【課題】高密度のカーボンナノチューブを容易に配線に用いることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜７にビアホール９を形成し、ビアホール９内及び絶縁膜７上に触媒部１２を形成する。絶縁膜７上の触媒部１２を不活化し、ビアホール９内の触媒部１２を起点としてビアホール９内にカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた段階化キャップ層の表面上に配される少なくとも１つのパターニングされ且つ硬化されたｌｏｗ−ｋ物質を含む配線構造を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの硬化され且つパターニングされたｌｏｗ−ｋ物質およびパターニングされた段階化キャップ層は、その中に組み込まれる導電的充填領域を各々有する。パターニングされ且つ硬化されたｌｏｗ−ｋ物質は、１つ以上の酸感受性イメージング可能基を有する機能性ポリマー、コポリマー、あるいは少なくとも２種の任意の組み合わせのポリマー類もしくはコポリマー類またはその両方を含むブレンドの硬化生成物であり、段階化キャップ層はバリア領域として機能する下部領域および恒久的な反射防止膜の反射防止特性を有する上部領域を含む。 （もっと読む）

先端の集積回路にみられる切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）において、長尺のルテニウム金属膜（２１４）に多段階で銅鍍金を行う方法である。長尺のルテニウム金属膜 （２１４）を利用すると、銅金属がトレンチ（２６６）及びビア（２６８）のような高アスペクト比の切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）を充填するあいだ、不要な微細気泡が形成を防ぎ、前記ルテニウム金属膜（２１４）上に長尺の銅金属層（２２８）を含むサイズの大きい銅粒（２３３）が鍍金形成される。銅粒（２３３）は銅が充填された切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２７５ａ，２７５ｂ）の電気抵抗を低下させ、集積回路の信頼性を向上させる。
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【課題】電気的抵抗が低い相互接続構造、および、かかる相互接続構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造は、少なくとも１つの開口を含む誘電物質を含む。少なくとも１つの開口内には、任意のバリア拡散層、結晶粒成長促進層、凝集めっきシード層、任意の第２のめっきシード層、および導電性構造が配置される。典型的にはＣｕである金属含有導電性物質を含む導電性構造は、バンブー微細構造を有し、平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい。いくつかの実施形態では、導電性構造は、（１１１）結晶方位を有する導電性結晶粒を含む。 （もっと読む）

【課題】印刷塗布して形成された絶縁膜の絶縁特性を良好に保持した状態で、生産性を向上することが可能なアクティブマトリックスアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地層３４上に絶縁膜インクを印刷塗布する。印刷塗布された絶縁膜インクに含まれる溶媒が所定の絶縁特性が得られるまで十分に揮発させる前に終了するように絶縁膜インクを焼成して絶縁膜３２を形成する。下地層３４上に形成された絶縁膜３２上に１つ以上の開口部３３を有する導電層３１を形成する。それにより、導電層３１に設けられた開口部３３から絶縁膜３２内に残っている溶媒を揮発させることができるので、導電層３１におおわれた絶縁膜３２の絶縁特性を良好にすることができる。また、絶縁膜３２が十分に揮発する前に、絶縁膜３２上に導電層３１を形成することができるので、生産性を良くすることができる。 （もっと読む）

【課題】１つ以上のカーボン・ナノチューブを選択的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、上面を有する絶縁層を基板上に形成するステップと、絶縁層内にビアを形成するステップと、ビアの側壁及び底面を含め、絶縁層上に活性金属層を形成するステップと、ビアの内部での１つ以上のカーボン・ナノチューブの選択的な成長を可能にするために、イオン・ビームを用いて上面の部分にある活性金属層を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】上層の配線が導電体や不純物拡散層からずれていても、上層の配線を導電体や不純物拡散層に接続することができるようにする。
【解決手段】第１プラグ２１０は第１絶縁層２００に埋め込まれており、不純物拡散層１１０に接続している。第２プラグ３１０は第２絶縁層３００に埋め込まれており、第１プラグ２１０に接続している。第３プラグ４１０は第３絶縁層４００に埋め込まれており、第２プラグ３１０に接続している。第１配線５１０は第３絶縁層４００の表面に位置しており、第３プラグ４１０に接続している。平面視において、第２プラグ３１０は、上面及び底面の幅が第１プラグ２１０及び第３プラグ４１０の上面及び底面の幅がより大きく、かつ中心が、第１プラグ２１０の中心及び第３プラグ４１０の中心の少なくとも一方からずれている。そして第１プラグ２１０の中心は第３プラグ４１０の中心からずれている。 （もっと読む）

【課題】AlCuプロセスのCMOSイメージセンサーの大ビアボンディングパッドのアプリケーションを提供する。
【解決手段】集積回路は、ボンディングパッド領域と非ボンディングパッド領域とを有する基板からなる。“大ビア”と称される相対して大きいビアが、ボンディング領域の基板上に形成される。大ビアは、基板向きの上面図にて、第一寸法を有する。集積回路は、非ボンディング領域の基板上に形成された複数のビアも有する。複数のビアは、それぞれ、上面図にて、第二寸法を有し、第二寸法は、第一寸法より相当小さい。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルにおいて、Ａｌ系金属からなるゲート電極等がレジスト現像液およびレジスト剥離液によるダメージを受けにくいようにする。
【解決手段】 Ａｌ系金属からなるゲート電極２およびゲート配線３の上面にＡｌ酸化膜２ａ、３ａを形成すると、ゲート電極２およびゲート配線３の上面がレジスト膜４３ａ、４３ｂ、４３ｃ用の現像液および剥離液にさらされることがなく、ゲート電極２およびゲート配線３がレジスト膜４３ａ、４３ｂ、４３ｃ用の現像液および剥離液によるダメージを受けにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブと電極をなす金属とを強い結合力でかつ十分な密着性を持って接合できるカーボンナノチューブへの金属接合方法及びＣＮＴを用いた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブへの金属接合方法は、カーボンナノチューブを成長させる工程と、成長させたカーボンナノチューブの欠陥に硫黄原子を導入する工程と、前記硫黄原子を介して、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｇａ及びＡｓの中から選択された少なくとも１つの金属またはこれらの合金を接合する工程とを、含む。 （もっと読む）

