するかまたは除去する工程と、前記自然酸化物が還元または除去された基板に対し、銅よりも酸化傾向が高く、酸化物となって銅の拡散防止機能を発揮する自己形成バリア用の金属、またはこの金属と銅との合金からなるシード層を形成する工程と、凹部に銅を埋め込んだ後に前記自己形成バリア用の金属を酸化してバリア層を形成すると共に余剰の自己形成バリア用の金属を埋め込まれた銅の表面に析出させるために基板を加熱する工程と、を含むように半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】工程数を少なくし、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加を抑制することが可能なバリヤ層の形成方法を提供する。
【解決手段】表面の少なくとも一部にシリコン層６が露出している被処理体Ｗの表面に、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜よりなるバリヤ層１４を形成するバリヤ層の形成方法において、被処理体の表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でＴｉ膜を形成するＴｉ膜形成工程と、Ｔｉ膜上に前記シリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でＴｉＮ膜を形成するＴｉＮ膜形成工程とを有する。これにより、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制する。 （もっと読む）

【課題】集積回路部上にアンテナを作り込んで設ける場合であっても、接続不良やコンタクト抵抗の増加を抑制することを課題とする。
【解決手段】基板上に第１の導電膜を有する集積回路部を形成し、集積回路部上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にアンテナとして機能する第２の導電膜を選択的に形成し、絶縁膜及び第２の導電膜に開口部を形成して第１の導電膜を露出させ、メッキ処理により開口部及び第２の導電膜の上面に第３の導電膜を形成することにより、第１の導電膜及び第２の導電膜とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】ホールサイズが小さい場合でも、ホール底部の表面にＣＮＴを成長せしめることができるＣＮＴ成長用微細ホール形成方法、ＣＮＴ成長用基板及びＣＮＴ成長方法の提供。
【解決手段】ＣＮＴ成長用基板の主面上に母線層、ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層、及び絶縁層をこの順番に設け、絶縁層をエッチングして絶縁層にＣＮＴ成長用の微細ホールを形成する。このＣＮＴ成長用微細ホールが形成されている基板。このＣＮＴ成長用微細ホールの底部表面に、ＣＶＤ法によりＣＮＴを成長せしめる。 （もっと読む）