【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に導電性材料を埋め込む接続部において、接続孔の底部に存在するシリサイド層の表面の自然酸化膜を除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜（第１及び第２絶縁膜１９ａ，１９ｂ）に接続孔２０を開口して、接続孔２０の底部にニッケルシリサイド層１８の表面を露出させた後、半導体ウエハの主面上にＨＦガス及びＮＨ_３ガスを含む還元ガスを供給し、還元反応により生成物を形成してニッケルシリサイド層１８の表面の自然酸化膜を除去する。このときのＨＦガスとＮＨ_３ガスとの流量比（ＨＦガス流量／ＮＨ_３ガス流量）は１より大きく５以下とする。また半導体ウエハの温度を３０℃以下とすることが好ましい。その後、半導体ウエハに１５０から４００℃の加熱処理を施すことにより、半導体ウエハの主面上に残留する生成物を除去し、続いてバリアメタル膜２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨（ＣＭＰ）に代わる新たな銅層エッチング方法を提供する。
【解決手段】１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ使用環境下において１価の銅イオンと形成する錯体の溶解度が０．５ｇ／Ｌ以上の銅錯化剤、若しくは、１価の銅イオンと錯体を形成し、１価の銅イオンとの錯化定数が１×１０³より高い値を示し、且つ２価の銅イオンとの錯化定数が１×１０²⁰以下の値を示す銅錯化剤、例えばアセトニトリルを１ｗｔ％以上と、水を１ｗｔ％以上とを含むエッチング処理液は、特に銅を溶解する効果があるため、かかる水溶液を強制攪拌させながら銅層表面に接触させることにより余分な銅層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】インダクタのＱ値を向上させ、かつ、半導体装置の小型化の要求に応えることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、インダクタ１４１を含む配線を有し、絶縁層２１に形成された配線溝に前記インダクタ１４１を含む配線が埋設された銅配線層１４と、インダクタを含まず、他の絶縁層１５，１７，１９に形成された配線溝に埋設された銅配線層１１〜１３とが積層されている。
インダクタ１４１の平均グレインサイズが、インダクタを含まない銅配線層１１〜１３の配線の平均グレインサイズよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】配線層のバリア膜の酸化を防ぎ、配線からのＣｕの漏れを防止する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態の半導体装置は、半導体基板（１）と、前記半導体基板上に形成されたＣｕを有する第１の絶縁膜（３）と、前記第１の絶縁膜に形成された溝に設けられた配線（５）と、前記配線と前記第１の絶縁膜との間に形成されたバリア膜（４）と、前記配線の上面に形成されるとともに、前記バリア膜の側部と前記第１の絶縁膜との間の中空部（３２１）に前記配線の厚さ未満の深さまで形成された第２の絶縁膜（６）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜に本来求められるバリア性を維持しつつ、微細化が進む配線用のホールやトレンチに対し優れたステップカバレッジでバリアメタル膜を形成でき、その上、バリアメタル膜表面にボイドを生じることなくＣｕ膜を形成できると共に、両者間で高い密着性が得られるようにした薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 バリアメタル膜を、ＡＬＤ法によりＴｉＮ膜を形成し、当該ＴｉＮ膜表面に、Ｔｉ、Ｒｕ及びＣｏの中から選択される膜またはこれらのうち少なくとも二種を含む合金膜をＣＶＤ法またはＰＶＤ法により積層して構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｗを材料とする接続部の下地膜の形成工程として、形成容易なプロセスを選択することができ、下層のＣｕ配線である第１の配線のＣｕの浸食を抑制することにより、第１の配線と接続部との間における接触抵抗を低く抑えるとともにその均一性を高め、信頼性の高い半導体装置を実現する。
【解決手段】熱ＣＶＤ法によりＷＦ₆、Ｈ₂及びＢ₂Ｈ₆を含有し、シラン系ガスを含有しない第１の供給ガスを用いてＷ膜１８ａを形成した後、ＷＦ₆及びＨ₂を含有する第２の供給ガスを用いてＷ膜１８ｂを形成し、ＣＭＰを経て、ビア孔１６をＷ膜１８で充填するＷプラグ１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層配線の形成方法は、シロキサン構造を含むビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４を金属配線４１ａ上に形成する第一の工程（図１［１］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の一部に金属配線４１ａに達する凹部としてのデュアルダマシン溝４８を形成する第二の工程（図１［２］〜図２［２］