【課題】 ビア開口部の底部にガウジング構造部を含む相互接続構造体、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、ビア開口部の上に配置されるライン開口部内の堆積されたトレンチ拡散バリアの被覆率に影響を与えず、及び／又は、ビア開口部及びライン開口部を含む相互接続誘電体材料内にスパッタリングを行なうことによりビア開口部の底部にガウジング構造部を生成することに起因する損傷を生じさせない。こうした相互接続構造体は、最初に相互接続誘電体内にライン開口部を形成し、その後、ビア開口部、次いでガウジング構造部を形成することによって、ビア開口部の底部内にガウジング構造部を提供することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】配線構造におけるクリティカルディメンションの制御性を向上させる。
【解決手段】配線構造の製造方法が提供される。本発明の一態様によれば、絶縁層内に溝またはビアが形成される際、別のビアおよび／または溝の側壁面が金属酸化層で覆われている。金属酸化層は、側壁面の侵食を防止するおよび／または抑制することができる。その結果、方法は、ビアおよび溝のクリティカルディメンションの制御性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】良質な配線構造、及びその形成方法を提供する。
【解決手段】第１の導電材及び第１の絶縁層を有する第１の配線層と、前記第１の絶縁層上の第２の配線層とを備え、前記第２の配線層は第２の絶縁層と、ヴィア及びトレンチを有する開口部とを有し、前記開口部は、第２の導電材と、前記第２の導電材と、前記第２の絶縁層との間の２層以上のバリア層とを有し、前記第２の導電材は、前記第１の導電材と電気的に接続され、前記２層以上のバリア層は、前記開口内の前記第２の絶縁層と第１のバリア層とが接触し、且つ前記第１のバリア層とＭｎＯ_ｘ含有バリア層とが接触する領域と、前記第２の絶縁層と前記ＭｎＯ_ｘ含有バリア層が接触する領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供する。
【解決手段】導電層形成工程によって形成されたソース電極２０Ａ、ドレイン電極２０Ｂ、及び画素電極２０Ｃを含む導電層２０上に、該導電層２０及び酸化物半導体層１８を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層２３を形成する。そして、この無機絶縁層２３上にフォトレジスト膜３０を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン３０Ｂ’を形成する。現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層２３の内のレジストパターン３０Ｂ’から露出した領域を除去することによって導電層２０の一部を露出させて、無機絶縁層２２にコンタクトホール２７を形成する。 （もっと読む）

いくつかの実施例は、半導体デバイスを提供する方法を含む。当該方法は、
（ａ）フレキシブル基板を提供する段階、（ｂ）フレキシブル基板上に少なくとも１つの材料層を堆積させる段階であって、そのフレキシブル基板上の少なくとも１つの材料層の堆積は、少なくとも１８０℃の温度で生じる、段階、および（ｃ）金属層とａ−Ｓｉ層との間に拡散バリアを提供する段階を含む。他の実施例も本願において開示される。
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【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板７の一方の面側に、トランジスタ４のゲート絶縁体層４４を形成する第１の工程と、ゲート絶縁体層４４上に、厚さ方向に貫通する貫通部９１を備える絶縁体層９を形成する第２の工程と、貫通部９１内の底部付近のゲート絶縁体層４４上、および、貫通部９１の周囲の絶縁体層９上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層４４上に形成された電極を用いて、ゲート電極４５を形成するとともに、絶縁体層９上に形成された電極を用いて、画素電極６を形成する第３の工程とを有する。また、平面視で、貫通部９１の開口部の縁が、当該貫通部９１の底部の縁より内側に位置する。 （もっと読む）

【課題】 相互接続構造の信頼性及び拡張性を改善する相互接続構造のための冗長金属拡散バリア層を提供する。
【解決手段】 冗長金属拡散バリア層は、誘電体材料内に設けられた開口内に配置され、且つ開口内に存在する拡散バリア層及び導電性材料の間に配置される。冗長拡散バリア層は、Ｒｕ並びに純粋なＣｏ若しくはＮ，Ｂ及びＰのうちの少なくとも１つを含むＣｏ合金からなる単層若しくは多層構造である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲット及びこれを利用して製造される半導体素子を提供する。
【解決手段】重量％で０．０１％以上から１％未満のＮｉ、及び残部としてＷ及びその他の不回避な不純物で構成されるスパッタリングターゲットであり、また、バリア層と、バリア層上のシード層と、シード層上の導電層と、を備え、導電層は、重量％で０．０１％以上から１％未満のＮｉ、及び残部としてＷ及びその他の不回避な不純物で構成される、タングステンとニッケルとの合金薄膜を備える半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の電気的接続構造を提供する。
【解決手段】 ビアホールの底部の導電体上に導電性触媒担持体層を設け、予め微粒子化した触媒微粒子を当該導電性触媒担持体層上に堆積し、その後リフトオフ法により前記ビアホール底部以外の前記触媒粒子を除去して触媒微粒子層となし、当該触媒微粒子層上に炭素細長構造体を設ける電気的接続構造の製造方法において、前記触媒微粒子が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅからなる群から選ばれた金属の微粒子であること。 （もっと読む）

【課題】 レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジス
トパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供する
ことを課題とする。
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジ
ストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパター
ンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパタ
ーンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上
の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 （もっと読む）