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４とデュアルダマシン溝４８内で露出した金属配線４１ａとに水素プラズマ処理を施すことにより、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の表面に改質層４９を形成するとともに金属配線金属配線４１ａの表面を還元する第三の工程（図３［１］）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の損傷を抑えながらタンタルを主成分とするバリア膜をスパッタによって成膜する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１１３上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６を形成するスパッタ成膜工程を備える。スパッタ成膜工程は、層間絶縁膜１１３の上に、基板にＲＦバイアスを印加して行うキセノンガスを用いるスパッタリングにより、窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６Ａを形成する工程と、ＲＦバイアスを印加せずに行うキセノンガスを用いるスパッタリングにより、バリア膜１１６Ａの上に、タンタルを主成分とするバリア膜１１６Ｂを形成する工程とを備えてもよい。バリア膜１１６はＲＦバイアスを連続的に変化させて、層間絶縁膜１１３側をＲＦバイアスを印加して、配線層１１７側をＲＦバイアスを印加せずに形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホールにも確実にＣｕを埋め込むことができるＣｕ配線の形成方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１上に形成されたトレンチ３を有するＬｏｗ−ｋ膜２にバリア層４を介してＣｕ配線を形成するにあたり、バリア層４の上にＣＶＤによりＣｕが濡れる金属材料で構成された被濡れ層５を形成し、被濡れ層５の上にＰＶＤによりＣｕ層６を形成し、Ｃｕ層６を形成した後、シリコン基板１を加熱してＣｕ層６を流動させ、トレンチ３内にＣｕを流し込む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板の一方の面に形成されると共に、半導体基板と絶縁されたパッドと、パッドと対向する部分の半導体基板に形成され、一方の端部がパッドと接続されると共に、半導体基板と絶縁された貫通電極とを有する基板の製造方法に関し、基板の歩留まりを向上させることのできる基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板４１にパッド３２の母材となる金属膜４３を形成し、次いで、パッド３２の形成領域に対応する部分の金属膜４３と対向する半導体基板４１に貫通孔３１を形成し、その後、貫通孔３１に貫通電極１７を形成し、次いで、半導体基板４１に貫通電極１７の側面を露出する貫通部４９を形成し、次いで、少なくとも貫通部４９を絶縁材で充填して絶縁部材１６を形成し、その後、金属膜４３をパターニングしてパッド３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線間に設けられた絶縁膜への電界集中が抑制され、微細化されても、絶縁破壊が抑制され、十分な信頼性を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板上に形成され、ビアホール５０６ｃと、ビアホール５０６ｃの上部に連結された配線溝（上層配線溝）５０５ｃとを有する第１の絶縁膜（第２の層間絶縁膜）５０４と、ビアホール５０６ｃに埋め込まれたビア５０６と、ビア５０６に電気的に接続され、配線溝（上層配線溝）５０５ｃに埋め込まれた金属配線（上層配線）５０５と、ビアホール５０６ｃの側面に設けられ、金属配線（上層配線）５０５の側面と第１の絶縁膜（第２の層間絶縁膜）５０４との間に挟まれて形成された第２の絶縁膜（絶縁膜）５０８とを備えている。平面的に見て、ビア５０６は、隣接する金属配線（上層配線）５０５間の領域に、はみ出す事無く形成されている。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマ処理装置を用いた基板の処理に際し、上部電極を構成する部材間の熱膨張係数差に起因する異物の発生を抑制する。
【解決手段】プラズマエッチング装置５０の真空チャンバ５１に設けられた上部電極ユニット６０は、シリコン層とグラファイト層とを貼り合わせた円盤状の電極板６１と、電極板６１を支持するアルミニウム製の電極支持部材６２とからなり、この上部電極ユニット６０の上部にはチーリングユニット８０が設けられている。チーリングユニット８０は、その底部に冷媒を循環させるための冷媒室８１が設けられており、上部電極ユニット６０が冷媒によって強制冷却される構造になっている。 （もっと読む）

【課題】高い耐電圧特性、および耐リーク特性を有する配線構造を備える半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態による半導体装置は、半導体素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、上下層の導電部材を電気的に接続する接続部材と、前記接続部材の側面の下側から一部に接して形成されたスペーサ膜と、前記接続部材と同じ層に形成された第１の絶縁膜と、前記接続部材の上面の一部と接して形成された配線と、前記接続部材の上面の一部、側面の上側から少なくとも一部、および前記配線の側面の一部に接して形成された第２の絶縁膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流量が少なく、ＴＤＤＢ耐性の高い配線層を得ることができ、これにより、消費電力が小さく、信頼性の高い半導体装置を製造することができる技術を提供する。
【解決手段】絶縁膜と接触した界面ラフネス緩和膜であって、Ｓｉ−Ｏ結合を有し、Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｃｌ結合との少なくともいずれか一方を有し、かつ、Ｓｉ−Ｎ結合とＳｉ−Ｃｌ結合とをその合計で一分子中に少なくとも二つ有するケイ素化合物を含有してなる組成物を用いてなり、絶縁膜との接触面の反対側の面で配線とも接触し、絶縁膜と界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスより、配線と界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスの方が小さい界面ラフネス緩和膜を使用する。 （もっと読む）

【課題】シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、シリカ系の絶縁材料の絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜１０２をドライエッチングにより加工し、加工した絶縁膜１０２にシラン化合物を作用させることにより、ドライエッチングのダメージによって絶縁膜１０２内に導入されたＳｉ−ＯＨ結合にシラン化合物を反応させて疎水化し、絶縁膜１０２に光照射又は電子線照射を行うことにより、シラン化合物と反応していないＳｉ−ＯＨ結合を縮合させる。 （もっと読む）

【課題】 低電気抵抗を維持した上で、基板との密着性を向上することが可能な新規なＣｕ系配線膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 所定の酸素含有雰囲気中でＣｕターゲットを用いてスパッタリングにより成膜するＣｕ系配線膜の成膜方法において、所定の酸素含有雰囲気中でＣｕターゲットに印加する電力量を所定の値に設定してスパッタリングにより成膜する第１の成膜工程を経た後、前記Ｃｕターゲットに印加する電力量を第１の成膜工程よりも増加させてスパッタリングにより成膜する第２の成膜工程を行なうＣｕ系配線膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】 従来のＷ−ＣＳＰは、コンタクト２と外部電極４との間は、幅の狭い再配線５がある。しかし発熱量の多いＣＳＰは、面実装であるが故、シリコン基板の裏面から放熱できず、温度上昇する。よって再配線のネック部分でクラックや断線を発生する。
【解決手段】 半導体チップ２２には、マトリックス状にカードの如き矩形状の外部電極３１Ａ、３１Ｂを並べるように配置する。そのため従来の構造の様に、再配線が無く、面積の大きい外部電極を配置できるため、放熱性の向上が実現できる。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の製造工程におけるパーティクルの発生や組成比の変動を抑制させて、半導体装置の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】成膜チャンバ３３は、第１カソード４０ａと第２カソード４０ｂを備え、各カソード４０ａ，４０ｂに、それぞれＺｒを含む第１ターゲット４２ａと、ＢＮを主成分とする第２ターゲット４２ｂを搭載する。そして、成膜チャンバ３３は、各外部電源を駆動して第１ターゲット４２ａと第２ターゲット４２ｂとを同時にスパッタし、第１絶縁層の表面と第１配線の表面、又は、第２絶縁層の表面と第２配線の表面に、ＺｒＢＮを主成分とするメタルキャップ層を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨を行った際に、ウェーハ周辺部における配線材料の崩れに起因する異物の発生が生じず、ウェーハ表面に傷をつけることがないようにする。
【解決手段】シリコン基板上に多孔質絶縁膜及び絶縁膜を形成し、シリコン基板の周辺部をカバーするためのハードマスクカバー膜を介して配線形成用のレジストパターンを形成する。シリコン基板周辺部に配線パターンが形成されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ膜上におけるＣｕのめっき不良を抑制し、それにより半導体装置の性能を向上することを目的とする。
【解決手段】金属バリア層を表面全体に備えたウェハに、電解めっきにより第一Ｃｕめっき膜および第二Ｃｕめっき膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記第一Ｃｕめっき膜の電解めっきにおける電極の第一コンタクト部は前記金属バリア層表面に設けられ、
前記第二Ｃｕめっき膜の電解めっきにおける電極の第二コンタクト部は前記第一Ｃｕめっき膜表面に設けられる半導体装置の製造方法。 （もっと読む）